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电子发烧友网>模拟技术>不同因素对IGBT温敏参数dv/dt有什么影响?

不同因素对IGBT温敏参数dv/dt有什么影响?

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IGBT单管参数解析-下

IGBT是大家常用的开关功率器件,本文基于英飞凌单管IGBT的数据手册,对手册中的一些关键参数和图表进行解释说明,用户可以了解各参数的背景信息,以便合理地使用IGBT
2023-02-07 15:39:285337

IGBT门极驱动到底需不需要负压?

IGBT是一个受门极电压控制开关的器件,只有门极电压超过阈值才能开通。工作时常被看成一个高速开关,在实际使用中会产生很高的电压变化dv/dt和电流变化di/dt
2023-02-07 16:17:44703

MOSFET的失效机理:什么是dV/dt失效

MOSFET的失效机理本文的关键要点・dV/dt失效是MOSFET关断时流经寄生电容Cds的充电电流流过基极电阻RB,使寄生双极晶体管导通而引起短路从而造成失效的现象。
2023-02-13 09:30:08829

摆脱高dV/dt电源的优势

电源上的高 dV/dt 上升时间会导致下游组件出现问题。在具有大电流输出驱动器的24V供电工业和汽车系统中尤其如此。该设计思想描述了如何控制上升时间,同时限制通过控制FET的功率损耗。
2023-02-13 10:49:01556

dv/dt”和“di/dt”值:这些值的水平对固态继电器有什么影响?

di/dt水平过高是晶闸管故障的主要原因之一。发生这种情况时,施加到半导体器件上的应力会大大超过额定值并损坏功率元件。在这篇新的博客文章中,我们将解释dv/dt和di/dt值的重要性,以及为什么在为您的应用选择固态继电器之前需要考虑它们。
2023-02-20 17:06:572528

IGBT门极驱动到底要不要负压

的器件,只有门极电压超过阈值才能开通。工作时常被看成一个高速开关,在实际使用中会产生很高的电压变化dv/dt和电流变化di/dt。电压变化Dv/dt通过米勒电容CCG
2022-05-19 16:36:44913

9.3.4 dv/dt触发∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》

9.3.4dv/dt触发9.3晶闸管第9章双极型功率开关器件《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》代理产品线:1、国产AGMCPLD、FPGAPtP替代Altera选型说明2、国产
2022-03-29 10:35:54214

dV/dt对MOSFET动态性能的影响有哪些?

①静态dV/dt:会引起MOSFET栅极电压变化,导致错误开通。在栅源间并联电阻,可防止误开通。
2023-07-14 14:39:26702

电子灯镇流器IGBT门驱动因素

电子发烧友网站提供《电子灯镇流器IGBT门驱动因素.pdf》资料免费下载
2023-07-24 10:29:220

igbt模块参数怎么看 igbt的主要参数有哪些?

IGBT模块动态参数是评估IGBT模块开关性能如开关频率、开关损耗、死区时间、驱动功率等的重要依据,本文重点讨论以下动态参数:模块内部栅极电阻、外部栅极电阻、外部栅极电容、IGBT寄生电容参数、栅极充电电荷、IGBT开关时间参数,结合IGBT模块静态参数可全面评估IGBT芯片的性能。
2023-07-28 10:19:543294

IGBT动态测试参数有哪些?

IGBT动态测试参数有哪些? IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)是一种重要的功率半导体器件,广泛应用于各种高能效的电力电子设备中。为了保证IGBT的可靠性
2023-11-10 15:33:51885

igbt模块型号及参数 igbt怎么看型号和牌子

、绝缘基板、驱动电路和封装材料等组成。 选择适合的IGBT模块需要考虑多个因素,包括额定电压、额定电流、最大耗散功率、开
2024-01-18 17:31:231082

IGBT选型需要考虑哪些参数

型号和规格,以确保其稳定、高效地工作。IGBT的选型涉及到多个参数的考虑,下面将详细介绍这些参数。 额定电压(Vce):这是指IGBT能够承受的最大电压。根据应用需求,选择的IGBT型号的额定电压应大于应用中最高电压。 额定电流(Ic):这是指IGBT能够承受的最大连续电流。根据应用需求,选择的
2024-03-12 15:31:12260

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