工业4.0时代及电动汽车快速的普及，工业电源、高压充电器对功率器件开关损耗、功率密度等性能也随之提高，传统的Si-MosFet性能已被开发的接近顶峰，SiC MOSFET在开关频率、散热、耐压、功率密度方面优势更为凸显。
2021-09-15 09:34:00
9384 本文简要比较了下SiC Mosfet管和Si IGBT管的部分电气性能参数并分析了这些电气参数对电路设计的影响，并且根据SiC Mosfet管开关特性和高压高频的应用环境特点，推荐了金升阳可简化设计隔离驱动电路的SIC驱动电源模块。
2015-06-12 09:51:234738 Si MOSFET管因为其输入阻抗高，随着其反向耐压的提高，通态电阻也急剧上升，从而限制了其在高压场合的应用。SiC作为一种宽禁代半导体器件，具有饱和电子漂移速度高、电场击穿强度高、介电常数
2015-10-14 09:38:542606 
本文将介绍一种门极驱动器利用SiC-MOSFET的检测端子为其提供全面保护的先进方法。所提供的测试结果包括了可调整过流和短路检测以及软关断和有源钳位（可在关断时主动降低过压尖峰）等功能。
2016-11-16 11:19:578316 功率转换电路中的晶体管的作用非常重要，为进一步实现低损耗与应用尺寸小型化，一直在进行各种改良。SiC功率元器件半导体的优势前面已经介绍过，如低损耗、高速开关、高温工作等，显而易见这些优势是非常有用的。本章将通过其他功率晶体管的比较，进一步加深对SiC-MOSFET的理解。
2022-07-26 13:57:522075 三菱电机集团近日（2023年6月1日）宣布，其开发出一种集成SBD的SiC-MOSFET新型结构，并已将其应用于3.3kV全SiC功率模块——FMF800DC-66BEW，适用于铁路、电力系统等大型
2023-06-09 11:20:09366 
在高耐压范围中，SiC MOSFET与Si-MOSFET相比，具有“开关损耗与导通损耗小”、“可支持大功率”、“耐温度变化”等优势。基于这些优势，当SiC-MOSFET用于AC/DC转换器和DC
2019-04-24 12:46:442091 有使用过SIC MOSFET 的大佬吗 想请教一下驱动电路是如何搭建的。
2021-04-02 15:43:15
上一章针对与Si-MOSFET的区别，介绍了关于SiC-MOSFET驱动方法的两个关键要点。本章将针对与IGBT的区别进行介绍。与IGBT的区别：Vd-Id特性Vd-Id特性是晶体管最基本的特性之一
2018-12-03 14:29:26
从本文开始，将逐一进行SiC-MOSFET与其他功率晶体管的比较。本文将介绍与Si-MOSFET的区别。尚未使用过SiC-MOSFET的人，与其详细研究每个参数，不如先弄清楚驱动方法等
2018-11-30 11:34:24
。关键要点:・SiC-MOSFET体二极管的正向特性Vf比Si-MOSFET大。・SiC-MOSFET体二极管的trr更高速，与Si-MOSFET相比可大幅降低恢复损耗。与IGBT的区别所谓
2018-11-27 16:40:24
”）应用越来越广泛。关于SiC-MOSFET，这里给出了DMOS结构，不过目前ROHM已经开始量产特性更优异的沟槽式结构的SiC-MOSFET。具体情况计划后续进行介绍。在特征方面，Si-DMOS存在
2018-11-30 11:35:30
的小型化。 另外，SiC-MOSFET能够在IGBT不能工作的高频条件下驱动，从而也可以实现无源器件的小型化。 与600V~900V的Si-MOSFET相比，SiC-MOSFET的优势在于芯片
2023-02-07 16:40:49
，SiC-MOSFET能够在IGBT不能工作的高频条件下驱动，从而也可以实现无源器件的小型化。与600V~900V的Si-MOSFET相比，SiC-MOSFET的优势在于芯片面积小（可实现小型封装），而且体
2019-04-09 04:58:00
确认现在的产品情况，请点击这里联系我们。ROHM SiC-MOSFET的可靠性栅极氧化膜ROHM针对SiC上形成的栅极氧化膜，通过工艺开发和元器件结构优化，实现了与Si-MOSFET同等的可靠性
2018-11-30 11:30:41
晶体管的结构与特征比较所谓SiC-MOSFET－与Si-MOSFET的区别与IGBT的区别所谓SiC-MOSFET－体二极管的特性所谓SiC-MOSFET－沟槽结构SiC-MOSFET与实际产品所谓
2018-11-27 16:38:39
`请问：图片中的红色白色蓝色模块是什么东西？芯片屏蔽罩吗？为什么加这个东西？抗干扰或散热吗？这是个SiC MOSFET DC-DC电源，小弟新手。。`
2018-11-09 11:21:45
的稳健性、可靠性、高频应用中的瞬时振荡以及故障处理等问题。这就需要工程师深入了解SiC MOSFET的工作特征及其对系统设计的影响。如图1所示，与同类型的Si MOSFET相比，900V的SiC
2019-07-09 04:20:19
员已经在Si IGBT上使用SiC MOSFET观察到系统级价格的显着优势，并且我们预计随着150 mm晶圆的规模经济，SiC MOSFET的价格将继续下降。 图7：在Digi-Key上看到的市售
2023-02-27 13:48:12
，SiC-MOSFET能够在IGBT不能工作的高频条件下驱动，从而也可以实现无源器件的小型化。与600V~900V的Si-MOSFET相比，SiC-MOSFET的优势在于芯片面积小（可实现小型封装），而且体
2019-05-07 06:21:55
1. SiC模块的特征大电流功率模块中广泛采用的主要是由Si材料的IGBT和FRD组成的IGBT模块。ROHM在世界上首次开始出售搭载了SiC-MOSFET和SiC-SBD的功率模块。由IGBT的尾
2019-05-06 09:15:52
的不是全SiC功率模块特有的评估事项，而是单个SiC-MOSFET的构成中也同样需要探讨的现象。在分立结构的设计中，该信息也非常有用。“栅极误导通”是指在高边SiC-MOSFET＋低边
2018-11-30 11:31:17
1. SiC模块的特征大电流功率模块中广泛采用的主要是由Si材料的IGBT和FRD组成的IGBT模块。ROHM在世界上首次开始出售搭载了SiC-MOSFET和SiC-SBD的功率模块。由IGBT的尾
2019-03-25 06:20:09
本文将开始AC/DC转换器设计篇的新篇章：“使用SiC-MOSFET的隔离型准谐振转换器的设计案例”。在本文中，继此前提到的“反激式”和“正激式”之后，将介绍使用了“准谐振方式”电源IC的隔离型AC
2018-11-27 17:03:34
的导通电阻大大降低。在25°C至150°C的温度范围内，SiC的变化范围为20％，而Si的变化范围为200％至300％.SiC MOSFET管芯能够在200°C以上的结温下工作。该技术还得益于固有的低
2022-08-12 09:42:07
` 首先万分感谢罗姆及电子发烧友论坛给予此次罗姆SiC Mosfet试用机会。 第一次试用体验，先利用晚上时间做单管SiC Mos的测试，由于没有大功率电源，暂且只考察了Mos管的延时时间、上升时间
2020-05-21 15:24:22
失效模式等。项目计划①根据文档，快速认识评估板的电路结构和功能；②准备元器件，相同耐压的Si-MOSFET和业内3家SiC-MOSFET③项目开展，按时间计划实施，④项目调试，优化，比较，分享。预计成果分享项目的开展，实施，结果过程，展示项目结果
2020-04-24 18:09:12
SiC Mosfet管组成上下桥臂电路，整个评估板提供了一个半桥电路，可以支持Buck，Boost和半桥开关电路的拓扑。SiC Mosfet的驱动电路主要有BM6101为主的芯片搭建而成，上下桥臂各有一块
2020-06-07 15:46:23
是48*0.35 = 16.8V，负载我们设为0.9Ω的阻值，通过下图来看实际的输入和输出情况：图4 输入和输出通过电子负载示数，输出电流达到了17A。下面使用示波器测试SIC-MOSFET管子的相关
2020-06-10 11:04:53
项目名称：基于Sic MOSFET的直流微网双向DC-DC变换器试用计划：申请理由本人在电力电子领域（数字电源）有五年多的开发经验，熟悉BUCK、BOOST、移相全桥、LLC和全桥逆变等电路拓扑。我
2020-04-24 18:08:05
`收到了罗姆的sic-mosfet评估板，感谢罗姆，感谢电子发烧友。先上几张开箱图，sic-mos有两种封装形式的，SCT3040KR，主要参数如下：SCT3040KL，主要参数如下：后续准备搭建一个DC-DC BUCK电路，然后给散热器增加散热片。`
2020-05-20 09:04:05
封装的SIC MOSFET各两片，分别是TO-247-4L的SCT3040KR，TO-247-3L的SCT3040KL，这两款都是罗姆推出的SIC MOSFET。两款SIC 的VDS都是1200V
2020-05-09 11:59:07
;Reliability (可靠性) " ，始终坚持“品质第一”SiC元器有三个最重要的特性：第一个高压特性，比硅更好一些；而是高频特性；三是高温特性。 罗姆第三代沟槽栅型SiC-MOSFET对应
2020-07-16 14:55:31
Navitas的GeneSiC碳化硅(SiC) mosfet可为各种器件提供高效率的功率传输应用领域，如电动汽车快速充电、数据中心电源、可再生能源、能源等存储系统、工业和电网基础设施。具有更高的效率
2023-06-16 06:04:07
状态之间转换，并且具有更低的导通电阻。例如，900 伏 SiC MOSFET 可以在 1/35 大小的芯片内提供与 Si MOSFET 相同的导通电阻（图 1）。图 1：SiC MOSFET（右侧）与硅
2017-12-18 13:58:36
SiC功率模块”量产。与以往的Si-IGBT功率模块相比，“全SiC”功率模块可高速开关并可大幅降低损耗。关于这一点，根据这之前介绍过的SiC-SBD和SiC-MOSFET的特点与性能，可以很容易理解
2018-11-27 16:38:04
SiC-MOSFET和SiC肖特基势垒二极管的相关内容，有许多与Si同等产品比较的文章可以查阅并参考。采用第三代SiC沟槽MOSFET，开关损耗进一步降低ROHM在行业中率先实现了沟槽结构
2018-11-27 16:37:30
转换器评估板之外，还备有全SiC模块的栅极驱动器评估板等。与以往的Si元器件相比具有优异特性的SiC-MOSFET，工作电路也需要优化，全部从没有参考的状态进行评估是非常艰苦而细致的工作。总之，希建议
2018-12-04 10:11:25
本文讨论如何设计基于 SiC-MOSFET 的 6.6kW 双向电动汽车车载充电器。介绍随着世界转向更清洁的燃料替代品，电动汽车运输领域正在经历快速增长。此外，配备足够电池容量的电动汽车可用于支持
2023-02-27 09:44:36
开发的。导通电阻降低到Si-MOSFET的1/8这是与工业设备辅助电源中广泛使用的1500V耐压Si-MOSFET的比较例。SiC-MOSFET的SCT2H12NZ的耐压更高，达1700V，导通电
2018-12-05 10:01:25
ROHM在全球率先实现了搭载ROHM生产的SiC-MOSFET和SiC-SBD的“全SiC”功率模块量产。与以往的Si-IGBT功率模块相比，“全SiC”功率模块可高速开关并可大幅降低
2018-12-04 10:14:32
1. SiC模块的特征大电流功率模块中广泛采用的主要是由Si材料的IGBT和FRD组成的IGBT模块。ROHM在世界上首次开始出售搭载了SiC-MOSFET和SiC-SBD的功率模块。由IGBT的尾
2019-03-12 03:43:18
结构SiC-MOSFET的量产。这就是ROHM的第三代SiC-MOSFET。沟槽结构在Si-MOSFET中已被广为采用，在SiC-MOSFET中由于沟槽结构有利于降低导通电阻也备受关注。然而，普通的单
2018-12-05 10:04:41
SiC-MOSFET 是碳化硅电力电子器件研究中最受关注的器件。成果比较突出的就是美国的Cree公司和日本的ROHM公司。在国内虽有几家在持续投入，但还处于开发阶段, 且技术尚不完全成熟。从国内
2019-09-17 09:05:05
的逆变器和转变器中一般使用Si-IGBT，但尾电流和外置FRD的恢复导致的功率转换损耗较大，因此，更低损耗、可高频动作的SiC-MOSFET的开发备受期待。但是，传统的SiC-MOSFET，体二极管通电
2019-03-18 23:16:12
SiC-MOSFET用作开关而专门设计的电源用IC。这意味着SiC-MOSFET的栅极驱动与Si-MOSFET是不同的。您可能马上会问“有什么不同呢？”，在介绍电源IC之前，先来了解一下SiC-MOSFET
2018-11-27 16:54:24
使用图腾柱无桥PFC升压转换器，以减少二极管数量并提高效率[6]，[7]。但是，硅MOSFET体二极管的反向恢复会导致连续导通模式（CCM）中的高功率损耗，从而使其不适用于高功率应用。随后，与SiC
2019-10-25 10:02:58
从本篇开始，介绍近年来MOSFET中的高耐压MOSFET的代表超级结MOSFET。功率晶体管的特征与定位首先来看近年来的主要功率晶体管Si-MOSFET、IGBT、SiC-MOSFET的功率与频率
2018-11-28 14:28:53
ROHM在全球率先实现了搭载ROHM生产的SiC-MOSFET和SiC-SBD的“全SiC”功率模块量产。与以往的Si-IGBT功率模块相比，“全SiC”功率模块可高速开关并可大幅降低
2018-12-04 10:11:50
请问：驱动功率MOSFET，IBGT，SiC MOSFET的PCB布局需要考虑哪些因素？
2019-07-31 10:13:38
上一篇介绍了近年来的主要功率晶体管Si-MOSFET、IGBT、SiC-MOSFET的产品定位，以及近年来的高耐压Si-MOSFET的代表超级结MOSFET（以下简称“SJ-MOSFET”）的概要
2018-12-03 14:27:05
世界首家！ROHM开始量产采用沟槽结构的SiC-MOSFET，导通电阻大大降低，有助于工业设备等大功率设备的小型化与低功耗化
2015-06-25 14:26:461974 和MOSFET器件的同时，没有出现基于SiC的类似器件。
SiC-MOSFET与IGBT有许多不同，但它们到底有什么区别呢？本文将针对与IGBT的区别进行介绍。
2017-12-21 09:07:0436486 
Si MOSFET管因为其输入阻抗高，随着其反向耐压的提高，通态电阻也急剧上升，从而限制了其在高压场合的应用。SiC作为一种宽禁代半导体器件，具有饱和电子漂移速度高、电场击穿强度高、介电常数
2020-09-29 10:44:00
9 近年来，宽禁带半导体SiC器件得到了广泛重视与发展。SiC MOSFET与Si MOSFET在特定的工作条件下会表现出不同的特性，其中重要的一条是SiC MOSFET在长期的门极电应力下会产生阈值漂移现象。本文阐述了如何通过调整门极驱动负压，来限制SiC MOSFET阈值漂移的方法。
2020-07-20 08:00:006 桩、不间断电源系统以及能源储存等应用场景中的需求不断提升。 SiC MOSFET的特性 更好的耐高温与耐高压特性 基于SiC材料的器件拥有比传统Si材料制品更好的耐高温耐高压特性，其能获得更高的功率密度和能源效率。由于碳化硅（SiC）的介电击穿强度大约是硅（Si）的
2021-08-13 18:16:276631 电子发烧友网报道（文/李诚）工业4.0时代及电动汽车快速的普及，工业电源、高压充电器对功率器件开关损耗、功率密度等性能也随之提高，传统的Si-MosFet性能已被开发的接近顶峰，SiC MOSFET
2021-09-16 11:05:374228 ，硅基 IGBT 广泛用于大功率转换器设计。表 1 提供了基于 Si 的模块和基于 SiC-MOSFET 的模块之间基于其开关速度的比较。
2022-07-26 08:02:531062 
LLC 谐振转换器可用于各种应用，如消费电子产品，以及可再生能源应用，如光伏、风能、水力和地热等。本文提供了在 3KW 中建模的 Si 和 SiC MOSFET 的详细比较具有宽输入电压范围的半桥 LLC 转换器。
2022-07-29 09:44:201209 
SiC MOSFET 的优势和用例是什么？
2022-12-28 09:51:201034 
SiC 器件取代服务器、电机、EV 中的 Si MOSFET 和二极管
2023-01-05 09:43:43529 功率转换电路中的晶体管的作用非常重要，为进一步实现低损耗与应用尺寸小型化，一直在进行各种改良。SiC功率元器件半导体有如下优势，如低损耗、高速开关、高温工作等，显而易见这些优势是非常有用的。本章将通过其他功率晶体管的比较，进一步加深对SiC-MOSFET的理解。
2023-02-06 14:39:132876 
本章将介绍部分SiC-MOSFET的应用实例。其中也包括一些以前的信息和原型级别的内容，总之希望通过这些介绍能帮助大家认识采用SiC-MOSFET的好处以及可实现的新功能。另外，除了SiC-MOSFET，还可以从这里了解SiC-SBD、全SiC模块的应用实例。
2023-02-06 14:39:51645 
继前篇结束的SiC-SBD之后，本篇进入SiC-MOSFET相关的内容介绍。功率转换电路中的晶体管的作用非常重要，为进一步实现低损耗与应用尺寸小型化，一直在进行各种改良。
2023-02-08 13:43:19211 
近年来超级结（Super Junction）结构的MOSFET（以下简称“SJ-MOSFET”）应用越来越广泛。关于SiC-MOSFET，ROHM已经开始量产特性更优异的沟槽式结构的SiC-MOSFET。
2023-02-08 13:43:19525 
上一章针对与Si-MOSFET的区别，介绍了关于SiC-MOSFET驱动方法的两个关键要点。本章将针对与IGBT的区别进行介绍。与IGBT的区别：Vd-Id特性，Vd-Id特性是晶体管最基本的特性之一。
2023-02-08 13:43:201722 
上一章介绍了与IGBT的区别。本章将对SiC-MOSFET的体二极管的正向特性与反向恢复特性进行说明。如图所示，MOSFET（不局限于SiC-MOSFET）在漏极-源极间存在体二极管。
2023-02-08 13:43:20790 
在SiC-MOSFET不断发展的进程中，ROHM于世界首家实现了沟槽栅极结构SiC-MOSFET的量产。这就是ROHM的第三代SiC-MOSFET。沟槽结构在Si-MOSFET中已被广为采用，在SiC-MOSFET中由于沟槽结构有利于降低导通电阻也备受关注。
2023-02-08 13:43:211381 
本章将介绍部分SiC-MOSFET的应用实例。其中也包括一些以前的信息和原型级别的内容，总之希望通过这些介绍能帮助大家认识采用SiC-MOSFET的好处以及可实现的新功能。
2023-02-08 13:43:21366 
本文就SiC-MOSFET的可靠性进行说明。这里使用的仅仅是ROHM的SiC-MOSFET产品相关的信息和数据。另外，包括MOSFET在内的SiC功率元器件的开发与发展日新月异，如果有不明之处或希望确认现在的产品情况，请点击这里联系我们。
2023-02-08 13:43:21860 
在探讨“SiC MOSFET：桥式结构中Gate-Source电压的动作”时，本文先对SiC MOSFET的桥式结构和工作进行介绍，这也是这个主题的前提。
2023-02-08 13:43:23340 
本文的关键要点・具有驱动器源极引脚的TO-247-4L和TO-263-7L封装SiC MOSFET，与不具有驱动器源极引脚的TO-247N封装SiC MOSFET产品相比，SiC MOSFET栅-源电压的行为不同。
2023-02-09 10:19:20301 
继前篇的Si晶体管的分类与特征、基本特性之后，本篇就作为功率开关被广为应用的Si-MOSFET的特性作补充说明。MOSFET的寄生电容：MOSFET在结构上存在下图所示的寄生电容。
2023-02-09 10:19:241996 
从本篇开始，介绍近年来MOSFET中的高耐压MOSFET的代表超级结MOSFET。功率晶体管的特征与定位：首先来看近年来的主要功率晶体管Si-MOSFET、IGBT、SiC-MOSFET的功率与频率范围。
2023-02-10 09:41:00538 
上一篇介绍了近年来的主要功率晶体管Si-MOSFET、IGBT、SiC-MOSFET的产品定位，以及近年来的高耐压Si-MOSFET的代表超级结MOSFET（以下简称“SJ-MOSFET”）的概要。
2023-02-10 09:41:011301 
ROHM在全球率先实现了搭载ROHM生产的SiC-MOSFET和SiC-SBD的“全SiC”功率模块量产。与以往的Si-IGBT功率模块相比，“全SiC”功率模块可高速开关并可大幅降低损耗。
2023-02-10 09:41:081333 
在SiC MOSFET的开发与应用方面，与相同功率等级的Si MOSFET相比，SiC MOSFET导通电阻、开关损耗大幅降低，适用于更高的工作频率，另由于其高温工作特性，大大提高了高温稳定性。
2023-02-12 15:29:032102 
ROHM在全球率先实现了搭载ROHM生产的SiC-MOSFET和SiC-SBD的“全SiC”功率模块量产。与以往的Si-IGBT功率模块相比，“全SiC”功率模块可高速开关并可大幅降低损耗。
2023-02-13 09:30:04331 
SiC功率MOSFET内部晶胞单元的结构，主要有二种：平面结构和沟槽结构。平面SiC MOSFET的结构，
2023-02-16 09:40:102938 
上一篇文章对设计中使用的电源IC进行了介绍。本文将介绍设计案例的电路。准谐振方式：上一篇文章提到，电源IC使用的是SiC-MOSFET驱动用AC/DC转换器控制IC“BD7682FJ-LB”。
2023-02-17 09:25:06380 
截至上一篇文章，结束了部件选型相关的内容，本文将对此前介绍过的PCB电路板布局示例进行总结。使用SiC-MOSFET的隔离型准谐振转换器的PCB布局示例
2023-02-17 09:25:07397 
此前共用19个篇幅介绍了“使用SiC-MOSFET的隔离型准谐振转换器的设计案例”，本文将作为该系列的最后一篇进行汇总。该设计案例中有两个关键要点。一个是功率开关中使用了SiC-MOSFET。
2023-02-17 09:25:08480 功率转换电路中的晶体管的作用非常重要，为进一步实现低损耗与应用尺寸小型化，一直在进行各种改良。SiC功率元器件半导体的优势前面已经介绍过，如低损耗、高速开关、高温工作等，显而易见这些优势是非常有用的。本章将通过其他功率晶体管的比较，进一步加深对SiC-MOSFET的理解。
2023-02-23 11:25:47203 
本文将介绍与Si-MOSFET的区别。尚未使用过SiC-MOSFET的人，与其详细研究每个参数，不如先弄清楚驱动方法等与Si-MOSFET有怎样的区别。在这里介绍SiC-MOSFET的驱动与Si-MOSFET的比较中应该注意的两个关键要点。
2023-02-23 11:27:57736 
如图所示，MOSFET（不局限于SiC-MOSFET）在漏极-源极间存在体二极管。从MOSFET的结构上讲，体二极管是由源极-漏极间的pn结形成的，也被称为“寄生二极管”或“内部二极管”。对于MOSFET来说，体二极管的性能是重要的参数之一，在应用中使用时，其性能发挥着至关重要的作用。
2023-02-24 11:47:402315 
在SiC-MOSFET不断发展的进程中，ROHM于世界首家实现了沟槽栅极结构SiC-MOSFET的量产。这就是ROHM的第三代SiC-MOSFET。
2023-02-24 11:48:18426 
本章将介绍部分SiC-MOSFET的应用实例。其中也包括一些以前的信息和原型级别的内容，总之希望通过这些介绍能帮助大家认识采用SiC-MOSFET的好处以及可实现的新功能。
2023-02-24 11:49:19481 
ROHM针对SiC上形成的栅极氧化膜，通过工艺开发和元器件结构优化，实现了与Si-MOSFET同等的可靠性。
2023-02-24 11:50:12784 
如何为SiC MOSFET选择合适的驱动芯片？（英飞凌官方） 由于SiC产品与传统硅IGBT或者MOSFET参数特性上有所不同，并且其通常工作在高频应用环境中， 为SiC MOSFET选择合适的栅极
2023-02-27 14:42:0479 碳化硅 MOSFET 驱动电路保护 SiC MOSFET 作为第三代宽禁带器件之一，可以在多个应用场合替换 Si MOSFET、IGBT，发挥其高频特性，实现电力设备高功率密度。然而被应用于桥式电路
2023-02-27 14:43:028 率转换电路中的晶体管的作用非常重要，对其改良可以实现低损耗与应用尺寸小型化。SiC 功率元器件半导体具有低损耗、高速开关、高温工作等优势。
2023-08-23 12:48:23368 
相对于IGBT，SiC-MOSFET降低了开关关断时的损耗，实现了高频率工作，有助于应用的小型化。相对于同等耐压的SJ-MOSFET，导通电阻较小，可减少相同导通电阻的芯片面积，并显著降低恢复损耗。
2023-09-11 10:12:33566 
Si IGBT和SiC MOSFET之间的主要区别在于它们可以处理的电流类型。一般来说，MOSFET更适合高频开关应用，而IGBT更适合高功率应用。
2023-10-17 14:46:401040 
Si对比SiC MOSFET 改变技术—是正确的做法
2023-11-29 16:16:06149 
SiC MOSFET 和Si MOSFET寄生电容在高频电源中的损耗对比
2023-12-05 14:31:21258 
SiC MOSFET的桥式结构
2023-12-07 16:00:26157
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