特性，能够提高高温环境下功率系统的效率。SiC SBD在常温下显示出优于Si基快速恢复二极管的动态特性:反向恢复时间短，反向恢复电流峰值小。
2019-10-24 14:25:15
SIC碳化硅二极管
2016-11-04 15:50:11
上一章介绍了与IGBT的区别。本章将对SiC-MOSFET的体二极管的正向特性与反向恢复特性进行说明。如图所示，MOSFET（不局限于SiC-MOSFET）在漏极-源极间存在体二极管。从MOSFET
2018-11-27 16:40:24
电阻低，通道电阻高，因此具有驱动电压即栅极－源极间电压Vgs越高导通电阻越低的特性。下图表示SiC-MOSFET的导通电阻与Vgs的关系。导通电阻从Vgs为20V左右开始变化（下降）逐渐减少，接近
2018-11-30 11:34:24
SiC-DMOS的特性现状是用椭圆围起来的范围。通过未来的发展，性能有望进一步提升。从下一篇开始，将单独介绍与SiC-MOSFET的比较。关键要点:・功率晶体管的特征因材料和结构而异。・在特性方面各有优缺点，但SiC-MOSFET在整体上具有优异的特性。＜ 相关产品信息 ＞MOSFETSiC-DMOS
2018-11-30 11:35:30
面积小（可实现小型封装），而且体二极管的恢复损耗非常小。 主要应用于工业机器电源、高效率功率调节器的逆变器或转换器中。 2. 标准化导通电阻 SiC的绝缘击穿场强是Si的10倍，所以能够以低阻抗、薄厚
2023-02-07 16:40:49
二极管的恢复损耗非常小。主要应用于工业机器电源、高效率功率调节器的逆变器或转换器中。2. 标准化导通电阻SiC的绝缘击穿场强是Si的10倍，所以能够以低阻抗、薄厚度的漂移层实现高耐压。因此，在相同的耐压值
2019-04-09 04:58:00
对体二极管进行1000小时的直流8A通电测试，结果如下。试验证明，所有特性如导通电阻，漏电流等都没有变化。短路耐受能力由于SiC-MOSFET与Si-MOSFET相比具有更小的芯片面积和更高的电流密度
2018-11-30 11:30:41
晶体管的结构与特征比较所谓SiC-MOSFET－与Si-MOSFET的区别与IGBT的区别所谓SiC-MOSFET－体二极管的特性所谓SiC-MOSFET－沟槽结构SiC-MOSFET与实际产品所谓
2018-11-27 16:38:39
介绍。如下图所示，为了形成肖特基势垒，将半导体SiC与金属相接合（肖特基结）。结构与Si肖特基势垒二极管基本相同，其重要特征也是具备高速特性。而SiC-SBD的特征是其不仅拥有优异的高速性还同时实现了高
2018-11-29 14:35:50
二极管的恢复损耗非常小。主要应用于工业机器电源、高效率功率调节器的逆变器或转换器中。2. 标准化导通电阻SiC的绝缘击穿场强是Si的10倍，所以能够以低阻抗、薄厚度的漂移层实现高耐压。因此，在相同的耐压值
2019-05-07 06:21:55
如此。我想以二极管为例详细进行说明。下图是SiC-SBD、Si-SBD、Si-PND的示意图，显示了电流流动的机理。SiC-SBD和Si-SBD都是肖特基势垒二极管，因此金属与n型半导体间形成的肖特基
2018-12-03 15:12:02
要做一个IN5819的特性测量，包括正向压降，负载电流和反向击穿电压。我的测试方法是用带电流显示的电源串联电阻再串到二极管两端，测试二极管两端在1A时的电压。反向击穿电压就反接二极管，调节电压至有电流显示。至于负载电流不知道指的是什么....我也不知道这样测可不可以。。求指教
2016-03-30 21:44:21
我是个新手，对此软件不熟悉，有不明白的地方，希望得到您的帮助。 使用multisim10.1进行仿真，分析二极管的伏安特性。使用“DC Sweep”进行直流扫苗分析时，得不到我们熟悉的二极管伏安特性。。。。哪位高手可以帮帮我？谢谢你了。下面是两张结果图。
2012-05-30 00:23:04
最主要的特性是单向导电性。所谓单向导电性可以通过加到二极管两端的电压与流经二极管的电流的人关系来说明，这个关系也就是伏安特性，二极管的伏安特性如图2-13所示。提示该特征曲线只使用于普通二极管，而对
2017-05-16 09:00:40
防雷过压器件的具体作用二极管的应用二极管是什么原理二极管有哪些分类？
2021-03-16 13:54:35
当二极管的正向电流变化时，其正向电阻也在发生微小的变化，正向电流愈大，正向电阻愈小，反之则大。在一些控制电路中，在利用这一特性实现电路的控制功能。在电子开关电路中，利用二极管正向电阻和反向电阻相差
2021-01-22 16:10:45
二极管简易直流稳压电路及故障处理二极管温度补偿电路及故障处理二极管控制电路及故障处理二极管限幅电路及故障处理二极管开关电路及故障处理二极管检波电路及故障处理继电器驱动电路中二极管保护电路及故障处理
2021-03-10 07:14:45
当输入与输出电压之间有正电压时，运放肖特基二极管电路使MOSFET导通，如下式：VGATE=VOUT-(R2/R1)(VIN-VOUT)其中，肖特基二极管电路的VGATE是MOSFET的栅极驱动
2021-04-08 11:37:38
，负极流出。下面通过简单的实验说明二极管的正向特性和反向特性。正向特性 在电子电路中，将二极管的正极接在高电位端，负极接在低电位端，二极管就会导通，这种连接方式，称为正向偏置。必须说明，当加在二极管两端
2019-11-06 11:38:02
二极管是较为常用的半导体元器件，它有两个电极，它的种类繁多，管芯有一个PN结，在PN结的两端各引出一个引线，并用塑料、玻璃或金属材料作为封装外壳，就构成了晶体二极管。一、二极管特性半导体二极管的核心
2023-02-21 16:05:32
二极管的特性及其应用1.加深理解二极管器件的应用；2.了解二极管器件的一般应用。 利用二极管单向
2009-09-08 08:54:45
、正向特性：二极管外加正向偏置电压时的V-I特性。对应于第①段的正向特性，此时加于二极管的正向电压只有零点几伏，但相对来说流过管子的电流却很大，因此管子呈现的正向电阻很小。但是，在正向特性的起始部分
2015-11-27 18:01:44
二极管的特性是什么？点接触型二极管可分为哪几类？
2021-06-08 06:12:13
VF特征的肖特基势垒二极管，下面将分别予以说明。虽然作了上述分类，但原则上，Si二极管均属由阳极和阴极构成的元器件，表示其本质功能和特性的项目基本相同。那么“究竟有什么区别呢？”，答案就是“根据
2018-12-03 14:30:32
同时放在脑里。可以理解为基本的功能加上各种各样的形状来补充。1. 按频率分类最基本的分类方法。二极管根据其特性分为整流二极管、开关二极管、肖特基势垒二极管、齐纳二极管、用于高频的高频二极管。另外，作为
2019-04-12 00:31:05
理想的二极管，正向电流和电压成指数关系。但是实际的二极管，外加正向电压时，在正向特性的起始部分，正向电压很小，不足以克服PN结内电场的阻挡作用，正向电流几乎为零，这一段称为死区。不能使二极管导
2022-01-25 10:33:57
本文资料下载内容包括了：二极管的结构与伏安特性二极管伏安特性的数学表达式温度对二极管伏安特性的影响
2021-03-23 07:21:56
的高击穿电压和实用的 SiC 肖特基二极管。肖特基势垒的高度取决于连接到半导体的金属类型。 电气特性因金属种类而异。正向压降 VF 和反向漏电流 IR 之间存在折衷关系，具体取决于金属类型。 根据
2021-09-20 07:00:00
范围。 我们正在开发使用下一代功率半导体 SiC 的高击穿电压和实用的 SiC 肖特基二极管。肖特基势垒的高度取决于连接到半导体的金属类型。 电气特性因金属种类而异。正向压降 VF 和反向漏电流 IR 之间
2022-04-12 15:53:31
二极管限幅电路及故障处理电路分析思路说明二极管限幅电路电路分析细节说明
2021-03-03 08:37:09
转换器内所使用的MOSFET体二极管的反向恢复。氮化镓—GaN器件不会表现出反向恢复特性，并因此避免了损耗和其它相关问题。借助于我的LMG5200和一个差不多的基于硅FET的TPS40170EVM-597
2018-09-03 15:17:44
转换器内所使用的MOSFET体二极管的反向恢复。氮化镓—GaN器件不会表现出反向恢复特性，并因此避免了损耗和其它相关问题。借助于我的LMG5200和一个差不多的基于硅FET的TPS40170EVM-597
2022-11-17 06:32:52
关于体二极管1. 体二极管也可能是稳压管2. 体二极管的续流能力与MOS本身过流能力相当，作为开关时，不需要额外的续流二极管【参考】
2021-11-11 06:22:44
二极管中观察到的电容恢复特性为独立于温度，正向电流水平以及关断dI/dt。在Si技术中，不切实际外延规范将肖特基二极管降级为< 600 V的应用。GeneSiC的1200 V SiC肖特基二极管是专门设计的，以尽量减少电容电荷，从而实现更快的开关瞬变。
2023-06-16 11:42:39
怎么仿真二极管特性啊 ，仿真出来是折线啊
2018-03-23 23:28:14
我想问一下，为什么我在参考书上看到能够仿真出图表，为什么我就实现不了，你们能帮我解决一下吗？谢谢！第一个图为仿真二极管的伏安特性第二个为仿真二极管的全波整理功能
2017-10-15 21:54:35
凑的系统），内部体二极管能够像mosfet一样处理电流吗？可以说25A电流，还是应该使用外部体二极管？如果我使用外部体二极管;我可以使用快速恢复二极管吗？那将是什么缺点。外部SiC SBD是昂贵
2019-05-29 06:12:00
时的波形可以看到，SiC-MOSFET原理上不流过尾电流，因此相应的开关损耗非常小。在本例中，SiC-MOSFET＋SBD（肖特基势垒二极管）的组合与IGBT＋FRD（快速恢复二极管）的关断损耗Eoff相比
2018-12-03 14:29:26
温度的反向漏电流。肖特基和PN结一样具有类似的整流特性，但是由于它的导电特性由多数载流子决定，所以没有电荷存储效应或者说惯性效应。因此，肖特基二极管是非常适合于那些不适合普通二极管的高频应用。 然而
2019-01-02 13:57:40
Si整流器与SiC二极管：谁会更胜一筹
2021-06-08 06:14:04
客户有评估板。想知道为什么有 4 个二极管的位置没有放置。用户指南 UM11348 v2.2 2020 年 10 月指出“当需要对有源桥进行 MOSFET 引脚开路测试时，为每个有源桥 MOSFET 添加一个并联二极管”。有人可以详细说明吗？
2023-05-12 08:20:12
TVS二极管，也叫瞬变二极管、瞬态电压抑制二极管、瞬变抑制二极管、瞬态抑制二极管、TVS、TVS二极管、TVS管、二极管TVS等等，叫法很多，不同的客户叫法略有差异，但是东西都是一个东西，是防浪涌
2022-05-25 14:16:57
。二极管的导电特性 二极管最重要的特性就是单方向导电性。在电路中，电流只能从二极管的正极流入，负极流出。下面通过简单的实验说明二极管的正向特性
2010-04-09 21:56:24
续流二极管作用及工作原理是什么？续流二极管为什么要反向接个二极管呢？续流二极管在正激开关电源的作用是什么？在变流技术中，续流二极管在电路里起什么作用？
2021-07-06 06:53:37
重要考量是SiC二极管/ MOSFET的设计。SiC能够应对高场应力，因此很多设计都是为了应对这些高应力条件。例如，终端结构需要很多心思，才能确保器件的耐用性。利用宽带隙（WBG）材料的独特特性，SiC技术
2018-10-29 08:51:19
相较于硅，碳化硅（SiC）肖特基二极管采用全新的技术，提供更出色的开关性能和更高的可靠性。SiC无反向恢复电流，且具有不受温度影响的开关特性和出色的散热性能，因此被视为下一代功率半导体。
2020-07-30 07:14:58
低压MOS管体二极管反向击穿电压
2020-01-15 17:12:27
发光二极管与激光二极管在发光原理上有何差别？发光二极管与激光二极管在工作原理上有何差别？发光二极管与激光二极管在架构上有何差别？发光二极管与激光二极管在效能上有何差别？
2021-07-28 07:02:48
众所周知，当温度升高时，二极管的正向伏安特性曲线将左移，反向伏安特性曲线将下移，可是根据肖克莱方程i=Is(e^(qu/kT)-1)进行理论分析时发现，二极管的正向伏安特性曲线并没有随着温度的升高
2015-02-27 12:03:13
半导体二极管的伏安特性是什么？
2021-06-15 06:17:58
发光二极管电路的设计原理是什么？发光二极管电路的特性有哪些？发光二极管与其它发光灯对比有何优势？
2021-10-09 08:07:52
发光二极管原理发光二极管特性发光二极管电阻计算方法发光二极管的限流电阻的计算发光二极管电阻接法
2021-03-04 07:46:09
ROHM努力推进最适合处理高耐压与大电流电路使用SiC（碳化硅）材料的SBD（肖特基势垒二极管）。2010年在日本国内率先开始SiC SBD的量产，目前正在扩充第二代SIC-SBD产品阵容，并推动在
2018-12-04 10:26:52
相较于硅，碳化硅（SiC）肖特基二极管采用全新的技术，提供更出色的开关性能和更高的可靠性。SiC无反向恢复电流，且具有不受温度影响的开关特性和出色的散热性能，因此被视为下一代功率半导体。
2019-07-25 07:51:59
整流器中会产生功率损耗，这种损耗的性质取决于所用二极管的静态和动态特性。二极管的动态行为（Qrr和体电容）也会影响转换器行为的其他方面。 对于本文中的工作，类似额定值的SiC，GaAs和超快硅二极管
2023-02-21 16:27:41
在电子学中，二极管具有单向导通的独特特性。主要功能是整流、稳压和检测。此外，还添加了不同材料的发光二极管（LED）用于指示和照明。在二极管电路中，电流只能从阳极流入并流出阴极。根据不同的电路要求，有
2023-02-07 15:59:32
如何识别普通二极管？晶体二极管的参数有哪些？普通二极管怎么使用？
2021-06-08 06:38:05
稳压二极管的规格书说明稳压二极管的参数如何识别稳压二极管稳压二极管与普通整流二极管的区别
2021-03-10 08:39:04
请问一下怎样使用集成二极管和外部二极管呢？
2022-12-05 12:04:41
悬殊，说明二极管的单向导电特性越好。若测得二极管的正、反向电阻值均接近0或阻值较小，则说明该二极管内部已击穿短路或漏电损坏。若测得二极管的正、反向电阻值均为无穷大，则说明该二极管已开路损坏。3．
2020-12-15 15:45:54
普通二极管和肖特基二极管的伏安特性如何
2021-10-13 08:57:54
电流频率达到要求即可。二极管的基本特性是单向导电性。整流二极管的工作频率低，有电压和电流的要求指标。而普通二极管有许多种类，有的可用作为整流，有的可用作为检波、限幅、开关等，但不一定都能用作为整流。不过
2021-05-26 16:49:24
。 ［1］ 正向特性。在电子电路中，将二极管的正极接在高电位端，负极接在低电位端，二极管就会导通，这种连接方式，称为正向偏置。必须说明，当加在二极管两端的正向电压很小时，二极管仍然不能导通，流过二极管
2021-01-20 15:26:39
应的SiC-MOSFET一览表。有SCT系列和SCH系列，SCH系列内置SiC肖特基势垒二极管，包括体二极管的反向恢复特性在内，特性得到大幅提升。一览表中的SCT3xxx型号即第三代沟槽结构SiC-MOSFET
2018-12-05 10:04:41
两种原子存在，需要非常特殊的栅介质生长方法。其沟槽星结构的优势如下（图片来源网络）：平面vs沟槽SiC-MOSFET采用沟槽结构可最大限度地发挥SiC的特性。相比GAN, 它的应用温度可以更高。
2019-09-17 09:05:05
二极管的伏安特性是什么？温度对二极管的伏安特性有何影响？
2021-10-08 08:55:17
点接触型二极管的特性分类？
2015-08-25 14:34:20
点接触型二极管的特性点接触型二极管的分类
2021-01-07 07:10:51
点接触型二极管的特性有哪些？点接触型二极管有哪些分类？
2021-06-18 10:03:39
一．电力二极管的静态特性 i 随着正向电压增大到门槛电压Uto（二极管开启电压），二极管导通。 ii电压Uf为二极管导通时的正向电压降 iii 当承受反向电压时，二极管截至，只有微小的少子漂移运动
2020-04-10 16:41:24
1.ESD静电二极管，主要功能是防静电，然而防静电要求电容值低，一般在1--3.5PF之间最好；而TVS二极管的电容值却比较高。2.ESD保护二极管，主要应用于板级保护；TVS二极管用于初级和次级
2020-12-24 14:55:58
1.ESD静电二极管，主要功能是防静电，然而防静电要求电容值低，一般在1--3.5PF之间最好；而TVS二极管的电容值却比较高。2.ESD保护二极管，主要应用于板级保护；TVS二极管用于初级和次级
2021-12-30 17:52:36
高压硅二极管具有低正向传导压降，但由于其反向恢复行为，会在功率转换器中造成显著的动态损耗。与硅相比，SiC二极管的反向恢复行为可以忽略不计，但确实表现出更高的体电容和更大的正向传导降。由于砷化镓技术
2023-02-22 17:13:39
` 一、硅肖特基二极管的特点 硅肖特基二极管早已有之。它是一种金属与半导体硅接触的肖特基二极管，由于它的这种特殊结构，使其具有如下不同寻常的特性： 硅肖特基二极管比PN结器件的行为特性更像一个
2019-01-11 13:42:03
小型化。然而，必须首先解决一个问题：SiC MOSFET反向操作期间，体二极管双极性导通会造成导通电阻性能下降。将肖特基势垒二极管嵌入MOSFET，使体二极管失活的器件结构，但发现用嵌入式SBD代替
2023-04-11 15:29:18
稳压二极管；反之，如果测得的反向电阻值仍很大，说明该管为整流二极管或检波二极管。这种判别方法的原理是，万用表Rx1k挡内部使用的电池电压为1.5V，一般不会将被测管反向击穿，所以测出的反向电阻值比较大。而用
2021-08-16 17:04:51
稳压二极管伏安特性及曲线稳压管也是一种晶体二极管，它是利用PN结的击穿区具有稳定电压的特性来工作的。稳压管在稳压设备和一些电子电路中获得广泛的应用。我们把这种类型的二极管称为稳压管，以区别用在整流
2013-08-02 16:20:16
稳压二极管稳压二极管利用的特性是：二极管被反向击穿之后，随着电流的变化，稳压二极管两端电压维持不变的特性；普通二极管反向击穿后就坏了，但是稳压二极管却可以恢复，而且在被击穿后处在正常的工作状态
2021-11-15 09:10:33
，稳压二极管不讨论响应时间，而是更关注稳压值。但对于TVS二极管来说，其特性决定了其具有不同的功能。TVS二极管具有瞬态抑制高能的功能，所以需要在短时间内吸收高能，所以这个时间非常短，达到纳秒级;4.功率大小
2021-12-21 11:16:32
低，可靠性高，在各种应用中非常有助于设备实现更低功耗和小型化。本产品于世界首次※成功实现SiC-SBD与SiC-MOSFET的一体化封装。内部二极管的正向电压（VF）降低70％以上，实现更低损耗的同时
2019-03-18 23:16:12
肖克利二极管有什么特性？肖克利二极管结构原理是什么？肖克利二极管的用途有哪些？
2021-06-08 06:29:37
肖特基二极管正向导通电压很低，只有0.4V，反向在击穿电压之前不会导通，起到快速反应开关的作用。而稳压二极管正向导通电压跟普通二级管一样约为0.7V，反向状态下在临界电压之前截止，在达到临界电压
2020-09-25 15:38:08
突破性的进展，150V和 200V的高压SBD已经上市，使用新型材料制作的超过1kV的SBD也研制成功，从而为其应用注入了新的生机与活力。肖特基二极管缺点：肖特基二极体最大的缺点是其反向偏压较低及反向漏电
2021-09-09 15:19:01
： 二极管的特性通过简单的实验说明二极管的正向特性和反向特性。 1. 正向特性。 在电子电路中，将二极管的正极接在高电位端，负极接在低电位端，二极管就会导通，这种连接方式，称为正向偏置。必须说明，当
2016-03-22 14:55:18
输入动作禁止功能）、过流保护、二次侧电压过压保护等。在高耐压应用中，与Si-MOSFET相比，SiC-MOSFET具有开关损耗及传导损耗少、温度带来的特性波动小的优点。这些优点有利于解决近年来的重要课题
2018-11-27 16:54:24
请问我们是否可以根据二极管的伏安特性曲线图，来计算该二极管在某一电压下的电阻呢？我感觉好像不行，可是R=U/I，难道是有条件的使用公式吗？能说说理由吗？
2017-05-18 09:53:48
我发现现在大家在选型这个二极管的时候，一般都是采用那种快恢复的二极管，有些场合明明不需要高速的快恢复二极管，但是大家也一样的采用了，看来是不是快恢复二极管已经可以通吃整个二极管应用了？
2019-05-16 00:12:23
请问贴片电阻，贴片电容，贴片二极管，稳压二极管，MOS管，MOSFET和封装形式有那些呢？请一一说明，谢谢各们大师哦！！！
2020-11-13 14:54:46
简单的NPN二极管连接反向击穿特性降低二极管的有效正向电压VBE 乘法器电路
2021-01-11 07:16:39
偏压（没有大到克服势垒）就能使载流子具有足够的能量可以通过耗尽层。这种情形叫作载流子穿透势垒的隧道效应。隧道二极管就是利用这种特性制成的。（a）隧道二极管的电路符号；（b）等效电路；（c）伏安特性曲线隧
2018-01-23 11:51:47
的不同。这种电压范围决定了ESD器件能保护的电路节点类型。双向ESD静电二极管具有相对于零伏电压的对称特性。双向ESD器件最适合保护电压基于零伏对称或双向的电路节点。单向ESD二极管产品具有相对零伏
2022-06-08 17:06:58
如图所示，MOSFET（不局限于SiC-MOSFET）在漏极-源极间存在体二极管。从MOSFET的结构上讲，体二极管是由源极-漏极间的pn结形成的，也被称为“寄生二极管”或“内部二极管”。对于MOSFET来说，体二极管的性能是重要的参数之一，在应用中使用时，其性能发挥着至关重要的作用。
2023-02-24 11:47:40
2315 
SiC MOSFET体二极管的关断特性与IGBT电路中硅基PN二极管不同，这是因为SiC MOSFET体二极管具有独特的特性。对于1200V SiC MOSFET来说，输出电容的影响较大，而PN
2023-01-04 10:02:071115 
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