PN结及其特性详细介绍
1. PN结的形成
在一块本征半导体在两侧通
2009-11-09 16:09:07
24377 
本文简要比较了下SiC Mosfet管和Si IGBT管的部分电气性能参数并分析了这些电气参数对电路设计的影响，并且根据SiC Mosfet管开关特性和高压高频的应用环境特点，推荐了金升阳可简化设计隔离驱动电路的SIC驱动电源模块。
2015-06-12 09:51:234738 本文我们将根据使用了几种MOSFET的双脉冲测试结果，来探讨MOSFET的反向恢复特性。该评估中的试验电路将使用上一篇文章中给出的基本电路图。另外，相应的确认工作也基于上次内容，因此请结合
2020-12-21 14:25:457583 
MOSFET-MOS管特性参数的理解
2022-12-09 09:12:371868 MOSFET的漏伏安特性（输出特性）：截止区（对应GTR的截止区）;饱和区（对应于GTR的放大区）;非饱和区（对应于GTR的饱和区）。功率MOSFET在开关状态下工作，即截止区域和不饱和区之间的转换
2023-07-04 16:46:37978 
MOSFET的非理想特性对模拟集成电路设计具有重要影响。文章介绍了非理想特性的多个方面，包括电容、体效应、沟道长度调制、亚阈值导通、迁移率下降以及饱和速度和压敏降阈。同时，工艺、电压和温度变化也对晶体管性能产生影响。因此，在模拟IC设计过程中，需要考虑并解决这些非理想特性和外部条件的影响。
2023-11-16 16:15:55767 
本文就MOSFET的开关过程进行相关介绍与分析，帮助理解学习工作过程中的相关内容。首先简单介绍常规的基于栅极电荷的特性，理解MOSFET的开通和关断的过程，然后从漏极导通特性、也就是放大特性曲线，来理解其开通关断的过程，以及MOSFET在开关过程中所处的状态。
2023-12-04 16:00:48549 
关于MOSFET的寄生容量和温度特性关于MOSFET的开关及其温度特性关于MOSFET的VGS(th) (界限値)ID-VGS特性和温度特性关于MOSFET的寄生容量和温度特性MOSFET的静电
2019-04-10 06:20:15
MOSFET是指的什么？MOSFET的特性是什么？MOSFET有哪些应用？
2021-07-09 07:45:34
的。例如，导通时间可解释为“VGS上升到10%后，到MOSFET导通10%的时间”。开关特性的温度特性这些开关时间随着温度上升略有増加趋势。由于温度上升100℃约增加10%左右，因此可以认为几乎没有
2018-11-28 14:29:57
的电压和电流的值称为“阈值”。VGS(th)、ID-VGS与温度特性首先从表示ID-VGS特性的图表中，读取这个MOSFET的VGS(th)。VDS=10V的条件是一致的。ID为1mA时的VGS为VGS
2019-05-02 09:41:04
继上一篇MOSFET的开关特性之后，本篇介绍MOSFET的重要特性–栅极阈值电压、ID-VGS特性、以及各自的温度特性。MOSFET的VGS(th)：栅极阈值电压MOSFET的VGS(th)：栅极
2018-11-28 14:28:20
温度传感器， 在热敏电路、温度补偿应用以及以替代传统热敏技术为目的的各种应用中，温度传感器非常有用。可根据不同输出选择合适的器件： 电压输出， 特性： 温度转换精度可达±0.5°C（典型值
2018-10-30 15:58:02
二极管的伏安特性是什么？温度对二极管的伏安特性有何影响？
2021-10-08 08:55:17
CC6207开关参数特性是什么？
2022-02-23 06:07:32
FP8102特性：独立的线性充电器，用于单节锂离子电池无需外部MOSFET,检测电阻或二极管所需的阻塞
2019-09-17 09:00:52
IIC通讯协议是什么？STM32的IIC特性有哪些？STM32的IIC架构是由哪些部分组成的？
2021-10-14 09:34:26
，SiC-MOSFET在25℃时的变动很小，在25℃环境下特性相近的产品，差距变大，温度增高时SiC MOSFET的导通电阻变化较小。与IGBT的区别：关断损耗特性前面多次提到过，SiC功率元器件的开关特性优异，可处理
2018-12-03 14:29:26
MOSFET－开关特性及其温度特性所谓MOSFET－阈值、ID-VGS特性及温度特性所谓MOSFET－超级结MOSFET所谓MOSFET－高耐压超级结MOSFET的种类与特征所谓MOSFET－高速
2018-11-27 16:40:24
二极管的特征Si晶体管所谓晶体管－分类与特征所谓MOSFET－寄生电容及其温度特性所谓MOSFET－开关特性及其温度特性所谓MOSFET－阈值、ID-VGS特性及温度特性所谓MOSFET－超级结
2018-11-27 16:38:39
;font face="Verdana">在MOSFET开关期间，由于残存电荷的存在，MOSFET会消耗很大的能量。这个开关损耗，会使器件的温度升高
2010-08-10 11:46:47
不同开关稳压器拓扑的噪声特性有哪些
2021-03-11 06:52:31
格，因为他们要在非常规温度下工作。那么受温度影响晶振会发生什么变化呢？受外界的温度影响,造成的晶振偏频和不起振是很正常现象。 晶振的温度特性漂移速度以及漂移量取决于晶振所处的环境温度点、环境的温变速
2017-06-13 15:13:45
什么是堆叠式共源共栅？低阻抗功率半导体开关有哪些关键特性？低阻抗功率半导体开关有哪些应用优势？
2021-06-26 06:14:32
在功率MOSFET的数据表的开关特性中，列出了栅极电荷的参数，包括以下几个参数，如下图所示。Qg(10V)：VGS=10V的总栅极电荷。Qg(4.5V))：VGS=4.5V的总栅极电荷。Qgd：栅极
2017-01-13 15:14:07
，功率MOSFET很少接到纯的阻性负载，大多数负载都为感性负载，如电源和电机控制；还有一部分的负载为容性负载，如负载开关。既然功率MOSFET所接的负载大多数为感性负载，那么上面基于阻性负载的开关特性
2016-12-16 16:53:16
二极管，多数情况下，因其特性很差，要避免使用。功率MOSFET的反向导通等效电路（2）（1）：等效电路（门极加控制）（2）：说明功率 MOSFET 在门级控制下的反向导通，也可用一电阻等效，该电阻与温度
2018-10-25 16:11:27
本帖最后由 977948242 于 2012-8-4 23:52 编辑
元器件的特性及其作用
2012-08-04 23:37:13
系列Hybrid MOS是同时具备超级结MOSFET（以下简称“SJ MOSFET”）的高速开关和低电流时的低导通电阻、IGBT的高耐压和大电流时的低导通电阻这些优异特性的新结构MOSFET。下面为
2018-11-28 14:25:36
是否有白皮书明确规定了如何使用 MosFET 开启特性来抑制浪涌电流？
设计类似于 TLE9853 评估板，H-bridge 具有更大的 Mosfet。
通过模拟感性负载，我们 CAN 控制电流
2024-01-29 07:41:55
MOSFET的开关特性是什么D类MOSFET在射频功放中的应用MOSFET器件的维护和存储
2021-04-22 07:08:48
混合SET/MOSFET 结构与特性是什么？如何利用SET/MOSFET 混合结构的传输特性去设计数值比较器？
2021-04-13 07:12:01
无铅焊锡及其特性无铅焊锡及其特性 和温度、机械、蠕变、疲劳特性一样，熔化温度点是最重要的焊锡特性之一。表四提供了现时能买到的无铅焊锡一览表。 表四、无铅焊锡及其特性 无铅焊锡化学成份 熔点范围 说明
2010-08-18 19:51:30
栅极电阻RG对IGBT开关特性有什么影响？
2021-06-08 06:56:22
您好，我想知道 NXP UCODE 7 芯片内部使用的 MOSFET 的 IV 特性，该 MOSFET 开关用于数据输出链中的反向散射。有人可以提供这些数据吗？非常感谢~
2023-03-31 07:53:20
IIC总线系统结构是怎样组成的？IIC总线有哪些特点呢？STM32的IIC有哪些特性？是由哪些部分组成的呢？
2022-02-28 07:22:29
满足什么特性的开关电源不需要环路补偿？
2019-03-12 13:51:11
没有问题。但是，当深入理解功率MOSFET的转移特性和温度对其转移特性的影响，就会发现，功率MOSFET的正温度系数只有在MOSFET进入稳态完全导通后的状态下才能成立，在开关瞬态的过程中，上述理论
2016-09-26 15:28:01
MOSFET的栅极电荷特性与开关过程MOSFET的漏极导通特性与开关过程
2021-04-14 06:52:09
。但是随着开关频率的提高，会带来EMI特性的恶化，必须采取有效的措施改善电路的EMI特性图 1 MOSFET噪声源1、降低MOSFET的dv/dt1-3中，Rg和Cgd越大，dv/dt越低。1-4中
2020-10-21 07:13:24
此文件描述一般开关电源供应器的测试仪器及其特性。
2010-06-08 08:55:06
36 开关电源磁芯特性摘要: 本文对高频开关电源所用磁芯的特性进行了研究。将磁芯理论与开关电源相结合，简明的阐述了功率磁芯的重要特性。文章解释了温度对磁性能的
2010-06-23 09:41:2359 本文主要研究高频功率MOSFET的驱动电路和在动态开关模式下的并联均流特性。首先简要介绍功率MOSFET的基本工作原理及静态及动态特性，然后根据功率MOSFET对驱动电路的要求，
2010-11-11 15:34:22201 摘要：从功率MOSFET内部结构和极间电容的电压依赖关系出发，对功率MOSFET的开关现象及其原因进行了较深入分析。从实际应用的角度，对功率MOSFET开关过程的功率损耗和所需驱动
2010-11-11 15:36:3853 传感器特性及其标定
静态特性 传感器的动态特性 静、动态特性标定
传感器标定是
2009-05-19 08:39:01965
电路的温度-电压特性
2009-07-08 11:41:24345 
了解PWM IC的温度降额特性以获得系统的最佳性能
摘要：为了获得更高功率密度的DC-DC模块，现代DC-DC转换器大多采用内置MOSFET的PWM控制器。由于功率MOSFET放置在PWM芯片内
2009-07-18 08:38:311306 单向晶闸管的特性及其参数
单向晶闸管的伏安特性曲线如图17-3 所示。从特性曲线上可以看出它分五个区，即反向击穿区、反向阻断区、正向阻断区、负阻区和正向
2009-09-19 16:54:331448 电阻器的种类及其特性
问：我想了解现有电阻器各种类型之间的差别以及在具体应用中如何选
2009-11-09 14:53:041198 理解功率MOSFET的RDS(ON)温度系数特性
通常，许多资料和教材都认为，MOSFET的导通电阻具有正的温度系数，因此可以并联工作。当其中一个并联的MOSFET的温度上升时，具有
2009-11-10 10:53:134381 
软开关的基本特性和类型
基本特性 实现零电压开通的谐振变换器在实际主开关零电压开通的情况下也能实现软关断。实
2010-03-03 15:37:012683 
本文先介绍了基于功率MOSFET的栅极电荷特性的开关过程;然后介绍了一种更直观明析的理解功率MOSFET开关过程的方法：基于功率MOSFET的导通区特性的开关过程，并详细阐述了其开关过程。开关过程中，功率MOSFET动态的经过是关断区、恒流区和可变电阻区的过程。在
2011-03-15 15:19:17557 本文先介绍了基于功率MOSFET的栅极电荷特性的开关过程；然后介绍了一种更直观明析的理解功率MOSFET开关过程的方法：基于功率MOSFET的导通区特性的开关过程，并详细阐述了其开关过程
2011-09-14 17:39:1765 用电阻噪声确定一个低噪声放大器的特性，由SET 的周期振荡特性和MOSFET 的阈值电压特性可构成双栅极SET/MOSFET 通用方波电路[8]，它是构成逻辑门电路的基本单元
2011-09-30 11:08:121469 
NMOS管的开关特性，基础的模拟电路，很好的资料
2016-01-13 14:47:030 激光器电源的基本特性及其对电源的要求
2016-01-20 15:41:2110 超微晶材料的铁损温度特性研究
2016-03-23 17:47:590 功率MOS场效应晶体管技术讲座_功率MOSFET特性参数的理解。
2016-03-24 17:59:0847 SiCBMFET开关特性的仿真研究_张林
2017-01-07 21:45:571 开关电源PCB电磁兼容特性的仿真分析及其改进_陈城
2017-01-08 10:47:213 切削温度实时测量传感器及其特性_于晓洋
2017-01-08 11:37:440 本文详细的对MOSFET的每个特性参数进行分析
2018-03-01 09:14:544661 
基于漏极导通区特性理解mosfet开关过程资料
2018-05-10 10:53:114 MOSFET是电子系统中的重要部件，需要深入了解它的关键特性及指标才能做出正确选择。这些关键指标中，以静态特性和动态特性更为重要，本文主要讨论静态特性。
2018-06-29 11:10:4811150 
1.2 软磁材料磁特性及其参数
2019-04-28 06:00:007069 
电力MOSFET开关概述及工作原理
2019-04-19 06:33:005175 
此HEXFET功率MOSFET专门设计用于维持能量恢复和通过开关应用在等离子显示面板中。此MOSFET利用最新处理技术实现对每个硅区域和低脉冲的电阻。此MOSFET的其他特性是175°共操作结温度和高重复峰值电流能力。
2019-06-17 14:53:5510867 
IGBT ，中文名字为绝缘栅双极型晶体管，它是由 MOSFET （输入级）和 PNP 晶体管（输出级）复合而成的一种器件，既有 MOSFET 器件驱动功 率小和开关速度快的特点（控制和响应），又有
2020-11-17 08:00:008 产品特点
1、优异的开关特性和导通特性；
2、更好的导通电阻温度特性，显著增强器件高温下的电流能力和抗冲击特性；
3、配合先进的封装技术，SGT MOSFET器件有助于提升系统效率和功率密度；
4、另有P-60/-80/-100V SGT MOSFET。
2020-11-26 14:54:432062 
在本文中，我们将讨论与瞬态条件和开关模式操作有关的MOSFET特性。 在上一篇有关低频MOSFET的文章中，我们研究了控制MOSFET稳态工作的参数，例如阈值电压，导通状态电阻和最大漏极电流。这些
2021-03-09 09:49:242355 近几年来，开关电源市场对高能效、大功率系统的需求不断提高，在此拉动下，设计人员转向寻找电能损耗更低的转换器拓扑。PWM移相控制全桥转换器就是其中一个深受欢迎的软硬结合的开关电源拓扑，能够在大功率条件下达取得高能效。本文旨在于探讨MOSFET开关管在零压开关（ZVS）转换器内的工作特性。
2021-03-16 11:24:252358 
MOSFET的开关特性解析|必看 MOS管最显著的特点也是具有放大能力。不过它是通过栅极电压uGS控制其工作状态的，是一种具有放大特性的由电压uGS控制的开关元件。 1、静态特性 MOS管作为开关
2021-07-23 09:44:397320 
电力电子产业未来的发展趋势之一便是使用更高的开关频率以获得更紧密的系统设计，而在高开关频率高功率的应用中，SiC器件优势明显，这就使得SiC MOSFET在5G基站、工业电源、光伏、充电
2021-08-13 18:16:276631 电源EMI特性(开关电源技术与设计考试试题)-主要介绍电源EMI滤波器的技术特性及其选用
2021-09-29 16:31:0930 功率MOSFET特性参数的理解
2022-07-13 16:10:3924 关于SiC MOSFET的并联问题，英飞凌已陆续推出了很多技术资料，帮助大家更好的理解与应用。此文章将借助器件SPICE模型与Simetrix仿真环境，分析SiC MOSFET单管在并联条件下的均流特性。
2022-08-01 09:51:151687 
MOSFET特性参数说明
2022-08-22 09:54:471705 许多工程师第一次使用模拟开关，往往会把模拟开关完全等同于机械开关。其实模拟开关虽然具备开关性，但和机械开关有所不同，它本身还具有半导体特性：
2023-02-06 14:48:111488 
上一章介绍了与IGBT的区别。本章将对SiC-MOSFET的体二极管的正向特性与反向恢复特性进行说明。如图所示，MOSFET（不局限于SiC-MOSFET）在漏极-源极间存在体二极管。
2023-02-08 13:43:20790 
继前篇的Si晶体管的分类与特征、基本特性之后，本篇就作为功率开关被广为应用的Si-MOSFET的特性作补充说明。MOSFET的寄生电容：MOSFET在结构上存在下图所示的寄生电容。
2023-02-09 10:19:241996 
继上一篇MOSFET的开关特性之后，本篇介绍MOSFET的重要特性--栅极阈值电压、ID-VGS特性、以及各自的温度特性。
2023-02-09 10:19:255046 
在SiC MOSFET的开发与应用方面，与相同功率等级的Si MOSFET相比，SiC MOSFET导通电阻、开关损耗大幅降低，适用于更高的工作频率，另由于其高温工作特性，大大提高了高温稳定性。
2023-02-12 16:13:002571 新一代的超结结构的功率MOSFET中有一些在关断的过程中沟道具有提前关断的特性，因此，它们的关断的特性不受栅极驱动电阻的控制，但是，并不是所有的超结结构的功率MOSFET都具有这样的特性，和它们内部结构、单元尺寸以及电压额定等多个因素相关。
2023-02-16 10:39:36581 
本文论述了功率MOSFET管导通电阻的正温度系数和负温度系数的双重特性以及相对应的VGS的转折电压，功率MOSFET管在开通和关断时要跨越这两个区域的工作过程。
2023-02-16 11:22:59717 
半桥 MOSFET 开关及其对 EMC 的影响-AN90011
2023-02-20 18:58:306 关于IGBT、MOSFET、BJT的开关工作特性的基本思想 最近一直在弄实验室一个金属离子源的控制板，其中有一个模块需要完成一个恒流源的可控输出，其负载是金属离子源的远控电流输入口，考虑到金属离子源
2023-02-23 09:55:292 场效应晶体管 (MOSFET) 的温度特性进行了分析， 阐述了本征载流子浓度、 载流子迁移率等参 数受温度的影响机理， 分析了器件阻断特性、 输出特性、 转移特性等参量， 以便找到能够表征结 温特性
2023-04-15 10:03:061454 Nexperia | 了解RET的开关特性
2023-05-24 12:16:30450 
以上就是MOSFET的漏-源极处于正偏置状态基本工作原理，还有必要关注MOSFET在通态时的特性，会出现与结型场效应晶体管一样的线性、过渡、饱和等区域。
2023-06-03 11:22:09836 
二极管的双极电荷影响较小。本文探讨了SiC MOSFET的独有特性以及影响体二极管关断特性的多个影响因素，并且阐明了快速开关应用中SiC MOSFET的反向恢复损耗概
2023-01-04 10:02:071115 
探究快速开关应用中SiC MOSFET体二极管的关断特性
2023-01-12 14:33:03991 MOSFET的漏极导通特性是指在特定的电压和电流条件下，MOSFET允许电流从漏极流过的性质。
2023-08-09 14:41:592247 
电子发烧友网站提供《开关电源的干扰特性及其抑制措施.doc》资料免费下载
2023-10-27 14:19:500 【科普小贴士】MOSFET的性能：电容的特性
2023-11-23 09:09:05507 
【科普小贴士】按结构分类的MOSFET特性摘要
2023-12-13 14:15:07127 
运算放大器的温度特性
2023-12-13 15:19:16249 
功率MOSFET雪崩特性分析
2023-12-04 14:12:36315 
电子发烧友App
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