电子发烧友App

硬声App

0
  • 聊天消息
  • 系统消息
  • 评论与回复
登录后你可以
  • 下载海量资料
  • 学习在线课程
  • 观看技术视频
  • 写文章/发帖/加入社区
创作中心

完善资料让更多小伙伴认识你,还能领取20积分哦,立即完善>

3天内不再提示

电子发烧友网>模拟技术>低边SiC MOSFET导通时的行为

低边SiC MOSFET导通时的行为

收藏

声明:本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人,不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用,如有内容侵权或者其他违规问题,请联系本站处理。 举报投诉

相关推荐

电源设计说明:线性方案中的SiC MOSFET

SiC MOSFET 在开关状态下工作。然而,了解其在线性状态下的行为是有用的,这可能发生在驱动器发生故障的情况下,或者出于某些目的,当设计者编程时会发生这种情况。
2022-07-29 08:07:04489

谈谈SiC MOSFET的短路能力

谈谈SiC MOSFET的短路能力
2023-08-25 08:16:131020

SiC MOSFETSiC SBD的优势

下面将对于SiC MOSFETSiC SBD两个系列,进行详细介绍
2023-11-01 14:46:19736

仿真看世界之SiC MOSFET单管的并联均流特性

SiC MOSFET并联的动态均流与IGBT类似,只是SiC MOSFET开关速度更快,对一些并联参数会更为敏感。
2021-09-06 11:06:233813

SIC MOSFET

有使用过SIC MOSFET 的大佬吗 想请教一下驱动电路是如何搭建的。
2021-04-02 15:43:15

SiC-MOSFET与Si-MOSFET的区别

电阻,通道电阻高,因此具有驱动电压即栅极-源极间电压Vgs越高通电阻越的特性。下图表示SiC-MOSFET通电阻与Vgs的关系。通电阻从Vgs为20V左右开始变化(下降)逐渐减少,接近
2018-11-30 11:34:24

SiC-MOSFET体二极管特性

Si-MOSFET大得多。而在给栅极-源极间施加18V电压、SiC-MOSFET通的条件下,电阻更小的通道部分(而非体二极管部分)流过的电流占支配低位。为方便从结构角度理解各种状态,下面还给出了MOSFET的截面图
2018-11-27 16:40:24

SiC-MOSFET功率晶体管的结构与特征比较

通电阻方面的课题,如前所述通过采用SJ-MOSFET结构来改善通电阻。IGBT在通电阻和耐压方面表现优异,但存在开关速度方面的课题。SiC-DMOS在耐压、通电阻、开关速度方面表现都很优异
2018-11-30 11:35:30

SiC-MOSFET器件结构和特征

、SJ-MOSFET的10分之1,就可以实现相同的通电阻。  不仅能够以小封装实现通电阻,而且能够使门极电荷量Qg、结电容也变小。  SJ-MOSFET只有900V的产品,但是SiC却能够以很低
2023-02-07 16:40:49

SiC-MOSFET有什么优点

电导率调制,向漂移层内注入作为少数载流子的空穴,因此通电阻比MOSFET还要小,但是同时由于少数载流子的积聚,在Turn-off时会产生尾电流,从而造成极大的开关损耗。SiC器件漂移层的阻抗比Si器件
2019-04-09 04:58:00

SiC-MOSFET的可靠性

对体二极管进行1000小时的直流8A通电测试,结果如下。试验证明,所有特性如通电阻,漏电流等都没有变化。短路耐受能力由于SiC-MOSFET与Si-MOSFET相比具有更小的芯片面积和更高的电流密度
2018-11-30 11:30:41

SiC-MOSFET的应用实例

研究开发法人科学技术振兴机构合作开发,在CEATEC 2014、TECHNO-FRONTIER2015展出的产品。・超高压脉冲电源特征・超高耐压伪N通道SiC MOSFET通电阻(以往产品的1
2018-11-27 16:38:39

正在加载...