电子发烧友App

硬声App

0
  • 聊天消息
  • 系统消息
  • 评论与回复
登录后你可以
  • 下载海量资料
  • 学习在线课程
  • 观看技术视频
  • 写文章/发帖/加入社区
创作中心

完善资料让更多小伙伴认识你,还能领取20积分哦,立即完善>

3天内不再提示

电子发烧友网>模拟技术>SiC MOSFET和SiC IGBT的区别

SiC MOSFET和SiC IGBT的区别

收藏

声明:本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人,不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用,如有内容侵权或者其他违规问题,请联系本站处理。 举报投诉

相关推荐

SiC Mosfet管特性及其专用驱动电源

本文简要比较了下SiC Mosfet管和Si IGBT管的部分电气性能参数并分析了这些电气参数对电路设计的影响,并且根据SiC Mosfet管开关特性和高压高频的应用环境特点,推荐了金升阳可简化设计隔离驱动电路的SIC驱动电源模块。
2015-06-12 09:51:234738

谈谈SiC MOSFET的短路能力

谈谈SiC MOSFET的短路能力
2023-08-25 08:16:131020

SiC MOSFETSiC SBD的优势

下面将对于SiC MOSFETSiC SBD两个系列,进行详细介绍
2023-11-01 14:46:19736

仿真看世界之SiC MOSFET单管的并联均流特性

SiC MOSFET并联的动态均流与IGBT类似,只是SiC MOSFET开关速度更快,对一些并联参数会更为敏感。
2021-09-06 11:06:233813

SIC MOSFET

有使用过SIC MOSFET 的大佬吗 想请教一下驱动电路是如何搭建的。
2021-04-02 15:43:15

SiC-MOSFET与Si-MOSFET区别

最小值。一般的IGBT和Si-MOSFET的驱动电压为Vgs=10~15V,而SiC-MOSFET建议在Vgs=18V前后驱动,以充分获得低导通电阻。也就是说,两者的区别之一是驱动电压要比
2018-11-30 11:34:24

SiC-MOSFET体二极管特性

上一章介绍了与IGBT区别。本章将对SiC-MOSFET的体二极管的正向特性与反向恢复特性进行说明。如图所示,MOSFET(不局限于SiC-MOSFET)在漏极-源极间存在体二极管。从MOSFET
2018-11-27 16:40:24

SiC-MOSFET功率晶体管的结构与特征比较

导通电阻方面的课题,如前所述通过采用SJ-MOSFET结构来改善导通电阻。IGBT在导通电阻和耐压方面表现优异,但存在开关速度方面的课题。SiC-DMOS在耐压、导通电阻、开关速度方面表现都很优异
2018-11-30 11:35:30

SiC-MOSFET器件结构和特征

比Si器件低,不需要进行电导率调制就能够以MOSFET实现高耐压和低阻抗。  而且MOSFET原理上不产生尾电流,所以用SiC-MOSFET替代IGBT时,能够明显地减少开关损耗,并且实现散热部件
2023-02-07 16:40:49

SiC-MOSFET有什么优点

,不需要进行电导率调制就能够以MOSFET实现高耐压和低阻抗。而且MOSFET原理上不产生尾电流,所以用SiC-MOSFET替代IGBT时,能够明显地减少开关损耗,并且实现散热部件的小型化。另外
2019-04-09 04:58:00

SiC-MOSFET的可靠性

本文就SiC-MOSFET的可靠性进行说明。这里使用的仅仅是ROHM的SiC-MOSFET产品相关的信息和数据。另外,包括MOSFET在内的SiC功率元器件的开发与发展日新月异,如果有不明之处或希望
2018-11-30 11:30:41

SiC-MOSFET的应用实例

晶体管的结构与特征比较所谓SiC-MOSFET-与Si-MOSFET区别IGBT区别所谓SiC-MOSFET-体二极管的特性所谓SiC-MOSFET-沟槽结构SiC-MOSFET与实际产品所谓
2018-11-27 16:38:39

正在加载...