的诞生更加确立了CREE公司在碳化硅功率模块技术领域的领导地位。该模块不但能在高频下工作还具有极低的功耗，非常适用于高功率电机驱动开关和并网逆变器等应用。目前世强已获授权代理SiC系列产品。
2015-10-14 09:52:22
1925 在本系列的前几篇文章中[1-7]，我们介绍了基于安森美丰富的SiC功率模块和其他功率器件开发的25 kW EV快充系统。
2022-06-29 11:30:505045 在很宽的范围内实现对器件制造所需的p型和n型的控制。因此，SiC被认为是有望超越硅极限的功率器件材料。SiC具有多种多型（晶体多晶型），并且每种多型显示不同的物理特性。对于功率器件，4H-SiC被认为是理想的，其单晶4英寸到6英寸之间的晶圆目前已量产。
2022-11-22 09:59:261373 SiC MOSFET器件的集成化、高频化和高效化需求，对功率模块封装形式和工艺提出了更高的要求。本文中总结了近年来封装形式的结构优化和技术创新，包括键合式功率模块的金属键合线长度、宽度和并联
2023-01-07 10:24:371062 为满足快速发展的电动汽车行业对高功率密度 SiC 功率模块的需求，进行了 1 200 V/500 A 高功率密度三相 全桥 SiC 功率模块设计与开发，提出了一种基于多叠层直接键合铜单元的功率模块封装方法来并联更多的芯片。
2024-03-13 10:34:03377 
科锐推出新型SiC功率模块产品系列，为电动汽车快速充电和太阳能市场提供业界领先的效率。
2021-01-14 15:23:001319 充电系统却一直在研发中，今天我们就来了解一款全SiC功率器件的车载无线充电系统。今天介绍的这个研究是一款全SiC功率器件的车载无线充电系统，功率为50KW，载波频率为85KHz，功率密度为9.5KW
2021-04-19 21:42:44
家公司已经建立了SiC技术作为其功率器件生产的基础。此外，几家领先的功率模块和功率逆变器制造商已为其未来基于SiC的产品的路线图奠定了基础。碳化硅（SiC）MOSFET即将取代硅功率开关;性能和可靠性
2019-07-30 15:15:17
SiC-DMOS的特性现状是用椭圆围起来的范围。通过未来的发展，性能有望进一步提升。从下一篇开始，将单独介绍与SiC-MOSFET的比较。关键要点:・功率晶体管的特征因材料和结构而异。・在特性方面各有优缺点，但SiC-MOSFET在整体上具有优异的特性。＜ 相关产品信息 ＞MOSFETSiC-DMOS
2018-11-30 11:35:30
SiC-MOSFET－SiC-MOSFET的可靠性全SiC功率模块所谓全SiC功率模块全SiC功率模块的开关损耗运用要点栅极驱动 其1栅极驱动 其2应用要点缓冲电容器 专用栅极驱动器和缓冲模块的效果Si功率元器件基础篇前言前言Si
2018-11-27 16:40:24
SiC-MOSFET，还可以从这里了解SiC-SBD、全SiC模块的应用实例。SiC-MOSFET应用实例1：移相DC/DC转换器下面是演示机，是与功率Power Assist Technology Ltd.联合制
2018-11-27 16:38:39
。这些设计平台目 前针对战略客户而推出，代表了驱动新一代SiC/GaN功率转换器 的完整IC生态系统的最高水准。设计平台类型众多，既有用于 高电压、大电流SiC功率模块的隔离式栅极驱动器板，也有完整
2018-10-30 11:48:08
基于SiC/GaN的新一代高密度功率转换器SiC/GaN具有的优势
2021-03-10 08:26:03
从本文开始将探讨如何充分发挥全SiC功率模块的优异性能。此次作为栅极驱动的“其1”介绍栅极驱动的评估事项，在下次“其2”中介绍处理方法。栅极驱动的评估事项：栅极误导通首先需要了解的是：接下来要介绍
2018-11-30 11:31:17
1. SiC模块的特征大电流功率模块中广泛采用的主要是由Si材料的IGBT和FRD组成的IGBT模块。ROHM在世界上首次开始出售搭载了SiC-MOSFET和SiC-SBD的功率模块。由IGBT的尾
2019-03-25 06:20:09
工作等SiC的特征所带来的优势。通过与Si的比较来进行介绍。”低阻值”可以单纯解释为减少损耗，但阻值相同的话就可以缩小元件（芯片）的面积。应对大功率时，有时会使用将多个晶体管和二极管一体化的功率模块
2018-11-29 14:35:23
二极管的恢复损耗非常小。主要应用于工业机器电源、高效率功率调节器的逆变器或转换器中。2. 标准化导通电阻SiC的绝缘击穿场强是Si的10倍，所以能够以低阻抗、薄厚度的漂移层实现高耐压。因此，在相同的耐压值
2019-05-07 06:21:55
1. SiC模块的特征大电流功率模块中广泛采用的主要是由Si材料的IGBT和FRD组成的IGBT模块。ROHM在世界上首次开始出售搭载了SiC-MOSFET和SiC-SBD的功率模块。由IGBT的尾
2019-05-06 09:15:52
，所以被认为是一种超越Si极限的功率器件材料。SiC中存在各种多型体（结晶多系），它们的物性值也各不相同。用于功率器件制作，4H-SiC最为合适
2019-07-23 04:20:21
具有成本效益的大功率高温半导体器件是应用于微电子技术的基本元件。SiC是宽带隙半导体材料，与Si相比，它在应用中具有诸多优势。由于具有较宽的带隙，SiC器件的工作温度可高达600℃，而Si器件
2018-09-11 16:12:04
随着现代技术的发展， 功率放大器已成为无线通信系统中一个不可或缺的部分, 特别是宽带大功率产生技术已成为现代通信对抗的关键技术。作为第三代半导体材料碳化硅（ SiC） , 具有宽禁带、高热导率、高
2019-08-12 06:59:10
功率模块具体是什么样的产品，都有哪些机型。之后计划依次介绍其特点、性能、应用案例和使用方法。何谓全SiC功率模块ROHM在全球率先实现了搭载ROHM生产的SiC-MOSFET和SiC-SBD的“全
2018-11-27 16:38:04
ROHM为参战2017年12月2日开幕的电动汽车全球顶级赛事“FIAFormula E锦标赛2017-2018（第4赛季）”的文图瑞Formula E车队提供全SiC功率模块。ROHM在上个赛季（第
2018-12-04 10:24:29
全SiC功率模块与现有的功率模块相比具有SiC与生俱来的优异性能。本文将对开关损耗进行介绍，开关损耗也可以说是传统功率模块所要解决的重大课题。全SiC功率模块的开关损耗全SiC功率模块与现有
2018-11-27 16:37:30
本文将介绍全SiC模块的应用要点—缓冲电容器。在高速开关大电流的电路中，需要添加缓冲电容器。什么是缓冲电容器缓冲电容器是为了降低电气布线的寄生电感而连接在大电流开关节点的电容器。寄生电感会使开关
2018-11-27 16:39:33
和CN4的+18V、CN3和CN6的-3V为驱动器的电源。电路中增加了CGS和米勒钳位MOSFET，使包括栅极电阻在内均可调整。将该栅极驱动器与全SiC功率模块的栅极和源极连接，来确认栅极电压的升高情况
2018-11-27 16:41:26
有关运放全功率带宽的问题，全功率带宽应该怎么测试？ADA4857和AD8479两款运放全功率带宽的测试条件不一样，一个输出电压峰峰值为2V，另一个输出电压峰峰值为20V，应该如何确定这个值？
2023-11-21 08:21:30
，换向电感只能在DBC设计的限制范围内得到改善。由此产生的换向电感约为 20nH，对于 6 组功率模块，这允许在中低功率范围内使用全 SiC 模块。在全碳化硅中，MiniSKiiP 提供 25A 至
2023-02-20 16:29:54
与Si的比较开发背景SiC的优点SiC-SBD（肖特基势垒二极管）与Si二极管比较采用示例SiC-MOSFET与各种功率MOSFET比较运用事例全SiC模块模块的构成开关损耗运用要点SiC是在热、化学
2018-11-29 14:39:47
半导体的关键特性是能带隙，能带动电子进入导通状态所需的能量。宽带隙（WBG）可以实现更高功率，更高开关速度的晶体管，WBG器件包括氮化镓（GaN）和碳化硅（SiC），以及其他半导体。 GaN和SiC
2022-08-12 09:42:07
全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）的SiC MOSFET和SiC肖特基势垒二极管（以下简称“SiC SBD”）已被成功应用于大功率模拟模块制造商ApexMicrotechnology
2023-03-29 15:06:13
本帖最后由 chxiangdan 于 2018-7-27 17:22 编辑
亲爱的电子发烧友小伙伴们！罗姆作为 SiC 功率元器件的领先企业，自上世纪 90 年代起便着手于 SiC 功率元器件
2018-07-27 17:20:31
项目名称：全SiC MMC实验平台设计——功率子模块驱动选型试用计划：申请理由本人在电力电子领域有三年多的学习和开发经验，曾设计过基于半桥级联型拓扑的储能系统，通过电力电子装置实现电池单元的间接
2020-04-21 16:02:34
基于1.2kV全SiC功率模块的轻型辅助电源R.Nakagawa, Y.Fukuda,H.Takabayashi, T.Kobayashi, T.TanakaMitsubishi Electric
2017-05-10 11:32:57
相较于硅，碳化硅（SiC）肖特基二极管采用全新的技术，提供更出色的开关性能和更高的可靠性。SiC无反向恢复电流，且具有不受温度影响的开关特性和出色的散热性能，因此被视为下一代功率半导体。
2020-07-30 07:14:58
GeneSiC高速高压SiC驱动大功率创新
2023-06-16 11:08:58
相较于硅，碳化硅（SiC）肖特基二极管采用全新的技术，提供更出色的开关性能和更高的可靠性。SiC无反向恢复电流，且具有不受温度影响的开关特性和出色的散热性能，因此被视为下一代功率半导体。
2019-07-25 07:51:59
设计方面，SiC功率模块被认为是关键使能技术。 为了提高功率密度，通常的做法是设计更高开关频率的功率转换器。 DC/DC 转换器和应用简介 在许多应用中，较高的开关频率会导致滤波器更小，电感和电容值
2023-02-20 15:32:06
作为应用全SiC模块的应用要点，本文将在上一篇文章中提到的缓冲电容器基础上，介绍使用专用栅极驱动器对开关特性的改善情况。全SiC模块的驱动模式与基本结构这里会针对下述条件与电路结构，使用缓冲电容器
2018-11-27 16:36:43
ROHM在全球率先实现了搭载ROHM生产的SiC-MOSFET和SiC-SBD的“全SiC”功率模块量产。与以往的Si-IGBT功率模块相比，“全SiC”功率模块可高速开关并可大幅降低
2018-12-04 10:14:32
1. SiC模块的特征大电流功率模块中广泛采用的主要是由Si材料的IGBT和FRD组成的IGBT模块。ROHM在世界上首次开始出售搭载了SiC-MOSFET和SiC-SBD的功率模块。由IGBT的尾
2019-03-12 03:43:18
虽然电动和混合动力电动汽车（EV]从作为功率控制器件的标准金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）到基于碳化硅（SiC）衬底和工艺技术的FET的转变代表了提高EV的效率和整体系统级特性的重要步骤
2019-08-11 15:46:45
`①未来发展导向之Sic功率元器件“功率元器件”或“功率半导体”已逐渐步入大众生活，以大功率低损耗为目的二极管和晶体管等分立（分立半导体）元器件备受瞩目。在科技发展道路上的，“小型化”和“节能化
2017-07-22 14:12:43
应用看，未来非常广泛且前景被看好。与圈内某知名公司了解到，一旦国内品牌谁先成功掌握这种技术，那它就会呈暴发式的增加。在Si材料已经接近理论性能极限的今天，SiC功率器件因其高耐压、低损耗、高效率等特性
2019-09-17 09:05:05
的快速充电器等的功率因数校正电路（PFC电路）和整流桥电路中。2. SiC-SBD的正向特性SiC-SBD的开启电压与Si-FRD相同，小于1V。开启电压由肖特基势垒的势垒高度决定，通常如果将势垒高度
2019-05-07 06:21:51
低功率因素方案SIC953XD系列：TYPESPFMOSFETPackage **范围SIC9531D 0.514Ω500VSOP7
2021-09-07 17:39:06
SIC9554是一款高精度的非隔离降压型LED控制器，适用于85V～265V全电压范围的小功率非隔离降压型LED照明应用。SIC9554内置了高精度的采样、补偿电路，使得电路能够达到±3%以内的恒流
2022-08-04 14:21:46
，LeapersSemiconductor使用其专利的电弧键合™技术（图2）。 与许多汽车级功率半导体制造商使用的传统铝引线键合技术不同，电弧键合™专利芯片表面连接技术可确保满足汽车应用要求的SiC模块的可靠性，同时显着降低寄生电阻
2023-02-20 16:26:24
我阅读了有关ADC全功率带宽的求解过程，文件中说明全功率带宽由瞬态公式推导求得，此公式的来源是什么？
2023-11-30 06:05:22
ROHM在全球率先实现了搭载ROHM生产的SiC-MOSFET和SiC-SBD的“全SiC”功率模块量产。与以往的Si-IGBT功率模块相比，“全SiC”功率模块可高速开关并可大幅降低
2018-12-04 10:11:50
请问：驱动功率MOSFET，IBGT，SiC MOSFET的PCB布局需要考虑哪些因素？
2019-07-31 10:13:38
罗姆开发了采用SiC功率元件的功率模块，额定电压和电流分别为600V和1000A。该产品是与美国Arkansas Power Electronics International公司共同开发的。之所以能承受1000A的大电流，是因为采用了沟
2011-10-12 09:48:461281 日本知名半导体制造商罗姆株式会社（总部：日本京都市）推出的“全SiC”功率模块（额定1200V/100A）开始投入量产。该产品的内置功率半导体元件全部采用SiC（Silicon Carbide：碳化硅）构
2012-03-23 08:52:571591 三菱电机株式会社定于7月31日开始，依次提供5个品种的SiC功率半导体模块，以满足家电产品与工业设备对应用SiC材料的新一代SBD和MOSFET等功率半导体的需要。在这5种产品中，3种适用于
2012-07-25 15:59:27718 全球知名半导体制造商ROHM面向工业设备和太阳能发电功率调节器等的逆变器、转换器，开发出额定1200V/300A的“全SiC”功率模块“BSM300D12P2E001”。
2015-05-05 14:07:44737 日前，碳化硅（SiC）技术全球领导者半导体厂商Cree宣布推出采用 SiC材料可使感应加热效率达到99%的Vds最大值为1.2KV、典型值为5.0 mΩ半桥双功率模块CAS300M12BM2。该款产品目标用途包括感应加热设备、电机驱动器、太阳能和风能逆变器、UPS和开关电源以及牵引设备等。
2015-09-06 17:39:111336 何谓盲孔，好资料，有需要的可以下来看看。
2017-01-12 13:15:56
0 1月31日，三菱电机株式会社宣布已成功开发出6.5kV耐压等级全SiC功率半导体模块，该模块采用单芯片构造和新封装，实现了世界最高功率密度的额定输出功率。
2018-02-03 11:52:448596 罗姆在全球率先实现了搭载罗姆生产的SiC-MOSFET和SiC-SBD的“全SiC功率模块”量产。与以往的Si-IGBT功率模块相比，“全SiC”功率模块可高速开关并可大幅降低损耗。
2018-05-17 09:33:1313514 使用SiC的新功率元器件技术
2018-06-26 17:56:005775 随着我国新能源汽车市场的不断扩大，充电桩市场发展前景广阔。SiC材料的功率器件可以实现比Si基功率器件更高的开关频繁，可以提供高功率密度、超小的体积，因此SiC功率器件在充电桩电源模块中的渗透率不断增大。
2019-03-02 09:35:1813799 
随着我国新能源汽车市场的不断扩大，充电桩市场发展前景广阔。SiC材料的功率器件可以实现比Si基功率器件更高的开关频繁，可以提供高功率密度、超小的体积，因此SiC功率器件在充电桩电源模块中的渗透率不断增大。
2019-06-18 17:24:501774 
安森美半导体是功率电子领域的市场领导者之一，在SiC功率器件领域的地位正在迅速攀升。
2019-07-25 08:50:504206 据外媒报道，比利时Cissoid公司推出一款三相SiC智能功率模块（IPM），可用于电动出行。
2020-04-22 15:54:253711 SiC肖特基二极管已经上市十多年了，近年来出现了SiC金属氧化物半导体场效应晶体管（SiC MOSFETs）和结型场效应晶体管（SiC JFETs）。SiC功率模块也越来越多，包括混合SiC模块
2020-11-13 14:11:431775 为实现低碳社会，电装开始量产搭载了高品质SiC（碳化硅）功率半导体的新一代升压用功率模块＊1。2020年12月9日在日本正式发售的丰田新一代“MIRAI”车型就搭载了该产品。 持续布局 深耕SiC
2020-12-21 16:20:263192 的 3 倍，而且在器件制造时可以在较宽的范围内实现必要的 P 型、N 型控制，所以被认为是一种超越 Si 极限的用于制造功率器件的材料。SiC 存在各种多型体（结晶多系），它们的物性值也各不相同。最适合于制造功率器件的是 4H-SiC，现在 4inch～6inch 的单晶晶圆已经实现了量产。
2021-04-20 16:43:0957 自2018年特斯拉Model3率先搭载基于全SiC MOSFET模块的逆变器后，全球车企纷纷加速SiC MOSFET在汽车上的应用落地。
2021-12-08 15:55:511670 
近几十年来，以新发展起来的第 3 代宽禁带功率半导体材料碳化硅（SiC）为基础的功率半导体器件，凭借其优异的性能备受人们关注。SiC与第1代半导体材料硅（Si）、锗（Ge）和第 2 代半导体材料
2022-05-27 16:38:436 作为国内首批自主研发并量产应用SiC器件的公司，在SiC功率器件领域，比亚迪半导体于2020年取得重大技术突破，重磅推出首款1200V 840A/700A三相全桥SiC功率模块，并已实现在新能源汽车高端车型电机驱动控制器中的规模化应用。
2022-06-21 14:40:571216 CISSOID 最近发布了专为降低开关损耗或提高功率而定制的新型液冷模块，属于其三相碳化硅 （SiC） MOSFET 智能功率模块 （IPM） 产品系列。
2022-08-04 15:38:38740 
碳化硅半导体 (SiC) 在工业产品的效率、更高的外形尺寸和工作温度方面提供了创新技术。SiC 技术现在被广泛认为是硅的可靠替代品。许多功率模块和功率逆变器制造商已在其产品路线图中为 SiC 的使用奠定了基础。包括 SiC 在内的一些设计挑战是 EMI、过压和过热。
2022-08-05 09:39:25621 
当前功率器件的研究已经进入一个新高度，而SiC功率模块就是其中的热门研究方向。
2022-10-19 09:22:23899 在大电流应用中利用 SiC MOSFET 模块
2023-01-03 14:40:29491 一、SiC模块的特征 电流功率模块中广泛采用的主要是由Si材料的IGBT和FRD组成的IGBT模块。ROHM在世界上首次开始出售搭载了SiC-MOSFET和SiC-SBD的功率模块。 由IGBT
2023-01-12 16:35:47489 1. SiC模块的特征 大电流功率模块中广泛采用的主要是由Si材料的IGBT和FRD组成的IGBT模块。ROHM在世界上首次开始出售搭载了SiC-MOSFET和SiC-SBD的功率模块。 由IGBT
2023-02-07 16:48:23646 
碳化硅（SiC）是比较新的半导体材料。一开始，我们先来了解一下它的物理特性和特征。SiC的物理特性和特征：SiC是由硅(Si)和碳(C)组成的化合物半导体材料。其结合力非常强，在热、化学、机械方面都非常稳定。
2023-02-08 13:42:083923 
全SiC功率模块与现有的IGBT模块相比，具有1）可大大降低开关损耗、2）开关频率越高总体损耗降低程度越显著 这两大优势。
2023-02-08 13:43:22673 
ROHM为参战2017年12月2日开幕的电动汽车全球顶级赛事“FIAFormula E锦标赛2017-2018（第4赛季）”的文图瑞Formula E车队提供全SiC功率模块。
2023-02-10 09:41:02320 
ROHM在全球率先实现了搭载ROHM生产的SiC-MOSFET和SiC-SBD的“全SiC”功率模块量产。与以往的Si-IGBT功率模块相比，“全SiC”功率模块可高速开关并可大幅降低损耗。
2023-02-10 09:41:081333 
ROHM在全球率先实现了搭载ROHM生产的SiC-MOSFET和SiC-SBD的“全SiC”功率模块量产。与以往的Si-IGBT功率模块相比，“全SiC”功率模块可高速开关并可大幅降低损耗。
2023-02-13 09:30:04331 
继SiC概要、SiC-SBD（肖特基势垒二极管 ）、SiC-MOSFET之后，来介绍一下完全由SiC功率元器件组成的“全SiC功率模块”。本文想让大家了解全SiC功率模块具体是什么样的产品，都有哪些机型。之后计划依次介绍其特点、性能、应用案例和使用方法。
2023-02-24 11:51:08430 
全SiC功率模块与现有的功率模块相比具有SiC与生俱来的优异性能。本文将对开关损耗进行介绍，开关损耗也可以说是传统功率模块所要解决的重大课题。
2023-02-24 11:51:28496 
首先需要了解的是：接下来要介绍的不是全SiC功率模块特有的评估事项，而是单个SiC-MOSFET的构成中也同样需要探讨的现象。在分立结构的设计中，该信息也非常有用。
2023-02-27 11:49:18220 
国产氮化硅陶瓷基板升级SiC功率模块，提升新能源汽车加速度、续航里程、轻量化、充电速度、电池成本5项性能优势
2023-03-15 17:22:551018 
近日，赛晶首款车规级SiC模块——HEEV封装SiC模块亮相德国纽伦堡电子展（PCIM Europe 2023)，引发国内外与会专家、客户的广泛关注。HEEV封装SiC模块来自高效电动汽车模块平台
2023-05-31 16:49:15352 
随着电子技术的不断发展，硅碳化物（SiC）功率模块逐渐在各领域获得了广泛应用。SiC功率模块具有优越的电性能、热性能和机械性能，为高性能电子设备提供了强大的支持。本文将重点介绍SiC功率模块的封装技术及其在实际应用中的优势。
2023-04-23 14:33:22850 
范围内控制必要的p型、n型，所以被认为是一种超越Si极限的功率器件材料。SiC中存在各种多型体（结晶多系），它们的物性值也各不相同。用于功率器件制作，4H-SiC最为
2023-08-21 17:14:581145 
全球知名半导体制造商ROHM的SiC MOSFET和SiC肖特基势垒二极管(以下简称“SiC SBD”)已被成功应用于大功率模拟模块制造商Apex Microtechnology的功率模块
2023-09-14 19:15:14353 在商业应用中利用宽带隙碳化硅（SiC）的独特电气优势需要解决由材料机械性能引起的可靠性挑战。凭借其先进的芯片粘接技术，Vincotech 处于领先地位。 十多年前首次推出的SiC功率模块可能会
2023-10-23 16:49:36372 
1、SiC MOSFET对器件封装的技术需求
2、车规级功率模块封装的现状
3、英飞凌最新SiC HPD G2和SSC封装
4、未来模块封装发展趋势及看法
2023-10-27 11:00:52419 
本文将详细介绍各大主机厂在SIC/IGBT模块上的布局，以及现在的产能应用情况等，探讨车企大规模进入功率半导体行业背后的原因，助力车规级功率半导体产业的健康持续发展。
2023-11-02 11:40:30296 
SiC驱动器模块具有较低的功耗、高温运行能力和快速开关速度等优势，使其在下一代功率器件中有着广阔的应用前景。SiC驱动器模块可以用于电动车的电力系统、可再生能源转换系统、工业电力电子装置和航空航天
2023-11-16 15:53:30257 
关键技术-SiC门驱动回路/电容器
通过SiC门驱动回路优化设计提升性能和强化保护功能通过采用电容器P-N BUSBAR叠层设计减少寄生电感
2024-01-02 11:36:24116 
采用多芯片并联的SiC功率模块，会产生较严重的电磁干扰和额外损耗，无法发挥SiC器件的优良性能；SiC功率模块杂散参数较大，可靠性不高。 （2）SiC功率高温封装技术发展滞后。
2024-03-04 10:35:49132 
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