电子发烧友App

硬声App

0
  • 聊天消息
  • 系统消息
  • 评论与回复
登录后你可以
  • 下载海量资料
  • 学习在线课程
  • 观看技术视频
  • 写文章/发帖/加入社区
创作中心

完善资料让更多小伙伴认识你,还能领取20积分哦,立即完善>

3天内不再提示

电子发烧友网>模拟技术>SiC-MOSFET体二极管的特性说明

SiC-MOSFET体二极管的特性说明

收藏

声明:本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人,不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用,如有内容侵权或者其他违规问题,请联系本站处理。 举报投诉

相关推荐

600V碳化硅二极管SIC SBD选型

特性,能够提高高温环境下功率系统的效率。SiC SBD在常温下显示出优于Si基快速恢复二极管的动态特性:反向恢复时间短,反向恢复电流峰值小。
2019-10-24 14:25:15

SIC碳化硅二极管

SIC碳化硅二极管
2016-11-04 15:50:11

SiC-MOSFET二极管特性

上一章介绍了与IGBT的区别。本章将对SiC-MOSFET二极管的正向特性与反向恢复特性进行说明。如图所示,MOSFET(不局限于SiC-MOSFET)在漏-源间存在二极管。从MOSFET
2018-11-27 16:40:24

SiC-MOSFET与Si-MOSFET的区别

电阻低,通道电阻高,因此具有驱动电压即栅极-源间电压Vgs越高导通电阻越低的特性。下图表示SiC-MOSFET的导通电阻与Vgs的关系。导通电阻从Vgs为20V左右开始变化(下降)逐渐减少,接近
2018-11-30 11:34:24

SiC-MOSFET功率晶体的结构与特征比较

SiC-DMOS的特性现状是用椭圆围起来的范围。通过未来的发展,性能有望进一步提升。从下一篇开始,将单独介绍与SiC-MOSFET的比较。关键要点:・功率晶体的特征因材料和结构而异。・在特性方面各有优缺点,但SiC-MOSFET在整体上具有优异的特性。< 相关产品信息 >MOSFETSiC-DMOS
2018-11-30 11:35:30

SiC-MOSFET器件结构和特征

面积小(可实现小型封装),而且二极管的恢复损耗非常小。  主要应用于工业机器电源、高效率功率调节器的逆变器或转换器中。  2. 标准化导通电阻  SiC的绝缘击穿场强是Si的10倍,所以能够以低阻抗、薄厚
2023-02-07 16:40:49

SiC-MOSFET有什么优点

二极管的恢复损耗非常小。主要应用于工业机器电源、高效率功率调节器的逆变器或转换器中。2. 标准化导通电阻SiC的绝缘击穿场强是Si的10倍,所以能够以低阻抗、薄厚度的漂移层实现高耐压。因此,在相同的耐压值
2019-04-09 04:58:00

SiC-MOSFET的可靠性

二极管进行1000小时的直流8A通电测试,结果如下。试验证明,所有特性如导通电阻,漏电流等都没有变化。短路耐受能力由于SiC-MOSFET与Si-MOSFET相比具有更小的芯片面积和更高的电流密度
2018-11-30 11:30:41

SiC-MOSFET的应用实例

晶体的结构与特征比较所谓SiC-MOSFET-与Si-MOSFET的区别与IGBT的区别所谓SiC-MOSFET二极管特性所谓SiC-MOSFET-沟槽结构SiC-MOSFET与实际产品所谓
2018-11-27 16:38:39

SiC-SBD的特征以及与Si二极管的比较

介绍。如下图所示,为了形成肖特基势垒,将半导体SiC与金属相接合(肖特基结)。结构与Si肖特基势垒二极管基本相同,其重要特征也是具备高速特性。而SiC-SBD的特征是其不仅拥有优异的高速性还同时实现了高
2018-11-29 14:35:50

SiC功率器件SiC-MOSFET的特点

二极管的恢复损耗非常小。主要应用于工业机器电源、高效率功率调节器的逆变器或转换器中。2. 标准化导通电阻SiC的绝缘击穿场强是Si的10倍,所以能够以低阻抗、薄厚度的漂移层实现高耐压。因此,在相同的耐压值
2019-05-07 06:21:55

SiC肖特基势垒二极管更新换代步履不停

如此。我想以二极管为例详细进行说明。下图是SiC-SBD、Si-SBD、Si-PND的示意图,显示了电流流动的机理。SiC-SBD和Si-SBD都是肖特基势垒二极管,因此金属与n型半导体间形成的肖特基
2018-12-03 15:12:02

正在加载...