墨盒，或无需拆卸即可轻松更换墨盒。X-Pander 3 提供以下功能：3 个可单独选择的扩展端口每个端口的电源指示灯能够交换第 2 和第 3 端口上的 IO 选择线易于访问的钢琴式配置开关顶部装载或后
2022-06-27 06:01:28
`·随着制造技术的发展和进步，系统设计人员必须跟上技术的发展步伐，才能为其设计挑选最合适的电子器件。MOSFET是电气系统中的基本部件，工程师需要深入了解它的关键特性及指标才能做出正确选择。本文将
2011-08-17 14:18:59
请问AM335X WINCE BSP驱动中包含的CM3是什么外设，BSP附带的文档中都没有介绍
WINCE700\platform\AM33X_BSP\SRC\DRIVERS\CM3
2018-05-15 07:10:30
。 CMD119P3放大器是昂贵的混合放大器的理想选择。特征高增益宽带性能低电流消耗符合RoHS要求的无铅3x3 QFN封装单电源电压：+3.6 V @ 30 mA超低噪声系数正偏压应用通信相关产品
2020-03-03 15:30:31
。 CMD132P3放大器是昂贵的混合放大器的理想选择。特征高增益宽带性能低电流消耗符合RoHS要求的无铅3x3 QFN封装单电源电压：+3.6 V @ 30 mA超低噪声系数正偏压应用通信相关产品
2020-03-03 15:16:13
CMD157P3是宽带GaAs MMIC低噪声放大器，采用无铅3x3 mm塑料表面贴装（SMT）封装。 CMD157P3非常适合小尺寸和低功耗是关键设计要求的电子战和通信系统。 该宽带设备可提供大于
2020-03-04 15:15:10
CMD158P3是宽带RF /微波MMIC驱动器放大器，采用无铅3x3 mm塑料表面贴装（SMT）封装。特征宽带性能高输出功率低电流消耗符合RoHS要求的无铅3x3 QFN封装单电源电压：+5.0
2020-02-21 13:15:20
CMD167P3是宽带GaAs MMIC低噪声放大器，采用无铅3x3 mm塑料表面安装封装。 CMD167P3非常适合小尺寸和低功耗是关键设计要求的电子战和通信系统。 该器件的工作频率为8至16
2020-03-02 17:42:41
CMD185P3是宽带GaAs MMIC低噪声放大器，采用无铅3x3 mm塑料表面贴装（SMT）封装。 CMD185P3 LNA非常适合小尺寸和低功耗是关键设计要求的电子战和通信系统。 宽带设备
2020-02-20 17:35:55
CMD185P3是宽带GaAs MMIC低噪声放大器，采用无铅3x3 mm塑料表面安装（SMT）封装。 CMD185P3 LNA非常适合小尺寸和低功耗是关键设计要求的电子战和通信系统。 宽带设备
2020-03-05 15:59:10
的理想选择。特征高增益宽带性能高IP3低噪声系数符合RoHS要求的无铅3x3 QFN封装单电源电压：+5.0 V @ 78 mA正偏压应用通信相关产品CMD304 CMD246 CMD233
2020-03-04 15:39:16
CMD189P3是一款宽带GaAs MMIC低噪声放大器，采用无铅3x3 mm塑料表面安装（SMT）封装。 CMD189P3非常适合小尺寸和低功耗是关键设计要求的电子战和通信系统。 该器件的工作频率
2020-03-02 17:34:42
CMD194C3是一款宽带GaAs MMIC低噪声放大器，采用3x3 mm无铅塑料表面安装（SMT）封装。 CMD194C3非常适合小尺寸和低功耗是关键设计要求的电子战和通信系统。 宽带设备提供大于
2020-03-04 15:10:12
产品名称：射频开关特征高隔离度非反射设计符合RoHS要求的无铅3x3 mm SMT封装正增益斜率产品详情CMD195C3是宽带RF /微波MMIC SPDT开关，采用无铅3x3 mm表面贴装
2020-02-19 15:03:19
产品详情CMD196C3是通用宽带RF /微波高隔离非反射MMIC SPDT开关，采用3x3 mm无铅表面贴装（SMT）封装。 CMD196C3覆盖DC至18 GHz，在8 GHz时具有1.5 dB
2020-02-19 15:05:40
CMD204C3是通用宽带RF /微波高隔离非反射MMIC SPST开关，采用3x3 mm无铅表面贴装（SMT）封装。 CMD204C3覆盖DC至20 GHz，在10 GHz时具有1.3 dB的低
2020-02-23 11:56:47
CMD231C3是宽带GaAs MMIC驱动器放大器，采用3x3 mm无铅表面贴装（SMT）封装。 CMD231C3非常适合小尺寸和高线性度是关键设计要求的军事，太空和通信系统。 在4 GHz时，该
2020-03-06 16:16:34
CMD232C3是宽带GaAs MMIC驱动器放大器，采用3x3 mm无铅表面贴装（SMT）封装。 CMD232C3非常适合于小型，高线性度是关键设计要求的军事，太空和通信系统。 在6 GHz频率下
2020-02-23 11:32:28
CMD232C3是宽带GaAs MMIC驱动器放大器，采用3x3 mm无铅表面贴装（SMT）封装。 CMD232C3非常适合于小型，高线性度是关键设计要求的军事，太空和通信系统。 在6 GHz频率下
2020-02-23 11:32:44
CMD264P3是宽带MMIC低噪声放大器，采用无铅3x3 mm塑料表面安装封装。 CMD264P3非常适合需要小尺寸和低功耗的电子战和通信系统。 该宽带设备可提供大于25 dB的增益，相应的输出1
2020-02-21 13:06:29
产品名称：转换开关特征低损耗宽带性能高隔离度非反射设计符合RoHs要求的无铅3x3 SMT封装产品详情CMD273P3是一种低损耗宽带正控制MMIC DPDT转换开关，采用无铅3x3 mm表面贴装
2020-02-19 15:23:18
CMD279C3是一款采用3x3 mm无铅表面安装封装的正控制宽带GaAs MMIC 5位数字衰减器。 衰减器的每个位都由0 V或+5 V的单个电压控制。衰减器位的值为0.5（LSB），1、2、4
2020-02-23 11:09:48
CMD280C3是一款负控制，宽带GaAs MMIC 5位数字衰减器，采用无铅3x3 mm表面贴装封装。 衰减器的每个位都由0 V或-5 V的单个电压控制。衰减器位的值为0.5（LSB），1、2、4
2020-02-23 10:47:54
`特征宽带性能低插入损耗12 dB衰减范围符合RoHs要求的无铅3x3 QFN封装Electrica产品详情CMD282C3是一款负控制，宽带GaAs MMIC 2位数字衰减器，采用无铅3x3 mm
2020-02-18 11:57:28
CMD307P3是宽带MMIC低噪声放大器，采用无铅3x3 mm塑料表面安装封装。产品名称：低噪声放大器特征低噪声系数低电流消耗单正电源电压无铅RoHs兼容3x3 QFN封装产品详情CMD307P3是宽带
2020-02-15 12:12:28
`Minebea称重传感器 PR6241/33C3Minebea称重传感器 PR6241/33C3供应德国Minebea（原赛多利斯Sartorius）称重传感器吴经理：132,4667,5433
2019-11-29 16:32:21
最近我正在使用PNA-X N5242A测试11-24GHz产品。我注意到PNAX本身显示33-34dBm OIP3（没有连接到任何DUT，只是连接端口1的源和线路2的分析器接收器的直通线）。我已经
2019-05-21 12:46:35
PXN6R2-25QL/SOT8002/MLPAK33
2023-03-27 14:37:59
PXN6R7-30QL/SOT8002/MLPAK33
2023-03-27 14:36:15
PXN9R0-30QL/SOT8002/MLPAK33
2023-03-27 14:28:12
MOSFET P-CH 100V 1.4A MLPAK33
2023-03-27 14:29:49
PXP6R7-30QL/SOT8002/MLPAK33
2023-03-27 14:35:52
PXP9R1-30QL/SOT8002/MLPAK33
2023-03-27 14:33:54
在 S32K3 数据表上，图 33 [SAR ADC 输入电路]。您能否阐明滤波电容 (CF) 的选择范围。这个值有什么公式吗？Ps：S32K312 MCU时钟：120 MHz，ADC时钟速度：80 MHz
2023-04-06 09:05:29
用于Si8751隔离式MOSFET驱动器的Si8751-EVB，Si875x评估套件是驱动各种应用中使用的功率开关的理想选择，与普通SSR相比，具有更长的使用寿命和更高的可靠性。 Si8751隔离式
2020-06-08 12:07:42
`一直在做图像处理方面，现在一直纠结在 如何建立3X3像素模板的问题，看了韩彬的书，有点不能理解，他是有9个fifo缓存3行数据，然后乒乓操作 用另外9个fifo往复缓存，来实现3X3像素模板
2015-11-12 16:24:52
应用。虽然3mm x 3mm功率封装已经使DC-DC电路使用的空间大幅减少，还是有机会能够把所用的空间再减少一点，以及提高功率密度。实现这个目的的办法之一是用组合了两个器件的封装替代分立的单片MOSFET
2013-12-23 11:55:35
：东莞市塘厦镇莲湖怡景路8号连通性：802.11a/b/g/n/j/p/ac/af/ah、WLAN MIMO 2x2/3x3/4x4、蓝牙、WiMAX、多卫星 GNSS、FM、Zigbee、Z-Wave
2020-06-11 17:12:24
嗨，众所周知，Ultrascale不支持IO标准PCI33_3。如果从7系列迁移到Ultrascale，我们应该如何处理具有PCI33_3标准的IO。 Ultrascale中是否存在PCI33_3的等效项。谢谢，-Karthick
2020-04-15 08:51:06
今天，我要跟各位分享的是一组CSS3开关按钮特效。该CSS3开关按钮特效共33种效果，支持ie9以上的主流浏览器，非常实用。效果截图如下：源码下载地址：https://...
2021-10-29 09:19:25
有没有大牛 来看一下这个题 求解f(x,y)=-x^3+y^3+3x^2+3y^2-9y 在区间x,y属于-5 到5 上的极值
2017-03-08 13:31:58
求一个3x3矩阵键盘按键发音程序和仿真，蜂鸣器可以哔哔响就可以
2017-04-21 09:23:56
`海飞乐技术现货替换IXFP72N30X3场效应管制造商: IXYS 产品种类: MOSFET RoHS:详细信息技术: Si 安装风格: Through Hole 封装 / 箱体
2020-03-09 15:34:20
`海飞乐技术现货替换IXFQ140N20X3场效应管制造商: IXYS 产品种类: MOSFET RoHS:详细信息技术: Si 安装风格: Through Hole 封装 / 箱体
2020-03-13 09:55:37
描述W11576ASB2_AtTiny32Mini用于 8、14 和 20 针 SMD AtTiny 微控制器（如 402、404 和 3216）的 3X3 螺钉端子条适配器阵列。都有 3 针
2022-08-30 06:24:36
各位大神，请问SIM900芯片背面的3x3原点阵列 和另一个同心圆是什么意思呢？封装
2019-03-26 05:25:25
f80000:e3a00453movr0, #1392508928; 0x5300000033f80004:e3a01000movr1, #0; 0x033f80008:e5801000strr1, [r0]33
2019-07-29 02:56:42
你好，我正在研究一个模拟/构建低压三相逆变器的项目。我想编写阶梯波形的代码，用VHDL触发逆变器中的MOSFET。通过光隔离器触发MOSFET，spartan 3板是否是一个很好的选择？非常感谢
2019-06-28 10:10:17
本帖最后由 一只耳朵怪 于 2018-6-19 09:43 编辑
针对快充应用设计需要的3 mΩ、5 mΩ、10 mΩ，DFN33和DFN56封装的MOSFET，推出全系列的MOSFET
2018-06-15 17:28:34
FDMC8026S（VBQF1310）是一款电源应用型MOSFET产品，采用N沟道结构，封装为DFN8（3X3封装）。其参数包括：工作电压30V、最大电流40A、静态导通电阻RDS(ON)为11m
2023-12-06 15:24:44
Ω @ 10V, 16mΩ @ 4.5V- 门源极电压 (Vgs)：最大±20V- 阈值电压 (Vth)：2.3V封装：DFN8 (3X3)详细参数说明：CSD1757
2023-12-20 10:47:53
型号：SI7617DN-VB丝印：VBQF2309品牌：VBsemi参数：- 封装：DFN8(3X3)- 沟道类型：P—Channel沟道- 额定电压：-30V- 最大电流：-45A- 开态电阻
2024-01-02 11:58:32
(ON)): 11mΩ @ VGS=10V, VGS=20V- 阈值电压 (Vth): -2.23V- 封装: DFN8(3X3)应用简介:VBsemi的RU30L30M-VB
2024-02-03 10:33:22
**产品型号：** FDMC2514SDC-VB**丝印：** VBQF1303**品牌：** VBsemi**参数：**- 封装：DFN8(3X3)- 沟道类型：2个N-Channel- 额定电压
2024-02-19 11:20:05
**VBsemi CSD17308Q3-VB 产品详细参数说明：**- **丝印标识：** VBQF1310- **品牌：** VBsemi- **封装：** DFN8(3X3)- **通道类型
2024-02-19 15:17:40
**详细参数说明：**- 型号：SIS412DN-T1-GE3-VB- 丝印：VBQF1320- 品牌：VBsemi- 封装：DFN8(3X3)- 类型：2个N-Channel沟道- 额定电压
2024-02-20 10:19:23
危害性物质限制指令的3x3 mm SMT封装正增益斜率Qorvo的CMD195C3是一款宽带RF/微波MMIC SPDT开关，采用无引线3x3 mm表面贴装（SM
2024-02-29 21:05:14
CMD282C3关键性能宽带性能低插入损耗12 dB衰减范围无铅RoHs兼容3x3 QFN封装电气Qorvo的CMD282C3是一款负控宽带GaAs MMIC 2位数字衰减器，采用无引线3x3 mm
2024-03-01 10:34:42
针对应用选择正确的MOSFET驱动器
目前，现有的MOSFET技术和硅工艺种类繁多，这使得选择合适的MOSFET驱动器成了一个富有挑战性的过程。
从功能上讲，MOSFET
2010-01-22 11:37:37
1757 
MLPAK33 中的 N 沟道 60 V、11.5 mOhm、逻辑电平沟槽 MOSFET-PXN012-60QL
2023-02-16 19:55:09
0 60 V、P 沟道沟槽 MOSFET-BUK6Y33-60P
2023-02-17 18:44:050 LFPAK33 中的 N 沟道 60 V 12 mΩ 标准电平 MOSFET-PSMN012-60MS
2023-02-20 19:24:050 LFPAK33 中的 N 沟道 40 V、6.7 mΩ 标准电平 MOSFET-山毛榉7M6R7-40H
2023-02-20 20:13:070 LFPAK33 中的 N 沟道 40 V、11.0 mΩ 逻辑电平 MOSFET-BUK9M11-40H
2023-02-20 20:15:430 LFPAK33 中的 N 沟道 40 V、9.5 mΩ 逻辑电平 MOSFET-山毛榉9M9R5-40H
2023-02-20 20:16:020 LFPAK33 中的 N 沟道 40 V、6.0 mΩ 标准电平 MOSFET-BUK7M6R0-40H
2023-02-20 20:17:020 LFPAK33 中的 N 沟道 40 V、3.3 mΩ 标准电平 MOSFET-山毛榉7M3R3-40H
2023-02-20 20:17:170 双 N 沟道 100 V、33 mΩ 逻辑电平 MOSFET-山毛榉9K32-100E
2023-02-21 19:40:460 LFPAK33 中的 N 沟道 60 V、19 mΩ 逻辑电平 MOSFET-山毛榉9M19-60E
2023-02-21 19:44:130 LFPAK33 中的 N 沟道 30 V、10 mΩ 逻辑电平 MOSFET-山毛榉9M10-30E
2023-02-21 19:44:270 LFPAK33 中的 N 沟道 60 V、85 mΩ 逻辑电平 MOSFET-山毛榉9M85-60E
2023-02-21 19:46:430 LFPAK33 中的 N 沟道 40 V、7.2 mΩ 逻辑电平 MOSFET-山毛榉9M7R2-40E
2023-02-21 19:46:580 LFPAK33 中的 N 沟道 40 V、52 mΩ 逻辑电平 MOSFET-BUK9M52-40E
2023-02-21 19:48:090 LFPAK33 中的 N 沟道 80 V、35 mΩ 逻辑电平 MOSFET-山毛榉9M35-80E
2023-02-21 19:48:270 LFPAK33 中的 N 沟道 30 V、17 mΩ 逻辑电平 MOSFET-山毛榉9M17-30E
2023-02-21 19:49:100 LFPAK33 中的 N 沟道 100 V、156 mΩ 逻辑电平 MOSFET-BUK9M156-100E
2023-02-21 19:49:290 LFPAK33 中的 N 沟道 40 V、14 mΩ 逻辑电平 MOSFET-山毛榉9M14-40E
2023-02-21 19:50:030 LFPAK33 中的 N 沟道 40 V、11 mΩ 逻辑电平 MOSFET-山毛榉9M11-40E
2023-02-21 19:50:480 LFPAK33 中的 N 沟道 40 V、6.3 mΩ 标准电平 MOSFET-BUK7M6R3-40E
2023-02-21 19:51:200 LFPAK33 中的 N 沟道 60 V、42 mΩ 标准电平 MOSFET-BUK7M42-60E
2023-02-21 19:52:020 LFPAK33 中的 N 沟道 60 V、33 mΩ 标准电平 MOSFET-BUK7M33-60E
2023-02-21 19:52:180 LFPAK33 中的 N 沟道 80 V、22 mΩ 标准电平 MOSFET-BUK7M22-80E
2023-02-21 19:52:430 LFPAK33 中的 N 沟道 60 V、19 mΩ 标准电平 MOSFET-BUK7M19-60E
2023-02-21 19:53:140 LFPAK33 中的 N 沟道 60 V、15 mΩ 标准电平 MOSFET-BUK7M15-60E
2023-02-21 19:53:280 LFPAK33 中的 N 沟道 40 V、10 mΩ 标准电平 MOSFET-BUK7M10-40E
2023-02-21 19:53:380 LFPAK33 中的 N 沟道 100 V、43 mΩ 逻辑电平 MOSFET-山毛榉9M43-100E
2023-02-22 18:42:040 LFPAK33 中的 N 沟道 40 V、12 mΩ 标准电平 MOSFET-BUK7M12-40E
2023-02-22 18:45:180 LFPAK33 中的 N 沟道 60 V 11.3 mΩ 逻辑电平 MOSFET-PSMN011-60ML
2023-02-23 18:40:490 20 V、单 P 沟道沟槽 MOSFET-PMPB33XP
2023-03-02 22:21:270 30 V 单 N 沟道沟槽 MOSFET-PMPB33XN
2023-03-02 22:21:440 20 V、单 P 沟道沟槽 MOSFET-PMV33UPE
2023-03-02 22:53:180 电子发烧友网站提供《屏蔽键盘3X3开源设计.zip》资料免费下载
2023-06-09 15:15:430 金氧半场效晶体管（MOSFET）凭借其通用性和广泛用途跻身于最受欢迎的晶体管之列。欧时电子指南将详述这类晶体管的工作机制，并提供关于使用和选择恰当MOSFET类型的实用建议。
2023-10-26 10:36:16487 
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