。 晶体管中的每个层都附有引线。由此产生的端子称为发射极、基极和集电极。底座始终是中间层。 工作原理 晶体管基本上是一个电子开关。电源电压和负载通过集电极和发射极端子接线。在没有对基极端子施加电压
2023-02-16 18:22:30
嗨，我正在使用Planahead 14.6 - 来自Xilinx的人可以在OVERSAMPLE模式下确认Kintex-7中ISERDES原语的实际位顺序输出是什么吗？我问的原因是，由于大多数这种
2020-08-14 08:00:57
此代码在MPLABX V4.05模拟器中失败，但实际工作。有人知道为什么吗？
2020-03-20 09:42:55
（降额曲线）的示例。该曲线是表示在某环境温度下IC可消耗多少功率的图，表示IC芯片在不超出容许温度的范围内可消耗的功率。例如可考虑MSOP8的芯片温度。该IC的保存温度范围为-55[℃]～150
2019-04-16 06:20:13
集电极电流Icq和管压降Uceq基本不变，即Q点在晶体管输出特性坐标平面中的位置基本不变，而且必须依靠Ibq的变化来抵消Icq和Uceq的变化。常用引入直流负反馈或温度补偿的方法使Ibq在温度变化时产生
2021-12-21 10:30:00
应该会由提升，但实际上，高温下，接收灵敏度反而降低了；相反，在低温下，接收灵敏度反而更高，这个时什么原因？（其实对于集成的PA也有类似的现象，PA本身也是由一些基本的晶体管放大电路组成，对于晶体管来说
2020-06-17 19:57:49
关于晶体管ON时的逆向电流在NPN晶体管中，基极 (B) 被偏置为正，集电极 (C) 被偏置为负，由发射极 (E) 流向C的是逆电流。1. 不用担心劣化和损坏，在使用上是没有问题的2. NPN-Tr
2019-04-09 21:27:24
是，最大输出电流时产生0.2 V压降。功率场效应管可以无需任何外接元件而直接并联，因为其漏极电流具有负温度系数。
1、晶体管的Vbe扩散现象是什么原理，在此基础上为什么要加电阻？
2、场效应管无需任何外接
2024-01-26 23:07:21
下是否在下降的SOA范围内？*1 按照使用环境温度或因晶体管发热温度上升时的元件温度来考虑。确认安全工作区域 (SOA) 2由于通常的安全工作区域 (SOA) 是在常温 (25ºC) 下的数据，所以
2019-04-15 06:20:06
晶体管图示仪器是用来测量晶体管输入、输出特性曲线的仪器。在实验、教学和工程中通过使用图示仪，可以获得晶体管的实际特性，能更好的发挥晶体管的作用。
2021-05-07 07:43:17
的hFE档测量。测量时，应先将万用表置于ADJ档进行调零后，再拨至hFE档，将被测晶体管的C、B、E三个引脚分别插入相应的测试插孔中（采用TO-3封装的大功率晶体管，可将其3个电极接出3根引线后，再分
2012-04-26 17:06:32
或FET电路的必要性 1．1．1 仅使用IC的场合 1．1．2 晶体管电路或FET电路的设计空间 1．2 晶体管和FET的工作原理 1．2．1 何谓放大工作 1．2．2 晶体管的工作原理 1．2．3
2009-11-20 09:41:18
等同hFE，甚至相差很大，所以不要将其混淆。β和hFE大小除了与晶体管结构和工艺等有关外，还与管子的工作电流（直流偏置）有关，工作电流IC在正常情况下改变时，β和hFE也会有所变化；若工作电流变得过小或
2018-06-13 09:12:21
是基于代表性的特性进行的，因此存在个别不吻合的内容。请理解为整体的倾向、特征。另外，这些晶体管的结构、工作原理与代表性的参数如下。双极晶体管（图中以NPN为例）由PN结组成，通过在基极流过电流，而在集电极
2018-11-28 14:29:28
相对于晶体管的主要评估项目的特征。 对于各项目的评估是基于代表性的特性进行的，因此存在个别不吻合的内容。请理解为整体的倾向、特征。另外，这些晶体管的结构、工作原理与代表性的参数如下。 双极晶体管
2020-06-09 07:34:33
控制大功率现在的功率晶体管能控制数百千瓦的功率，使用功率晶体管作为开关有很多优点，主要是；(1)容易关断，所需要的辅助元器件少，(2)开关迅速，能在很高的频率下工作，(3)可得到的器件耐压范围从
2018-10-25 16:01:51
。 （3）微变等效电路只适用于低频小信号放大电路，只能用来计算交流分量，不能计算总的瞬时值和静态工作点。 （4）晶体管的输入电阻 RbE（hie）一般可用下列近似公式进行估算： 式中 表示晶体管
2021-05-25 07:25:25
晶体管的电参数可分为哪几种？晶体管的电参数在实际使用中有何意义？
2021-06-08 06:11:12
在所有电源前加一负号即可得出相同的结论），即晶体管的两个PN结均处于正偏状态。由此可以得出晶体管饱和的定义：当晶体管的两个PN结均处于正偏时，此晶体管就处于饱和状态。在实际的放大应用中，如果放大电路
2012-02-13 01:14:04
关于晶体管ON时的逆向电流在NPN晶体管中，基极 (B) 被偏置为正，集电极 (C) 被偏置为负，由发射极 (E) 流向C的是逆电流。1. 不用担心劣化和损坏，在使用上是没有问题的2. NPN-Tr
2019-05-09 23:12:18
之一，在重要性方面可以与印刷术，汽车和电话等的发明相提并论。晶体管实际上是所有现代电器的关键活动（active）元件。晶体管在当今社会的重要性主要是因为晶体管可以使用高度自动化的过程进行大规模生产的能力
2010-08-12 13:57:39
基区中由发射结逐渐流向集电结，形成集电极电流;最后，由于集电结处存在较大的反向电压，阻止了集电区的自由电子向基区进行扩散，并将聚集在集电结附近的自由电子吸引至集电区，形成集电极电流。2.场效应晶体管
2016-06-29 18:04:43
温度降额的计算 结点到表面的热阻Rjc(℃/W) 10 开关管的最高工作温度Tmax-spec(℃) 150 高温测得的开关管表面温度Tmax(℃) 81.8 89.8 开关管的实际温度降额(%) 59.9
2011-06-10 10:20:45
ASEMI 整流桥GBPC3510压降是在什么范围内的？
2017-08-18 16:22:53
CH571F做AD时 用到内部1.05V 做基准电压，手册值给出 25℃的测试数据(1.035-1.065）)，请问,实际工作时 产品温度范围在零下30度~零上70度的范围，这个温度范围内，芯片内部的ADC参考电压的变化范围是否也是（1.035-1.065之间呢）
2022-07-25 07:17:14
变化的β倍， 也就是说，电流变化放大了β倍，所以我们称之为β晶体管的放大倍率（β一般远大于1）。如果我们在基极和发射极之间增加一个变化的小信号，它会导致基极电流Ib的变化。Ib的变化被放大后，会导致
2023-02-08 15:19:23
晶体管是现代电子产品的基本组成部分之一。在二极管教程中，我们看到简单的二极管由两块半导体材料组成，形成一个简单的pn结。而晶体管是通过背靠背连接两个二极管而形成的三端固态器件。因此，它有两个PN结
2023-02-15 18:13:01
各位大侠及朋友： 小弟在最近工作中遇到一些问题，希望大家赐教 1、有一次新画一块板子，结果发现选取对象时，不能准确选取（有点像选取精度不精确），也就是：鼠标放在想选取的目标上点击，却选中旁边的目标
2014-07-23 19:09:33
一、引言PNP 晶体管是双极结型晶体管（BJT）。PNP晶体管具有与NPN晶体管完全不同的结构。在PNP晶体管结构中，两个PN结二极管相对于NPN晶体管反转，使得两个P型掺杂半导体材料被一层薄薄的N
2023-02-03 09:44:48
能够在高输出功率电平下承受严苛的负载失配状况而不降低性能或造成器件故障。当晶体管工作在负载失配状态下时，它的输出功率有很大一部分会被反射进器件，此时功率必须在晶体管中耗散掉。但在比较不同耐用性的晶体管时，重要的是检查不同器件制造商达到其耐用性结果的条件，因为不同制造商的测试条件可能有很大变化。
2019-06-26 07:11:37
德州仪器(TI)宣布推出一款准确度在+/-1℃范围内的远程结温传感器与本地温度传感器集成一体的器件——TMP411，用于监控CPU、微处理器、图形处理单元与FPGA中的热敏二极管。该器件的独特
2018-12-03 10:41:26
的必要性晶体管和FET的工作原理晶体管和FET的近况第二章 放大电路的工作观察放大电路的波形放大电路的设计放大电路的性能共发射极应用电路第三章 增强输出的电路观察射极跟随器的波形电路设计射极跟随器的性能射极
2017-07-25 15:29:55
工程设计人员提供参考，但是由于功率管参数的分散性和工作状态(如工作频率、温度、偏置、电源电压、输入功率、输出功率等)发生变化的情况下，手册上的参数就和实际情况有很大的偏差。有时候为了降低产品的功耗，必须
2019-06-04 08:21:06
由BTI带来的功耗降低是比较显着的。 在实际芯片测试中，使用5年后泄漏电流大约降低11%。实际的电子系统功耗降低能否达到期望的程度还不知道，但至少晶体管老化与功耗降低的关联理论上是说得通的。这是
2017-06-15 11:41:33
在功率半导体中，设计工程师使用安全工作区（SOA）来确定是否可以安全地操作器件，如功率金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET），二极管或绝缘栅双极晶体管（ IGBT）在其应用中的电流和电压
2019-07-30 22:47:52
按工作电压的极性可分为NPN型或PNP型。》 双极结型晶体管“双极”意味着电子和空穴在工作的同时都在运动。双极结型晶体管，又称半导体三极管，是通过一定工艺将两个PN结组合在一起的器件。PNP和NPN有
2023-02-03 09:36:05
法，使用氨而不是更常见的氮来减少氮化镓晶体管在高温退火过程中的表面损伤（见图4）。我们通过优化离子能量、剂量、活化退火热预算和金属退火后热预算，实现了注入区在良好欧姆接触和方阻方面都有优良的结果（见表2
2020-11-27 16:30:52
目前制造的大功率射频晶体管比以往任何时候都更坚实耐用。针对特高耐用性设计的器件可以承受严重的失配，即使在满输出电平时也是如此。现在多家制造商可提供大功率硅横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)晶体管
2019-08-22 08:14:59
功率晶体管的功率适用范围为什么是由它的安全工作区（SOA）来决定的？影响SOA功耗及散热器的因素有哪些？你知道功率放大器的使用极限在哪里吗？
2021-04-14 06:38:16
效应。由于IDT效应在低电压范围内持续存在，我认为在virtex系列器件上执行相同的操作，但在xilinx论坛的一条消息中，提到在xilinx ISE中从sartan 6器件开始禁用降额选项。所以
2020-03-20 07:56:08
的规则，则可以互换使用NPN和PNP晶体管。双极晶体管实际上是两个背靠背连接的二极管，基极用作公共连接。PNP 结点如何工作？PNP晶体管是由夹在两个P型半导体之间的N型半导体组成的双极结型晶体管
2023-02-03 09:45:56
器件，又称巨型晶体管或电力勗体管，简称GTR。它从本质上讲仍是晶体管，因而工作原理与一般晶体管相同。但是，由于它主要用在电力电子技术领域，电流容量大，耐压水平高，而且大多工作在开关状态，因此其结构
2018-01-15 11:59:52
器件，又称巨型晶体管或电力勗体管，简称GTR。它从本质上讲仍是晶体管，因而工作原理与一般晶体管相同。但是，由于它主要用在电力电子技术领域，电流容量大，耐压水平高，而且大多工作在开关状态，因此其结构
2018-01-25 11:27:53
、功率MOSFET实际工作条件在实际的工作中，功率MOSFET的TC的温度，也就是器件下面铜皮的温度，绝对不可能为25℃，通常远远高于25℃，有些应用达到100-120℃，一些极端的应用甚至会更高，这样
2016-10-31 13:39:12
的奥秘 降额曲线中就有一种常见的热限值，该热限值可以在大多数的功率模块数据表中看到。降额曲线能够显示在不同环境温度下可拉电流或功率的大小，同时仍然保持功率模块在其温度规格范围内(通常低于125°C
2018-10-23 16:09:40
在烧写程序时我们选定"Xtal(MHz)"的大小，但是不知道如何计算单片机的实际工作频率还有一个问题就是：89c52的芯片支持6T/机器周期和12T/机器周期，但是咋样才能知道自己学要的是6T还是12T？求大师赐教。。。。。。。。。。。
2012-07-20 21:38:57
如果平衡电阻与发射极串联，则双极晶体管（BJT）可以并联连接。随着温度的升高，BJT通常会变得更具导电性。以下MMBT2222A数据表中的示例显示了该器件的典型增益如何随温度在允许的工作范围内变化而
2018-10-26 14:45:42
`在电子元器件行业，场效应晶体管一直被誉为开关电路的“神器”，那是因为场效应晶体管具有噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成等优点，所以在开关电路中迅速走红， 可是一提起场效应晶体管在电路中的有何特别
2019-04-16 11:22:48
等于或大于1W、小于5W的晶体管被称为中功率晶体管，将PCM等于或大于5W的晶体管称为大功率晶体管。（三）频率特性晶体管的电流放大系数与工作频率有关。若晶体管超过了其工作频率范围，则会出现放大能力减弱
2012-07-11 11:36:52
区域，而粉红色阴影区域表示截止区域。 图1. 晶体管工作区 这些区域定义为： • 饱和区域。 在这个区域，晶体管将偏置最大基极电流，用于在集电极上实现最大电流，在集电极-发射极处实现最小压降
2023-02-20 16:35:09
什么是微波功率晶体管？如何提高微波功率晶体管可靠性？
2021-04-06 09:46:57
。晶体管的正确直流偏置还会通过使用两个或四个电阻偏置网络的实际偏置电路来建立其初始交流工作区域。在双极型晶体管电路中， 对于NPN晶体管，Q点由（V CE，I C）表示， 对于PNP晶体管，Q点由
2020-11-12 09:18:21
嗨，我已经使用ADS 2009很长一段时间了，现在正考虑换到新版本。在ADS2012版本中找到真正的晶体管模型时遇到了问题。我曾经通过元件列表访问2009版的实际晶体管模型，例如晶体管2N2222A
2019-02-26 07:19:08
) !important]④ 大气温度条件下，降额后在SOA范围内吗？ 是[color=rgb(69, 114, 193) !important]⑤ 单脉冲？1. 测定实际的电流、电压波形确认电流
2019-05-05 09:27:01
和耐用性，如果需要时还应进行不确定度评估。应用实验数据真实地证明方法的适用性、准确性和灵敏性。 1. 非标方法的确认 在《实验室资质认定评审准则》5.3.5条款中规定：实验室自行制订的非标方法，经确认后
2017-11-14 14:39:11
目前制造的大功率射频晶体管比以往任何时候都更坚实耐用。针对特高耐用性设计的器件可以承受严重的失配，即使在满输出电平时也是如此。现在多家制造商可提供大功率硅横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)晶体管
2019-08-22 06:13:27
放大电路实验-实际使用（数字电源-信号源-示波器）教学放大电路实验-实际使用（数字电源-信号源-示波器）
2021-12-30 08:05:16
℃，因此在实际设定和使用SOA时，一定要根据实际条件来对SOA限定条件进行修正和降额。例如，在不同的工作温度、不同的脉冲电流或脉冲宽度条件下，RDS(ON)的值都会不同。在功率MOSFET的数据手册中通常都
2020-04-22 07:00:00
)条件下，数字晶体管中流过的电流值定义为IO。如您所知，绝对最大额定值被定义为"不能同时提供2项以上"，仅用IC标记没有问题，但结合客户实际使用状态，合并标记为IO。因此电路设计
2019-04-22 05:39:52
额定值，在不超过VIN(max)条件下，数字晶体管中流过的电流值定义为IO。如您所知，绝对最大额定值被定义为"不能同时提供2项以上"，仅用IC标记没有问题，但结合客户实际使用状态，合并
2019-04-09 21:49:36
电容在波形上升、下降时基极电流变大，加速开关过程。在实际当中晶体管由截止状态到导通状态的时间也缩短了，仿真的结果稍有偏差。在实际应用中，加速电容的值要通过观察开关波形来决定。加速电容是一种与减小R1值
2023-02-09 15:48:33
一般厂家的模块电源都有几个温度范围产品可供选用：商品级、工业级、军用级等，在选择模块电源时一定要考虑实际需要的工作温度范围，因为温度等级不同材料和制造工艺不同价格就相差很大，选择不当还会
2021-11-17 08:28:02
，例如在线路浪涌的情况下，松下X-GaN器件的设计具有很大的漏极 - 源极击穿极限。实际上，当前可用的符合600V操作的晶体管的静态场依赖击穿电压在900V至1kV的范围内（图7）。作为副作用，它允许
2023-02-27 15:53:50
求大佬分享一款适用于激光及MRI的宽带LDMOS晶体管
2021-06-08 06:29:42
。在数字设备中，肯定会使用大规模集成电路，所以不会采用电子管。 通过以上的内容可以看到，电子管与晶体管在结构与工作方式上都存在着较大的区别，这就导致了两者在应用范围上的不同，显然适应性更加广泛的晶体管将逐渐取代传统电子管是必然的发展方向，但在某些特定的设计或者场合中仍需使用电子管。
2016-01-26 16:52:08
等同于没有用处。降额曲线中就有一种常见的热限值，该热限值可以在大多数的电源模块数据表中看到。降额曲线能够显示在不同环境温度下可拉电流或功率的大小，同时仍然保持电源模块在其温度规格范围内（通常低于125°C
2019-08-21 04:45:14
，该热限值可以在大多数的电源模块数据表中看到。降额曲线能够显示在不同环境温度下可拉电流或功率的大小，同时仍然保持电源模块在其温度规格范围内（通常低于125°C）。图1所示为2A TPS82140
2022-11-11 06:24:12
因小失大。 一、电源的工作温度范围和成本、可靠性问题 一般厂家的模块电源都有几个温度范围的产品可供选用：商品级、工业级、军用级等，在选择模块电源时，一定要考虑实际需要的工作温度范围，因为温度等级
2015-12-28 18:01:25
电路仿真正常，可是实际工作输出总是0vb点总是有负0.5v电压。请高手帮助分析下
2018-08-18 11:58:22
高压发生器的方法，又具有功率晶体管GP通态电压低、耐压高和电流容量大的优点，为电压控制通断的自关断器件，其频率特性介于MOSFET与功率晶体管之间，可正常工作于数十kHz频率范围内，功率元件IGBT
2018-11-27 11:04:24
绝缘栅双极晶体管IGBT又叫绝缘栅双极型晶体管。一．绝缘栅双极晶体管IGBT的工作原理： 半导体结构分析略。本讲义附加了相关资料，供感兴趣
2009-05-12 20:44:23
所需的组件，降低系统成本，提高可靠性。 英飞凌新型功率晶体管PTVA127002EV非常适用于空中交通管制应用和气象观察应用的L波段雷达系统。雷达系统在特定频率范围内发射高能电子脉冲，然后检测脉冲
2018-11-29 11:38:26
，随着前面三个简单电路的分析，引出了在使用晶体管的过程中基本需要注意的几个主要因素：hFE（ DC Current Gain）；IC（ Collector Current - Continuous
2016-06-03 18:29:59
，使场效应晶体管不会失效。就选择场效应晶体管而言，必须确定漏极至源极间可能承受的最大电压，即最大VDS。知道场效应晶体管能承受的最大电压会随温度而变化这点十分重要。我们须在整个工作温度范围内测试电压
2019-04-02 11:32:36
中，电阻大的一次，红表笔接的就是B1极。应当说明的是，上述判别B1、B2的方法，不一定对所有的单结晶体管都适用，有个别管子的E--B1间的正向电阻值较小。不过准确地判断哪极是B1，哪极是B2在实际使用
2013-05-27 15:23:44
代码版本控制对于我们嵌入式软件开发岗是一项基础、必备的技能，需要熟练掌握。实际工作中常用的版本控制系统有：Git（分布式版本控制系统）与SVN（集中式版本控制系统）。 本次分享Git在实际工作中
2020-09-14 18:12:28
2257 代码版本控制对于我们嵌入式软件开发岗是一项基础、必备的技能，需要熟练掌握。实际工作中常用的版本控制系统有：Git（分布式版本控制系统）与SVN（集中式版本控制系统）。
2020-09-21 09:54:232869 
使晶体管工作会产生电气负载和热负载。对晶体管来讲，负载太大寿命会缩短，最坏的情况下会导致晶体管被破坏。 为防止这种情况，需要检查实际使用状态，并确认在使用上是否有问题。这里说明一下具体的判定方法
2021-08-18 09:18:201873 
从本章开始进入新篇章--“实际工作中的适用性确认”。在电路设计中，通常会基于电路要求，参考技术规格书的规格来选择适合的晶体管。然而，实际试制后，非常有可能发生从电路图无法预测的瞬态现象、超乎预期的波动、余量不足等问题。
2023-02-10 09:41:03167 
在本章中将介绍判断所选的晶体管在实际工作中是否适用的方法和步骤。 本篇介绍右侧流程图的②确认在绝对最大额定值范围内。
2023-02-10 09:41:03180 在本章中将介绍判断所选的晶体管在实际工作中是否适用的方法和步骤。 本篇将介绍右侧流程图的③确认在SOA（安全工作区）范围内。
2023-02-10 09:41:04348 在本章中介绍判断所选的晶体管在实际工作中是否适用的方法和步骤。 本文将介绍右侧流程图的“⑥确认平均功耗在额定功率范围内”。由于这一系列是以开关工作为前提介绍的，因此在第⑤步选择的是“连续脉冲”。
2023-02-10 09:41:04166 在本章中介绍判断所选的晶体管在实际工作中是否适用的方法和步骤。 本文将对虽然右侧流程图中没有提及，但在下面项目中有的第⑦“确认芯片温度”进行说明。
2023-02-10 09:41:04459 在本章中介绍了判断所选的晶体管在实际工作中是否适用的方法和步骤。本文将进行最后的汇总。 前面按照右侧流程图及下列各项确认了所选晶体管在实工作条件下是否适用，以及是否是在确保充分的可靠性和安全的条件下工作。
2023-02-10 09:41:05173 1. 测定实际的电流、电压波形 确认电流、电压 用示波器确认晶体管上的电压、电流。 需要全部满足规格书上记载的额定值，特别应该确认下列项目。 特别应该确认的项目 晶体管的种类 电压 电流 双极晶体管
2023-03-23 16:52:27762 
3. 是否在SOA范围内？ 确认安全工作区域 （SOA *1） 1 安全工作区域（SOA）表示晶体管可安全工作的区域。 不过，SOA只是关于1脉冲的数据，在脉冲反复混入时，需要所有脉冲都进入SOA
2023-03-23 16:55:09739 
看似简单的光耦电路，实际使用中应该注意些什么？
2023-12-05 14:45:21219 
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