根据定义，相同晶体管具有相同的W/L和工艺技术常数。在简单电流镜中，两个晶体管具有相同的VGS。
2020-11-20 13:55:33
10216 
来源：Doug Mercer 和 Antoniu Miclaus 本次活动是对11月份学子专区的延续；本次将介绍电流镜，其输出可以不受输入电流变化的影响。因此，使用MOS晶体管从另一个角度来研究
2021-01-24 12:16:382786 
本文将重点讨论使用双极性结型晶体管(BJT)和NMOS晶体管的稳定电流源。
2022-08-01 09:03:571150 
伏安特性是指横轴为电压、纵轴为电流的一组测试记录。 那么NPN型晶体管的伏安特性增模描述呢？ 晶体管有三个引脚，因此需用通过两个伏安特性来展示晶体管的特征，这两个伏安特性分别为输入伏安特性和输出伏安特性。
2023-02-20 15:04:42697 
NMOS英文全称为N-Metal-Oxide-Semiconductor。 意思为N型金属-氧化物-半导体，而拥有这种结构的晶体管我们称之为NMOS晶体管。 MOS晶体管有P型MOS
2023-02-21 17:23:4612970 
晶体管输出伏安特性，是指一个确定的基极电流Ib下，集电极电流Ic与与输入电压Uce的关系，理想状态下如下图关系，集电极电流与输入电压没有关系，是由基极电流决定的。
2023-02-23 13:50:521470 
NMOS晶体管工作在线性区时，漏源两端的沟道存在阻性连接，以下文字对这种阻性连接进行简单介绍。
2023-04-17 11:58:511767 
之前的文章对MOS电容器进行了简单介绍，因此对MOS晶体管的理解已经打下了一定的基础，本文将对深入介绍NMOS晶体管的结构及工作原理，最后再从机理上对漏源电流的表达式进行推导说明。
2023-04-17 12:01:583744 
传输门是由外部施加的逻辑电平控制的NMOS和PMOS晶体管组成的双向开关。
2023-08-10 09:02:201943 
8050晶体管是一种小型设备，用于引导便携式无线电中的电流。数字“8050”基本上表示尺寸和特定输出额定值。工程师和电子专家通常会给晶体管起数字名称，以便更容易识别和区分它们。具有8050
2023-02-16 18:22:30
TR的情况，除此之外，还有5V以下(突破此耐压范围，会发生hFE低下等特性的劣化，请注意。)VCE(sat)及VBE(ON)的特性没有太大的变化关于封装功率容许功定义：是指由于输入晶体管的电压、电流
2019-04-09 21:27:24
晶体管并联时，当需要非常大的电流时，可以将几个晶体管并联使用。因为存在VBE扩散现象，有必要在每一个晶体管的发射极上串联一个小电阻。电阻R用以保证流过每个晶体管的电流近似相同。电阻值R的选择依据
2024-01-26 23:07:21
晶体管之间的差异性：就三极管，mos管和可控硅之间的差别和相同点的相关概念有点模糊，请各位大侠指点！！！
2016-06-07 23:27:44
及制造工艺分类 晶体管按其结构及制造工艺可分为扩散型晶体管、合金型晶体管和平面型晶体管。 按电流容量分类 晶体管按电流容量可分为小功率晶体管、中功率晶体管和大功率晶体管按工作频率分类 晶体管按
2010-08-12 13:59:33
晶体管的电流方向相反。如果使晶体管以开关方式工作，需要加大基极电流晶体管VCE的饱和状态当晶体管处于开关工作方式时，因为电源电压和集电极电阻的限制，集电极IC不足以提供hFEIB大小的电流。因此
2017-03-28 15:54:24
、电压／电流反馈放大电路、晶体管／FET开关电路、模拟开关电路、开关电源、振荡电路等。上册则主要介绍放大电路的工作、增强输出的电路、功率放大器的设计与制作、拓宽频率特性等。`
2019-03-06 17:29:48
晶体管图示仪器是用来测量晶体管输入、输出特性曲线的仪器。在实验、教学和工程中通过使用图示仪，可以获得晶体管的实际特性，能更好的发挥晶体管的作用。
2021-05-07 07:43:17
晶体管在高频信号幅频特性不扩展的理由扩展共射级放大电路的幅频特性
2021-03-02 07:51:16
IRFP240 200V 19A 150W * * NMOS场效应IRFP150 100V 40A 180W * * NMOS场效应晶体管型号 反压Vbe0 电流Icm 功率Pcm 放大系数 特征频率 管子
2021-05-12 07:02:49
一、晶体管如何表示0和1 从第一台计算机到EDVAC，这些计算机使用的都是电子管和二极管等元件，利用这些元件的开关特性实现二进制的计算。然而电子管元件有许多明显的缺点。例如，在运行时产生的热量
2021-01-13 16:23:43
一、晶体管开关电路：是一种计数地接通-断开晶体管的集电极-发射极间的电流作为开关使用的电路，此时的晶体管工作在截止区和饱和区。当需要输出大的负载电流时，由于集电极电流(负载电流)是放大基极电流而来
2021-10-29 09:25:31
本帖最后由 elecfans电子发烧友 于 2017-10-24 22:44 编辑
在四种常用晶体管开关电路（2种NMOS，2种PMOS）一文中，介绍了晶体管构成的开关电路。这里我们使用所述
2016-08-30 04:32:10
曲线图，它具有适应灯泡电流的电压补偿特性。 图1 晶体管式电流传感器电路 图2 制动灯灯丝断 图3 晶体管式电流传感器的特性
2018-10-31 17:13:28
1．反向击穿电流的检测 普通晶体管的反向击穿电流（也称反向漏电流或穿透电流），可通过测量晶体管发射极E与集电极C之间的电阻值来估测。测量时，将万用表置于R×1k档， NPN型管的集电极C接黑表笔
2012-04-26 17:06:32
晶体管截止失真饱和失真原理及解决方法
2012-11-18 11:17:11
在PROTUES中如何改变晶体管的放大倍数？有的器件有放大倍数改变的参数。另外，不同的仿真模型参数不同如何改变？
2014-02-28 08:42:03
晶体管测量模块的基本特性有哪些？晶体管测量模块的基本功能有哪些？
2021-09-24 07:37:23
`非常不错的晶体管电路设计书籍！`
2016-11-08 14:12:33
晶体管的 电流放大原理 该怎么解释？
2017-03-12 20:30:29
）。对这两个PN结所施加不同的电位，就会使晶体管工作于不同的状态：两个PN结都反偏——晶体管截止；两个PN结都导通——晶体管饱和：一个PN结正偏，一个PN结反偏——晶体管放大电路（注意：如果晶体管的发射结反
2012-02-13 01:14:04
在合理设置静态工作点和输入为交流小信号的前提下，晶体管可等效为一个线性双端口电路。如图Z0212所示。 晶体管的端口电压和电流的关系可表示为如图Z0213所示。 h 参数
2021-05-13 07:56:25
或使其特性变坏。(5) 集电极--发射极反向电流ICEOICEO是指晶体管基极开路时，集电极、发射极间的反向电流，也称穿透电流。ICEO越小越好，现在应用较多的硅晶体管，其ICEO都很小，在1A以下
2018-06-13 09:12:21
晶体管的主要参数有哪些？晶体管的开关电路是怎样的？
2021-06-07 06:25:09
晶体管的半导体的电流由空穴（正极性）和电子（负极性）产生。一般而言的晶体管是指这种由硅构成的晶体管。FETField Effect Transistor的简称，是指场效应晶体管。有接合型FET和MOS型
2019-04-10 06:20:24
不同的是，用于放大或导通/关断的偏置电流会流经晶体管（基极）。 另外，MOSFET中有称为“导通电阻”的参数，尤其是处理大功率时是重要的特性。但双极晶体管中没有“导通电阻”这个参数。世界上最早的晶体管
2020-06-09 07:34:33
是基于代表性的特性进行的，因此存在个别不吻合的内容。请理解为整体的倾向、特征。另外，这些晶体管的结构、工作原理与代表性的参数如下。双极晶体管（图中以NPN为例）由PN结组成，通过在基极流过电流，而在集电极
2018-11-28 14:29:28
是"增幅"和"开关"。比如收音机。放大空中传播的极微弱信号，使音箱共鸣。这一作用便是晶体管的增幅作用。不改变输入信号的波形，只放大电压或电流。这是模拟信号的情况，但是
2019-07-23 00:07:18
晶体管，称之为“非集中保护” (和集中保护对照)。集成驱动电路的功能包括：(1)开通和关断功率开关；(2)监控辅助电源电压；(3)限制最大和最小脉冲宽度；(4)热保护；(5)监控开关的饱和压降。
2018-10-25 16:01:51
是"增幅"和"开关"。比如收音机。放大空中传播的极微弱信号，使音箱共鸣。这一作用便是晶体管的增幅作用。不改变输入信号的波形，只放大电压或电流。这是模拟信号的情况，但是
2019-05-05 00:52:40
）用业收集电子。晶体管的发射极电流IE与基极电流IB、集电极电流IC之间的关系如下：IE=IB+IC3．晶体管的工作条件晶体管属于电流控制型半导体器件，其放大特性主要是指电流放大能力。所谓放大，是指当
2013-08-17 14:24:32
功率、集电极最大电流、最大反向电压、电流放大系数等参数及外地人形尺寸等是否符合应用电路的要求。 2．末级视放输出管的选用彩色电视机中使用的末级视放输出管，应选用特征频率高于80MHZ的高频晶体管
2012-01-28 11:27:38
，晶体管的输入特性类似于二极管的正向伏安特性。 (2)共射极输出特性 （以 NPN 管为例） 共射极输出特性表达式为：。晶体管输出特性曲线的三个区域对应于 晶体管的三个工作状态（饱和、放大和截止）。 a
2021-05-13 06:43:22
TR的情况，除此之外，还有5V以下(突破此耐压范围，会发生hFE低下等特性的劣化，请注意。)VCE(sat)及VBE(ON)的特性没有太大的变化关于封装功率容许功定义：是指由于输入晶体管的电压、电流
2019-05-09 23:12:18
;nbsp; 晶体管（transistor）是一种固体半导体器件，可以用于检波、整流、放大、开关、稳压、信号调制和许多其它功能。晶体管作为一种可变开关，基于输入的电压，控制流出的电流，因此晶体管可做为
2010-08-12 13:57:39
导通损耗。即使在低占空比情况下，EiceDRIVER™也可以保持良好的栅极电压调节特性，从而阻止RC驱动网络失压。 电流旁路对GaN晶体管并联配置的影响 即使每个晶体管都配置独立的RC驱动网络
2021-01-19 16:48:15
电压（与功率MOSFET的低导通电阻相当）和较快的开关特性的晶体管。尽管其具有较快的开关特性，但仍比不上功率MOSFET，这是IGBT的弱点。【功率元器件的基本结构与特点
2019-05-06 05:00:17
电压（与功率MOSFET的低导通电阻相当）和较快的开关特性的晶体管。尽管其具有较快的开关特性，但仍比不上功率MOSFET，这是IGBT的弱点。【功率元器件的基本结构与特点
2019-03-27 06:20:04
求大神相助，Multisim里面雪崩晶体管的过压击穿怎么放着那，当我设的电压已经大于了Vcbo滞后还是不见晶体管导通。
2014-08-08 10:42:58
，由于电阻Rc的限制（Rc是固定值，则最大电流为U/Rc，其中U为电源电压），集电极电流不能无限增加。当基极电流增加而集电极电流不能继续增加时，晶体管进入饱和状态。判断晶体管是否饱和的一般标准是：Ib
2023-02-08 15:19:23
时，集电极电流不再上升。此时，晶体管失去了电流放大效应，集电极和发射极之间的电压非常小。集电极和发射极等效于开关的导通状态。此时，晶体管处于饱和状态。PNP晶体管的工作原理与NPN晶体管相同，只是偏置
2023-02-15 18:13:01
表亲非常相似的特性，不同之处在于，对于第一个教程“公共基极”、“共发射极”和“公共集电极”中讨论的三种可能配置中的任何一种，电流和电压方向的极性（或偏置）都是相反的。由于PNP晶体管的基极端子相对于
2023-02-03 09:44:48
）= + 25°CSGN19H181M1H砷化镓晶体管SGN19H240M1H砷化镓晶体管SGN21H180M1H砷化镓晶体管SGN21H121M1H砷化镓晶体管SGN21H181M1H砷化镓晶体管
2021-03-30 11:32:19
。晶体管作为一种可变开关，基于输入的电压，控制流出的电流，因此晶体管可做为电流的开关，和一般机械开关（如Relay、switch）不同处在于晶体管是利用电讯号来控制，而且开关速度可以非常之快，在实验室中
2010-08-13 11:36:51
multisim仿真中高频晶体管BFG35能用哪个晶体管来代替，MFR151管子能用哪个来代替？或是谁有这两个高频管子的原件库？求大神指教
2016-10-26 11:51:18
行业真正的“领头羊”？一、三极管定义：三极管，全称应为半导体三极管，也称双极型晶体管、晶体三极管，是一种控制电流的半导体器件其作用是把微弱信号放大成幅度值较大的电信号， 也用作无触点开关。三极管
2019-04-08 13:46:25
极端输入电流来防止晶体管饱和。它也称为肖特基钳位晶体管。
多发射极晶体管
多发射极晶体管是一种专用双极晶体管，经常用作晶体管逻辑(TTL) NAND逻辑门的输入。输入信号施加到发射器。如果所有发射极均由
2023-08-02 12:26:53
互补晶体管的匹配
2019-10-30 09:02:03
类型。3.2 晶体管的种类及其特点》巨型晶体管GTR是一种高电压、高电流的双极结型晶体管（BJT），因此有时被称为功率BJT。特点：电压高，电流大，开关特性好，驱动功率高，但驱动电路复杂;GTR和普通双极结型
2023-02-03 09:36:05
年代和 1960 年代，它也被称为超级阿尔法对。Darlington认识到这种设计对发射极-跟随电路的诸多优势，并为这一概念申请了专利。 达林顿晶体管通常具有低功耗、高增益的特性，使其对输入电流
2023-02-16 18:19:11
场效应晶体管的诞生。鳍式场效应晶体管架构的后续改进提高了性能并减少了面积。鳍式场效应晶体管的 3D 特性具有许多优点，例如增加鳍片高度以在相同的占位面积下获得更高的驱动电流。 图2显示了MOSFET结构
2023-02-24 15:25:29
本文将重点讨论使用双极性结型晶体管(BJT)和NMOS晶体管的稳定电流源。稳定电流源(BJT)目标本实验旨在研究如何利用零增益概念来产生稳定（对输入电流电平的变化较不敏感）的输出电流。材料
2021-11-01 09:53:18
正电压，以产生从发射极到集电极的电流。7.如何测量晶体管的特性？晶体管的输出特性是通过检查不同基极电流下属于集电极电流的集电极-发射极端子之间的电压变化来确定的。通过按下移动设备上的“输出特性”按钮
2023-02-03 09:32:55
PNP晶体管在哪里使用？放大电路采用PNP晶体管。达林顿对电路采用PNP晶体管。机器人应用利用了PNP晶体管。PNP 晶体管用于控制大功率应用中的电流。如何控制PNP晶体管？首先，为了接通PNP
2023-02-03 09:45:56
)NPN-NPN型、(b)PNP-NPNxing达林顿结构是提高电流增益的一种有效方式。达林顿GTR由两个或多个晶体管复合而成，可以是PNP或NPN型，如图2所示，其中V1为驱动管，可饱和，而V2为输出管
2018-01-15 11:59:52
)NPN-NPN型、(b)PNP-NPNxing达林顿结构是提高电流增益的一种有效方式。达林顿GTR由两个或多个晶体管复合而成，可以是PNP或NPN型，如图2所示，其中V1为驱动管，可饱和，而V2为输出管
2018-01-25 11:27:53
请教：单结晶体管在什么位置，有人说是UJT，但好象用不了呀？
2013-09-26 16:55:49
各位高手，小弟正在学习单结晶体管，按照网上的电路图做的关于单结晶体管的仿真，大多数都不成功，请问谁有成功的单结晶体管的仿真仿真啊，可以分享下吗。
2016-03-04 09:15:06
的第一个电路。 本文将展示四种晶体管开关电路，其中2种使用NMOS，2种使有PMOS。 在电路设计过程中，有时需要“独立”控制几个开关的通与断。例如构造某种波形。晶体管开关能够实现一些开关的通与断不会
2016-08-30 01:01:44
，这反过来又使耗尽层尽可能小，从而通过我们的晶体管的最大电流流动。这使得晶体管开关导通。 图2显示了饱和区域特性。 图2.饱和区域特征 输入基极电流和输出集电极电流为零，集电极电压处于最大值
2023-02-20 16:35:09
如何去判别晶体管材料与极性？如何去检测晶体管的性能？怎样去检测特殊晶体管？
2021-05-13 07:23:57
什么是微波功率晶体管？如何提高微波功率晶体管可靠性？
2021-04-06 09:46:57
为了改善晶体管的开关特性，减小晶体管的损耗，在晶体管基极驱动电路的设计上会采取一些加速措施。如下： 加速电路一 在加速电路一中，并联在RB两端的电容CB称为加速电容，数值一般在1nf
2020-11-26 17:28:49
如何用Multisim10进行数据采集？如何用LabVIEW显示单结晶体管伏安特性？
2021-04-09 06:13:03
来至网友的提问：如何选择分立晶体管？
2023-11-24 08:16:54
减少集电区的过量存储电荷）。而从晶体管使用来说，减短存储时间的主要措施有如：基极输入电流脉冲的幅度不要过大（以避免晶体管饱和太深，使得过量存储电荷减少），增大基极抽取电流（以加快过量存储电荷的消失
2019-09-22 08:00:00
晶体管依照用途大致分为高频与低频，它们在型号上的大致区别是什么？例如《晶体管电路设计》中列举的：高频（2SA****，2SC*****）、低频（2SB****，2SD****）。现在产品设计中最常用的型号是哪些？
2017-10-11 23:53:40
bandgap中晶体管的热噪声比较大，通过什么手段能解决？
2021-06-24 07:29:25
抗饱和晶体管的作用 罗姆应用笔记 前些天我出差到杭州临安节能灯市场，在销售员的带领下走了几家节能灯制造厂，我发现市场上对深爱半导体公司生产的节能灯用晶体管比较欢迎。虽然客户跟我说了原因，但我认为
2009-12-17 10:27:07
减少集电区的过量存储电荷）。而从晶体管使用来说，减短存储时间的主要措施有如：基极输入电流脉冲的幅度不要过大（以避免晶体管饱和太深，使得过量存储电荷减少），增大基极抽取电流（以加快过量存储电荷的消失
2019-08-19 04:00:00
to -2.4mV/ºC的范围有偏差)R1的温度变化率，如下图表。关于输出电压 - 输出电流特性的低电流领域(数字晶体管的情况)数字晶体管的输出电压-输出电流特性，按以下测定方法测定。IO（低电流区域
2019-04-22 05:39:52
选定方法数字晶体管的型号说明IO和IC的区别GI和hFE的区别VI(on)和VI(off)的区别关于数字晶体管的温度特性关于输出电压 - 输出电流特性的低电流领域（数字晶体管的情况）关于数字晶体管
2019-04-09 21:49:36
晶体管的半导体的电流由空穴（正极性）和电子（负极性）产生。一般而言的晶体管是指这种由硅构成的晶体管。FETField Effect Transistor的简称，是指场效应晶体管。有接合型FET和MOS型
2019-05-05 01:31:57
存在传导损耗，这与晶体管的导通电阻RDS（on）有关。在状态5时，驱动信号VGSL变低，晶体管的通道通过硬开关关闭。由于峰值励磁电流Ilm_pk，存在电流和电压交交叉开关损耗。该损耗取决于晶体管的特性
2023-02-27 09:37:29
用555制作的晶体管特性曲线描绘仪本仪器除能测试晶体管外，还能测试二极管，测试方法如图所示。晶体管特性曲线描绘仪是测试晶体管特性的专用仪器，使用该仪器可以将晶体管在各种工作电压下的工作特性用曲线
2008-07-25 13:34:04
不导通。当UA＞UG时，P1N1结正偏将发生空穴注入，P1N1P2N2结构开通，A-K间导通并出现负阻现象。其过程及伏安特性与单结晶体管十分相似，区别仅在于：单结晶体管的负阻特性出现在E-B1之间，而
2018-01-22 15:23:21
电极-发射极电流与几乎零栅流驱动器。典型的 IGBT绝缘栅双极性晶体管，即 IGBT，结合了 MOSFET 的绝缘栅(因此得名第一部分)技术和传统双极性晶体管的输出性能特性，因此得名第二部分。这种混合
2022-04-29 10:55:25
晶体管中，输入回路负载线与输入特性曲线的交点为什么就是Q点？
2019-04-01 06:36:50
来至网友的提问：如何选择分立晶体管？
2018-12-12 09:07:55
这个晶体管为什么是开关管的作用，还有电流方向是怎样的？
2018-12-28 15:41:49
这个达林顿晶体管厂家是哪家
2022-05-30 16:36:56
在实际的放大应用中，如果放大电路是用于小信号放大，只要晶体管的静态工作点设置正确，晶体管一般不会进入饱和区。但如果晶体管放大电路处理的是信号幅值较大的信号，例音频功放的输出级，则晶体管极有可能
2018-08-22 15:39:4036096 Multisim 10的元器件库提供数千种电路元器件供实验选用，虚拟测试仪器仪表种类齐全，有一般实验用的通用仪器，但没有晶体管图示仪，只能测试晶体三极管、PMOS和NMOS伏安特性曲线，不具备测试
2019-01-04 09:18:004248 
。 本文将展示四种晶体管开关电路，其中2种使用NMOS，2种使用PMOS。 在电路设计过程中，有时需要独立控制几个开关的通与断。例如构造某种波形。晶体管开关能够实现一些开关的通与断不会影响其他开关的通与断，即开关之间相互独立，相互无关。常在人机交互场景之中有着特定
2020-09-03 15:28:3023364 
NMOS晶体管是一种电子元件，它是一种半导体晶体管，其中N指的是n型半导体材料，它具有负极性，可以用来控制电流的流动。它的主要功能是在电路中控制电流的流动，以及控制电路的输入和输出信号。
2023-02-11 16:09:0511838 
nmos晶体管的阈值电压公式为Vt=Vt0-γ（2φF/Cox），其中Vt0为晶体管的基础阈值电压，γ为晶体管的偏置系数，φF为晶体管的反向偏置电势，Cox为晶体管的欧姆容量。
2023-02-11 16:30:149783 
PMOS晶体管，也称为P沟道金属氧化物半导体，是一种晶体管形式，其中沟道或栅极区域使用p型掺杂剂。这个晶体管与NMOS晶体管完全相反。这些晶体管包含三个主要端子：源极、栅极和漏极。晶体管的源极端
2023-02-11 16:48:0312266 
将详尽论述NMOS和PMOS的符号区别以及相关的特点。 NMOS代表n型金属氧化物半导体，它是以n型材料为基础的晶体管。相比之下，PMOS代表p型金属氧化物半导体，它是以p型材料为基础的晶体管。这两种类型的晶体管有着不同的电流和导通特性。 首先，我们来看NMOS的符号。
2023-12-18 13:56:221530
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