由于第三代半导体材料具有非常显著的性能优势和巨大的产业带动作用，欧美日等发达国家和地区都把发展碳化硅半导体技术列入国家战略，投入巨资支持发展。本文将对第三代半导体材料的定义、特性以及各国研发情况进行详细剖析。
2016-11-15 09:26:48
2762 宽禁带半导体（WBS）是自第一代元素半导体材料（Si）和第二代化合物半导体材料（GaAs、GaP、InP等）之后发展起来的第三代半导体材料，禁带宽度大于2eV，这类材料主要包括SiC（碳化硅）、C-BN（立方氮化硼）、GaN（氮化镓、）AlN（氮化铝）、ZnSe（硒化锌）以及金刚石等。
2016-12-05 09:18:344406 
随着科技的不断进步，新的半导体材料正在为整个电子行业带来深刻的变革。在这场技术革命的前沿，第三代半导体材料崭露头角。与前两代半导体材料相比，第三代半导体在高温、高压、高频等应用环境中展现出了更为出色的性能。从材料分类的角度来看，第三代半导体材料主要可以分为以下四类。
2023-08-21 09:33:071582 
，也点燃半导体业新战火。 第三代半导体主要和氮化镓（GaN）和碳化硅（SiC）两种材料有关，不少大厂都已先期投资数十年，近年随着苹果、小米及现代汽车等大厂陆续宣布产品采用新材料的计划，让第三代半导体成为各界焦点。 目前各大厂都运用不同
2021-05-10 16:00:572569 。 第三代半导体是以碳化硅、氮化镓等为代表的宽禁带半导体材料。某机构数据显示，2022年，国内有超26家碳化硅企业拿到融资。而根据电子发烧友的不完全统计，今年光上半年就有32家碳化硅企业拿到融资。2023全年第三代半导体行业融资超
2024-01-09 09:14:331408 
半导体材料从发现到发展，从使用到创新，拥有这一段长久的历史。宰二十世纪初，就曾出现过点接触矿石检波器。1930年，氧化亚铜整流器制造成功并得到广泛应用，是半导体材料开始受到重视。1947年锗点接触三极管制成，成为半导体的研究成果的重大突破。
2020-04-08 09:00:15
进口日本半导体硅材料呆料，硅含量高，其中有些硅圆片，打磨减薄后可以成为硅晶圆芯片的生产材料。联系方式：沈女士（***）
2020-01-06 09:59:44
器件产业链重点公司及产品进展：欧美出于对我国技术发展速度的担忧及遏制我国新材料技术的发展想法，在第三代半导体材料方面，对我国进行几乎全面技术封锁和材料封锁。在此情况下，我国科研机构和企业单位立足自主
2019-04-13 22:28:48
、InP化合物半导体材料之后的第三代半导体材料。 在光电子、高温大功率器件和高频微波器件应用方面有着广阔的前景。SiC功率器件在C波段以上受频率的限制，也使其使用受到一定的限制;GaN功率管因其
2017-06-16 10:37:22
硅材料的研究也非常透彻。基于硅材料上器件的设计和开发也经过了许多代的结构和工艺优化和更新，正在逐渐接近硅材料的极限，基于硅材料的器件性能提高的潜力愈来愈小。以氮化镓、碳化硅为代表的第三代半导体具备优异
2017-05-15 17:09:48
３Ｇ定义 ３Ｇ是英文３rd Generation的缩写，至第三代移动通信技术。相对于第一代模拟制式手机（１Ｇ）和第二代GSM、TDMA等数字手机（２Ｇ）来说，第三代手机是指将无线通信与国际互联网等
2019-07-01 07:19:52
第三代移动通信过渡技术——EDGE作者：项子GSM和TDMA/136现在是全球通用的第二代蜂窝移动通信标准。当前有100多个国家的1亿多人采用GSM，有近100个国家的约9500万用户采用 TDMA
2009-11-13 21:32:08
仅是第一代传统LED的2倍。 特别提醒大家是，帕特罗（PATRO）第三代红外摄像机技术采用的硅胶封装材料，不易断裂，不易氧；第三代阵列式采用的是可降解高集成物，遇热容易断裂。所以，在这里，很负责
2011-02-19 09:35:33
红外夜视领域领先技术，在产品性能与应用等方面上与激光红外相比，有明显的优势。广州帕特罗（PATRO）的第三代红外摄像机以单颗灯完全取代多颗灯模式，电光转化效能最高可达85%以上，降低了功耗，使用寿命
2011-02-19 09:38:46
宽禁带半导体材料氮化镓（GaN）以其良好的物理化学和电学性能成为继第一代元素半导体硅（Si）和第二代化合物半导体砷化镓（GaAs）、磷化镓（GaP）、磷化铟（InP）等之后迅速发展起来的第三代半导体
2019-06-25 07:41:00
LED:节能环保的第三代照明技术1、半导体照明 LED：变革照明的第三代革命1.1LED 代替白炽灯—任重而道远自 20 世纪 60 年代世界第一个半导体发光二极管诞生以来，LED 照明因具 有
2011-09-28 00:12:44
`第一代没有留下痕迹。第二代之前在论坛展示过：https://bbs.elecfans.com/jishu_282495_1_1.html现在第三代诞生：`
2013-08-10 15:35:19
据业内权威人士透露，我国计划把大力支持发展第三代半导体产业，写入“十四五”规划，计划在2021-2025年期间，在教育、科研、开发、融资、应用等等各个方面，大力支持发展第三代半导体产业，...
2021-07-27 07:58:41
什么是第三代移动通信答复：第三代移动通信系统IMT2000，是国际电信联盟（ITU）在1985年提出的，当时称为陆地移动系统（FPLMTS）。1996年正式更名为IMT2000。与现有的第二代移动
2009-06-13 22:49:39
随着第三代移动通信技术的兴起，UMTS网络的建立将带来一场深刻的革命，这对网络规划也提出了更高的要求。在德国轰动一时的UMTS执照拍卖，引起了公众对这一新技术的极大兴趣。第三代移动通信网络的建设正方
2019-08-15 07:08:29
IR-III技术定义(IR-III Technology Definition)IR-III技术即红外夜视第三代技术，根植于上世纪60年代美国贝尔实验室发明的红外夜视技术，属于一种主动式红外
2011-02-19 09:34:33
已经将产业未来聚焦到了第三代化合物半导体身上。可以说第三代半导体就是未来功率器件的发展方向。全国两会近日刚落下帷幕，第三代半导体（GaN和SiC）再度成为两会的关键词之一。伴随着第三代半导体行业的触角向
2021-03-26 15:26:13
基于第三代移动通信系统标准的ALC控制方案的设计与实现
2021-01-13 06:07:38
导 读 追求更低损耗、更高可靠性、更高性价比是碳化硅功率器件行业的共同目标。为不断提升产品核心竞争力，基本半导体成功研发第三代碳化硅肖特基二极管，这是基本半导体系列标准封装碳化硅肖特基二极管
2023-02-28 17:13:35
直接变频架构促使着宽带无线电支持第三代(3G)和第四代(4G)无线网络中的多模式和多标准要求，随之要求能够处理全球400 MHz 至 4 GHz 范围内的信号，因而基础设施和移动设备开发商寻求系统
2019-07-04 07:33:59
浅析第三代移动通信功率控制技术
2021-06-07 07:07:17
一、化合物半导体应用前景广阔，市场规模持续扩大 化合物半导体是由两种及以上元素构成的半导体材料，目前最常用的材料有GaAs、GaN以及SiC等，作为第二代和第三代半导体的主要代表，因其在高功率
2019-06-13 04:20:24
超过40%，其中以碳化硅材料（SiC）为代表的第三代半导体大功率电力电子器件是目前在电力电子领域发展最快的功率半导体器件之一。根据中国半导体行业协会统计，2019年中国半导体产业市场规模达7562亿元
2021-01-12 11:48:45
本文讨论了移动通信向第三代(3G)标准的演化与发展，给出了范围广泛的3G发射机关键技术与规范要求的概述。文章提供了频分复用(FDD)宽带码分多址(WCDMA)系统发射机的设计和测得的性能数据，以Maxim现有的发射机IC进行展示和说明。
2019-06-14 07:23:38
是宽禁带半导体材料的一种，主要特点是高热导率、高饱和以及电子漂移速率和高击场强等，因此被应用于各种半导体材料当中，碳化硅器件主要包括功率二极管和功率开关管。功率二极管包括结势垒肖特基（JBS）二极管
2023-02-20 15:15:50
分享小弟用第三代太阳能的心得。
最近看了很多资料对第三代太阳能的介绍，诸多的评论都说到他的优势，小弟于是购买了这种叫第三代的太阳能－砷化镓太阳能模块。想说，现在硅晶的一堆
2010-11-27 09:53:27
Intel Xeon®可扩展处理器（第三代）Intel®Xeon®可扩展处理器（第三代）针对云、企业、HPC、网络、安全和IoT工作负载进行了优化，具有8到40个强大的内核和频率范围、功能和功率级别
2024-02-27 11:58:54
和第三代材料技术发展的主要趋势，拥有广阔的应用前景。 第三代半导体材料主要包括氮化镓(Gallium Nitride，GaN)、碳化硅(Silicon Carbide， SiC)、氧化锌(Zinc
2017-02-07 01:08:07741 ， Si)、GaAs等半导体材料相比，第三代半导体材料禁带宽度大，具有击穿电场高、热导率高、电子饱和速率高等优越性质。其中氮化物材料是第三代半导
2017-02-15 01:01:11308 Nitride， AlN）和金刚石等宽禁带半导体材料。与硅（Silicon， Si）、GaAs等半导体材料相比，第三代半导体材料禁带宽度大，具有击穿电场高、热导率高、电子饱和速率高等优越性质。其中氮化物
2017-11-10 11:35:57
1 本文首先介绍了第三代半导体的材料特性，其次介绍了第三代半导体材料性能应用及优势，最后分析了了我国第三代半导体材料发展面临着的机遇挑战。
2018-05-30 12:37:3334365 
本文首先分别对第一代半导体材料、第二代半导体材料和第三代半导体材料进行了概述，其次介绍了第三代半导体材料应用领域及我国第三代半导体材料的前景展望。
2018-05-30 14:27:17143245 继5G、新基建后，第三代半导体概念近日在市场上的热度高居不下。除了与5G密切相关外，更重要是有证券研报指出，第三代半导体有望纳入重要规划，消息传出后多只概念股受到炒作。证券业人士提醒，有个人投资者
2020-09-21 11:57:553812 耐威科技发力第三代半导体材料，其氮化镓材料项目宣布签约青岛。
2018-07-10 11:13:4611881 我国第三代半导体产业正进入高速发展阶段。从战略上讲，重视第三代半导体材料是整个国家的需要，也是我国发展的新机会。第三代半导体材料作为新材料产业的重要组成部分，是全球战略竞争新的制高点。
2018-11-02 08:58:001929 日前，在纪念集成电路发明60周年学术会议上，中科院院士、国家自然科学基金委员会信息科学部主任、西安电子科技大学教授郝跃院士做了题为《宽禁带与超宽禁带半导体器件新进展》的报告。郝跃院士详细讲解了第三代半导体材料的优势。
2018-10-23 14:36:1313190 除此之外，为了缩短测试所用的时间，这种仪器还必须能够监视这台设备所消耗的电压和电流，并以此来判断设备的性能或测试设备是否正常工作。而与其他器件相比，测试第三代半导体材料器件的性能，则需要精度更高、灵敏度更高的测试仪器。
2019-04-28 14:56:408135 日前，《2019年中国第三代半导体材料产业演进及投资价值研究》白皮书在2019世界半导体大会期间发布。报告指出，2018年在5G、新能源汽车、绿色照明等新兴领域蓬勃发展以及国家政策大力扶持的双重驱动力下，我国第三代半导体材料市场继续保持高速增长，总体市场规模已达到5.97亿元，同比增长47.3%。
2019-05-28 14:01:024793 第三代半导体，又称宽禁带半导体，是以碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）为代表的半导体材料，具备高压、高温、高频大功率等特性。
2019-06-21 10:29:317739 下，技术也在更新换代。随着Si和化合物半导体材料GaAs在器件性能的提升到了瓶颈，不足以全面支撑下一代信息技术的可持续发展时，寻找新一代半导体材料成为了发展的重要方向。至此，第三代宽禁带半导体材料氮化镓（GaN）闯入了人们的视线！
2019-08-02 14:02:1110111 9月10日，北京耐威科技股份有限公司（以下简称“耐威科技”）发布公告称，公司控股子公司聚能晶源（青岛）半导体材料有限公司（以下简称“聚能晶源”）投资建设的第三代半导体材料制造项目（一期）已达到投产
2019-09-11 15:06:539264 摩尔定律”为产业发展带来新机遇。第三代半导体是“超越摩尔定律”的重要发展内容。与Si材料相比，第三代半导体材料拥有高频、高功率、抗高温、抗高辐射、光电性能优异等特点，特别适合于制造微波射频器件、光电子器件、电力电子器件，是未来半导体产业发展的重要方向。
2020-09-02 11:05:303026 碳化硅，作为发展的最成熟的第三代半导体材料，其宽禁带，高临界击穿电场等优势，是制造高压高温功率半导体器件的优质半导体材料。
2020-09-02 11:56:351470 第一代材料是硅（Si），大家通俗理解的硅谷，就是第一代半导体的产业园。
第二代材料是砷化镓（GaAs），为4G时代而生，目前的大部分通信设备的材料。
第三代材料主要以碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）为代表的宽禁带的半导体材料，是未来5G时代的标配
2020-09-04 19:07:147242 
解密第三代半导体材料：华为小米紧追，突破欧美锁喉的新武器 传感器技术 A股半导体材料板块彻底爆了，这还是在前夜美股出现午夜惊魂大跌一场之后！ 探究A股半导体概念股硬气扛住外盘影响的原因，是前一晚一则
2020-09-10 11:26:202443 7月20日，长沙三安第三代半导体项目开工活动在长沙高新区举行。 当前，第三代半导体材料及器件已成为全球半导体材料产业的前沿和制高点之一。以碳化硅、氮化镓为代表的第三代半导体成熟商用材料，在新能源汽车
2020-09-12 09:28:092819 9月4日，第二届第三代半导体材料及装备发展研讨会在北京召开，作为第三代半导体产业技术创新战略联盟会员单位，湖南天玥科技有限公司（长沙新一代半导体研究院）参加会议。 公司副总裁袁坚出席会议。 本次会议
2020-09-26 10:55:022340 也因为第三代半导体材料后市看俏，所以也有不少厂商很早就开始投入研发，可望成为下一代的明日之星，惟就业者表示，要生产一片碳化硅晶圆并不难，困难的是要怎么从一片到一百片、一千片的量产能力，这些都受限技术、专利以及成本门槛，造成量产的挑战。
2020-09-27 11:37:182102 什么是第三代半导体？ 第三代半导体是以碳化硅SiC、氮化镓GaN为主的宽禁带半导体材料，具有高击穿电场、高饱和电子速度、高热导率、高电子密度、高迁移率、可承受大功率等特点。 一、二、三代半导体
2020-09-28 09:52:203299 
年，举全国之力，在教育、科研、开发、融资、应用等各个方面对第三代半导体发展提供广泛支持，以期实现产业独立自主。 该消息得到业内人士的证实，日前，在南京世界半导体大会暨第三代半导体产业发展高峰论坛上，国家新材料产业发展专家咨询委员会
2020-10-27 10:36:302890 呢？为什么说第三代半导体有望成为国产替代希望？ 第三代半导体也被称为宽带隙半导体，主要是以碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）为代表的宽带隙半导体材料，其带隙宽度大于2.2eV，是5G、人工智能、工业互联网等多个新基建产业的重要材料，同时也是
2020-10-29 18:26:404897 
。 什么是第三代半导体？ 第三代半导体是以碳化硅SiC、氮化镓GaN为主的宽禁带半导体材料，具有高击穿电场、高饱和电子速度、高热导率、高电子密度、高迁移率、可承受大功率等特点。 一、二、三代半导体什么区别？ 一、材料 第一代半导体材料，发
2020-11-04 15:12:374305 第三代半导体指禁带宽度大于2.2eV的半导体材料，也称为宽禁带半导体材料。半导体材料共经历了三个发展阶段：第一阶段是以硅（Si）、锗（Ge）为代表的第一代半导体材料;
2020-11-06 17:20:403827 
近年来，随着半导体市场的飞速发展，第三代半导体材料也成为人们关注的重点。第三代半导体材料指的是碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）、氧化锌（ZnO）、金刚石（C）、氮化铝（AlN）等新兴材料。而这
2020-11-09 17:22:052755 在5G和新能源汽车等新市场需求的驱动下，第三代半导体材料有望迎来加速发展。硅基半导体的性能已无法完全满足5G和新能源汽车的需求，碳化硅和氮化镓等第三代半导体的优势被放大。
2020-11-29 10:48:1287783 最近，“我国将把发展第三代半导体产业写入‘十四五’规划”引爆全网。什么是第三代半导体？发展第三代半导体的意义在哪儿？它凭什么一夜爆火
2020-12-14 11:02:443297 众所周知，先发优势是半导体行业的特点。而在第三代半导体方面，国内外差距没有一、二代半导体明显。
2020-12-18 10:11:013543 第三代半导体材料行业是我国重点鼓励发展的产业，是支撑经济社会发展和保障国家安全的战略性和基础性产业。为加快推进第三代半导体材料行业的发展，国家层面先后引发《重点新材料首批次应用示范指导目录（2019
2020-12-29 14:59:274956 ，什么材料会再领风骚？记者采访了专家。 禁带宽度，是用来区分不同代际半导体的关键参数。 作为第三代半导体，氮化镓和碳化硅的禁带宽度分别为3.39电子伏特和3.26电子伏特，较高的禁带宽度非常适合高压器件应用。氮化镓电子饱和速度
2021-01-07 14:19:483427 与传统材料相比，第三代半导体材料更适合制造耐高温、耐高压、耐大电流的高频大功率器件，因此，其为基础制成的第三代半导体具备更宽的禁带宽度、更高的击穿电场、更高的导热频，以及更强的抗辐射能力等诸多优势，在高温、高频、强辐射等环境下被广泛应用。
2021-01-08 17:25:233541 
近期，阿里巴巴达摩院发布2021年十大科技趋势，“第三代半导体迎来应用大爆发”位列第一。达摩院指出，第三代半导体的性价比优势逐渐显现并正在打开应用市场。未来5年，基于第三代半导体材料的电子器件将广泛应用于5G基站、新能源汽车、特高压、数据中心等场景。
2021-01-13 10:16:082362 近期，阿里巴巴达摩院发布2021年十大科技趋势，“第三代半导体迎来应用大爆发”位列第一。达摩院指出，第三代半导体的性价比优势逐渐显现并正在打开应用市场。未来5年，基于第三代半导体材料的电子器件
2021-01-15 14:24:561919 半导体的触角已延伸至数据中心、新能源汽车等多个关键领域，整个行业渐入佳境，未来可期。 第三代半导体可提升能源转换效率 以氮化镓（GaN）、碳化硅（SiC）为代表的第三代半导体具备耐高温、耐高压、高频率、大功率等优势，相比硅器件
2021-03-25 15:19:163618 
在政策导向方面，多项新政策的出台，大大助力了第三代半导体材料产业的发展。近年来，国务院及工信部、科技部等多部门出台了一系列扶持第三代半导体材料产业发展的利好政策。
2021-06-09 09:20:514374 
第三代半导体材料是支撑经济社会发展和保障国家安全的战略性和基础性产业，是国家新材料发展计划的重中之重。“十四五”期间，我国将在教育、科研、开发、融资、应用等方面，大力支持发展第三代半导体产业
2021-06-17 09:11:0410310 看到第三代半导体，你肯定会想第一代、第二代是什么。这里的 “代际”，是根据半导体制造材料来划分的 第一代半导体材料主要有锗Ge，硅Si等，应用范围主要是：低压、低频，中功率晶体管、光电探测器等取代
2021-07-09 15:40:5118438 第三代半导体材料的禁带宽度是第一代和第二代半导体禁带宽度的近3倍，在高温、高压、高功率和高频领域将替代前两代半导体材料。
2021-10-11 14:35:321551 
SIC MOSFET是新兴起的第三代半导体材料，是一种宽禁带半导体（禁带宽度＞2eV，而SI禁带宽度仅为1.12eV），因其具有宽带隙、高临界击穿电场、高热导率、高载流子饱和漂移速度等特点，适用于高温、高频、大功率等应用场合。
2022-02-25 15:49:2843 【导读】在集成电路和分立器件领域，硅始终是应用最广泛、技术最成熟的半导体材料，但硅材料技术的成熟恰恰意味着难以突破瓶颈。为了打破固有屏障，半导体产业进一步深入对新材料、新工艺、新架构的探索。凭借着在功率、射频应用中的显著性能优势，第三代半导体逐渐显露出广阔的应用前景和市场发展潜力。
2022-08-02 08:56:191263 
、新架构的探索。凭借着在功率、射频应用中的显著性能优势，第三代半导体逐渐显露出广阔的应用前景和市场发展潜力。 【导读】在集成电路和分立器件领域，硅始终是应用最广泛、技术最成熟的半导体材料，但硅材料技术的成熟
2022-08-02 15:12:291446 
与第一代硅（Si）半导体材料和第二代砷化镓（GaAs）半导体材料相比，碳化硅（SiC）或氮化镓（GaN）的第三代半导体材料（也称为宽带隙半导体材料）具有更好的物理和化学特性，同时具有开关速度快、体积小、效率高、散热快等
2022-12-08 09:56:03887 在这种情况下，第三代化合物半导体材料——碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）等材料进入了大众的视线。与前两代半导体材料相比，宽禁带半导体材料因其在禁带宽度和击穿场强等方面的优势以及耐高温、耐腐蚀、抗辐射等特点
2023-02-01 14:39:43392 在这种情况下，第三代化合物半导体材料——碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）等材料进入了大众的视线。与前两代半导体材料相比，宽禁带半导体材料因其在禁带宽度和击穿场强等方面的优势以及耐高温、耐腐蚀、抗辐射等特点
2023-02-03 11:09:461127 第三代半导体材料有哪些 第三代半导体材料: 氨化家、碳化硅、氧化锌、氧化铝和金刚石。 从半导体材料的三项重要参数看，第三代半导体材料在电子迁移率、饱和漂移速率、禁带宽度三项指标上均有着优异的表现
2023-02-07 14:06:164201 第三代半导体是一种新型的半导体材料，它可以提供更高的功率密度、更低的功耗和更高的效率。它们可以用于制造更小、更轻、更高效的电子元件，从而提高电子设备的性能。
2023-02-16 15:29:259966 、射频应用中的显著
性能优势，第三代半导体逐渐显露出广阔的应用前景和市场发展潜力。
所谓第三代半导体，即禁带宽度大于或等于2.3eV的半导体材料，又称宽禁带半导体。常见的第三代半导体材料主要包括碳化
硅（SiC）、氮化镓
2023-02-27 15:23:542 第三代半导体列入国家重点研发计划“战略性先进电子材料”重点专项；与此同时，在地方政策方面，北京、深圳、江苏、成都、厦门、泉州、芜湖等均已发布或正在研究推动第三代半导体产业发展的扶持政策。毋庸置疑，随着国家
2023-02-27 15:21:454 日前，在南京世界半导体大会暨第三代半导体产业发展高峰论坛上，国家新材料产业发展专家咨询委员会委员、第三代半
导体产业技术创新战略联盟理事长吴玲透露：国家2030计划和“十四五”国家研发计划都已经明确，第三代半导体是重要发展方
向，现在到了动议讨论实施方案的阶段。
2023-02-27 15:23:005 、射频应用中的显著
性能优势，第三代半导体逐渐显露出广阔的应用前景和市场发展潜力。
所谓第三代半导体，即禁带宽度大于或等于2.3eV的半导体材料，又称宽禁带半导体。常见的第三代半导体材料主要包括碳化
硅（SiC）、氮化镓
2023-02-27 14:37:561 又以碳化硅和氮化镓材料技术的发展最为成熟。与第一代、第二代半导体材料相比，第三代半导体材料通常具备更宽的禁带宽度、更高的击穿场强、更高的热导率，电子饱和速率和抗辐射能力也更胜一筹，在高温、高压、高频、高功率等严苛环境下，依然能够保证性能稳定。
2023-05-18 10:57:361018 第三代半导体功率器件的理想材料，可以在溶剂中生长。
2022-01-13 17:39:231522 
第三代半导体以及芯片的核心材料
2023-05-06 09:48:442620 
材料领域中，第一代、第二代、第三代没有“一代更比一代好”的说法。氮化镓、碳化硅等材料在国外一般称为宽禁带半导体。 将氮化镓、氮化铝、氮化铟及其混晶材料制成氮化物半导体，或将氮化镓、砷化镓、磷化铟制成
2023-09-12 16:19:271932 
碳化硅具备耐高压、耐高温、高频、抗辐射等优良电气特性，它突破硅基半导体材料物理限制，成为第三代半导体核心材料。碳化硅材料性能优势引领功率器件新变革。
2023-09-19 15:55:20893 
第三代宽禁带半导体SiC和GaN在新能源和射频领域已经开始大规模商用。与第一代和第二代半导体相比，第三代半导体具有许多优势，这些优势源于新材料和器件结构的创新。
2023-10-10 16:34:28295 
近年来，碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）等第三代半导体材料成为全球半导体市场热点之一。
2023-10-16 14:45:06694
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