本文介绍了一种新颖的测量电路，以测量用于测量SiC MOSFET的实时或实际结温。可以看出，出于订购和处理数据或电流传感器的目的，不需要本质上复杂的任何算法。
2021-04-23 11:28:32
4626 
针对SiC MOSFET模块应用过程中出现的串扰问题，文章首先对3种测量差分探头的参数和测 量波形进行对比，有效减小测量误差；然后详细分析串扰引起模块栅源极出现电压正向抬升和负向峰值过大 的原因
2023-06-05 10:14:211845 
高频、高速开关是碳化硅(SiC) MOSFET的重要优势之一，这能让系统效率显著提升，但也会在寄生电感和电容上产生更大的振荡，从而在驱动电压上产生更大的尖峰。
2023-12-20 09:20:45943 
有使用过SIC MOSFET 的大佬吗 想请教一下驱动电路是如何搭建的。
2021-04-02 15:43:15
电阻低，通道电阻高，因此具有驱动电压即栅极－源极间电压Vgs越高导通电阻越低的特性。下图表示SiC-MOSFET的导通电阻与Vgs的关系。导通电阻从Vgs为20V左右开始变化（下降）逐渐减少，接近
2018-11-30 11:34:24
。SiC-MOSFET体二极管的正向特性下图表示SiC-MOSFET的Vds-Id特性。在SiC-MOSFET中，以源极为基准向漏极施加负电压，体二极管为正向偏置状态。该图中Vgs＝0V的绿色曲线基本上表示出体
2018-11-27 16:40:24
的小型化。 另外，SiC-MOSFET能够在IGBT不能工作的高频条件下驱动，从而也可以实现无源器件的小型化。 与600V~900V的Si-MOSFET相比，SiC-MOSFET的优势在于芯片
2023-02-07 16:40:49
，SiC-MOSFET能够在IGBT不能工作的高频条件下驱动，从而也可以实现无源器件的小型化。与600V~900V的Si-MOSFET相比，SiC-MOSFET的优势在于芯片面积小（可实现小型封装），而且体
2019-04-09 04:58:00
减小，所以耐受时间变长。另外，Vdd较低时发热量也会减少，所以耐受时间会更长。由于关断SiC-MOSFET所需的时间非常短，所以当Vgs的断路速度很快时，急剧的dI/dt可能会引发较大的浪涌电压。请使用
2018-11-30 11:30:41
的概述和应掌握的特征 性能评估事例的设计目标和电路使用评估板进行性能评估测量方法和结果重要检查点MOSFET的VDS和IDS、输出整流二极管的耐压变压器的饱和Vcc电压输出瞬态响应和输出电压上升波形温度
2018-11-27 16:38:39
`请问：图片中的红色白色蓝色模块是什么东西？芯片屏蔽罩吗？为什么加这个东西？抗干扰或散热吗？这是个SiC MOSFET DC-DC电源，小弟新手。。`
2018-11-09 11:21:45
MOSFET能够在1/35大小的芯片内提供与之相同的导通电阻。其原因是SiC MOSFET能够阻断的电压是Si MOSFET的10倍，同时具备更高的电流密度和更低的导通电阻，能够以更快速度（10 倍）在导
2019-07-09 04:20:19
的第一款SiC功率晶体管以1200 V结型场效应晶体管（JFET）的形式出现。SemiSouth实验室遵循JFET方法，因为当时双极结晶体管（BJT）和MOSFET替代品具有被认为是不可克服的障碍。虽然
2023-02-27 13:48:12
栅极电压，在20V栅极电压下从几乎300A降低到12V栅极电压时的130A左右。即使碳化硅MOSFET的短路耐受时间短于IGTB的短路耐受时间，也可以通过集成在栅极驱动器IC中的去饱和功能来保护SiC
2019-07-30 15:15:17
，SiC-MOSFET能够在IGBT不能工作的高频条件下驱动，从而也可以实现无源器件的小型化。与600V~900V的Si-MOSFET相比，SiC-MOSFET的优势在于芯片面积小（可实现小型封装），而且体
2019-05-07 06:21:55
SiC-MOSFET的构成中，SiC-MOSFET切换（开关）时高边SiC-MOSFET的栅极电压产生振铃，低边SiC-MOSFET的栅极电压升高，SiC-MOSFET误动作的现象。通过下面的波形图可以很容易了解这是
2018-11-30 11:31:17
极-源极电压振铃。将栅极驱动放置在紧邻 SiC MOSFET 的位置，以最小的走线长度将栅极回路电感降至最低。此外，这种做法还有助于使各并联 MOSFET 设计之间的共源极电感保持恒定。以最小走线长
2022-03-24 18:03:24
的MOSFET和IGBT等各种功率元器件，尽情参考。测量SiC MOSFET栅-源电压：一般测量方法电源单元等产品中使用的功率开关器件大多都配有用来冷却的散热器，在测量器件引脚间的电压时，通常是无法将电压
2022-09-20 08:00:00
。在探头上的短弹簧现在连接到该接地铜箔。该方式用很少的努力，就可以简单和精确地进行测量。 图2: 含细小管脚测试触针的HZ355无源探头如果在探头基本配置中不含图1弹簧探针，你也可以自制（DIY
2017-10-11 09:45:21
无源电压探头是示波器最常用的探头。虽然其它专用探头扩展了示波器作为测量系统的范围和功能，但是通用的无源电压探头则作为示波器的工作端工具，每天都被工程师和技术人员所使用。经过两年的用户调查、设计创新
2017-12-13 11:52:06
P6139B探头是高带宽，高阻抗，10x无源电压探头，10MΩ输入阻抗，更小的探尖和更细的探头前端方便探测密集的电路，在不同的补偿范围内支持泰克示波器。是最高带宽、最低探头负载的无源探头。无源探头
2017-12-14 11:59:22
项目名称：SiC MOSFET元器件性能研究试用计划：申请理由本人在半导体失效分析领域有多年工作经验，熟悉MOSET各种性能和应用，掌握各种MOSFET的应用和失效分析方法，熟悉MOSFET的主要
2020-04-24 18:09:12
，以及源漏电压进行采集，由于使用的非隔离示波器，就在单管上进行了对两个波形进行了记录：绿色：栅极源极间电压；黄色：源极漏极间电压；由于Mosfet使用的SiC材料，通过分析以上两者电压的导通时间可以判断出
2020-06-07 15:46:23
。补充一下，所有波形的测试是去掉了鳄鱼夹，使用接地弹簧就近测量的，探头的***扰情况是很小的。最后，经过了半个小时的带载实验，在自然散热的情况下，测量了SIC-MOSFET的温度：图9 温度测量对于
2020-06-10 11:04:53
封装的SIC MOSFET各两片，分别是TO-247-4L的SCT3040KR，TO-247-3L的SCT3040KL，这两款都是罗姆推出的SIC MOSFET。两款SIC 的VDS都是1200V
2020-05-09 11:59:07
;Reliability (可靠性) " ，始终坚持“品质第一”SiC元器有三个最重要的特性：第一个高压特性，比硅更好一些；而是高频特性；三是高温特性。 罗姆第三代沟槽栅型SiC-MOSFET对应
2020-07-16 14:55:31
和更快的切换速度与传统的硅mosfet和绝缘栅双极晶体管(igbt)相比，SiC mosfet栅极驱动在设计过程中必须仔细考虑需求。本应用程序说明涵盖为SiC mosfet选择栅极驱动IC时的关键参数。
2023-06-16 06:04:07
要充分认识 SiC MOSFET 的功能，一种有用的方法就是将它们与同等的硅器件进行比较。SiC 器件可以阻断的电压是硅器件的 10 倍，具有更高的电流密度，能够以 10 倍的更快速度在导通和关断
2017-12-18 13:58:36
性能如何？650V-1200V电压等级的SiC MOSFET商业产品已经从Gen 2发展到了Gen 3，随着技术的发展，元胞宽度持续减小，比导通电阻持续降低，器件性能超越Si器件，浪涌电流、短路能力、栅
2022-03-29 10:58:06
和CN4的+18V、CN3和CN6的-3V为驱动器的电源。电路中增加了CGS和米勒钳位MOSFET，使包括栅极电阻在内均可调整。将该栅极驱动器与全SiC功率模块的栅极和源极连接，来确认栅极电压的升高情况
2018-11-27 16:41:26
各位大神，可否用IR2113 驱动共源集MOSfet ,且mosfet关断时，源集漏集电压最高为700V。
2017-08-16 16:03:26
低压共源共栅结构是什么？具有最小余度电压的共源共栅电流源是什么？
2021-09-29 06:47:22
比如，IRFP460，它的UGS(th)最小是2V，最大是4V，其特性曲线如下图所示。那么它的栅源间的电压要设置多大好呢？
2012-08-31 10:19:09
极驱动器的优势和期望，开发了一种测试板，其中测试了分立式IGBT和SiC-MOSFET。标准电压源驱动器也在另一块板上实现，见图3。 图3.带电压源驱动器（顶部）和电流源驱动器（底部）的半桥
2023-02-21 16:36:47
如何用USB示波器及其无源探头安全地测量220V交流电压及其谐波失真
2016-05-07 15:38:04
如何用USB示波器及其无源探头安全地测量220V交流电压及其谐波失真
2016-09-21 19:52:12
如何用USB示波器及其无源探头安全地测量220V交流电压及其谐波失真（中文）
2016-03-10 14:50:01
仪器设备的说明书，并按正确的方法使用。三、正确的测量方法实例 1 和 2 被测信号的特点都是对大地存在共模电压，在观测的频率下共模电压对大地的源阻抗较低。而单端探头和通用示波器是接大地的，那么直接连接测量
2019-10-23 07:00:00
` 在示波器的应用场合中，除了有些RF或高速数字的场合用电缆直接测量以外，很多板上的调试工作都是借助探头完成的。探头是示波器测量系统的一部分，很多高带宽的探头都必须是有源探头，有源探头内部的有源
2018-04-26 10:50:47
的MOSFET电容器Cgs将开始放电。此时，MOSFET阻断特性保持不变。这个t1阶段被称为延时，它表征着MOSFET的响应时间。当MOSFET栅源电压Vgs达到栅极平台电压Vgs（Miller
2018-10-08 15:19:33
康华光主编的模电中讲到N型的增强型MOSFET、耗尽型MOSFET、JFET。关于漏极饱和电流的问题，耗尽型MOSFET、JFET中都有提到，都是在栅源电压等于0的时候，而增强型MOSFET在栅源
2019-04-08 03:57:38
电源设计问题及其测量需求是什么？怎么消除电压探头和电流探头之间的时间偏差？怎么消除探头零偏和噪声？
2021-05-08 06:47:53
1. SiC模块的特征大电流功率模块中广泛采用的主要是由Si材料的IGBT和FRD组成的IGBT模块。ROHM在世界上首次开始出售搭载了SiC-MOSFET和SiC-SBD的功率模块。由IGBT的尾
2019-03-12 03:43:18
使用各种不同的数字示波器进行相关电气信号量的测量，测量的时候都需要与示波器相匹配的探头，与示波器相匹配的探头种类也非常多，包括无源探头(包括高压探头，传输线探头)、有源探头（包括有源单端探头、有源差
2017-12-13 11:48:36
在高度可靠、高性能的应用中，如电动/混合动力汽车，隔离栅级驱动器需要确保隔离栅在所有情况下完好无损。随着Si-MOSFET/IGBT不断改进，以及对GaN和SiC工艺技术的引进，现代功率转换器/逆变器的功率密度不断提高。
2019-08-09 07:03:09
本章将介绍最新的第三代SiC-MOSFET，以及可供应的SiC-MOSFET的相关信息。独有的双沟槽结构SiC-MOSFET在SiC-MOSFET不断发展的进程中，ROHM于世界首家实现了沟槽栅极
2018-12-05 10:04:41
MOS的结构碳化硅MOSFET（SiC MOSFET）N+源区和P井掺杂都是采用离子注入的方式，在1700℃温度中进行退火激活。一个关键的工艺是碳化硅MOS栅氧化物的形成。由于碳化硅材料中同时有Si和C
2019-09-17 09:05:05
- 栅极-源极电压: 20 V Vgs th-栅源极阈值电压: 2 V Qg-栅极电荷: 100 nC -小工作温度: - 55 C -大工作温度: + 155 C 配置: Single 通道模式
2020-03-04 10:34:36
，在测量MOSFET的DS的电压时候，要保证正确的测量方法。（1）如同测量输出电压的纹波一样，所有工程师都知道，要去除示波器探头的帽子，直接将探头的信号尖端和地线接触被测量位置的两端，减小地线的环路
2023-02-20 17:21:32
，动态范围小，静电敏感，校准麻烦，因此，每个工程师使用示波器的入门级探头通常是无源探头。最常见的500Mhz的无源电压探头适用于一般的电路测量和快速诊断，可以满足大多数的低速数字信号、TV、电源和其它的一些典型的示波器应用。
2019-05-21 10:16:29
了解差分信号。差分信号是互相参考，而不是参考接地的信号。例如，图1开关电源中半桥上下开关管(Q1，Q2管)中电压信号；图2多相电源系统中电压信号，以上信号在本质上是“漂浮”在地之上。3.差分信号的测量方法
2015-12-17 17:10:32
低，可靠性高，在各种应用中非常有助于设备实现更低功耗和小型化。本产品于世界首次※成功实现SiC-SBD与SiC-MOSFET的一体化封装。内部二极管的正向电压（VF）降低70％以上，实现更低损耗的同时
2019-03-18 23:16:12
%的降额要求。另外，在测量MOSFET的DS的电压时候，要保证正确的测量方法。（1）如同测量输出电压的纹波一样，所有工程师都知道，要去除示波器探头的帽子，直接将探头的信号尖端和地线接触被测量位置的两端
2016-09-06 15:41:04
绝大多数情况下都取决于IC的规格，因此虽然不是没有方法，但选用专为SiC-MOSFET用而优化的电源IC应该是上策。具体一点来讲，在规格方面，一般的IGBT或Si-MOSFET的驱动电压为VGS
2018-11-27 16:54:24
请问：驱动功率MOSFET，IBGT，SiC MOSFET的PCB布局需要考虑哪些因素？
2019-07-31 10:13:38
。高阻无源探头中还有 2 个特殊的种类。一类是高压探头，其衰减比可达100:1 或 1000:1，所以测量电压范围很大；还有一类是 1:1 的探头，即信号没有衰减就进入示波器，由于不象 10：1
2018-04-02 09:17:49
探头有很多类别，差分探头在开关电源应用非常常见，安泰测试将针对差分信号的测量，详细为您解答差分探头差分信号的常见测量方法。
2020-10-26 11:29:477024 有经验的工程师都知道，如果我们要使用 数字示波器来进行电源测量的话，就必须先测量MOSFET开关器件漏极、源极间的电压和电流，或IGBT集电极、发射极间的电压。但是如果我们需要完成这一测试测量任务
2021-04-29 15:05:441036 为高共模电压高压差分信号，VGs2为低共模电压低压差分信号，VDS2为高压对地信号。根据信号类型，VGs1、VDs1和 VGs2需采用差分探头测量，VDS2既可采用高阻无源探头测量，也可采用差分探头测量
2021-09-27 08:51:15589 
测量方法。 差分探头的常用测量方法有三种： 一种就是使用两个探头进行两项单端测量：这是一种常用方法，也是进行差分测量最不希望的方法。测量到地的信号（单端）及使用示波器的数学运算函数（通道A信号减去通道B），就可测量差
2022-03-31 17:31:051075 建立的探头模型和对暂态电压精确测量实验分析 1、实验平台 本文搭建了基于SiC MOSFET C3MO075120K的双脉冲测试平台，以验证所建立的探头模型和对暂态电压精确测量所做的分析，实验平台
2022-03-31 17:32:27611 具有驱动器源极引脚的TO-247-4L和TO-263-7L封装SiC MOSFET，与不具有驱动器源极引脚的TO-247N封装SiC MOSFET产品相比，SiC MOSFET栅-源电压的行为不同。
2022-06-08 14:49:532945 高压差分探头是电力工程师常用的测量方法，但与普通探头相比，高压差分探头的使用有很多细节。 用高压差分探头测量220V（峰值约620V）电源模块的电压。主要注意事项如下： 测量前，必须了解被测电源
2022-07-22 11:02:372055 
和 MOSFET。目前可提供击穿电压为 600 至 1,700 V、额定电流为 1 至 60 A 的 SiC 开关。这里的重点是如何有效地测量 SiC MOSFET。
2022-07-27 11:03:451512 
探头有很多种，差分探头在开关电源中的应用非常普遍，差分探头差分信号的常用测量方法如下。
2022-10-14 15:40:244260 DL-ISO 高压光隔离探头具有 1 GHz 带宽、2500 V 差分输入范围和 60 kV 共模电压范围，提供非常高的测量精度和丰富的连接方式，是GaN 和 SiC 器件测试的理想探头。
2022-11-03 17:47:061121 从本文开始，我们将进入SiC功率元器件基础知识应用篇的第一弹“SiC MOSFET：桥式结构中栅极－源极间电压的动作”。前言：MOSFET和IGBT等电源开关元器件被广泛应用于各种电源应用和电源线路中。
2023-02-08 13:43:22250 
在探讨“SiC MOSFET：桥式结构中Gate-Source电压的动作”时，本文先对SiC MOSFET的桥式结构和工作进行介绍，这也是这个主题的前提。
2023-02-08 13:43:23340 
上一篇文章中，简单介绍了SiC MOSFET桥式结构中栅极驱动电路的开关工作带来的VDS和ID的变化所产生的电流和电压情况。本文将详细介绍SiC MOSFET在LS导通时的动作情况。
2023-02-08 13:43:23300 
本文的关键要点・通过采取措施防止SiC MOSFET中栅极－源极间电压的负电压浪涌，来防止SiC MOSFET的LS导通时，SiC MOSFET的HS误导通。・具体方法取决于各电路中所示的对策电路的负载。
2023-02-09 10:19:16589 
关于SiC功率元器件中栅极－源极间电压产生的浪涌，在之前发布的Tech Web基础知识 SiC功率元器件 应用篇的“SiC MOSFET：桥式结构中栅极－源极间电压的动作”中已进行了详细说明，如果需要了解,请参阅这篇文章。
2023-02-09 10:19:17707 
本文的关键要点・具有驱动器源极引脚的TO-247-4L和TO-263-7L封装SiC MOSFET，与不具有驱动器源极引脚的TO-247N封装SiC MOSFET产品相比，SiC MOSFET栅-源电压的行为不同。
2023-02-09 10:19:20301 
通过驱动器源极引脚改善开关损耗本文的关键要点・具有驱动器源极引脚的TO-247-4L和TO-263-7L封装SiC MOSFET，与不具有驱动器源极引脚的TO-247N封装产品相比，SiC MOSFET的栅-源电压的...
2023-02-09 10:19:20335 
本文的关键要点・如果将延长电缆与DUT引脚焊接并连接电压探头进行测量，在开关速度较快时，观察到的波形会发生明显变化。・受测量时所装的延长电缆的影响，观察到的波形会与真正的原始波形完全不同。
2023-02-09 10:19:21652 
关键要点・除了测量位置之外，探头的安装位置也很重要。・如果不慎将电压探头安装在磁通量急剧变化的空间内，就会受到磁通量变化的影响，而体现在观测波形上。
2023-02-09 10:19:22345 
驱动芯片，需要考虑如下几个方面： 驱动电平与驱动电流的要求首先，由于SiC MOSFET器件需要工作在高频开关场合，其面对的由于寄生参数所带来的影响更加显著。由于SiC MOSFET本身栅极开启电压较
2023-02-27 14:42:04
79 时，由于较高的 di/dt 与 du/dt 容易产生电压电流尖峰、振荡、上下管直通或超过负向安全电压，干扰驱动电路输出电压等问题。因此为了保障 SiC MOSFET 安全可靠性的运行，需从驱动侧对 S
2023-02-27 14:43:028 差分探头的构造 高压差分探头是由两个相等的导线组成的。这些导线通常被称为探头的 “两极”，并连接到高阻抗输入放大器上。高阻抗输入放大器有很高的电阻值，因此可以使电流流过探头时保持非常小的影响。 二、常见测量方法
2023-03-30 14:41:271496 
绍的需要准确测量栅极和源极之间产生的浪涌。在这里，将为大家介绍在测量栅极和源极之间的电压时需要注意的事项。我们将以SiC MOSFET为例进行讲解，其实所讲解的内容也适用于一般的MOSFET和IGBT等各种功率元器件，尽情参考。
2023-04-06 09:11:46731 
本文是“SiC MOSFET：栅极－源极电压的浪涌抑制方法”系列文章的总结篇。介绍SiC MOSFET的栅极－源极电压产生的浪涌、浪涌抑制电路、正电压浪涌对策、负电压浪涌对策和浪涌抑制电路的电路板
2023-04-13 12:20:02814 示波器探头是一种用于测量电路中电压信号的工具，电压量程是指探头能够测量的最大和最小电压范围。了解探头的电压量程，可以帮助我们在实际测量电路时进行选择。以下是关于示波器探头电压量程的详细解读
2023-04-17 10:46:323863 
绍的需要准确测量栅极和源极之间产生的浪涌。在这里，将为大家介绍在测量栅极和源极之间的电压时需要注意的事项。我们将以SiC MOSFET为例进行讲解，其实所讲解的内容也适用于一般的MOSFET和IGBT等各种功率元器件，尽情参考。
2023-05-08 11:23:14644 泰克探头是一种常用的测试工具，主要用于测量电流和电压。它的操作方法简单易懂，可以帮助用户快速准确地测量电器设备中的电流和电压，为维护和保养设备提供便利。下面详细介绍一下泰克探头的使用方法。
2023-05-23 11:00:19902 普通电压探头是电子测量领域中广泛使用的一种探头。它是一种用于测量电路中电压的设备，通过将其连接到电路中的测量点，可以将电压信号转换为可读取的电信号。普通电压探头的构成非常重要，它决定了探头的性能
2023-08-04 11:37:54407 
如何选取SiC MOSFET的Vgs门极电压及其影响
2023-12-05 16:46:29483 
SiC设计干货分享（一）：SiC MOSFET驱动电压的分析及探讨
2023-12-05 17:10:21439 
SiC MOSFET：桥式结构中栅极－源极间电压的动作
2023-12-07 14:34:17223 
MOSFET的基本结构。SIC MOSFET是一种由碳化硅材料制成的传导类型晶体管。与传统的硅MOSFET相比，SIC MOSFET具有更高的迁移率和击穿电压，以及更低的导通电阻和开关损耗。这些特性使其成为高温高频率应用中的理想选择。 SIC MOSFET在电路中具有以下几个主要的作用： 1. 电源开关
2023-12-21 11:27:13687 探头的使用方法和技巧 1. 检查设备 在使用磁场探头之前，首先要检查设备是否正常工作。检查传感器的连接是否牢固，是否有损坏或老化现象。同时，确保磁场探头与测量设备相配合，以便获得准确的测量结果。 2. 放置探头 将磁场探
2024-01-05 14:31:42260 分别与两个探头相连，并且通过差分测量技术将这两个信号之间的差异显示出来。使用差分探头可以测量差分信号的幅度，相位以及时延等参数。 差分探头的使用方法是将差分探头的探头端连接到待测试的差分信号源上，通常一个探头
2024-01-05 14:38:02160 探头阻抗如何影响电源轨的测量？ 探头阻抗是指测试电源轨时用于连接到被测电路的测量电缆和夹具的电阻性质。它对测量结果的影响非常重要，因为电源轨的测量精确性依赖于能否准确地测量电源电压、电流和波形。本文
2024-01-08 11:42:12161 示波器电流探头可以测量多大电压？ 示波器电流探头是一种用于测量电流信号的工具，它可以将电流转换为可观测的电压信号。然而，实际上示波器电流探头并不能直接测量电压，它只能间接测量电压。 示波器电流探头
2024-01-08 14:55:32347 高压差分探头是连接示波器使用吗？ 高压差分探头是一种专门用于连接示波器的测量工具，它可以帮助工程师和技术人员在测量高压电路时提供安全、准确的测量结果。本文将详细介绍高压差分探头的原理、优点和适用范围
2024-01-08 15:29:59168 普通探头如何测量电压？ 普通探头是一种常见的电子测试工具，用于测量电压。本文将详尽、详实、细致地讲解普通探头如何测量电压的原理、使用方法、注意事项等方面的内容。 一、普通探头的原理 普通探头主要
2024-01-08 15:55:40357 详细介绍电流探头测量小电流的方法和技巧 电流探头是广泛应用于电子测试和测量的一种设备，其主要作用是测量电路中的电流大小。在许多情况下，我们需要测量的是小电流，因此掌握电流探头测量小电流的方法
2024-01-08 16:09:11301
电子发烧友App
工商网监
评论