今天给大家分享的是：如何抑制电源转换器中浪涌电压？
2024-01-09 09:50:06
842 
MOSFET的VGS(th)：栅极阈值电压MOSFET的VGS(th)：栅极阈值电压是为使MOSFET导通，栅极与源极间必需的电压。也就是说，VGS如果是阈值以上的电压，则MOSFET导通。可能有
2019-05-02 09:41:04
MOSFET较小的栅极电阻可以减少开通损耗吗？栅极电阻的值会在开通过程中影响与漏极相连的二极管吗？
2023-05-16 14:33:51
电路设计如图；问题：MOSFET测量栅极有开启电压+3.6V，漏极电压+12V，但是源极电压测量为+1V;分析：有可能是MOSFET坏了，除了这个可能性，不清楚是不是设计上有问题，希望大家帮忙，目前源极没有接负载，这对电路有没有影响呢？
2019-09-11 14:32:13
电阻低，通道电阻高，因此具有驱动电压即栅极－源极间电压Vgs越高导通电阻越低的特性。下图表示SiC-MOSFET的导通电阻与Vgs的关系。导通电阻从Vgs为20V左右开始变化（下降）逐渐减少，接近
2018-11-30 11:34:24
Si-MOSFET大得多。而在给栅极-源极间施加18V电压、SiC-MOSFET导通的条件下，电阻更小的通道部分（而非体二极管部分）流过的电流占支配低位。为方便从结构角度理解各种状态，下面还给出了MOSFET的截面图
2018-11-27 16:40:24
，与Si-MOSFET不同，SiC-MOSFET的上升率比较低，因此易于热设计，且高温下的导通电阻也很低。 4. 驱动门极电压和导通电阻 SiC-MOSFET的漂移层阻抗比Si-MOSFET低，但是
2023-02-07 16:40:49
采用IGBT这种双极型器件结构（导通电阻变低，则开关速度变慢），就可以实现低导通电阻、高耐压、快速开关等各优点兼备的器件。3. VD - ID特性SiC-MOSFET与IGBT不同，不存在开启电压，所以
2019-04-09 04:58:00
减小，所以耐受时间变长。另外，Vdd较低时发热量也会减少，所以耐受时间会更长。由于关断SiC-MOSFET所需的时间非常短，所以当Vgs的断路速度很快时，急剧的dI/dt可能会引发较大的浪涌电压。请使用
2018-11-30 11:30:41
MOSFET能够在1/35大小的芯片内提供与之相同的导通电阻。其原因是SiC MOSFET能够阻断的电压是Si MOSFET的10倍，同时具备更高的电流密度和更低的导通电阻，能够以更快速度（10 倍）在导
2019-07-09 04:20:19
栅极电压，在20V栅极电压下从几乎300A降低到12V栅极电压时的130A左右。即使碳化硅MOSFET的短路耐受时间短于IGTB的短路耐受时间，也可以通过集成在栅极驱动器IC中的去饱和功能来保护SiC
2019-07-30 15:15:17
采用IGBT这种双极型器件结构（导通电阻变低，则开关速度变慢），就可以实现低导通电阻、高耐压、快速开关等各优点兼备的器件。3. VD - ID特性SiC-MOSFET与IGBT不同，不存在开启电压，所以
2019-05-07 06:21:55
SiC-MOSFET的构成中，SiC-MOSFET切换（开关）时高边SiC-MOSFET的栅极电压产生振铃，低边SiC-MOSFET的栅极电压升高，SiC-MOSFET误动作的现象。通过下面的波形图可以很容易了解这是
2018-11-30 11:31:17
免 MOSFET 的误工作，但这种寄生电感的影响是三种主要寄生电感中最小的。整个器件的过冲电压通常由功率回路电感（有时也称为开关回路电感）造成，而这会产生高开关损耗。共源极电感会在开关瞬变过程中产生对栅极驱动
2022-03-24 18:03:24
突发的巨大能量，以保护连接设备免于受损。最常见的就是电子产品使用过程中会遇到的电压瞬变和浪涌，从而导致电子产品的损坏，损坏的原因是电子产品中的半导体器件(包括二极管、晶体管、可控硅和集成电路等)被烧毁或击穿。本文阐述下关于抑制浪涌的那些解决办法~
2020-10-22 18:37:10
栅极与源极之间加一个电阻，这个电阻起到什么作用？一是为场效应管提供偏置电压；二是起到泻放电阻的作用：保护栅极G-源极S；
2019-05-23 07:29:18
IGBT/功率MOSFET是一种电压控制型器件，可用作电源电路、电机驱动器和其它系统中的开关元件。栅极是每个器件的电气隔离控制端。MOSFET的另外两端是源极和漏极，而对于IGBT，它们被称为集电极
2021-01-27 07:59:24
摘要IGBT/功率MOSFET是一种电压控制型器件，可用作电源电路、电机驱动器和其它系统中的开关元件。栅极是每个器件的电气隔离控制端。MOSFET的另外两端是源极和漏极，而对于IGBT，它们被称为
2021-07-09 07:00:00
浪涌电压/电流产生的原因主要由电压突变引起的，浪涌电流是指电网中出现的短时间象“浪”一样的高电压引起的大电流。当某些大容量的电气设备接通或断开时间，由于电网中存在电感，将在电网产生“浪涌电压”，从而引发浪涌电流。 简单形容就像“毛刺”拿示波器看也像“毛刺
2010-05-14 17:12:42
什么是浪涌电流？浪涌电压是怎样产生的？
2021-09-29 07:30:33
能力；4、保护绝大多数的敏感负载；对于不同的技术方式来实现由以下两种：1、电压限制型；2、电压开关型浪拓电子浪涌过电压保护器件分为钳位型和开关型器件。钳位型过压保护器件：瞬态抑制二极管TVS、压敏电阻
2019-11-08 16:07:56
普通N MOS管给栅极一个高电压 ，漏极一个低电压，漏源极就能导通。这个GS之间加了背靠背的稳压管，给栅极一个4-10V的电压，漏源极不能导通。是不是要大于栅源击穿电压VGSO（30v）才可以？
2019-06-21 13:30:46
为正时，它充当增强型MOSFET。N沟道场效应管与P沟道场效应管介绍N沟道MOSFET的源极接地，漏极连接到负载，当栅极施加正电压时，FET导通。N 沟道 MOSFET是最常用且最容易使用的。它们
2023-02-02 16:26:45
应用角度来看，驱动回路和功率回路共用了源极的管脚。MOSFET是一个电压型控制的开关器件，其开通关断行为由施加在栅极和源极之间的电压（通常称之为VGS）来决定。 从图1模型来看，有几个参数是我们需要
2023-02-27 16:14:19
，以及源漏电压进行采集，由于使用的非隔离示波器，就在单管上进行了对两个波形进行了记录：绿色：栅极源极间电压；黄色：源极漏极间电压；由于Mosfet使用的SiC材料，通过分析以上两者电压的导通时间可以判断出
2020-06-07 15:46:23
过电流，一般会采用短路保护、过载保护，使用热继电器等方法来避免。2. 继电器浪涌是怎么产生的在继电器线圈注入能量以后，开关断开的一瞬间，就会产生一个很大的浪涌电压。这是自身产生的浪涌电压，虽然是仅仅
2016-12-03 21:09:19
器件的栅极、源极，LD为漏极的封装电感，LS为源极的封装电感，LG为栅极的封装电感，RG为内部的栅极电阻总和。 图1：功率MOSFET的寄生参数模型 电感中流过变化的电流时，其产生的感应电
2020-12-08 15:35:56
和更快的切换速度与传统的硅mosfet和绝缘栅双极晶体管(igbt)相比，SiC mosfet栅极驱动在设计过程中必须仔细考虑需求。本应用程序说明涵盖为SiC mosfet选择栅极驱动IC时的关键参数。
2023-06-16 06:04:07
线性浪涌抑制器LT4363。图7 LT4363的电路架构LT4363简介它能通过控制一个外部N沟道MOSFET的栅极，以在过压过程中（比如：汽车应用中的负载突降情况）调节输出电压。输出被限制在一个安全
2022-04-02 10:33:47
电压。将这些式子结合起来，可得到MOSFET栅极驱动电压是漏源电压的函数：VGS=-(R2/R1)VDS二极管规格书下载：
2021-04-08 11:37:38
TG传输门电路中。当C端接+5，C非端接0时。源极和衬底没有连在一起，为什么当输入信号改变时，其导通程度怎么还会改变？导电程度不是由栅极和衬底间的电场决定的吗？而栅极和衬底间的电压不变。所以其导通程度应该与输入信号变化无关啊！而书上说起导通程度岁输入信号的改变而改变？为什么?求详细解释！谢谢！
2012-03-29 22:51:18
的最大额定值。②是在栅极-源极间增加外置电容器，降低阻抗，抑制栅极电位升高的方法。这里需要注意的是CGS也会造成损耗，因而需要适当的电容。③是在栅极-源极间增加米勒钳位用MOSFET的方法。通过在
2018-11-27 16:41:26
和漏极电荷Qgs：栅极和源极电荷栅极电荷测试的原理图和相关波形见图1所示。在测量电路中，栅极使用恒流源驱动，也就是使用恒流源IG给测试器件的栅极充电，漏极电流ID由外部电路提供，VDS设定为最大
2017-01-13 15:14:07
功率MOSFET的结构特点为什么要在栅极和源极之间并联一个电阻呢？
2021-03-10 06:19:21
至nVo。因此初级总漏感Lk（即Lkp+n2×Lks)和Coss之间发生谐振，产生高频和高压浪涌，MOSFET上过高的电压可能导致故障。反激式转换器可以工作在连续导通模式(CCM)（如图2）和不连续导
2018-10-10 20:44:59
极驱动器的优势和期望，开发了一种测试板，其中测试了分立式IGBT和SiC-MOSFET。标准电压源驱动器也在另一块板上实现，见图3。 图3.带电压源驱动器（顶部）和电流源驱动器（底部）的半桥
2023-02-21 16:36:47
碳化硅 （SiC） MOSFET 成为 MOSFET 市场的可见部分，需要能够提供负电压的特殊栅极驱动器碳化硅 （SiC） MOSFET 成为 MOSFET 市场的可见部分，需要特殊的栅极驱动器
2023-02-27 09:52:17
！它在高侧栅极驱动器源连接（R57、R58 和 R59）中也有 4R7 电阻，我不明白为什么需要这些。是否有任何设计指南可以告诉我如何定义栅极电阻器、自举电容器以及为什么高侧栅极驱动器可能需要对 MOSFET 源极施加一些电阻？
2023-04-19 06:36:06
压敏电阻、气体放电管、TVS瞬态抑制二极管是电路保护中常用的浪涌抑制元件，本文主要介绍着几种元件的工作原理及特性。压敏电阻工作原理：压敏电阻的电压与电流呈特殊的非线性关系。当压敏电阻两端锁甲的电压
2018-01-30 15:23:10
部分及其评估而进行调整，是以非常高的速度进行高电压和大电流切换的关键。尤其在电路设计的初步评估阶段，使用评估板等工具可使开发工作顺利进行。关键要点:・使用专用栅极驱动器和缓冲模块，可显著抑制浪涌和振铃。・在损耗方面，Eon增加，Eoff減少。按总损耗（Eon + Eoff）来比较，当前损耗减少。
2018-11-27 16:36:43
康华光主编的模电中讲到N型的增强型MOSFET、耗尽型MOSFET、JFET。关于漏极饱和电流的问题，耗尽型MOSFET、JFET中都有提到，都是在栅源电压等于0的时候，而增强型MOSFET在栅源
2019-04-08 03:57:38
和 –4V 输出电压以及 1W(...)主要特色用于在半桥配置中驱动 SiC MOSFET 的紧凑型双通道栅极驱动器解决方案4A 峰值拉电流和 6A 峰值灌电流驱动能力，适用于驱动 SiC
2018-10-16 17:15:55
本章将介绍最新的第三代SiC-MOSFET，以及可供应的SiC-MOSFET的相关信息。独有的双沟槽结构SiC-MOSFET在SiC-MOSFET不断发展的进程中，ROHM于世界首家实现了沟槽栅极
2018-12-05 10:04:41
。第五种：栅极电涌、静电破坏主要有因在栅极和源极之间如果存在电压浪涌和静电而引起的破坏，即栅极过电压破坏和由上电状态中静电在GS两端（包括安装和和测定设备的带电）而导致的栅极破坏
2019-03-13 06:00:00
*VGS。给栅极施加所需要的电压波形，在漏极就会输出相应的电流波形。因此，选用大功率VDMOS管适合用于实现所需的浪涌电流波形，<span] 运放组成基本的反向运算电路，驱动VDMOS管
2018-09-25 11:30:29
瞬态电压抑制器，是一种二极管形式的高效能保护元件。当 TVS管的两极受到反向瞬态高能量冲击时，它能以极快的速度，瞬间将其两极间的高阻抗变为低阻抗，吸收高达数千瓦的浪涌功率，使两极间的电压箝位于一个预定值
2019-07-22 12:17:19
绍的需要准确测量栅极和源极之间产生的浪涌。找元器件现货上唯样商城在这里，将为大家介绍在测量栅极和源极之间的电压时需要注意的事项。我们将以SiC MOSFET为例进行讲解，其实所讲解的内容也适用于一般
2022-09-20 08:00:00
MOSFET中的开关损耗为0.6 mJ。这大约是IGBT测量的2.5 mJ的四分之一。在每种情况下，均在 800 V、漏极/拉电流 10 A、环境温度 150 °C 和最佳栅极-发射极阈值电压下进行测试（图
2023-02-22 16:34:53
`设计了一个D类功放，在不加大电压的情况下，用示波器测量功放管的栅极处的驱动信号是正常的，但是在管子漏极加70V电压工作时，驱动信号有毛刺，导致电源保护，请问大神们有遇到过这种情况的吗，怎么解决？下图分别为加入70V漏源电压和不加漏源电压时栅源极驱动信号波形。`
2019-02-21 11:23:53
两层电源板，板子设计中有4个MOSFET管串联，由于只有两层，四个MOSFET管的3个源级要过大电流，所以用铜连接在一起；四个MOSFET管栅极串联的线走在器件源级和漏极之间（请看图片），不知道这样的栅极走线会不会受影响？
2018-07-24 16:19:28
Q1的栅极、源极间电阻R1并联追加电容器C2， 并缓慢降低Q1的栅极电压，可以缓慢地使RDS(on)变小，从而可以抑制浪涌电流。■负载开关等效电路图关于Nch MOSFET负载开关ON时的浪涌电流应对
2019-07-23 01:13:34
数据吗？这里有双脉冲测试的比较数据。这是为了将以往产品和具有驱动器源极引脚的SiC MOSFET的开关工作进行比较，而在Figure 5所示的电路条件下使Low Side（LS）的MOSFET开关的双
2020-07-01 13:52:06
Transil二极管改为电压抑制器，例如，金属氧化物变阻器(图4中的绿色虚线)。变阻器置于EMI滤波器之后，滤波器阻抗(特别是共式扼流圈的差分式电感)可以限制变阻器吸收电流。 并联多个变阻器以更好地限制浪涌电压
2018-10-11 16:04:02
IGBT/功率 MOSFET 是一种电压控制型器件，可用作电源电路、电机驱动器和其它系统中的开关元件。栅极是每个器件的电气隔离控制端。MOSFET的另外两端是源极和漏极，而对于IGBT，它们被称为
2018-10-25 10:22:56
Sanket Sapre摘要IGBT/功率MOSFET是一种电压控制型器件，可用作电源电路、电机驱动器和其它系统中的开关元件。栅极是每个器件的电气隔离控制端。MOSFET的另外两端是源极和漏极，而对
2018-11-01 11:35:35
的影响，而且由于 RG_EXT 是外置电阻，因此也可调。下面同时列出公式（1）用以比较。能给我们看一下比较数据吗？这里有双脉冲测试的比较数据。这是为了将以往产品和具有驱动器源极引脚的 SiC MOSFET
2020-11-10 06:00:00
极之间连接几nF的电容。如果希望进一步了解详细信息，请参考应用指南中的“SiC-MOSFET 栅极-源极电压的浪涌抑制方法”。接下来是关断时的波形。可以看出，TO-247N封装产品（浅蓝色实线
2022-06-17 16:06:12
高速栅极驱动器可以实现相同的效果。高速栅极驱动器可以通过降低FET的体二极管的功耗来提高效率。体二极管是寄生二极管，对于大多数类型的FET是固有的。它由p-n结点形成并且位于漏极和源极之间。图1所示
2022-11-14 07:53:24
雷击和电压浪涌产生及危害
电压浪涌是指电子系统额定工作电压瞬时升高，其幅度达到额定工作电压的几倍～几百倍。电压浪涌可能引起通信系统的数据
2010-05-15 15:01:29
35 浪涌电压抑制器及其应用
1浪涌电压
电路在遭雷击和在接通、断开电感负载或大型负载时常常会产生很高的操作过电压，这种瞬时过电压（或过电流）
2009-07-09 14:59:522076 
继电器线圈浪涌电压抑制
继电器线圈在注入能量以后，在开关断开的一瞬间，会产生一个巨大的直流浪涌电压，这个电压在高边开关的时候是负电
2009-11-21 14:24:046015 本文对微浪涌电压的发生机理及其对电机的影响作了分析，介绍了抑制微浪涌电压的技术，以及最近出现的衰减微浪涌电压的产品和采用细线径传输为特征的微浪涌抑制组件的工作原理
2011-08-04 15:20:053790 LTC4366 浪涌抑制器可保护负载免遭高压瞬变的损坏。通过控制一个外部 N 沟道 MOSFET 的栅极，LTC4366 可在过压瞬变过程中调节输出。在 MOSFET 两端承载过压的情况下，负载可以保持运作状
2012-09-21 11:37:09111 密集的、连续存在的、很窄的尖峰电压。 本文对微浪涌电压的发生机理及其对电机的影响作了分析，介绍了抑制微浪涌电压的技术，以及最近出现的衰减微浪涌电压的产品和采用细线径传输为特征的微浪涌抑制组件的工作原理等。
2017-11-13 16:36:155 浪涌也叫突波，就是超出正常电压的瞬间过电压，一般指电网中出现的短时间象“浪”一样的高电压引起的大电流。从本质上讲，浪涌就是发生在仅仅百万上之一秒内的一种剧烈脉冲。浪涌电压的产生原因有两个，一个是雷电，另一个是电网上的大型负荷接通或断开（包括补偿电容的投切）时产生的。
2018-01-11 11:09:3234153 
凌力尔特的浪涌抑制器产品通过采用 MOSFET 以隔离高电压输入浪涌和尖峰。
2018-06-28 10:15:005038 
对于任何系统而言，保护敏感电子电路免遭电压瞬变的损害都是不可或缺的部分，不管是汽车、工业、航天还是电池供电型消费应用皆不例外。凌力尔特凭借其浪涌抑制器系列为这些应用提供了众多的解决方案。LTC
2019-03-21 06:51:003907 中，我们将对相应的对策进行探讨。关于栅极－源极间电压产生的浪涌，在之前发布的Tech Web基础知识 SiC功率元器件 应用篇的“SiC MOSFET：桥式结构中栅极－源极间电压的动作”中已进行了详细说明。
2021-06-12 17:12:002563 
忽略SiC MOSFET本身的封装电感和外围电路的布线电感的影响。特别是栅极-源极间电压，当SiC MOSFET本身的电压和电流发生变化时，可能会发生意想不到的正浪涌或负浪涌，需要对此采取对策。 在本文中，我们将对相应的对策进行探讨。 什么是栅极－源极电压产生的
2021-06-10 16:11:442121 SiC MOSFET具有出色的开关特性，但由于其开关过程中电压和电流变化非常大，因此如Tech Web基础知识 SiC功率元器件“SiC MOSFET：桥式结构中栅极－源极间电压的动作-前言”中介绍的需要准确测量栅极和源极之间产生的浪涌。
2022-09-14 14:28:53753 从本文开始，我们将进入SiC功率元器件基础知识应用篇的第一弹“SiC MOSFET：桥式结构中栅极－源极间电压的动作”。前言：MOSFET和IGBT等电源开关元器件被广泛应用于各种电源应用和电源线路中。
2023-02-08 13:43:22250 
在上一篇文章中，对SiC MOSFET桥式结构的栅极驱动电路的导通(Turn-on)/关断( Turn-off)动作进行了解说。
2023-02-08 13:43:23291 
上一篇文章中，简单介绍了SiC MOSFET桥式结构中栅极驱动电路的开关工作带来的VDS和ID的变化所产生的电流和电压情况。本文将详细介绍SiC MOSFET在LS导通时的动作情况。
2023-02-08 13:43:23300 
上一篇文章中介绍了LS开关导通时栅极 – 源极间电压的动作。本文将继续介绍LS关断时的动作情况。低边开关关断时的栅极 – 源极间电压的动作：下面是表示LS MOSFET关断时的电流动作的等效电路和波形示意图。
2023-02-08 13:43:23399 
在上一篇文章中，简单介绍了SiC功率元器件中栅极-源极电压中产生的浪涌。从本文开始，将介绍针对所产生的SiC功率元器件中浪涌的对策。本文先介绍浪涌抑制电路。
2023-02-09 10:19:15696 
本文的关键要点：通过采取措施防止栅极－源极间电压的正电压浪涌，来防止LS导通时的HS误导通。如果栅极驱动IC没有驱动米勒钳位用MOSFET的控制功能，则很难通过米勒钳位进行抑制。作为米勒钳位的替代方案，可以通过增加误导通抑制电容器来处理。
2023-02-09 10:19:15515 
本文的关键要点・通过采取措施防止SiC MOSFET中栅极－源极间电压的负电压浪涌，来防止SiC MOSFET的LS导通时，SiC MOSFET的HS误导通。・具体方法取决于各电路中所示的对策电路的负载。
2023-02-09 10:19:16589 
关于SiC功率元器件中栅极－源极间电压产生的浪涌，在之前发布的Tech Web基础知识 SiC功率元器件 应用篇的“SiC MOSFET：桥式结构中栅极－源极间电压的动作”中已进行了详细说明，如果需要了解,请参阅这篇文章。
2023-02-09 10:19:17707 
使用评估电路来确认栅极电压升高的抑制效果。下面是栅极驱动电路示例，栅极驱动L为负电压驱动。CN1和CN4的+18V、CN3和CN6的-3V为驱动器的电源。电路中增加了CGS和米勒钳位MOSFET，使包括栅极电阻在内均可调整。将该栅极驱动器与全SiC功率模块的栅极和源极连接，来确认栅极电压的升高情况。
2023-02-27 11:50:44556 
忽略SiC MOSFET本身的封装电感和外围电路的布线电感的影响。特别是栅极-源极间电压，当SiC MOSFET本身的电压和电流发生变化时，可能会发生意想不到的正浪涌或负浪涌，需要对此采取对策。在本文中，我们将对相应的对策进行探讨。
2023-02-28 11:36:50551 
)，基本上没有问题。然而，直通电流毕竟是降低系统整体效率的直接因素，肯定不是希望出现的状态，因此就有必要增加用来来抑制浪涌电压的电路，以更大程度地确保浪涌电压不超过SiC MOSFET的VGS(th)。
2023-02-28 11:38:21141 
下图显示了同步升压电路中LS导通时栅极－源极电压的行为，该图在之前的文章中也使用过。要想抑制事件（II），即HS（非开关侧）的VGS的正浪涌，正如在上一篇文章的表格中所总结的，采用浪涌抑制电路的米勒钳位用MOSFET Q2、或误导通抑制电容器C1是很有效的方法（参见下面的验证电路）。
2023-02-28 11:40:19149 
下图显示了同步升压电路中LS关断时栅极－源极电压的行为，该图在之前的文章中也使用过。要想抑制事件（IV），即HS（非开关侧）的VGS的负浪涌，采用浪涌抑制电路的米勒钳位用MOSFET Q2、或钳位用SBD（肖特基势垒二极管）D3是很有效的方法（参见下面的验证电路）。
2023-02-28 11:41:23389 
绍的需要准确测量栅极和源极之间产生的浪涌。在这里，将为大家介绍在测量栅极和源极之间的电压时需要注意的事项。我们将以SiC MOSFET为例进行讲解，其实所讲解的内容也适用于一般的MOSFET和IGBT等各种功率元器件，尽情参考。
2023-04-06 09:11:46731 
本文是“SiC MOSFET：栅极－源极电压的浪涌抑制方法”系列文章的总结篇。介绍SiC MOSFET的栅极－源极电压产生的浪涌、浪涌抑制电路、正电压浪涌对策、负电压浪涌对策和浪涌抑制电路的电路板
2023-04-13 12:20:02814 绍的需要准确测量栅极和源极之间产生的浪涌。在这里，将为大家介绍在测量栅极和源极之间的电压时需要注意的事项。我们将以SiC MOSFET为例进行讲解，其实所讲解的内容也适用于一般的MOSFET和IGBT等各种功率元器件，尽情参考。
2023-05-08 11:23:14644 如何消除或抑制浪涌电流？抑制浪涌电流的方法有哪些？ 浪涌电流是指电流在电路中突然变化，导致电压急剧变化。这种电流会破坏电子设备并对设备产生不可逆的影响。因此，消除浪涌电流和抑制浪涌电流的方法是非
2023-09-04 17:48:115621 MOSFET栅极电路电压对电流的影响？MOSFET栅极电路电阻的作用？ MOSFET（金属-氧化物-半导体场效应晶体管）是一种广泛应用于电子设备中的半导体器件。在MOSFET中，栅极电路的电压和电阻
2023-10-22 15:18:121369 SiC MOSFET：桥式结构中栅极－源极间电压的动作
2023-12-07 14:34:17223 
MOSFET栅极电路常见的作用有哪些？MOSFET栅极电路电压对电流的影响？ MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）是一种非常重要的电子器件，广泛应用于各种电子电路中。MOSFET的栅极电路
2023-11-29 17:46:40571 由于这种开关工作，受开关侧LS电压和电流变化的影响，不仅在开关侧的LS产生浪涌，还会在同步侧的HS产生浪涌。
2024-01-24 14:10:33139 
如何抑制电源转换器中的浪涌电压？ 电源转换器是电子设备中常见的组件，其主要功能是将电源输入转换成稳定的输出电压和电流。然而，在电源转换过程中，常常会产生浪涌电压，这可能对电子设备及其周围的电路产生
2024-02-04 09:17:00322
电子发烧友App
工商网监
评论