防止两个MOSFET管直通,通常串接一个0.5~1Ω小电阻用于限流,该电路适用于不要求隔离的中功率开关设备。这两种电路特点是结构简单。 功率MOSFET 属于电压型控制器件,只要栅极和源极之间施加
2019-06-14 00:37:57
,几乎没有开关特性的温度依存性。图3: 开关温度特性关于MOSFET的VGS(th)(界限値)关于MOSFET的VGS(th)MOSFET开启时,GS (栅极、源极) 间需要的电压称为VGS(th
2019-04-10 06:20:15
布局和互连线带来)等寄生效应的半桥电路。共源电感(CSI)倾向于降低控制FET(高边FET)的导通和关断速度。如果与栅极驱动串联,通过CSI的电压加至栅极驱动上,可使FET处于导通状态(条件:V
2019-05-13 14:11:31
MOSFET的VGS(th):栅极阈值电压MOSFET的VGS(th):栅极阈值电压是为使MOSFET导通,栅极与源极间必需的电压。也就是说,VGS如果是阈值以上的电压,则MOSFET导通。可能有
2019-05-02 09:41:04
电路设计如图;问题:MOSFET测量栅极有开启电压+3.6V,漏极电压+12V,但是源极电压测量为+1V;分析:有可能是MOSFET坏了,除了这个可能性,不清楚是不是设计上有问题,希望大家帮忙,目前源极没有接负载,这对电路有没有影响呢?
2019-09-11 14:32:13
电阻低,通道电阻高,因此具有驱动电压即栅极-源极间电压Vgs越高导通电阻越低的特性。下图表示SiC-MOSFET的导通电阻与Vgs的关系。导通电阻从Vgs为20V左右开始变化(下降)逐渐减少,接近
2018-11-30 11:34:24
Si-MOSFET大得多。而在给栅极-源极间施加18V电压、SiC-MOSFET导通的条件下,电阻更小的通道部分(而非体二极管部分)流过的电流占支配低位。为方便从结构角度理解各种状态,下面还给出了MOSFET的截面图
2018-11-27 16:40:24
1. 器件结构和特征 Si材料中越是高耐压器件,单位面积的导通电阻也越大(以耐压值的约2~2.5次方的比例增加),因此600V以上的电压中主要采用IGBT(绝缘栅极双极型晶体管)。 IGBT
2023-02-07 16:40:49
采用IGBT这种双极型器件结构(导通电阻变低,则开关速度变慢),就可以实现低导通电阻、高耐压、快速开关等各优点兼备的器件。3. VD - ID特性SiC-MOSFET与IGBT不同,不存在开启电压,所以
2019-04-09 04:58:00
确认现在的产品情况,请点击这里联系我们。ROHM SiC-MOSFET的可靠性栅极氧化膜ROHM针对SiC上形成的栅极氧化膜,通过工艺开发和元器件结构优化,实现了与Si-MOSFET同等的可靠性
2018-11-30 11:30:41
)可能会严重影响全局开关损耗。针对此,在SiC MOSFET中可以加入米勒箝位保护功能,如图3所示,以控制米勒电流。当电源开关关闭时,驱动器将会工作,以防止因栅极电容的存在,而出现感应导通的现象。图3
2019-07-09 04:20:19
采用IGBT这种双极型器件结构(导通电阻变低,则开关速度变慢),就可以实现低导通电阻、高耐压、快速开关等各优点兼备的器件。3. VD - ID特性SiC-MOSFET与IGBT不同,不存在开启电压,所以
2019-05-07 06:21:55
SiC-MOSFET的构成中,SiC-MOSFET切换(开关)时高边SiC-MOSFET的栅极电压产生振铃,低边SiC-MOSFET的栅极电压升高,SiC-MOSFET误动作的现象。通过下面的波形图可以很容易了解这是
2018-11-30 11:31:17
免 MOSFET 的误工作,但这种寄生电感的影响是三种主要寄生电感中最小的。整个器件的过冲电压通常由功率回路电感(有时也称为开关回路电感)造成,而这会产生高开关损耗。共源极电感会在开关瞬变过程中产生对栅极驱动
2022-03-24 18:03:24
)开关导通期间驱动电路能保证MOSFET栅源极间电压保持稳定且可靠导通。(3)关断瞬间驱动电路能提供一个尽可能低阻抗的通路供MOSFET栅源极间电容电压的快速泄放,保证开关管能快速关断。(4)驱动电路
2017-01-09 18:00:06
栅极与源极之间加一个电阻,这个电阻起到什么作用?一是为场效应管提供偏置电压;二是起到泻放电阻的作用:保护栅极G-源极S;
2019-05-23 07:29:18
IGBT/功率MOSFET是一种电压控制型器件,可用作电源电路、电机驱动器和其它系统中的开关元件。栅极是每个器件的电气隔离控制端。MOSFET的另外两端是源极和漏极,而对于IGBT,它们被称为集电极
2021-01-27 07:59:24
摘要IGBT/功率MOSFET是一种电压控制型器件,可用作电源电路、电机驱动器和其它系统中的开关元件。栅极是每个器件的电气隔离控制端。MOSFET的另外两端是源极和漏极,而对于IGBT,它们被称为
2021-07-09 07:00:00
结构 引言 功率MOSFET以其开关速度快、驱动功率小和功耗低等优点在中小容量的变流器中得到了广泛的应用。当采用功率MOSFET桥式拓扑结构时,同一桥臂上的两个功率器件在转换过程中,栅极驱动信号
2018-08-27 16:00:08
通。我们可以通过以下方法来避免栅极电压被误抬升。 第一我们可以减少由米勒电容产生的对栅极电容充电的电流,由于米勒电容无法减少,所以要减少的就是漏极的电压变化率。 它在半桥中的作用就是拉长高边Mos管
2023-03-15 16:55:58
普通N MOS管给栅极一个高电压 ,漏极一个低电压,漏源极就能导通。这个GS之间加了背靠背的稳压管,给栅极一个4-10V的电压,漏源极不能导通。是不是要大于栅源击穿电压VGSO(30v)才可以?
2019-06-21 13:30:46
MOS管的开关电路中栅极电阻R5和栅源极级间电阻R6是怎么计算的?在这个电路中有什么用。已知道VDD=3.7V,在可变电阻状态中,作为开关电路是怎么计算R5和R6?
2021-04-19 00:07:09
的生产成本也更低,因此价格更低,性能高于 p 沟道 MOSFET。在P沟道MOSFET中,源极连接到正电压,当栅极上的电压低于某个阈值(Vgs 0)时,FET导通。这意味着,如果您想使用 P 沟道
2023-02-02 16:26:45
沟道MOSFET更适用于以地为参考的低侧开关,特别是用于升压、SEPIC、正向和隔离反激式转换器。在同步整流器应用以及以太网供电(PoE)输入整流器中,低侧开关也被用来代替二极管作为整流器。P沟道
2018-03-03 13:58:23
有助于在应用程序中节省空间。 这些MOSFET具有出色的高速开关和低导通电阻。查看详情<<<特性:低RDS(on)降低功耗;低压驱动;提供大电流Vds-漏源极
2021-02-02 09:55:16
应用角度来看,驱动回路和功率回路共用了源极的管脚。MOSFET是一个电压型控制的开关器件,其开通关断行为由施加在栅极和源极之间的电压(通常称之为VGS)来决定。 从图1模型来看,有几个参数是我们需要
2023-02-27 16:14:19
,以及源漏电压进行采集,由于使用的非隔离示波器,就在单管上进行了对两个波形进行了记录:绿色:栅极源极间电压;黄色:源极漏极间电压;由于Mosfet使用的SiC材料,通过分析以上两者电压的导通时间可以判断出
2020-06-07 15:46:23
导电沟道越大,则导通电阻越小;但是栅极驱动电压太大的话,很容易将栅极和漏极之间绝缘层击穿,造成Mosfet管的永久失效;3.为了增加开关管的速度,减少开关管的关断时间是有必要的;且为了提高Mosfet管
2020-07-16 14:55:31
驱动器以差分方式驱动脉冲变压器的原边,两个副边绕组驱动半桥的各个栅极。在这种应用中,脉冲变压器具有显著优势,不需要用隔离式电源来驱动副边MOSFET。图3. 脉冲变压器半桥栅极驱动器然而,当感应线圈中流
2018-07-03 16:33:25
整流的输出。针对MOSFET M1的VGS显示的是LM74670-Q1对于流经MOSFET的正向传导的控制方式,以及如何通过关断栅极来阻断反向电压。图4:LM74670-Q1智能桥式经整流输出图5比较了
2018-09-03 15:32:01
的方向为:上负下正。 图2:电感的感应电动势 源极的封装电感LS同时在主功率回路和栅极的驱动回路中,上、下管由于漏极的电流方向不同,那么,LS对于开关特性的影响也不同,下面分别进行分析。 1、上
2020-12-08 15:35:56
测器件,而上管开关用作dv/dt发生器。当上管器件导通时,下管器件的漏源极电压不断上升,dvDS/dt导致产生栅极电压上升;并且,栅极关断电阻越小,发生寄生导通的概率越低。本试验旨在为给定的测试用例
2023-02-27 13:53:56
TG传输门电路中。当C端接+5,C非端接0时。源极和衬底没有连在一起,为什么当输入信号改变时,其导通程度怎么还会改变?导电程度不是由栅极和衬底间的电场决定的吗?而栅极和衬底间的电压不变。所以其导通程度应该与输入信号变化无关啊!而书上说起导通程度岁输入信号的改变而改变?为什么?求详细解释!谢谢!
2012-03-29 22:51:18
在通孔板上建立电路数小时后,我发现使用P-MOSFET时Vgs并不容易。经过搜索,我发现我需要使用N-MOSFET或BJT(NPN)将源极电压带到栅极,以便关断MOSFET。对我来说非常重要的是,当
2018-08-23 10:30:01
逆变器中驱动 SiC,尤其是在功率级别&amp;gt;100kW和使用800V电压母线的情况下,系统需要一款具有可靠隔离技术、高驱动能力以及故障监控和保护功能的隔离式栅极驱动器。牵引
2022-11-03 07:38:51
和CN4的+18V、CN3和CN6的-3V为驱动器的电源。电路中增加了CGS和米勒钳位MOSFET,使包括栅极电阻在内均可调整。将该栅极驱动器与全SiC功率模块的栅极和源极连接,来确认栅极电压的升高情况
2018-11-27 16:41:26
栅极(Gate),漏极(Drain)和源极(Source)。功率MOSFET为电压型控制器件,驱动电路简单,驱动的功率小,而且开关速度快,具有高的工作频率。常用的MOSFET的结构有横向双扩散型
2016-10-10 10:58:30
在功率MOSFET的数据表的开关特性中,列出了栅极电荷的参数,包括以下几个参数,如下图所示。Qg(10V):VGS=10V的总栅极电荷。Qg(4.5V)):VGS=4.5V的总栅极电荷。Qgd:栅极
2017-01-13 15:14:07
功率MOSFET的结构特点为什么要在栅极和源极之间并联一个电阻呢?
2021-03-10 06:19:21
,导致Cp上的电压降低。反激开关MOSFET 源极流出的电流(Is)波形的转折点的分析。 很多工程师在电源开发调试过程中,测的的波形的一些关键点不是很清楚,下面针对反激电源实测波形来分析一下。问题一
2018-10-10 20:44:59
通时由电容驱动的栅极 - 源极电压,其源于半桥配置中第二个碳化硅MOSFET的高dv/dt开关。 硅MOSFET设计中在此类问题一般可以通过栅极驱动器和硅MOSFET栅极之间插入一个高阻值电阻,或找到
2023-03-14 14:05:02
用的MOSFET必须具有一个小于等于3V的栅源电压 (VGS) 阀值,以及低栅极电容。另外一个重要的电气参数是MOSFET体二极管上的电压,这个值必须在低输出电流时为0.48V左右。德州仪器 (TI) 60V
2018-05-30 10:01:53
IGBT和SiC MOSFET的电压源驱动和电流源驱动的dv/dt比较。VSD中的栅极电阻表示为Rg,控制CSD栅极电流的等效电阻表示为R奥特雷夫。 从图中可以明显看出,在较慢的开关速度(dv/dt
2023-02-21 16:36:47
,能够在 MOSFET 关断状态下为栅极提供负电压、高充电/放电脉冲电流,并且足够快以在纳秒范围内操作栅极。IC IX6611是一款智能高速栅极驱动器,可轻松用于驱动碳化硅(SiC)MOSFET以及标准
2023-02-27 09:52:17
通过负载电流感应。该电流将通过栅极驱动器下拉阻抗和栅源环路电感转换为非零栅极电压。如果该电压高于阈值电压,半桥的高端和低侧开关之间将产生交叉电流。低栅极环路电感仅在功率级和栅极驱动器的单芯片协积分中
2023-02-24 15:09:34
!它在高侧栅极驱动器源连接(R57、R58 和 R59)中也有 4R7 电阻,我不明白为什么需要这些。是否有任何设计指南可以告诉我如何定义栅极电阻器、自举电容器以及为什么高侧栅极驱动器可能需要对 MOSFET 源极施加一些电阻?
2023-04-19 06:36:06
所需的高电流。在此,栅极驱动器以差分方式驱动脉冲变压器的原边,两个副边绕组驱动半桥的各个栅极。在这种应用中,脉冲变压器具有显著优势,不需要用隔离式电源来驱动副边MOSFET。图3. 脉冲变压器半桥栅极
2018-10-23 11:49:22
驱动器解决方案在提供高性能和小尺寸方面的卓越能力。隔离式半桥驱动器的功能是驱动上桥臂和下桥臂N沟道MOSFET(或IGBT)的栅极,通过低输出阻抗降低导通损耗,同时通过快速开关时间降低开关损耗。上桥臂
2018-10-16 16:00:23
MOSFET栅极充电所需的高电流。在此,栅极驱动器以差分方式驱动脉冲变压器的原边,两个副边绕组驱动半桥的各个栅极。在这种应用中,脉冲变压器具有显着优势,不需要用隔离式电源来驱动副边MOSFET. 图3.
2018-09-26 09:57:10
瞬态操作。图1所示为硬开关关断瞬态下,理想MOSFET的工作波形和工作顺序。 图1 升压转换器中的MOSFET的典型关断瞬态波形 当驱动器发出关断信号后,即开始阶段1 [t=t1]操作,栅极与源极之间
2018-10-08 15:19:33
童诗白 模拟电子技术基础 第四版 41页 有一段话这样说的:若U[sub]DS[/sub]>0V,则有电流i从漏极流向源极,从而使沟道中各点与栅极间的电压不再相等,而是沿沟道从源极到漏极逐渐
2012-02-22 11:22:26
1、结构 第一个功率MOSFET - 与小信号MOSFET不同 -出现在1978年左右上市,主要供应商是Siliconix。它们是所谓的V-MOS设备。MOSFET的特点是源极和漏极之间的表面
2023-02-20 16:40:52
是Qgd,它描述了栅极漏极开关和开关关断时间关断所需的电荷。这两个参数指示关断能力和损耗,从而指示最大工作频率和效率。关断时间toff通常不显示在晶体管数据手册中,但可以根据参考书[1]在给定的开关电压
2023-02-27 09:37:29
描述此参考设计是一种通过汽车认证的隔离式栅极驱动器解决方案,可在半桥配置中驱动碳化硅 (SiC) MOSFET。此设计分别为双通道隔离式栅极驱动器提供两个推挽式偏置电源,其中每个电源提供 +15V
2018-10-16 17:15:55
本章将介绍最新的第三代SiC-MOSFET,以及可供应的SiC-MOSFET的相关信息。独有的双沟槽结构SiC-MOSFET在SiC-MOSFET不断发展的进程中,ROHM于世界首家实现了沟槽栅极
2018-12-05 10:04:41
Vgs(in)的振动电压,由于超出栅极-源极间额定电压导致栅极破坏,或者接通、断开漏极-源极间电压时的振动电压通过栅极-漏极电容Cgd和Vgs波形重叠导致正向反馈,因此可能会由于误动作引起振荡破坏
2019-03-13 06:00:00
大于驱动电压Vgs(in)的振动电压,由于超出栅极-源极间额定电压导致栅极破坏,或者接通、断开漏极-源极间电压时的振动电压通过栅极漏极电容Cgd和Vgs波形重叠导致正向反馈,因此可能会由于误动作弓起振荡破坏
2018-11-21 13:52:55
的可靠性。功率MOS管保护电路主要有以下几个方面: 1)防止栅极di/dt过高:由于采用驱动芯片,其输出阻抗较低,直接驱动功率管会引起驱动的功率管快速的开通和关断,有可能造成功率管漏源极间的电压震荡
2018-12-10 14:59:16
SiCMOSFET具有出色的开关特性,但由于其开关过程中电压和电流变化非常大,因此如Tech Web基础知识 SiC功率元器件“SiC MOSFET:桥式结构中栅极-源极间电压的动作-前言”中介
2022-09-20 08:00:00
还会导致器件的误导通。为此要适当降低栅极驱动电路的阻抗,在栅源之间并接阻尼电阻或并接稳压值约20V的稳压管。特别要注意防止栅极开路工作。其次是漏极间的过电压防护。如果电路中有电感性负载,则当器件关断
2020-03-20 17:12:51
到所需值,保证开关管能快速开通且不存在上升沿的高频振荡。(2) 开关导通期间驱动电路能保证MOSFET栅源极间电压保持稳定且可靠导通。(3) 关断瞬间驱动电路能提供一个尽可能低阻抗的通路供MOSFET
2020-03-13 09:55:37
MOSFET中的开关损耗为0.6 mJ。这大约是IGBT测量的2.5 mJ的四分之一。在每种情况下,均在 800 V、漏极/拉电流 10 A、环境温度 150 °C 和最佳栅极-发射极阈值电压下进行测试(图
2023-02-22 16:34:53
本帖最后由 sirtan养乐多 于 2019-7-4 10:45 编辑
这个电路只用于电机通断控制,开关频率间隔在五秒以上,不用来调速。用开关进行栅极电压控制就没有问题,把开关换成如图所示
2019-07-04 09:26:17
MOSFET的栅极电荷特性与开关过程MOSFET的漏极导通特性与开关过程
2021-04-14 06:52:09
电压,由于超出栅极—源极间额定电压导致栅极破坏,或者接通、断开漏极—源极间电压时的振动电压通过栅极—漏极电容Cgd和Vgs波形重叠导致正向反馈,因此可能会由于误动作引起振荡破坏。第五种:栅极电涌、静电
2021-11-10 07:00:00
两层电源板,板子设计中有4个MOSFET管串联,由于只有两层,四个MOSFET管的3个源级要过大电流,所以用铜连接在一起;四个MOSFET管栅极串联的线走在器件源级和漏极之间(请看图片),不知道这样的栅极走线会不会受影响?
2018-07-24 16:19:28
N沟道MOSFET的栅极和源极间加上正电压时,其开关导通。导通时,电流可经开关从漏极流向源极。漏极和源极之间存在一个内阻,称为导通电阻RDS(ON)。必须清楚MOSFET的栅极是个高阻抗端,因此,总是
2011-08-17 14:18:59
数据吗?这里有双脉冲测试的比较数据。这是为了将以往产品和具有驱动器源极引脚的SiC MOSFET的开关工作进行比较,而在Figure 5所示的电路条件下使Low Side(LS)的MOSFET开关的双
2020-07-01 13:52:06
防止两个MOSFET管直通,通常串接一个0.5~1Ω小电阻用于限流,该电路适用于不要求隔离的中功率开关设备。这两种电路特 点是结构简单。 功率MOSFET属于电压型控制器件,只要栅极和源极之间施加
2023-02-27 11:52:38
IGBT/功率 MOSFET 是一种电压控制型器件,可用作电源电路、电机驱动器和其它系统中的开关元件。栅极是每个器件的电气隔离控制端。MOSFET的另外两端是源极和漏极,而对于IGBT,它们被称为
2018-10-25 10:22:56
Sanket Sapre摘要IGBT/功率MOSFET是一种电压控制型器件,可用作电源电路、电机驱动器和其它系统中的开关元件。栅极是每个器件的电气隔离控制端。MOSFET的另外两端是源极和漏极,而对
2018-11-01 11:35:35
1中的t1),源极电压(VGS)正接近MOSFET的阈值电压,VTH和漏电流为零。因此,在此期间的功率损耗为零。在t2时段,MOSFET的寄生输入电容(CISS)开始充电,而漏极电流开始流经
2022-11-16 08:00:15
的影响,而且由于 RG_EXT 是外置电阻,因此也可调。下面同时列出公式(1)用以比较。能给我们看一下比较数据吗?这里有双脉冲测试的比较数据。这是为了将以往产品和具有驱动器源极引脚的 SiC MOSFET
2020-11-10 06:00:00
所示的电路图进行了双脉冲测试,在测试中,使低边(LS)的MOSFET执行开关动作。高边(HS)MOSFET则通过RG_EXT连接栅极引脚和源极引脚或驱动器源极引脚,并且仅用于体二极管的换流工作。在电路图
2022-06-17 16:06:12
这些电路的效率。减少体二极管导通使这种技术的优点最大化。让我们考虑一个同步降压转换器。当高侧FET关断并且电感器中仍然存在电流时,低侧FET的体二极管变为正向偏置。小死区时间对避免直通很有必要。在此之后
2019-03-08 06:45:10
和开尔文结构封装的串扰问题分别进行分析,栅漏极结电容的充放电电流和共源寄生电感电压均会引起处于关断状态开关管的栅源极电压变化。提出一种用于抑制串扰问题的驱动电路,该驱动电路具有栅极关断阻抗低、结构简单、易于控制的特点。分析该驱动电路的工作原理,提供主
2018-01-10 15:41:223 中,我们将对相应的对策进行探讨。关于栅极-源极间电压产生的浪涌,在之前发布的Tech Web基础知识 SiC功率元器件 应用篇的“SiC MOSFET:桥式结构中栅极-源极间电压的动作”中已进行了详细说明。
2021-06-12 17:12:002563 SiC MOSFET具有出色的开关特性,但由于其开关过程中电压和电流变化非常大,因此如Tech Web基础知识 SiC功率元器件“SiC MOSFET:桥式结构中栅极-源极间电压的动作-前言”中介绍的需要准确测量栅极和源极之间产生的浪涌。
2022-09-14 14:28:53753 从本文开始,我们将进入SiC功率元器件基础知识应用篇的第一弹“SiC MOSFET:桥式结构中栅极-源极间电压的动作”。前言:MOSFET和IGBT等电源开关元器件被广泛应用于各种电源应用和电源线路中。
2023-02-08 13:43:22250 在探讨“SiC MOSFET:桥式结构中Gate-Source电压的动作”时,本文先对SiC MOSFET的桥式结构和工作进行介绍,这也是这个主题的前提。
2023-02-08 13:43:23340 本文将针对上一篇文章中介绍过的SiC MOSFET桥式结构的栅极驱动电路及其导通(Turn-on)/关断( Turn-off)动作进行解说。
2023-02-08 13:43:23491 在上一篇文章中,对SiC MOSFET桥式结构的栅极驱动电路的导通(Turn-on)/关断( Turn-off)动作进行了解说。
2023-02-08 13:43:23291 上一篇文章中,简单介绍了SiC MOSFET桥式结构中栅极驱动电路的开关工作带来的VDS和ID的变化所产生的电流和电压情况。本文将详细介绍SiC MOSFET在LS导通时的动作情况。
2023-02-08 13:43:23300 关于SiC功率元器件中栅极-源极间电压产生的浪涌,在之前发布的Tech Web基础知识 SiC功率元器件 应用篇的“SiC MOSFET:桥式结构中栅极-源极间电压的动作”中已进行了详细说明,如果需要了解,请参阅这篇文章。
2023-02-09 10:19:17707 下面是表示LS MOSFET关断时的电流动作的等效电路和波形示意图。与导通时的做法一样,为各事件进行了(IV)、(V)、(VI)编号。与导通时相比,只是VDS和ID变化的顺序发生了改变,其他基本动作是一样的。
2023-02-28 11:35:52205 SiC MOSFET具有出色的开关特性,但由于其开关过程中电压和电流变化非常大,因此如Tech Web基础知识 SiC功率元器件“SiC MOSFET:桥式结构中栅极-源极间电压的动作-前言”中介
2023-04-06 09:11:46731 布局注意事项。 桥式结构SiC MOSFET的栅极信号,由于工作时MOSFET之间的动作相互关联,因此导致SiC MOSFET的栅-源电压中会产生意外的电压浪涌。这种浪涌的抑制方法除了增加抑制电路外,电路板的版图布局也很重要。希望您根据具体情况,参考本系列文章中介绍的
2023-04-13 12:20:02814 SiC MOSFET具有出色的开关特性,但由于其开关过程中电压和电流变化非常大,因此如Tech Web基础知识 SiC功率元器件“SiC MOSFET:桥式结构中栅极-源极间电压的动作-前言”中介
2023-05-08 11:23:14644 MOSFET栅极电路电压对电流的影响?MOSFET栅极电路电阻的作用? MOSFET(金属-氧化物-半导体场效应晶体管)是一种广泛应用于电子设备中的半导体器件。在MOSFET中,栅极电路的电压和电阻
2023-10-22 15:18:121369 桥式结构中的栅极-源极间电压的行为:关断时
2023-12-05 14:46:22153 SiC MOSFET:桥式结构中栅极-源极间电压的动作
2023-12-07 14:34:17223 SiC MOSFET的栅极驱动电路和Turn-on/Turn-off动作
2023-12-07 15:52:38185 MOSFET栅极电路常见的作用有哪些?MOSFET栅极电路电压对电流的影响? MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)是一种非常重要的电子器件,广泛应用于各种电子电路中。MOSFET的栅极电路
2023-11-29 17:46:40571
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