传统的 IGBT 在历史上一直受到开关损耗的影响。为了高效运行，IGBT 需要像硅 FRD 一样的续流二极管 （FRD），如图 1 所示。随着 Rohm Semiconductor 最近发布的一种
2022-07-29 08:07:33
1331 
MOSFET/IGBT的开关损耗测试是电源调试中非常关键的环节，但很多工程师对开关损耗的测量还停留在人工计算的感性认知上，PFC MOSFET的开关损耗更是只能依据口口相传的经验反复摸索，那么该如何量化评估呢?
2022-10-19 10:39:231504 为获得绝缘栅双极型晶体管( IGBT)在工作过程中准确的功率损耗,基于数学模型及测试,建立了 一种准确计算功率逆变器损耗模型的方法。通过双脉冲测试对影响 IGBT 开关损耗的参数( Eon
2023-03-06 15:02:511536 车载充电器 PD20W快充汽车一拖二点烟器车载USB扩展车充电源转换器插头 通用苹果13/12华为小米手机平板
2023-03-28 13:03:50
IGBT数据手册中给出的电容Cies 的值，在实际电路应用中不是一个特别有用的参数，因为它是通过电桥测得的，在测量电路中，加在集电极上C 的电压一般只有25V(有些厂家为10V)，在这种测量条件下，所测得
2012-07-25 09:49:08
的耐固性，避免带来因dv/dt的误导通。缺点是电路中存在杂散电感在IGBT上产生大的电压尖峰，使得栅极承受噪声能力小，易产生寄生振荡。 栅极电阻值大——充放电较慢，开关时间和开关损耗增大
2011-08-17 09:26:02
IGBT在半桥式电机控制中的使用IGBT的特性和功能在直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域有着广泛的应用。IGBT，也就是绝缘栅双极型晶体管，是由
2015-12-30 09:27:49
降低，故在开关电源（SMPS）中开始应用，对功率MOSFET构成一定威胁。 最近几年，IGBT又进入消费类电子产品和家用电器，例如变频空调（驱动模块用6只15A～50A/600V的IGBT、荧光灯
2012-06-01 11:08:11
IGBT作为电力电子领域的核心元件之一，其结温Tj高低，不仅影响IGBT选型与设计，还会影响IGBT可靠性和寿命。因此，如何计算IGBT的结温Tj，已成为大家普遍关注的焦点。由最基本的计算公式Tj=Ta+Rth(j-a)*Ploss可知，损耗Ploss和热阻Rth(j-a)是Tj计算的关键。
2019-08-13 08:04:18
IGBT功率模块是电压型控制，输入阻抗大，驱动功率小，控制电路简单，开关损耗小，通断速度快，工作频率高，元件容量大等优点。
2020-03-24 09:01:13
降低，但是存储电荷的增强与耗散引发了开关损耗，延迟时间（存储时间），以及在关断时还会引发集电极拖尾电流就限制了 IGBT 的开关频率。结合上文所述可以看出 Mosfet 开关损耗小，开关速度快，所以
2022-09-16 10:21:27
； 下边这张图，一目了然： 单个脉冲的开关损耗可由下边公式算出，在双脉冲试验中，部分有积分功能的示波器可以测得单个脉冲的开关损耗。 规格书上给的开关损耗仅供参考，实际应用中的开关损耗强烈
2021-02-23 16:33:11
IGBT的工作温度。同时，控制执行机构在发生异常时切断IGBT的输入，以保护其安全。 4 结束语 IGBT模块开关具有损耗小、模块结构便于组装、开关转换均匀等优点，已越来越多地应用在列车供电系统中
2012-06-01 11:04:33
开关损耗，使IGBT模块 发热增多，要配合进行过热保护。Rg阻值的选择原则是：在开关损耗不太大的情况下，尽可能选用较大的电阻，实际工作中按Rg=3000/Ic 选取。 吸收回路 除了上述减少c、e之间
2012-06-19 11:26:00
Tc的增加，这个可利用的电流值下降较快，有些IGBT品牌是按照Tc=25℃的电流值来标称型号，这个需要特别注意。3、根据开关频率选择不同的IGBT系列 IGBT的损耗主要由通态损耗和开关损耗组成
2022-05-10 10:06:52
一个工频周期内，IGBT在正负半周期均有开关，但是在电流为负的半个周期内，上管IGBT的流过的电流为0，因此开关损耗为0。 2）当针对上管IGBT模块分析时：在一个工频周期内仅有电流正半周期内，Don
2023-02-24 16:47:34
引言IGBT在以变频器及各类电源为代表的电力电子装置中得到了广泛应用。IGBT集双极型功率晶体管和功率MOSFET的优点于一体，具有电压控制、输入阻抗大、驱动功率小、控制电路简单、开关损耗小、通断
2021-09-09 09:02:46
，以降低人耳能够听见的噪声。要想优化功率开关的低频性能，首先是开关需具有低通态损耗，其次是低开关损耗。电机驱动器还必须稳健可靠，在保护电路激活前，能够长时间耐受电压电流突变。 因为是单极器件，无少数
2018-11-20 10:52:44
SiC-SBD，蓝色是第二代，可确认VF的降低。SiC-SBD因高速trr而使开关损耗降低，加之VF的改善，在功率二极管中可以说是损耗最小的二极管。促进电源系统应用的效率提高与小型化前面已经介绍了
2018-12-04 10:26:52
SiC-MOSFET和SiC-SBD（肖特基势垒二极管）组成的类型，也有仅以SiC-MOSFET组成的类型。与Si-IGBT功率模块相比，开关损耗大大降低处理大电流的功率模块中，Si的IGBT与FRD
2018-12-04 10:14:32
车载充电器这部分电路详细分析！各个元件怎样工作！谢谢！！！
2016-04-19 20:05:10
其他开关器件。其中，MOSFET主要用于较低的电压和功率系统，而IGBT更适合较高的电压和功率应用。 IGBT是新能源汽车高压系统的核心器件，其最核心应用为主驱逆变，此外还包括车载充电器 (OBC
2022-06-28 10:26:31
如图片所示，为什么MOS管的开关损耗（开通和关断过程中）的损耗是这样算的，那个72pF应该是MOS的输入电容，2.5A是开关电源限制的平均电流
2018-10-11 10:21:49
开关、钳位感性电路中，MOSFET的关断损耗比IGBT低得多，原因在于IGBT 的拖尾电流，这与清除图1中PNP BJT的少数载流子有关。图7显示了集电极电流ICE和结温Tj的函数Eoff，其曲线在
2018-08-27 20:50:45
针对特定SMPS应用中的IGBT 和 MOSFET进行性能比较，确定关键参数的范围还是能起到一定的参考作用。本文将对一些参数进行探讨，如硬开关和软开关ZVS(零电压转换) 拓扑中的开关损耗，并对电路
2021-06-16 09:21:55
。 在实际应用中，计算IGBT在类似PFC电路中的传导损耗将更加复杂，因为每个开关周期都在不同的IC上进行。IGBT的VCE(sat)不能由一个阻抗表示，比较简单直接的方法是将其表示为阻抗RFCE
2020-06-28 15:16:35
电流；Vac是 PFC 电路RMS输入电压；Vout是直流输出电压。在实际应用中，计算IGBT在类似PFC电路中的传导损耗将更加复杂，因为每个开关周期都在不同的IC上进行。IGBT的VCE(sat)不能
2018-09-28 14:14:34
OBc车载充电器 3Kw OBC 车载充电器 含原理图、PCB图、C源代码、变压器参数等生产资料。附赠15kwdcdc模块资料1、这款产品的方案采用的是dsp2803x系列。2、原理图和Pcb采用AD绘制。
2021-12-29 07:29:20
IGBT系列器件采用改进的门控制来降低开关损耗，具有非常高效的带Field Stop技术的沟槽，TJmax等于175℃。独立的发射器驱动引脚和采用TO-247-4封装，可确保最小的Eon损耗。针对高速
2020-07-07 08:40:25
, 图3 中IGBT 的t r、t f 均大于给定值, 但这并不意味着损耗的上升, 因为开关损耗还取决于开关过程中电压电流的"重叠"程度, 而图3中的"重迭"明显
2018-10-12 17:07:13
时的波形可以看到，SiC-MOSFET原理上不流过尾电流，因此相应的开关损耗非常小。在本例中，SiC-MOSFET＋SBD（肖特基势垒二极管）的组合与IGBT＋FRD（快速恢复二极管）的关断损耗Eoff相比
2018-12-03 14:29:26
时间trr快（可高速开关）・trr特性没有温度依赖性・低VF（第二代SBD）下面介绍这些特征在使用方面发挥的优势。大幅降低开关损耗SiC-SBD与Si二极管相比，大幅改善了反向恢复时间trr。右侧的图表为
2019-03-27 06:20:11
DHR、RGS00TS65DHR。晶体管具有更低的集射极饱和压降、低开关损耗、短路耐受时间为8μs和内置非常快速且软恢复FRD特点，符合汽车电子的AEC-Q101标准，且达到了无铅标准和通过RoHS认证
2019-04-09 06:20:10
描述PMP40286 是一种双端口车载充电器参考设计。此参考设计输出到 5V 3A USB Type-C™ 端口和 5V 2.4A USB Type-A 端口。USB Type-C 端口可向后兼容
2018-10-12 15:34:10
我用IGBT设计了D类功放，用的管子是FGH60N60SFD，开关频率为300kHz，上网查资料发现IGBT的开关损耗为图中公式，查找FGH60N60SFD文档后计算开关损耗为300000*2.46/1000/3.14=235W，我想问一下，开关损耗真有这么大吗，是设计的不合理还是我计算错了？
2019-07-25 10:16:28
`车载充电器最重要的特性指标便是充电时间，充电时间的长短直接反应了车载充电器性能的好坏，并影响着用户的使用体验。接下来在普通乘用车上，对这款车充进行实地充电测试。本次测试选择了两种工况，分别为车辆
2018-08-24 16:53:34
，使用电流较小的IGBT和FRD；C）充电桩 智能充电桩中IGBT模块被作为开关元件使用；2）智能电网IGBT广泛应用于智能电网的发电端、输电端、变电端及用电端：从发电端来看，风力发电、光伏发电中
2019-07-16 07:30:00
是直流输出电压。在实际应用中，计算IGBT在类似PFC电路中的传导损耗将更加复杂，因为每个开关周期都在不同的IC上进行。IGBT的VCE(sat)不能由一个阻抗表示，比较简单直接的方法是将其表示为阻抗
2017-04-15 15:48:51
的RMS电流式2中，Iacrms是PFC电路RMS输入电流；Vac是 PFC 电路RMS输入电压；Vout是直流输出电压。在实际应用中，计算IGBT在类似PFC电路中的传导损耗将更加复杂，因为每个开关周期
2019-03-06 06:30:00
电源需要降低功耗，因此对高效率开关器件的需求也在增长。这催生了对于PFC电路中低损耗开关器件和更高开关频率的需求。东芝在其新款IGBT中引入了最新的工艺。优化的沟槽结构确保了行业领先的0.35mJ
2023-03-09 16:39:58
IGBT芯片技术进化图31200V系列器件参数比对焊机领域开关频率一般>=20KHz，为适应这一频率要求，特别针对开关特性和饱和压降进行折中优化，保证降低开关损耗的前提下导通压降值不能有显著增加。因
2014-08-13 09:01:33
总共可以降低77%。这是前面提到的第一个优势。右图是以PWM逆变器为例的损耗仿真，是开关频率为5kHz和30kHz时开关损耗和传导损耗的总体损耗。在与IGBT模块的比较中，5kHz条件下总体损耗降低
2018-11-27 16:37:30
内置SiC肖特基势垒二极管的IGBT：RGWxx65C系列内置SiC SBD的Hybrid IGBT在FRD＋IGBT的车载充电器案例中开关损耗降低67%关键词* • SiC肖特基势垒二极管（SiC
2022-07-27 10:27:04
保持电源电压VDD不变，当VGS电压减小到0时，这个阶段结束，VGS电压的变化公式和模式1相同。在关断过程中，t6~t7和t7~t8二个阶段电流和电压产生重叠交越区，因此产生开关损耗。关断损耗可以用下面
2017-03-06 15:19:01
的开通过程中，跨越线性区是产生开关损耗的最根本的原因。这表明：米勒平台时间在开通损耗中占主导地位，这也是为什么在选择功率MOSFET的时候，如果关注开关损耗，那么就应该关注Crss或QGD，而不仅仅是
2017-02-24 15:05:54
基于AP3003的车载充电器该怎样去设计？
2021-05-12 07:09:14
就功率半导体而言，高规格辅助电源发展中最有前途的方向之一与使用基于硅IGBT和SiC肖特基二极管的“混合”半导体开关有关。肖特基二极管的使用可以大幅降低二极管中功率损耗的频率相关分量，减少IGBT中
2023-02-22 16:53:33
在开启时提供此功能。实验验证表明，在高负载范围和低开关速度（《5V/ns）下，SiC-MOSFET或IGBT的电流源驱动与传统方法相比，导通损耗降低了26%。在电机驱动器等应用中，dv/dt 通常限制为 5V/ns，电流源驱动器可提高效率并提供有前途的解决方案。
2023-02-21 16:36:47
在本文中，我们将解释针对不同的应用和工作条件仔细选择IGBT变体如何提高整体系统效率。IGBT模块中的损耗大致可分为两类：传导开关众所周知，对于特定电压下的任何给定过程，降低传导损耗的努力将导致
2023-02-27 09:54:52
格电池开始新的一天。但是，由于屏幕尺寸与显示器亮度等耗电元素的原因，现在电池很少能维持到我所需要的使用时长。解决这一问题的便捷方法是在往返路上给电话充电。车载 DC/DC 充电器不仅正在不断普及，而且
2018-09-14 15:05:41
常见的车载充电器方案有哪些？
2021-05-19 07:05:45
格电池开始新的一天。但是，由于屏幕尺寸与显示器亮度等耗电元素的原因，现在电池很少能维持到我所需要的使用时长。解决这一问题的便捷方法是在往返路上给电话充电。车载 DC/DC 充电器不仅正在不断普及，而且
2018-09-18 11:31:41
了第二代600V的全新产品，该系列产品的ESD防护提升至2KV，开关损耗降低了30%，更加安全、耐用。电源管理类产品展柜前人潮涌动LED调光电源展示`
2016-03-17 10:42:05
摘 要：针对矿用永磁操动机构馈电开关智能控制器采用的铅酸蓄电池在充电过程中存在充电过度、充电不足、电池过热和充电速度慢等诸多问题，设计了一种以atmega16 单片机为核心的智能充电器。采用
2018-11-26 16:45:31
这一趋势。在图5中，IGBT的开通损耗、二极管反向恢复损耗和关断损耗与三款IGBT的寄生直流母线杂散电感进行了对比。图5图5作为杂散电感Ls函数的开关损耗。通过提高杂散电感，可降低IGBT（左侧
2018-12-10 10:07:35
持续的环境。为了实现这一改变，需要一个紧密联系的充电基础设施网络。这些EV充电系统需要更高的开关频率，以实现整个系统的高度紧凑性和更高的效率。除了电动汽车充电器领域，UPS系统还倾向于在更高的开关频率下
2020-09-02 15:49:13
纹波大。 为了降低器件的开关损耗，可以采用图5所示的软开关电路。给MOSFET设计的关断延时确保了IGBT的ZVS关断。在电流上升模式中，MOSFET分担了输出滤波电流，其电压应力为IGBT的一半
2012-11-29 14:29:17
纹波大。 为了降低器件的开关损耗，可以采用图5所示的软开关电路。给MOSFET设计的关断延时确保了IGBT的ZVS关断。在电流上升模式中，MOSFET分担了输出滤波电流，其电压应力为IGBT的一半
2012-12-05 16:10:53
150 kW的电机驱动功率的输出。阻断电压750V、低 VCEsat、低开关损耗、低QG和Cres、低电感设计，Tvjop = 150°C、短时间工作温度Tvjop = 175°C。 P1、P2
2023-03-23 16:01:54
欢迎回到直流/直流转换器数据表系列。鉴于在上一篇文章中我介绍了系统效率方面的内容，在本文中，我将讨论直流/直流稳压器部件的开关损耗，从第1部分中的图3（此处为图1）开始：VDS和ID曲线随时间变化
2018-08-30 15:47:38
打造了一个兼顾品质与性价比的完美方案，除支持双向充电之外，还有助于实现很高的系统集成度。这使得该器件非常适合诸多快速开关汽车应用，如车载充电器（OBC）、功率因数校正（PFC）、DC-DC
2021-03-29 11:00:47
0.99，PFC电路中常用IGBT作为功率器件，应用IGBT的PFC整流器是有效率高、功率容量大、绿色环保的优点。 ③充电器 UPS的充电器常用的有反激式、BOOST升压式和半桥式。大电流充电器中
2012-03-29 14:07:27
的功能。图1：线性充电器图图2：开关充电器图线性充电器开关充电器功耗大，充电电流大更高的效率和更低的功耗简单设计；小解决方案尺寸更复杂的设计降低成本更多组件；本更高无电磁干扰（EMI）问题开关噪声可能需要更多的布局考虑适用于对小电池或
2019-03-21 06:45:06
损耗的IGBT芯片，如根据高频应用场合开关损耗占的比重大的特点开发出低关断损耗高饱和压降的IGBT芯片。图5是英飞凌IGBT在焊机中应用的DN2,KS4和T4芯片的饱和压降和开关损耗分布图。图中的纵轴
2018-12-03 13:47:57
是为密勒电容（CGD）充电。在米勒时刻期间，漏极电流在IOUT端是恒定的，而VDS从VIN开始下降。在这段时间内的功率损耗通过等式2表示：在等式3中加上总开关损耗的结果：注意，在图1中，t2比第三个时段
2018-06-05 09:39:43
的功能。图1：线性充电器图图2：开关充电器图线性充电器开关充电器功耗大，充电电流大更高的效率和更低的功耗简单设计；小解决方案尺寸更复杂的设计降低成本更多组件；本更高无电磁干扰（EMI）问题开关噪声可能需要更多的布局考虑适用于对小电池或
2019-04-01 06:30:00
请问各位大神，空调的PFC电路的IGBT，带FRD跟不带FRD有什么区别？
2017-04-24 09:31:50
650V IGBT4的损耗增大引起的RMS模块电流降低的幅度很小。在2kHz至10kHz的开关频率范围内（通用应用的典型范围），其降幅为4%至 9%。图4图4 在600A EconoDUALTM 3 模块中
2018-12-07 10:16:11
，相应地IGBT关断时拖尾电流更短。更薄的晶片和因此而缩短的通道，带来了三重效益——通态损耗降低大约40%；开关损耗未增加；生产成本比早期器件降低10%（图1c）。这十年，IGBT制造商的重点一直是
2018-12-03 13:47:00
MOS门极功率开关元件的开关损耗受工作电压、电流、温度以及门极驱动电阻等因素影响，在测量时主要以这些物理量为参变量。但测量的非理想因素对测量结果影响是值得注意的，
2009-04-08 15:21:32
32 新型IGBT软开关在应用中的损耗
本文介绍了集成续流二极管(FWD)的1200V RC-IGBT，并将探讨面向软开关应用的1,200V逆导型IGBT所取得的重大技术进步。
2010-05-25 09:05:201169 
英飞凌RC-D功率开关器件系列在单一芯片上融合了市场领先的英飞凌专有技术TrenchSTOP™ IGBT(绝缘栅双极型晶体管)和续流二极管，具有很低的开关损耗和传导损耗，并且减小了永磁电机驱
2011-05-31 09:00:421610
Fairchild将在PCIM Asia上介绍如何通过打破硅“理论上”的限制
来将IGBT 开关损耗降低30%
2015-06-15 11:09:231029 MOS门极功率开关元件的开关损耗受工作电压、电流、温度以及门极驱动电阻等因素影响，在测量时主要以这些物理量为参变量。但测量的非理想因素对测量结果影响是值得注意的，比如常见的管脚引线电感。本文在理论分析和实验数据基础上阐述了各寄生电感对IGBT开关损耗测量结果的影响。
2017-09-08 16:06:5221 绝缘栅极双极性晶体管（IGBT）是适用于高压应用的经济高效型解决方案，如车载充电器、非车载充电器、DC-DC快速充电器、开关模式电源（SMPS）应用。
2019-08-16 17:31:582007 本文主要阐述了车载充电器的使用方法及使用注意事项，另外还介绍了车载充电器安装方法。
2020-03-27 14:25:126722 本文首先介绍了车载充电器的作用，其次阐述了车载充电器的正负极，最后介绍了车载充电器的输入电压。
2020-03-27 14:37:4116780 本文首先阐述了车载充电器的危害，其次介绍了车载充电器的选购方法，最后介绍了车载充电器使用注意事项。
2020-03-27 14:53:385542 LT3585：输入电流可调的闪光灯充电器和IGBT驱动器数据表
2021-04-14 17:20:234 大家好，这期我们再聊一下IGBT的开关损耗，我们都知道IGBT开关损耗产生的原因是开关暂态过程中的电压、电流存在交叠部分，由于两者都为正，这样就会释放功率，对外做功产生热量。那为什么IGBT开关
2022-04-19 16:00:383402 全SiC功率模块与现有的IGBT模块相比，具有1）可大大降低开关损耗、2）开关频率越高总体损耗降低程度越显著 这两大优势。
2023-02-08 13:43:22673 
MOSFET和IGBT等电源开关器件被广泛应用于各种电源应用和电源线路中。需要尽可能地降低这种开关器件产生的开关损耗和传导损耗，但不同的应用其降低损耗的方法也不尽相同。近年来，发现有一种方法可以改善
2023-02-09 10:19:18634 
车载充电器充不进 车载电器充不进电原因： 1、车载充电器要是不兼容你的手机就充不进电。没完全兼容，充电电流会小； 2、要是兼容，车载充电器质量太差，输出电流太小，充电效果不明显，会感觉
2023-02-14 15:54:451294 0 引言 绝缘栅型晶体管(Insulated Gate Bipolar Transistor，IGBT)是由MOSFET和功率双极型晶体管复合而成的一种器件。IGBT既具有MOSFET的高速开关
2023-02-22 15:19:511 是流控、而MOSFET是压控。BJT导通损耗小，但开关损耗大；三个电极，分别是基极（B）、集电极（C）、发射极（E）MOSFET开关损耗小，但导通损耗大，三个电极，分别是栅极（G）、漏极（D）、源极（S）而IGB
2023-02-22 14:00:530 从某个外企的功率放大器的测试数据上获得一个具体的感受：导通损耗60W开关损耗251。大概是1:4.5 下面是英飞凌的一个例子：可知，六个管子的总功耗是714W这跟我在项目用用的那个150A的模块试验测试得到的总功耗差不多。 导通损耗和开关损耗大概1:2
2023-02-23 09:26:4915 IGBT模块损耗包含IGBT损耗和Diode损耗两部分
2023-05-26 11:21:231257 
车载充电器怎么使用 车载充电器的使用方法：1、准备车载充电器，车载充电器底部是正极，两边的触点是负极； 2、将车载充电器底部直接插到点烟器里固定； 3、点烟器的LED指示灯亮起即可
2023-06-01 14:11:041222 IGBT模块动态参数是评估IGBT模块开关性能如开关频率、开关损耗、死区时间、驱动功率等的重要依据，本文重点讨论以下动态参数：模块内部栅极电阻、外部栅极电阻、外部栅极电容、IGBT寄生电容参数、栅极充电电荷、IGBT开关时间参数，结合IGBT模块静态参数可全面评估IGBT芯片的性能。
2023-07-28 10:19:543294 
供应SGTP40V65FDR1P7650V、40Aups逆变器igbt，具有较低的导通损耗和开关损耗，该产品可应用于光伏，UPS,SMPS以及PFC等领域，更多产品手册、应用料资请向士兰微代理骊微电子申请。>>
2022-08-01 16:31:303 使用SiC MOSFET时如何尽量降低电磁干扰和开关损耗
2023-11-23 09:08:34333 
速度、效率、损耗、应用范围等方面有一些不同之处。 工作原理： 硬开关模式下，当IGBT开关从关断状态切换到导通状态时，由于电流和电压较大，会产生大量的开关损耗。而在软开关模式下，IGBT在开关转换过程中能够在合适的时机通过控制电压和电流的波形，来减少开关损耗。 开关速度： 硬开关
2023-12-21 17:59:32658 IGBT元件的损耗总和分为：通态损耗与开关损耗。开关损耗分别为开通损耗(EON)和关断损耗(EOFF)之和。
2024-01-12 09:07:171028 
电子发烧友App
工商网监
评论