过双脉冲测试评估MOSFET的反向恢复特性 某些情况下，即使使用高速MOSFET也无法降低导通损耗”。本文就其中一个原因即误启动现象进行说明。 什么是误启动现象 误启动是因MOSFET的各栅极电容
2020-12-16 15:03:33
2009 
双脉冲测试是广泛应用于MOSFET和IGBT等功率开关元件特性评估的一种测试方法。
2020-12-21 14:58:076812 
上一篇文章的内容来阅读本文。 通过双脉冲测试评估MOSFET反向恢复特性 为了评估MOSFET的反向恢复特性，我们使用4种MOSFET实施了双脉冲测试。4种MOSFET均为超级结MOSFET（以下简称“SJ MOSFET”），我们使用快速恢复型和普通型分别进行了比较。 先来看具有快速恢复
2020-12-21 14:25:457583 
反向恢复过程： 通常把二极管从正向导通转为反向截止所经过的转换过程称为反向恢复过程 。由于反向恢复时间的存在，使二极管的开关速度受到限制。 试想一下，如果二极管的反向恢复时间长，那就
2022-12-10 17:06:3814762 
碳化硅二极管是单极器件，因此与传统的硅快速恢复二极管(硅FRD)相比，碳化硅二极管具有理想的反向恢复特性。当器件从正向切换到反向阻断方向时，几乎没有反向恢复功率，反向恢复时间小于20ns，甚至600V10A碳化硅二极管的反向恢复时间也小于10ns。
2023-02-08 17:23:231749 
除了上面的伏安特性曲线以外，对于二极管，你还需要知道两个特性：二极管电容和反向恢复时间。这两个特性掌握了之后，那对于通常的二极管来说，你该知道的基本上就算都知道了。
2023-02-14 11:44:27649 
超快恢复二极管是一种具有开关特性好、反向恢复时间超短的半导体二极管，常用来给高频逆变装置的开关器件作续流、吸收、箝位、隔离、输出和输入整流器，使开关器件的功能得到充分发挥。超快恢复二极管是用电设备
2023-07-08 10:08:331016 
基于桥式结构的功率MOSFET，例如半桥、全桥和LLC的电源系统，同步Buck变换器的续流开关管、以及次级同步整流开关管， 其体内寄生的二极管都会经历反向电流恢复的过程。
2023-12-04 16:05:40822 
之一，原因在于基本所有的LCC和LLC谐振线路，在启动过程中，前几个周期都会存在二极管反向恢复过程中另一个MOSFET已经开通，这个时候就会通过很大的di/dt，如果寄生的反向二极管能力不够，MOSFET就会击穿而失效。另外寄生二极管的正向电流If是源漏电压Vsd的函数，如下：
2018-07-12 11:34:11
脉冲下当做开关使用。如果反向脉冲的持续时间比tr 短, 则二极管在正、反向都可导通, 起不到开关作用。因此了解二极管反向恢复时间对正确选取管子和合理设计电路至关重要。开关从导通状态向截止状态转变
2019-12-03 10:16:05
时间如下图所示，快恢复二极管的反向恢复时间是电流从正向通过零点到反向，再从反向到规定的低值的时间间隔。其实就是释放快恢复二极管正向导通期间储存在PN结扩散电容中的电荷。反向恢复时间决定了快恢复二极管可用
2021-07-30 14:33:17
支持大功率、小功率快恢复二极管FRD和肖特基二极管的TRR反向恢复时间测试,且支持MOSFET/IGBT的寄生二极管/内建二极管。该系统设备可以实时观察测试曲线，存储测试数据，自动分析反向恢复时间相关
2023-01-15 09:31:46
本帖最后由 aikstech666 于 2023-1-15 09:41 编辑
通过DI-1nS-1n4148测试三款二极管反向恢复时间，测试结果如下：
2022-11-19 14:21:22
利用IGBT双脉冲测试电路，改变电压及电流测量探头的位置，即可对IGBT并联的续流二极管（下文简称FRD）的相关参数进行测量与评估。一、FRD工作时的风险评估IGBT模块中的并联FRD，是一个
2019-09-27 14:04:00
过程是否有电压尖峰，评估实际应用是否需要吸收电路；5、评估二极管的反向恢复行为和安全裕量；6、测量母排的杂散电感；双脉冲测试原理图1 双脉冲测试平台的电路及理想波形IGBT双脉冲测试的实测电路及电路拓扑
2019-09-11 09:49:33
上面介绍的失效机制，其实有很多应对方法，简单的有选择体二极管反向恢复特性较好的MOSFET，或者在电路上或电路架构上进行优化，甚至有些芯片已经集成了硬开关和容模保护等功能，这些就不详细展开了。
2016-12-12 15:26:49
相比，在启动过程中，这些空电容会使低端开关Q2的体二极管深度导通。因此流经开关Q2体二极管的反向恢复电流非常高，致使当高端开关Q1导通时足够引起直通问题。启动状态下，在体二极管反向恢复时，非常可能发生
2019-09-17 09:05:04
满足了发生反向恢复的条件。D1的反向电流iD1叠加上负载电流iload就会在S2的集电极电流上表现为电流尖峰，如图2所示。 图2. 双脉冲测试波形 关于二极管反向恢复特性更为详细的测试说明，大家
2020-12-08 15:44:26
上一章介绍了与IGBT的区别。本章将对SiC-MOSFET的体二极管的正向特性与反向恢复特性进行说明。如图所示，MOSFET（不局限于SiC-MOSFET）在漏极-源极间存在体二极管。从MOSFET
2018-11-27 16:40:24
需要谈到在半导体中移动的电子和空穴。先通过波形图来了解SiC-SBD和Si-PND反向恢复特性的不同。右侧波形图为SiC-SBD和高速PND即Si-FRD反向恢复时的电流和时间。从波形图可见红色
2018-11-29 14:34:32
进行了比较，通过实验及仿真得出有用的结论。1 二极管反向恢复原理以普通PN结二极管为例，PN结内载流子由于存在浓度梯度而具有扩散运动，同时由于电场作用存在漂移运动，两者平衡后在PN结形成空间电荷区。当
2017-08-17 18:13:40
——测试平台搭建泰克推出了IGBT Town功率器件支持单脉冲，双脉冲及多脉冲测试方案，集成强大的发生装置，数据测试装置及软件。用户可以自定义测试条件，测试项目包含：Toff, td(off), tf
2020-02-14 11:16:06
本帖最后由 熊宇豪 于 2022-2-16 16:45 编辑
`在学习评估板的user guide之后，了解其基本功能和组成电路组成，首先对SiC管做双脉冲测试考察其开关特性。对于双脉冲测试
2020-06-18 17:57:15
单片机 定时器PWM输出。HS端口 MOSFET 的双脉冲测试原理图测试上电顺序负载电感自己绕制空心电感，多个电容串并联。测试波SCT3040KRElectrical characteristics```
2020-07-26 23:24:05
为什么普通整流二极管都没标反向恢复时间？
2023-04-20 16:43:24
二极管是单向导通，那么反向恢复时间是什么，需要怎么测试
2023-09-27 07:51:57
什么是反向恢复过程？二极管在开关转换过程中出现的反向恢复过程是由于什么原因引起的？
2021-06-29 07:28:24
)：1.5V芯片尺寸：120MIL浪涌电流Ifsm：300A漏电流(Ir)：10uA工作温度：-50~+150℃恢复时间(Trr)：35nS引线数量：3 二极管SFF3006反向恢复过程，现代脉冲电路中大
2021-11-30 16:28:50
以AC/DC Boost开关电源为例，如图1所示，主电路中输人整流桥二极管产生的反向恢复电流的di/dt远比输出二极管D反向恢复电流的|di/dt|要小得多。图2是图1开关电源中输人整流桥二极管
2021-06-30 16:37:09
上一篇文章我们详细讨论了二极管的结电容：势垒电容和扩散电容。我们也知道了数据手册中所给出的结电容参数，它的大小和反向恢复时间没有关系。如下表所示：序号种类型号结电容反向恢复时间封装品牌1普通
2021-10-18 10:28:06
一、二极管的反向恢复时间①举例理解如上图，在二极管正极输入正负脉冲方波信号，理想二极管输出应该是高电平和低电平，但实际上二极管有一个反向恢复时间trr。如上图，在电压从正向突然变成负向的瞬间，二极管
2023-02-15 14:24:47
转换器内所使用的MOSFET体二极管的反向恢复。氮化镓—GaN器件不会表现出反向恢复特性，并因此避免了损耗和其它相关问题。借助于我的LMG5200和一个差不多的基于硅FET的TPS40170EVM-597
2018-09-03 15:17:44
转换器内所使用的MOSFET体二极管的反向恢复。氮化镓—GaN器件不会表现出反向恢复特性，并因此避免了损耗和其它相关问题。借助于我的LMG5200和一个差不多的基于硅FET的TPS40170EVM-597
2022-11-17 06:32:52
或者说过程，我们称之为反向恢复过程。只要是双极型器件，就会有非平衡载流子的注入，那么就存在所谓的反向恢复过程。这种特性严重限制了器件在高频需求下的性能，我们要做的就是研究并减小反向恢复这个过程的时间。(a
2023-02-14 15:46:54
二极管反向恢复时间测试仪 长春艾克思科技有限责任公司满足国家标准：GB/T8024-2010，使用矩形波法测试反向恢复时间。一：主要特点A：测量多种二极管B：二极管反向电流峰值100A（定制）C
2015-03-05 09:30:50
在启动期间，由于反向恢复dv/dt，零电压开关运行可能会丢失并且MOSFET可能发生故障。 在启动之前谐振电容和输出电容完全放电。这些空电容导致Q2体二极管进一步导通并且在Q1导通前不会完全恢复
2019-01-15 17:31:58
如何选择开关电源次级输出的整流二极管的反向恢复时间？
2023-05-15 17:47:45
快恢复二极管反向恢复时间（tr）的定义：电流通过零点由正向转换到规定低值的时间间隔。它是衡量高频续流及整流器件性能的重要技术指标。在快恢复二极管里，IF为正向电流，IRM为最大反向恢复电流。Irr
2021-05-14 14:12:50
10mA；通过电位器螺丝刀，调节反向恢复电流20mA。二极管具有方向，方向如果接得不对，接入错误指示灯亮，此时更换二极管方向第五步：示波器读数。将抓取到的测试波形进行展开为25nS一格，得到如下图所示的波形
2015-03-11 14:02:20
已经上传了驱动部分的原理图，我刚进一个做MOS的公司，有个客户是这样的，他说我们的管子温度比他的高了20度，MOS的Trr和Qrr都比较大，反向恢复损耗比较高，有什么办法可以降低吗，让MOS的温度的降下来
2019-09-11 04:23:31
`<div> 揭秘肖特基二极管的反向恢复时间 肖特基二极管和一般二极管的差异在于反向恢复时间，也就是肖特基二极管由流过正向电流的导通状态，切换到不导通状态所需的时间
2018-11-02 11:54:12
整流二极管的反向恢复过程
2021-01-08 06:22:44
的IGBT 的性能。（2）获取IGBT 在开关过程的主要参数，以评估Rgon及Rgoff 的数值是否合适，评估是否需要配吸收电路等。（3） 考量IGBT在变换器中工作时的实际表现。例如二极管的反向恢复
2021-02-25 10:43:27
+TCP0030A+IGBT town软件五、方案优势：1.可靠、可重复地测试IGBT及MOSFET (包括第三代半导体器件SiC、GaN )功率半导体动态特征2.测量的特征包括开启、关闭、开关切换、反向恢复、栅极
2021-05-20 11:17:57
连线的电源短路。图2显示的是经修改的评估模块 (EVM) 电路原理图。图2：用于反向恢复测量的经修改的硅桥图3显示了插入分流电阻器后的TPS40170 EVM。图3：EVM探测技术图4显示的是开关
2018-09-03 15:17:37
低功耗的、以极快的反向恢复时间（trr）为特点的ROHM独创的功率MOSFET。＜提高设计灵活度的关键＞开关速度的高速化与误开启现象、噪声干扰是相悖的，用户在电路设计时需要通过调整栅极电阻来进行优化
2020-03-12 10:08:31
低功耗的、以极快的反向恢复时间（trr）为特点的ROHM独创的功率MOSFET。＜提高设计灵活度的关键＞开关速度的高速化与误开启现象、噪声干扰是相悖的，用户在电路设计时需要通过调整栅极电阻来进行优化
2020-03-12 10:08:47
效应引起的, 反向恢复时间就是存储电荷耗尽所需要的时间。该过程使二极管不能在快速连续脉冲下当做开关使用。如果反向脉冲的持续时间比tr 短, 则二极管在正、反向都可导通, 起不到开关作用。
2020-02-25 07:00:00
请教一下大佬二极管的反向恢复时间是什么意思？
2023-04-04 14:39:39
超高速二极管反向恢复时间测试仪一：主要特点A：测量多种二极管B：二极管反向电流2.5~10mAC：二极管正向电流2.5~50mA D：测量精度1nSE：二极管接反、短路开路保护F：示波器图形显示G
2015-03-11 13:56:18
在本文中，我们将通过双脉冲测试来确认驱动器源极引脚的效果。驱动器源极引脚的效果：双脉冲测试比较为了比较没有驱动器源极引脚的MOSFET和有驱动源极引脚的MOSFET的实际开关工作情况，我们按照右图
2022-06-17 16:06:12
测量电路如下图。由直流电流源供规定的IF，脉冲发生器经过隔直电容器C加脉冲信号，利用电子示波器观察到的trr值，即是从I=0的时刻到IR=Irr时刻所经历的时间。当IRM为一定时，反向恢复电荷愈小，反向恢复时间就愈短。
2019-10-11 13:08:35
二极管反向恢复时间及简易测试在开关电路中应用的二极管，反向恢复时间是一个主要参数。用图示仪器直接观察特性曲钱是理想的测试方法，但需要专用测试设备。本文阐述了二
2008-11-19 18:09:16
115 :本文简要地介绍了超快速二极的性能管对电力电子电路的影响和现代功率变换对超快速二极管反向恢复特性的要求，超快速二极管的反向恢复参数与使用条件的关系和一些最新超快
2009-10-19 10:24:0939 超快速二极管的反向恢复特性摘要:本文简要地介绍了超快速二极的性能管对电力电子电路的影响和现代功率变换对超快速二极管反向恢复特性的要求，超快速
2009-11-11 11:22:4819 恒流工作模式和脉冲恒流工作模式， 测试二极管反向恢复时间稳定可靠。 二 应用范围 高速信号二极管 三 测量原理 它包括下降
2023-07-11 11:43:47
一 概述DI-1000D 是在 DI-1000的基础上进一步改进的二极管反向恢复测试仪，相比较DI-1000，它配备的电脑，可通过电脑设定 di/dt,If，等参数，它可以自动测试二极管，工作最高
2023-10-16 14:52:16
抑制功率二极管反向恢复几种方案的比较
0 引言
高频功率二极管在电力电子装置中的应用极其广泛。但PN结功率二极管在由导通变为
2009-07-06 08:14:172171 
日前，东芝开发了提高内置二极管恢复特性的构造MOSFET“DTMOS”，并将于5-14日至16日在PCM 2013大会上展示。据悉，该产品耐压为600V，缩短了内置二极管反向恢复时间。
2013-05-20 11:40:33886 测量一个同步降压转换器中的反向恢复不太容易。电流探头太大，并且会大幅增加功率级环路中的电感。而且电流探头的带宽也不够。使用一个分流电阻器怎么样？这听起来是可行的，不过你需要确保这个器件不会引入过大的环路电感。我找到了几个电阻值在10m，并且具有低电感的电阻器。
2017-04-18 10:19:011846 
快恢复二极管（简称FRD）是一种具有开关特性好、反向恢复时间短特点的半导体二极管，主要应用于开关电源、PWM脉宽调制器、变频器等电子电路中，作为高频整流二极管、续流二极管或阻尼二极管使用。 快恢复二极管的内部结构与普通PN结二极管不同
2018-01-24 10:09:0133807 
测试二极管的反向恢复特性一般都需要复杂的测试设备。必须能够建立正向导通条件、正向闭锁状态、及两者间的过渡。还需要有一种从所得到的波形中提取特征的手段。总而言之，这并不是一项很简单的例行操，作应由专业人员来完成这项复杂的工作。这个事实说明了工程师们为什么通常都会依赖于公布的数据。
2020-08-03 08:49:544281 
通过双脉冲测试评估 MOSFET 的反向恢复特性我们开设了 Si 功率元器件的新篇章——“评估篇”。在“通过双脉冲测试评估 MOSFET 的反向恢复特性”中，我们将通过双脉冲测试来评估 MOSFET 体二极管的反向恢复特性，并确认 MOSFET 损耗情况。
2020-12-28 06:00:0023 ，它有普通整流二极管、快恢复二极管、超快恢复二极管、肖特基二极管等。那么什么是二极管的反向恢复时间呢？它和结电容之间有什么关系呢？下面列举常用二极管的反向恢复时间： 普通二极管：反向恢复时间一般 500ns以上； 快恢复二极管：反向
2021-09-22 15:07:0331377 
快恢复二极管工作原理及特点作用快恢复二极管（简称FRD）是一种具有开关特性好、反向恢复时间短特点的半导体二极管，主要应用于开关电源、PWM脉宽调制器、变频器等电子电路中，作为高频整流二极管
2021-11-07 13:35:5929 有更加深入的了解时，这个波形变得复杂了很多。不断困扰开关转换器的一个特别明显的非理想状态就是同步降压或升压转换器内所使用的MOSFET体二极管的反向恢复。氮化镓—GaN器件不会表现出反向恢复特性，并因此
2021-11-10 09:40:225682 
二极管从正向导通到截止有一个反向恢复过程
2022-02-09 11:34:043 内部二极管的trr特性。 01 反向恢复时间trr对逆变器电路的影响 在逆变器电路中，开关器件的反向恢复时间trr（Reverse recovery time）特性对损耗的影响很大。在这里，我们将使
2022-08-13 22:50:201790 
救世主GaN来了！第1部分：体二极管反向恢复。
2022-11-03 08:04:342 650 V SUPERFET III FRFET 新型快速反向恢复超结 MOSFET，适用于高效率和可靠的电动汽车充电应用
2022-11-15 20:17:570 上一章介绍了与IGBT的区别。本章将对SiC-MOSFET的体二极管的正向特性与反向恢复特性进行说明。如图所示，MOSFET（不局限于SiC-MOSFET）在漏极-源极间存在体二极管。
2023-02-08 13:43:20790 
我们开设了Si功率元器件的新篇章——“评估篇”。在“通过双脉冲测试评估MOSFET的反向恢复特性”中，我们将通过双脉冲测试来评估MOSFET体二极管的反向恢复特性，并确认MOSFET损耗情况。
2023-02-10 09:41:081646 
本文我们将根据使用了几种MOSFET的双脉冲测试结果，来探讨MOSFET的反向恢复特性。该评估中的试验电路将使用上一篇文章中给出的基本电路图。另外，相应的确认工作也基于上次内容，因此请结合上一篇文章的内容来阅读本文。
2023-02-10 09:41:08662 
在“通过双脉冲测试评估MOSFET的反向恢复特性”中，重点关注了由于逆变器电路、Totem Pole型功率因数校正（PFC）电路等是两个MOSFET串联连接的桥式电路，因此存在因上下桥臂的直通电流导致导通损耗增加的现象。
2023-02-13 09:30:041666 
本文的关键要点・在LLC转换器中，如果偏离预期的谐振条件，MOSFET体二极管的反向恢复电流会引发直通电流，这可能会造成开关损耗增加，最坏的情况下可能会导致MOSFET损坏。
2023-02-13 09:30:14920 
面对SiC-SBD和Si-PND的特征进行了比较。接下来比较SiC-SBD和Si-PND的反向恢复特性。反向恢复特性是二极管、特别是高速型二极管的基本且重要的参数，所以不仅要比较trr的数值，还要理解其波形和温度特性，这样有助于有效使用二极管。
2023-02-22 09:17:07198 
（一）IGBT双脉冲测试的意义 对比不同IGBT的参数及性能； 获取IGBT开通和关断过程的参数； 评估驱动电阻是否合适； 开通和关断过程是否有不合适的震荡； 评估二极管的反向恢复行为和安全
2023-02-22 15:07:1511 、导通延
迟时间、关断延迟时间、开通损耗、关断损耗、栅极总电荷、栅源充电电量、平台电压、反向恢复时间、反向恢复充电电量、反向恢复电流、反向恢复损耗、反向恢复电流变化
率、反向恢复电压变化率、集电极短路电流、输入电容、输出电容、反向转移电容、栅极串联等效电阻、雪崩耐量进行测
2023-02-23 09:20:462 反向恢复时间（trr）：正向二极管电流衰减为零后，由于两层中存在存储电荷，二极管继续反向导通。反向流动的时间称为反向恢复时间（trr）。二极管保持其阻断能力，直到反向恢复电流衰减为零。
2023-02-23 15:50:305422 
内部二极管的trr特性。01 反向恢复时间trr对逆变器电路的影响 在逆变器电路中，开关器件的反向恢复时间trr（Reverse recovery time）特性对损耗的影响很大。在这里，我们将使用唯
2023-03-03 09:59:130 当我们对于用实际组件来实现转换器有更加深入的了解时，这个波形变得复杂了很多。不断困扰开关转换器的一个特别明显的非理想状态就是同步降压或升压转换器内所使用的MOSFET体二极管的反向恢复。氮化
2023-04-15 09:15:122506 
肖特基二极管的反向恢复时间表示的是从正向导通状态切换到反向截止状态时所需的时间。它是指当肖特基二极管从正向导通到反向截止时，电流停止流动，并且由于电荷存储效应而需要一定的时间才能完全恢复到截止状态的时间。
肖特基二极管是一种特殊构造的二极管，具有快速开关速度和低反向恢复时间的特点。
2023-08-24 15:45:111717 并不能像理想二极管那样完美的工作，它在正向偏置电压瞬间变为反向偏置电压的时候，并不能立刻恢复到截止状态，这里存在一个逐渐转变的过程，这个过程我们称之为反向恢复过程。 反向恢复过程 通常我们把二极管从正向导通转为反
2023-11-01 16:48:03535 
【科普小贴士】肖特基势垒二极管（SBD）的反向恢复特性
2023-12-13 14:42:08213 
器件损坏。为了保护二极管不受反向击穿的影响，可以使用二极管反向恢复电路。 二极管反向恢复电路是一种用于减小反向恢复电流的电路，通常由二极管和电感器构成。当二极管处于正向导通状态时，电感器存储了能量；当二极管从导
2023-12-18 11:23:57597 二极管反向恢复电流是指二极管在截止状态突然转为正向偏置时，会出现一个瞬时的反向电流。这个反向电流也被称为反向恢复电流或逆向恢复电流。 二极管是一种具有两个电极（正级和负级）的电子元件，用于将电流限制
2023-12-22 15:08:04613 反向恢复过程。 反向恢复过程是指当二极管的正向电压减小到零或反向电压增加到零时，电流不能立即停止流动，而是经过一个反向电流的过程。这个过程通常包括两个阶段：反向恢复时间和存储时间。 反向恢复时间（Recovery Time）：反
2024-01-12 17:06:11655 
当对二极管施加正向电压时，电子和空穴会不断扩散并存储大量电荷，从而导致反向恢复过程的存在。 在施加正向电压时，P区的空穴向N区扩散，N区的电子向P区扩散。这使得势垒区（耗尽区）变窄，并在P区和N区内
2024-01-12 17:17:25320 
二极管的反向恢复时间（Reverse Recovery Time）是衡量其从导通状态切换到截止状态时性能的一个重要参数。 反向恢复时间是指二极管从正向导通状态切换到反向截止状态时，反向电流
2024-01-31 15:15:47472 
），并测量其响应来工作。 双脉冲测试是一种专门用于评估功率开关元件，如MOSFET和IGBT的开关特性及与之并联的体二极管或快速恢复二极管（FRD）的反向恢复特性的测试方法。这种测试特别适用于分析在导通过程中由于反向恢复现象而产生损耗的电路。 通过施加两连
2024-02-23 15:56:27303 
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