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电子发烧友网>模拟技术>RGS系列:支持AEC-Q101的车载用1200V耐压IGBT

RGS系列:支持AEC-Q101的车载用1200V耐压IGBT

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2023-02-17 19:53:032

白皮书:GaN FET 技术和 AEC-Q101 认证所需的稳健性-nexperia_whitepaper_...

白皮书:GaN FET 技术和 AEC-Q101 认证所需的稳健性-nexperia_whitepaper_...
2023-02-17 20:08:503

FGL40N120AN-ASEMI大功率IGBT

反向耐压1200V 引脚数量:3 芯片个数:2 最大正向电流:240A 芯片大小: 包装方式:管装 产品类型:IBGT、大功率、高耐压 种类:IGBT 操作温度:-55°C~150°C 产品描述 AS
2023-02-23 15:37:570

国产SIC MOSFET功率器件推出1200V大电流MOSFET获得车规认证

2022年11月,上海瞻芯电子开发的1200V 17mΩ 的碳化硅(SiC) MOSFET通过了车规级可靠性认证(AEC-Q101),该产品为TO247-4封装,最大电流(Ids)可达111A。
2023-03-22 16:47:332073

配备罗姆 1200V IGBT的功率模块

。此次,赛米控丹佛斯向低功率领域推出的功率模块中,采用了罗姆的新产品——1200V IGBT “RGA系列”。今后,双方将继续保持紧密合作,全力响应全球电机驱动用户的需求。 ROHM Co., Ltd. 董事 常务执行官 CFO 伊野和英 (左)   赛米控丹佛斯 
2023-04-26 09:17:51608

RJH1CM5DPQ-E0 数据表(1200V-15A-IGBT / Application: Inverter)

RJH1CM5DPQ-E0 数据表 (1200V - 15A - IGBT / Application: Inverter)
2023-05-15 20:25:590

什么是AEC-Q101认证?——华碧实验室

AEC-Q101认证对象: 晶体管:BJT、MOSFET、IGBT、二极管、Diodes、Rectifier、Zeners、PIN、Varactors 光器件:LEDs、Optocoupler
2023-05-16 15:17:01737

赛米控丹佛斯推出配备罗姆1200V IGBT的功率模块

合作关系。此次,赛米控丹佛斯向低功率领域推出的功率模块中,采用了罗姆的新产品——1200V IGBT “RGA系列”。今后,双方将继续保持紧密合作,全力响应全球电机驱动用户的需求。 ROHM Co., Ltd. 董事 常务执行官 CFO 伊野和英 (左) 赛米控丹佛斯
2023-05-17 13:35:02938

功率器件AEC-Q101如何选择测试项目?认证准备及流程有哪些?

AEC-Q101标准是用于分立半导体器件的,标准全称:Failure Mechanism Based Stress Test Qualification For Discrete
2023-05-31 17:09:082684

陆芯Gen2 IGBT产品通过AEC-Q101认证

尽管当前全球半导体产业处于下行周期,总体市场氛围需求不振,但依然存在IGBT等少数供不应求的领域。消息称,英飞凌、意法半导体国外大厂IGBT交期均在50周以上,产能紧张或将持续至2025年。而这
2023-06-19 15:35:08360

符合AEC-Q101认证的车规级瞬态抑制二极管的特性及应用

Semiware推出符合AEC-Q101认证的车规级TVS管TPSMAJ/SMBJ/SMCJ/SMDJ/5.0SMDJ系列,防护产品系列齐全,以满足高标准的客户需求.
2021-12-08 11:41:13450

功率半导体器件(IGBT、MOSFET和SiC)设计企业:上海陆芯获得第三代IGBT车规级AEC-Q101认证

3月11日,国际独立第三方检测检验和认证机构德国莱茵TV(以下简称“TV莱茵”)向上海陆芯电子科技有限公司(以下简称“上海陆芯”)的第三代IGBT产品颁发了AEC-Q101认证证书。这是上海陆芯汽车
2022-06-21 09:18:39887

车规级AEC-Q认证技术的发展及标准的进化

AEC-Q100、AEC-Q101AEC-Q200这三个标准是最早制订的、也最常被引用的AEC-Q标准。在AEC网站上的“文档”页面列出了37个标准和子标准,其中七个被列为“新New”或“初始版本Initial release”
2022-07-01 09:27:551390

AEC Q101中文版及内容解读(正文部分)

是FAILUREMECHANISMBASEDSTRESSTESTQUALIFICATIONFORDISCRETESEMICONDUCTORSINAUTOMOTIVEAPPLICATIONS翻译过来是基于失效机制对汽车领域应用中分立半导体器件的认证测试AEC-Q101最新的版本是Rev_E,发布于2021年3月
2023-01-13 10:00:291128

AEC-Q101的认证对象和测试项目

USAEC-Q101认证的概念AEC-Q101:车用分立半导体元器件的基于失效机理的应力测试验证。半导体分立器件被广泛应用到消费电子、计算机及外设、网络通信、汽车电子、LED显示屏等领域,而汽车领域
2023-01-13 10:02:03503

瞻芯电子TO263-7封装SiC MOSFET量产,助力高密高效功率变换

瞻芯电子正式量产了一款TO263-7封装的1200V 160mΩ 碳化硅(SiC)MOSFET产品(IV1Q12160D7Z),该产品通过了严格的车规级可靠性测试认证(AEC-Q101)。
2023-06-27 11:29:483175

车规芯片的AEC-Q100测试标准

AEC其实是Automotive Electronics Council汽车电子协会的简称,并且AECQ标准包括以下几个领域,对于不同领域的电子器件,适用于不同的标准。目前见到的比较多的是AEC-Q100、AEC-Q101AEC-Q200。
2023-07-05 11:30:166231

RJH1CM6DPQ-E0 数据表(1200V-20A-IGBT /Application: Inverter)

RJH1CM6DPQ-E0 数据表(1200V - 20A - IGBT /Application: Inverter)
2023-07-12 19:18:350

RJH1CM5DPQ-E0 数据表(1200V-15A-IGBT / Application: Inverter)

RJH1CM5DPQ-E0 数据表 (1200V - 15A - IGBT / Application: Inverter)
2023-07-12 19:18:500

AEC-Q101 标准之TC解读

AEC-Q101标准之TC解读TC(TemperatureCycling)高温循环测试意义在于证实极高温度,极低温度和高温与低温交替作用时,机械应力对于器件焊接性能的作用,标准AEC-Q101
2023-08-30 08:27:50567

安建半导体40V SGT MOSFET产品已经通过AEC-Q101车规全部测试

安建半导体40V SGT MOSFET产品已经通过AEC-Q101车规认证的全部测试。
2023-09-06 17:48:45474

AEC-Q101功率循环测试 简介

功率循环测试-简介功率循环测试是一种功率半导体器件的可靠性测试方法,被列为AEC-Q101与AQG-324等车规级测试标准内的必测项目。相对于温度循环测试,功率循环通过在器件内运行的芯片发热使器件
2023-09-10 08:27:59858

MOSFET符合AEC-Q101标准 采用小型有引脚和无引脚DFN的SMD封装

电子发烧友网站提供《MOSFET符合AEC-Q101标准 采用小型有引脚和无引脚DFN的SMD封装.pdf》资料免费下载
2023-09-26 15:36:081

国星光电SiC-MOSFET器件获得AEC-Q101车规级认证

是车规元器件重要的认证标准之一。对于1200V耐压器件,AEC-Q101在H3TRB(高温高湿反偏试验)考核标准中耐压通常为100V。而在HV-H3TRB(高压高温高
2023-10-24 15:52:32606

国星光电的1200V/80mΩSiC-MOSFET器件成功获得AEC-Q101车规级认证

1200V/10A SiC-SBD(碳化硅-肖特基二极管)器件获AEC-Q101车规级认证后
2023-10-25 18:28:10423

汽车级直插TVS管LDP系列,符合AEC-Q101标准

汽车级直插TVS管LDP系列特性:Glasspassivatedchip6000Wpeakpulsepowercapabilitywitha10/1000μswaveform
2022-01-18 11:32:450

蓉矽半导体1200V SiC MOSFET通过车规级可靠性认证

蓉矽半导体近日宣布,其自主研发的1200V 40mΩ SiC MOSFET产品NC1M120C40HT已顺利通过AEC-Q101车规级测试和HV-H3TRB加严可靠性考核。这一里程碑式的成就不仅彰显了蓉矽半导体在功率半导体领域的技术实力,也进一步证明了其产品在新能源汽车、光伏逆变等高端应用领域的强大竞争力。
2024-03-12 11:06:30228

蓉矽半导体SiC MOSFET通过AEC-Q101车规级考核和HV-H3TRB加严可靠性验证

蓉矽半导体自主研发的1200V 40mΩ SiC MOSFET NC1M120C40HT顺利通过AEC-Q101车规级测试和HV-H3TRB加严可靠性考核,同时通过了新能源行业头部厂商的导入测试并量产交付。
2024-03-12 17:18:21205

SGS为安芯电子、安美半导体颁发了AEC-Q101认证证书

2024年3月22日, 国际公认的测试、检测和认证机构SGS为安芯电子科技股份有限公司(以下简称“安芯电子”)及其子公司安徽安美半导体有限公司(以下简称“安美半导体”)颁发了AEC-Q101认证证书。
2024-03-22 18:21:55373

SGS为华微电子颁发AEC-Q101认证证书

近日,国际公认的测试、检验和认证机构SGS(以下简称为“SGS”)为吉林华微电子股份有限公司(以下简称为“华微电子”)颁发AEC-Q101认证证书。
2024-03-22 18:25:56358

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