本文介绍了一种新颖的测量电路，以测量用于测量SiC MOSFET的实时或实际结温。可以看出，出于订购和处理数据或电流传感器的目的，不需要本质上复杂的任何算法。
2021-04-23 11:28:32
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利用IGBT双脉冲测试电路，改变电压及电流测量探头的位置，即可对IGBT并联的续流二极管（下文简称FRD）的相关参数进行测量与评估。
2023-11-24 16:52:10521 
有使用过SIC MOSFET 的大佬吗 想请教一下驱动电路是如何搭建的。
2021-04-02 15:43:15
电阻低，通道电阻高，因此具有驱动电压即栅极－源极间电压Vgs越高导通电阻越低的特性。下图表示SiC-MOSFET的导通电阻与Vgs的关系。导通电阻从Vgs为20V左右开始变化（下降）逐渐减少，接近
2018-11-30 11:34:24
。SiC-MOSFET体二极管的正向特性下图表示SiC-MOSFET的Vds-Id特性。在SiC-MOSFET中，以源极为基准向漏极施加负电压，体二极管为正向偏置状态。该图中Vgs＝0V的绿色曲线基本上表示出体
2018-11-27 16:40:24
”）应用越来越广泛。关于SiC-MOSFET，这里给出了DMOS结构，不过目前ROHM已经开始量产特性更优异的沟槽式结构的SiC-MOSFET。具体情况计划后续进行介绍。在特征方面，Si-DMOS存在
2018-11-30 11:35:30
的小型化。 另外，SiC-MOSFET能够在IGBT不能工作的高频条件下驱动，从而也可以实现无源器件的小型化。 与600V~900V的Si-MOSFET相比，SiC-MOSFET的优势在于芯片
2023-02-07 16:40:49
，SiC-MOSFET能够在IGBT不能工作的高频条件下驱动，从而也可以实现无源器件的小型化。与600V~900V的Si-MOSFET相比，SiC-MOSFET的优势在于芯片面积小（可实现小型封装），而且体
2019-04-09 04:58:00
减小，所以耐受时间变长。另外，Vdd较低时发热量也会减少，所以耐受时间会更长。由于关断SiC-MOSFET所需的时间非常短，所以当Vgs的断路速度很快时，急剧的dI/dt可能会引发较大的浪涌电压。请使用
2018-11-30 11:30:41
的概述和应掌握的特征 性能评估事例的设计目标和电路使用评估板进行性能评估测量方法和结果重要检查点MOSFET的VDS和IDS、输出整流二极管的耐压变压器的饱和Vcc电压输出瞬态响应和输出电压上升波形温度
2018-11-27 16:38:39
`请问：图片中的红色白色蓝色模块是什么东西？芯片屏蔽罩吗？为什么加这个东西？抗干扰或散热吗？这是个SiC MOSFET DC-DC电源，小弟新手。。`
2018-11-09 11:21:45
MOSFET能够在1/35大小的芯片内提供与之相同的导通电阻。其原因是SiC MOSFET能够阻断的电压是Si MOSFET的10倍，同时具备更高的电流密度和更低的导通电阻，能够以更快速度（10 倍）在导
2019-07-09 04:20:19
的，但简洁性和设计优雅在工程领域被低估了。SemiSouth还有一个常关JFET，但事实证明它的批量生产太难了。今天，USCi，Inc。提供一种正常的SiC JFET，它采用共源共栅配置的低压硅
2023-02-27 13:48:12
栅极电压，在20V栅极电压下从几乎300A降低到12V栅极电压时的130A左右。即使碳化硅MOSFET的短路耐受时间短于IGTB的短路耐受时间，也可以通过集成在栅极驱动器IC中的去饱和功能来保护SiC
2019-07-30 15:15:17
，SiC-MOSFET能够在IGBT不能工作的高频条件下驱动，从而也可以实现无源器件的小型化。与600V~900V的Si-MOSFET相比，SiC-MOSFET的优势在于芯片面积小（可实现小型封装），而且体
2019-05-07 06:21:55
SiC-MOSFET的构成中，SiC-MOSFET切换（开关）时高边SiC-MOSFET的栅极电压产生振铃，低边SiC-MOSFET的栅极电压升高，SiC-MOSFET误动作的现象。通过下面的波形图可以很容易了解这是
2018-11-30 11:31:17
极-源极电压振铃。将栅极驱动放置在紧邻 SiC MOSFET 的位置，以最小的走线长度将栅极回路电感降至最低。此外，这种做法还有助于使各并联 MOSFET 设计之间的共源极电感保持恒定。以最小走线长
2022-03-24 18:03:24
的MOSFET和IGBT等各种功率元器件，尽情参考。测量SiC MOSFET栅-源电压：一般测量方法电源单元等产品中使用的功率开关器件大多都配有用来冷却的散热器，在测量器件引脚间的电压时，通常是无法将电压
2022-09-20 08:00:00
无源电压探头是示波器最常用的探头。虽然其它专用探头扩展了示波器作为测量系统的范围和功能，但是通用的无源电压探头则作为示波器的工作端工具，每天都被工程师和技术人员所使用。经过两年的用户调查、设计创新
2017-12-13 11:52:06
全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）的SiC MOSFET和SiC肖特基势垒二极管（以下简称“SiC SBD”）已被成功应用于大功率模拟模块制造商ApexMicrotechnology
2023-03-29 15:06:13
项目名称：SiC MOSFET元器件性能研究试用计划：申请理由本人在半导体失效分析领域有多年工作经验，熟悉MOSET各种性能和应用，掌握各种MOSFET的应用和失效分析方法，熟悉MOSFET的主要
2020-04-24 18:09:12
，以及源漏电压进行采集，由于使用的非隔离示波器，就在单管上进行了对两个波形进行了记录：绿色：栅极源极间电压；黄色：源极漏极间电压；由于Mosfet使用的SiC材料，通过分析以上两者电压的导通时间可以判断出
2020-06-07 15:46:23
。补充一下，所有波形的测试是去掉了鳄鱼夹，使用接地弹簧就近测量的，探头的***扰情况是很小的。最后，经过了半个小时的带载实验，在自然散热的情况下，测量了SIC-MOSFET的温度：图9 温度测量对于
2020-06-10 11:04:53
SIC加装了散热片：最后，焊接到板子上：注意：加装散热片时，因为底部位置有走线和元器件，散热片应预留一定的高度，避免短路。评估板硬件准备完成，接来了做简易的波形测量。通过使用说明书可知，这个评估板的PWM
2020-05-09 11:59:07
;Reliability (可靠性) " ，始终坚持“品质第一”SiC元器有三个最重要的特性：第一个高压特性，比硅更好一些；而是高频特性；三是高温特性。 罗姆第三代沟槽栅型SiC-MOSFET对应
2020-07-16 14:55:31
和更快的切换速度与传统的硅mosfet和绝缘栅双极晶体管(igbt)相比，SiC mosfet栅极驱动在设计过程中必须仔细考虑需求。本应用程序说明涵盖为SiC mosfet选择栅极驱动IC时的关键参数。
2023-06-16 06:04:07
要充分认识 SiC MOSFET 的功能，一种有用的方法就是将它们与同等的硅器件进行比较。SiC 器件可以阻断的电压是硅器件的 10 倍，具有更高的电流密度，能够以 10 倍的更快速度在导通和关断
2017-12-18 13:58:36
尖端和示波器输入之间建立了一条电气连接。为获得可用的测量结果，把探头连接到电路时，必须使其对电路操作的影响降到最小，探头尖端的信号必须通过探头头部和电缆以足够的保真度传送到示波器的输入。这三个
2017-07-27 09:46:48
性能如何？650V-1200V电压等级的SiC MOSFET商业产品已经从Gen 2发展到了Gen 3，随着技术的发展，元胞宽度持续减小，比导通电阻持续降低，器件性能超越Si器件，浪涌电流、短路能力、栅
2022-03-29 10:58:06
和 IEC61010-2-031应用相对低频测量低频计算机和电信测量电源低频放大器P2220、P2221 无源电压探头P2220 和 P2221 200-MHz 无源电压探头允许使用位于探头头部的一个开关选择 1X 或
2020-04-13 17:44:56
各位大神，可否用IR2113 驱动共源集MOSfet ,且mosfet关断时，源集漏集电压最高为700V。
2017-08-16 16:03:26
低压共源共栅结构是什么？具有最小余度电压的共源共栅电流源是什么？
2021-09-29 06:47:22
`出售全新泰克无源电压探头TPP0250示波器探头同时回收示波器各型号 探头收购 噪声源【收购二手电子仪器仪表 】 联系：***15920845969 Agilent 346A，Agilent
2020-03-13 17:57:26
比如，IRFP460，它的UGS(th)最小是2V，最大是4V，其特性曲线如下图所示。那么它的栅源间的电压要设置多大好呢？
2012-08-31 10:19:09
极驱动器的优势和期望，开发了一种测试板，其中测试了分立式IGBT和SiC-MOSFET。标准电压源驱动器也在另一块板上实现，见图3。 图3.带电压源驱动器（顶部）和电流源驱动器（底部）的半桥
2023-02-21 16:36:47
如何用USB示波器及其无源探头安全地测量220V交流电压及其谐波失真
2016-05-07 15:38:04
如何用USB示波器及其无源探头安全地测量220V交流电压及其谐波失真
2016-09-21 19:52:12
如何用USB示波器及其无源探头安全地测量220V交流电压及其谐波失真（中文）
2016-03-10 14:50:01
康华光主编的模电中讲到N型的增强型MOSFET、耗尽型MOSFET、JFET。关于漏极饱和电流的问题，耗尽型MOSFET、JFET中都有提到，都是在栅源电压等于0的时候，而增强型MOSFET在栅源
2019-04-08 03:57:38
电源设计问题及其测量需求是什么？怎么消除电压探头和电流探头之间的时间偏差？怎么消除探头零偏和噪声？
2021-05-08 06:47:53
1. SiC模块的特征大电流功率模块中广泛采用的主要是由Si材料的IGBT和FRD组成的IGBT模块。ROHM在世界上首次开始出售搭载了SiC-MOSFET和SiC-SBD的功率模块。由IGBT的尾
2019-03-12 03:43:18
使用各种不同的数字示波器进行相关电气信号量的测量，测量的时候都需要与示波器相匹配的探头，与示波器相匹配的探头种类也非常多，包括无源探头(包括高压探头，传输线探头)、有源探头（包括有源单端探头、有源差
2017-12-13 11:48:36
在高度可靠、高性能的应用中，如电动/混合动力汽车，隔离栅级驱动器需要确保隔离栅在所有情况下完好无损。随着Si-MOSFET/IGBT不断改进，以及对GaN和SiC工艺技术的引进，现代功率转换器/逆变器的功率密度不断提高。
2019-08-09 07:03:09
本章将介绍最新的第三代SiC-MOSFET，以及可供应的SiC-MOSFET的相关信息。独有的双沟槽结构SiC-MOSFET在SiC-MOSFET不断发展的进程中，ROHM于世界首家实现了沟槽栅极
2018-12-05 10:04:41
焊接到电路板上。最后，还必须考虑电流探头的功能。某些电流探头在示波器上读取电压，要求进行数学运算，把测量数据从伏特换算成安培。连接泰克示波器的泰克电流探头把测量数据自动转换成安培。泰克的多种电流探头还提
2020-08-11 10:57:40
MOS的结构碳化硅MOSFET（SiC MOSFET）N+源区和P井掺杂都是采用离子注入的方式，在1700℃温度中进行退火激活。一个关键的工艺是碳化硅MOS栅氧化物的形成。由于碳化硅材料中同时有Si和C
2019-09-17 09:05:05
`海飞乐技术现货替换IXFN50N120SIC场效应管制造商: IXYS 产品种类: MOSFET RoHS: 详细信息 技术: SiC 安装风格: SMD/SMT 封装 / 箱体
2020-03-04 10:34:36
，在测量MOSFET的DS的电压时候，要保证正确的测量方法。（1）如同测量输出电压的纹波一样，所有工程师都知道，要去除示波器探头的帽子，直接将探头的信号尖端和地线接触被测量位置的两端，减小地线的环路
2023-02-20 17:21:32
MOSFET中的开关损耗为0.6 mJ。这大约是IGBT测量的2.5 mJ的四分之一。在每种情况下，均在 800 V、漏极/拉电流 10 A、环境温度 150 °C 和最佳栅极-发射极阈值电压下进行测试（图
2023-02-22 16:34:53
探头头部实际上是一个线圈，这个线圈缠在磁芯上。当这个探头头部保持在指定方向及接近承载AC电流的导线时，探头会输出一个线性电压，这一电压与导线中电压的比例是已知的。这种与电流有关的电压可以在示波器上显示
2017-08-30 15:43:48
直流电压，那么1 MΩ的无源探头基本就足够了。然而如果是电源系统测试中经常要求测量的三相供电中的火线与火线，或者火线与零（中）线的相对电压差，那么我们就需要用到差分探头了。差分探头无源探头无源探头是最常
2020-03-16 17:23:15
类测试场景下可以测量的最大电压。而且这个电压并不是一个恒定值。而是会随着频率的变化而变化。一般探头会给出自己的电压额定曲线，如下图所示： 图35、输入电容 输入电容就是从探头的探头头部端测量出的电容
2020-02-14 12:16:38
探头的结构形式大多数探头由探头头部、探头电缆、补偿设备或其他信号调节网络和探头连接头组成。如图1所示。图1 探头的结构形式为进行示波器测量，必须先能够在物理上把探头连接到测试点。为实现这一点，大多数探头
2009-02-10 20:58:40
低，可靠性高，在各种应用中非常有助于设备实现更低功耗和小型化。本产品于世界首次※成功实现SiC-SBD与SiC-MOSFET的一体化封装。内部二极管的正向电压（VF）降低70％以上，实现更低损耗的同时
2019-03-18 23:16:12
%的降额要求。另外，在测量MOSFET的DS的电压时候，要保证正确的测量方法。（1）如同测量输出电压的纹波一样，所有工程师都知道，要去除示波器探头的帽子，直接将探头的信号尖端和地线接触被测量位置的两端
2016-09-06 15:41:04
与Si-MOSFET的栅极驱动的不同之处。主要的不同点是SiC-MOSFET在驱动时的VGS稍高，内部栅极电阻较高，因此外置栅极电阻Rg需要采用小阻值。Rg是外置电阻，属于电路设计的范畴。但是，栅极驱动电压
2018-11-27 16:54:24
请问：驱动功率MOSFET，IBGT，SiC MOSFET的PCB布局需要考虑哪些因素？
2019-07-31 10:13:38
。高阻无源探头中还有 2 个特殊的种类。一类是高压探头，其衰减比可达100:1 或 1000:1，所以测量电压范围很大；还有一类是 1:1 的探头，即信号没有衰减就进入示波器，由于不象 10：1
2018-04-02 09:17:49
，分为低频探头和高频探头，低频探头常见的带宽在几百KHz以下，高频探头带宽一般在几MHz以上。 AC电流探头无源与有源的区别： AC无源探头头部实际上是一个线圈，这个线圈缠在磁芯上。当这个探头头部保持在指定方向及接近承载AC电流的导线时，探头
2019-12-24 11:43:015937 P2221是200-MHz无源电压探头，允许使用位于探头头部的一个开关选择1X或10X衰减，兼容MSO2000和DPO2000系列示波器。
2021-02-14 15:57:00620 有经验的工程师都知道，如果我们要使用 数字示波器来进行电源测量的话，就必须先测量MOSFET开关器件漏极、源极间的电压和电流，或IGBT集电极、发射极间的电压。但是如果我们需要完成这一测试测量任务
2021-04-29 15:05:441036 为高共模电压高压差分信号，VGs2为低共模电压低压差分信号，VDS2为高压对地信号。根据信号类型，VGs1、VDs1和 VGs2需采用差分探头测量，VDS2既可采用高阻无源探头测量，也可采用差分探头测量
2021-09-27 08:51:15589 
建立的探头模型和对暂态电压精确测量实验分析 1、实验平台 本文搭建了基于SiC MOSFET C3MO075120K的双脉冲测试平台，以验证所建立的探头模型和对暂态电压精确测量所做的分析，实验平台
2022-03-31 17:32:27611 具有驱动器源极引脚的TO-247-4L和TO-263-7L封装SiC MOSFET，与不具有驱动器源极引脚的TO-247N封装SiC MOSFET产品相比，SiC MOSFET栅-源电压的行为不同。
2022-06-08 14:49:532945 和 MOSFET。目前可提供击穿电压为 600 至 1,700 V、额定电流为 1 至 60 A 的 SiC 开关。这里的重点是如何有效地测量 SiC MOSFET。
2022-07-27 11:03:451512 
DL-ISO 高压光隔离探头具有 1 GHz 带宽、2500 V 差分输入范围和 60 kV 共模电压范围，提供非常高的测量精度和丰富的连接方式，是GaN 和 SiC 器件测试的理想探头。
2022-11-03 17:47:061121 特性和优点： 关键性能指标 500 MHz 探头带宽 探头端部的输入阻抗较大(10MQ，8pF) 10X衰减系数 300VCATII输入电压 易用性 紧凑型探头头部，适合探测小型几何电路元件 探头
2023-01-09 14:39:01367 
从本文开始，我们将进入SiC功率元器件基础知识应用篇的第一弹“SiC MOSFET：桥式结构中栅极－源极间电压的动作”。前言：MOSFET和IGBT等电源开关元器件被广泛应用于各种电源应用和电源线路中。
2023-02-08 13:43:22250 
在探讨“SiC MOSFET：桥式结构中Gate-Source电压的动作”时，本文先对SiC MOSFET的桥式结构和工作进行介绍，这也是这个主题的前提。
2023-02-08 13:43:23340 
上一篇文章中，简单介绍了SiC MOSFET桥式结构中栅极驱动电路的开关工作带来的VDS和ID的变化所产生的电流和电压情况。本文将详细介绍SiC MOSFET在LS导通时的动作情况。
2023-02-08 13:43:23300 
本文的关键要点・通过采取措施防止SiC MOSFET中栅极－源极间电压的负电压浪涌，来防止SiC MOSFET的LS导通时，SiC MOSFET的HS误导通。・具体方法取决于各电路中所示的对策电路的负载。
2023-02-09 10:19:16589 
本文的关键要点・具有驱动器源极引脚的TO-247-4L和TO-263-7L封装SiC MOSFET，与不具有驱动器源极引脚的TO-247N封装SiC MOSFET产品相比，SiC MOSFET栅-源电压的行为不同。
2023-02-09 10:19:20301 
通过驱动器源极引脚改善开关损耗本文的关键要点・具有驱动器源极引脚的TO-247-4L和TO-263-7L封装SiC MOSFET，与不具有驱动器源极引脚的TO-247N封装产品相比，SiC MOSFET的栅-源电压的...
2023-02-09 10:19:20335 
本文的关键要点・如果将延长电缆与DUT引脚焊接并连接电压探头进行测量，在开关速度较快时，观察到的波形会发生明显变化。・受测量时所装的延长电缆的影响，观察到的波形会与真正的原始波形完全不同。
2023-02-09 10:19:21652 
本文的关键要点・探头的连接方法会给波形测量结果带来很大影响。・如果延长线较长，在栅极引脚和源极引脚与测量夹具之间形成的环路会导致观察到的波形与真正的波形完全不同，因此，连接时要确保这个环路最小。
2023-02-09 10:19:22581 
本文的关键要点・在某些位置测量波形时，观测到的波形可能与实际波形不同。・理想的做法是测量位置要应尽可能地靠近DUT，最好在引脚根部。
2023-02-09 10:19:22235 
关键要点 ・除了测量位置之外，探头的安装位置也很重要。 ・如果不慎将电压探头安装在磁通量急剧变化的空间内，就会受到磁通量变化的影响，而体现在观测波形上。 SiC MOSFET栅-源电压测量 探头头部
2023-02-09 21:25:13561 驱动芯片，需要考虑如下几个方面： 驱动电平与驱动电流的要求首先，由于SiC MOSFET器件需要工作在高频开关场合，其面对的由于寄生参数所带来的影响更加显著。由于SiC MOSFET本身栅极开启电压较
2023-02-27 14:42:04
79 时，由于较高的 di/dt 与 du/dt 容易产生电压电流尖峰、振荡、上下管直通或超过负向安全电压，干扰驱动电路输出电压等问题。因此为了保障 SiC MOSFET 安全可靠性的运行，需从驱动侧对 S
2023-02-27 14:43:028 绍的需要准确测量栅极和源极之间产生的浪涌。在这里，将为大家介绍在测量栅极和源极之间的电压时需要注意的事项。我们将以SiC MOSFET为例进行讲解，其实所讲解的内容也适用于一般的MOSFET和IGBT等各种功率元器件，尽情参考。
2023-04-06 09:11:46731 
本文是“SiC MOSFET：栅极－源极电压的浪涌抑制方法”系列文章的总结篇。介绍SiC MOSFET的栅极－源极电压产生的浪涌、浪涌抑制电路、正电压浪涌对策、负电压浪涌对策和浪涌抑制电路的电路板
2023-04-13 12:20:02814 示波器探头是一种用于测量电路中电压信号的工具，电压量程是指探头能够测量的最大和最小电压范围。了解探头的电压量程，可以帮助我们在实际测量电路时进行选择。以下是关于示波器探头电压量程的详细解读
2023-04-17 10:46:323863 
绍的需要准确测量栅极和源极之间产生的浪涌。在这里，将为大家介绍在测量栅极和源极之间的电压时需要注意的事项。我们将以SiC MOSFET为例进行讲解，其实所讲解的内容也适用于一般的MOSFET和IGBT等各种功率元器件，尽情参考。
2023-05-08 11:23:14644 泰克探头是一种常用的测试工具，主要用于测量电流和电压。它的操作方法简单易懂，可以帮助用户快速准确地测量电器设备中的电流和电压，为维护和保养设备提供便利。下面详细介绍一下泰克探头的使用方法。
2023-05-23 11:00:19902 如何选取SiC MOSFET的Vgs门极电压及其影响
2023-12-05 16:46:29483 
SiC设计干货分享（一）：SiC MOSFET驱动电压的分析及探讨
2023-12-05 17:10:21439 
SiC MOSFET：桥式结构中栅极－源极间电压的动作
2023-12-07 14:34:17223 
示波器的测量范围和分辨率。 示波器探头包括探头引线、接头插头、探头底座和探头头部四个部分，探头头部是探测电压波形信号的地方，探头底座是连接示波器的地方，探头引线将被测信号传输到探头头部，接头插头连接到被测电
2023-12-08 10:47:34469 MOSFET对驱动电路有一些基本要求，接下来将详细介绍这些要求。 首先，SIC MOSFET对于驱动电路的电压要求非常严格。由于SIC MOSFET的工作电压通常在几百伏特到数千伏特之间，因此驱动电路需要能提供足够高的电压以确保正常工作。此外，由于SIC MOSFET具有较高的耐压能力
2023-12-21 11:15:49417 MOSFET的基本结构。SIC MOSFET是一种由碳化硅材料制成的传导类型晶体管。与传统的硅MOSFET相比，SIC MOSFET具有更高的迁移率和击穿电压，以及更低的导通电阻和开关损耗。这些特性使其成为高温高频率应用中的理想选择。 SIC MOSFET在电路中具有以下几个主要的作用： 1. 电源开关
2023-12-21 11:27:13687 示波器电流探头可以测量多大电压？ 示波器电流探头是一种用于测量电流信号的工具，它可以将电流转换为可观测的电压信号。然而，实际上示波器电流探头并不能直接测量电压，它只能间接测量电压。 示波器电流探头
2024-01-08 14:55:32347 普通探头如何测量电压？ 普通探头是一种常见的电子测试工具，用于测量电压。本文将详尽、详实、细致地讲解普通探头如何测量电压的原理、使用方法、注意事项等方面的内容。 一、普通探头的原理 普通探头主要
2024-01-08 15:55:40357 示波器无源探头的选择方法及注意事项。 一、了解高频示波器无源探头的基本原理 高频示波器无源探头主要由探头头部、探头引线和示波器连接线等组成。它是一种无源元器件，通过探头头部的尖端感应到被测电路上的信号，然后通过
2024-01-08 16:36:19500 探头对测量可能引起的10种影响 ①探头的带宽对测量系统带宽的影响：滤波效应 ②探头自身的电路对被测电路特性的影响：负载效应/谐振效应 ③探头高、低频电容的补偿效应 ④探头的地线长短、地线的位置、形状
2024-01-15 10:23:39100 
带 宽 考 虑 因 素 带宽是同时涉及探头带宽和示波器带宽的测量系统问题。示波器的带宽应超过要测量的信号的主要频率，使用的探头带宽应等于或超过示波器的带宽。 从测量系统角度看，实际问题是探头头部
2024-01-16 09:51:42210 
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