晶体管之间的差异性：就三极管，mos管和可控硅之间的差别和相同点的相关概念有点模糊，请各位大侠指点！！！
2016-06-07 23:27:44
晶体管分类 按半导体材料和极性分类 按晶体管使用的半导体材料可分为硅材料晶体管和锗材料晶体管。按晶体管的极性可分为锗NPN型晶体管、锗PNP晶体管、硅NPN型晶体管和硅PNP型晶体管。 按结构
2010-08-12 13:59:33
1．反向击穿电流的检测 普通晶体管的反向击穿电流（也称反向漏电流或穿透电流），可通过测量晶体管发射极E与集电极C之间的电阻值来估测。测量时，将万用表置于R×1k档， NPN型管的集电极C接黑表笔
2012-04-26 17:06:32
晶体管测量模块的基本特性有哪些？晶体管测量模块的基本功能有哪些？
2021-09-24 07:37:23
`非常不错的晶体管电路设计书籍！`
2016-11-08 14:12:33
晶体管的主要参数有哪些？晶体管的开关电路是怎样的？
2021-06-07 06:25:09
本文为大家介绍“Si晶体管”（之所以前面加个Si,是因为还有其他的晶体管，例如SiC）。 虽然统称为“Si晶体管”，但根据制造工艺和结构，还可分为“双极”、“MOSFET”等种类。另外，还可根据处理
2020-06-09 07:34:33
本篇开始将为大家介绍“Si晶体管”。虽然统称为“Si晶体管”，不过根据制造工艺和结构，还可分为“双极”、“MOSFET”等种类。另外，还可根据处理的电流、电压和应用进行分类。下面以“功率元器件”为主
2018-11-28 14:29:28
晶体管概述的1. 1948年、在贝尔电话研究所诞生。1948年，晶体管的发明给当时的电子工业界来带来了前所未有的冲击。而且，正是这个时候成为了今日电子时代的开端。之后以计算机为首，电子技术取得急速
2019-05-05 00:52:40
1．晶体管的结构晶体管内部由两PN结构成，其三个电极分别为集电极（用字母C或c表示），基极（用字母B或b表示）和发射极（用字母E或e表示）。如图5-4所示，晶体管的两个PN结分别称为集电结（C、B极
2013-08-17 14:24:32
集中制造在一块很小的硅片上，封装成一个独立的元件.晶体管是半导体三极管中应用最广泛的器件之一，在电路中用“V”或“VT”（旧文字符号为“Q”、“GB”等）表示。 晶体管被认为是现代历史中最伟大的发明
2010-08-12 13:57:39
，以及基于硅的 “偏转晶体管 “屏幕产品的消亡。
因此，氮化镓是我们在电视、手机、平板电脑、笔记本电脑和显示器中，使用的高分辨率彩色屏幕背后的核心技术。在光子学方面，氮化镓还被用于蓝光激光技术（最明显
2023-06-15 15:50:54
和功率密度，这超出了硅MOSFET技术的能力。开发工程师需要能够满足这些要求的新型开关设备。因此，开始了氮化镓晶体管（GaN）的概念。 HD-GIT的概述和优势 松下混合漏极栅极注入晶体管（HD-GIT
2023-02-27 15:53:50
的热量，需要更大的散热器。不幸的是，这增加了系统成本、重量和解决方案总尺寸，这在空间受限的应用中是不期望的或不可接受的。氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管（HEMT）具有优于硅MOSFET的多种优势
2017-08-21 14:36:14
器件的速度提高，这种外部电感会导致接地反弹增加［4］。 增强型氮化镓晶体管采用晶圆级芯片级封装 （WLCSP），端子采用焊盘栅格阵列 （LGA） 或球栅阵列 （BGA） 格式。其中一些器件不提供单独
2023-02-24 15:15:04
被誉为第三代半导体材料的氮化镓GaN。早期的氮化镓材料被运用到通信、军工领域，随着技术的进步以及人们的需求，氮化镓产品已经走进了我们生活中，尤其在充电器中的应用逐步布局开来，以下是采用了氮化镓的快
2020-03-18 22:34:23
是什么氮化镓（GaN）是氮和镓化合物，具体半导体特性，早期应用于发光二极管中，它与常用的硅属于同一元素周期族，硬度高熔点高稳定性强。氮化镓材料是研制微电子器件的重要半导体材料，具有宽带隙、高热导率等特点，应用在充电器方面，主要是集成氮化镓MOS管，可适配小型变压器和高功率器件，充电效率高。二、氮化
2021-09-14 08:35:58
本文讨论了商用氮化镓功率晶体管与Si SJMOS和SiC MOS晶体管相比在软开关LLC谐振转换器方面的优势。介绍随着更高功率、更小尺寸和更高效率的明显趋势，高频 LLC 谐振转换器是业内隔离式
2023-02-27 09:37:29
氮化镓功率半导体技术解析基于GaN的高级模块
2021-03-09 06:33:26
更小：GaNFast™ 功率芯片，可实现比传统硅器件芯片 3 倍的充电速度，其尺寸和重量只有前者的一半，并且在能量节约方面，它最高能节约 40% 的能量。
更快：氮化镓电源 IC 的集成设计使其非常
2023-06-15 15:32:41
晶体管如今已与碳化硅基氮化镓具有同样的电源效率和热特性。MACOM 的第四代硅基氮化镓 (Gen4 GaN) 代表了这种趋势，针对 2.45GHz 至 2.7GHz 的连续波运行可提供超过 70
2017-08-15 17:47:34
本文展示氮化镓场效应晶体管并配合LM5113半桥驱动器可容易地实现的功率及效率。
2021-04-13 06:01:46
2000 年代初就已开始，但 GaN 晶体管仍处于起步阶段。 毫无疑问，它们将在未来十年内取代功率应用中的硅晶体管，但距离用于数据处理应用还很远。
Keep Tops氮化镓有什么好处？
氮化镓的出现
2023-08-21 17:06:18
` 本帖最后由 射频技术 于 2021-4-8 09:16 编辑
Wolfspeed的CG2H80015D是氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管（HEMT）。GaN具有比硅或砷化镓更高的性能，包括
2021-04-07 14:31:00
Cree的CGH40010是无与伦比的氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管（HEMT）。 CGH40010，正在运行从28伏电压轨供电，提供通用宽带解决方案应用于各种射频和微波应用。 GaN HEMT
2020-12-15 15:06:50
`Cree的CGH40010是无与伦比的氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管（HEMT）。 CGH40010，正在运行从28伏电压轨供电，提供通用宽带解决方案应用于各种射频和微波应用。 GaN
2020-12-03 11:51:58
Wolfspeed的CGHV40030是氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管（HEMT），专为高效率，高增益和宽带宽功能而设计。 该器件可部署在L，S和C频段放大器应用中。 数据手册中的规格
2020-02-25 09:37:45
Wolfspeed的CGHV40030是无与伦比的氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管（HEMT），专为高效率，高增益和宽带宽功能而设计。 该器件可部署在L，S和C频段放大器应用中。 数据手册中的规格
2020-02-24 10:48:00
CGHV96050F1是款碳化硅(SiC)基材上的氮化镓(GaN)高电子迁移率晶体管(HEMT)。与其它同类产品相比，这些GaN内部搭配CGHV96050F1具有卓越的功率附带效率。与硅或砷化镓
2024-01-19 09:27:13
是碳化硅（SiC）衬底上的氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管（HEMT）。这种GaN内匹配（IM）场效应晶体管与其他技术相比，提供了优异的功率附加效率。GaN与硅或砷化镓相比具有更高的性能，包括更高
2018-08-13 10:58:03
`Cree的CGHV96100F2是氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管（HEMT）在碳化硅（SiC）基板上。 该GaN内部匹配（IM）FET与其他技术相比，具有出色的功率附加效率。 氮化镓与硅或砷化
2020-12-03 11:49:15
镓晶体管CHKA012a99F氮化镓晶体管CHK015AaQIA氮化镓晶体管CHK8101a99F氮化镓晶体管CHK9013-99F氮化镓晶体管CHK8013-99F氮化镓晶体管CHK9014-99F
2021-04-02 16:25:08
Cree的CMPA801B025是氮化镓（GaN）高电子迁移率基于晶体管（HEMT）的单片微波集成电路（MMIC）。 氮化镓与硅或砷化镓相比具有更好的性能，包括更高的击穿电压，更高的饱和电子漂移速度
2020-12-03 11:46:10
°C常规芯片FHC30LG砷化镓晶体管FHC40LG砷化镓晶体管FHX04LG砷化镓晶体管FHX04X砷化镓晶体管FHX06X砷化镓晶体管FHX13LG砷化镓晶体管FHX13X砷化镓晶体管
2021-03-30 11:21:24
所需的功率模块和各种控制单元模块。与功率MOS场效应晶体管相比，驱动氮化镓功率晶体管存在诸多困难，这些困难包括阈值电压低、最大栅极电压和额定栅极电压之间的公差狭小、高转换速率带来的电流变化率和电压变化率
2018-11-05 09:51:35
，可帮助系统设计人员简化和加快产品开发，使其能够轻松微调射频能量输出水平，从而最大限度地提高效率和增强性能。MACOM的射频能量工具包将其硅基氮化镓功率晶体管的优势与直观、灵活的软件和信号控制能力相结合
2017-08-03 10:11:14
用于无线基础设施的半导体技术正在经历一场重大的变革，特别是功率放大器(PA)市场。横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)晶体管在功率放大器领域几十年来的主导地位正在被氮化镓(GaN)撼动，这将对无线
2017-08-30 10:51:37
`作为一家具有60多年历史的公司，MACOM在射频微波领域经验丰富，该公司的首款产品就是用于微波雷达的磁控管，后来从真空管、晶体管发展到特殊工艺的射频及功率器件（例如砷化镓GaAs）。进入2000年
2017-09-04 15:02:41
测试背景地点：国外某知名品牌半导体企业，深圳氮化镓实验室测试对象：氮化镓半桥快充测试原因：因高压差分探头测试半桥上管Vgs时会炸管，需要对半桥上管控制信号的具体参数进行摸底测试测试探头：麦科信OIP
2023-01-12 09:54:23
求大神相助，Multisim里面雪崩晶体管的过压击穿怎么放着那，当我设的电压已经大于了Vcbo滞后还是不见晶体管导通。
2014-08-08 10:42:58
化镓或砷化铝镓技术的这类二极管。产品型号：NPT2020产品名称：射频晶体管NPT2020产品特性GaN上硅HEMT耗尽型晶体管适合线性和饱和应用从直流3.5 GHz调谐48 V操作3.5 GHz
2018-09-26 09:04:23
一、引言PNP 晶体管是双极结型晶体管（BJT）。PNP晶体管具有与NPN晶体管完全不同的结构。在PNP晶体管结构中，两个PN结二极管相对于NPN晶体管反转，使得两个P型掺杂半导体材料被一层薄薄的N
2023-02-03 09:44:48
QPD1004氮化镓晶体管产品介绍QPD1004报价QPD1004代理QPD1004咨询热线QPD1004现货,王先生 深圳市首质诚科技有限公司QPD1004是25W（p3db），50欧姆输入匹配
2018-07-30 15:25:55
QPD1018氮化镓晶体管产品介绍QPD1018报价QPD1018代理QPD1018咨询热线QPD1018现货,王先生 深圳市首质诚科技有限公司QPD1018内部匹配离散GaN-on-SiC
2018-07-27 09:06:34
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2019-07-17 13:58:50
）1.1脉冲条件脉冲宽度：120µsec，占空比10％笔记Tc（op）= + 25°CSG36F30S-D基站用晶体管SGN350H-R氮化镓晶体管SGN1214-220H-R氮化镓晶体管
2021-03-30 11:14:59
）1.1脉冲条件脉冲宽度：120µsec，占空比10％笔记Tc（op）= + 25°CSG36F30S-D基站用晶体管SGN350H-R氮化镓晶体管SGN1214-220H-R氮化镓晶体管
2021-03-30 11:24:16
）= + 25°CSGN19H181M1H砷化镓晶体管SGN19H240M1H砷化镓晶体管SGN21H180M1H砷化镓晶体管SGN21H121M1H砷化镓晶体管SGN21H181M1H砷化镓晶体管
2021-03-30 11:32:19
TGF2023-2-20碳化硅晶体管产品介绍TGF2023-2-20报价TGF2023-2-20代理TGF2023-2-20咨询热线TGF2023-2-20现货,王先生*** 深圳市首质诚
2018-06-22 11:09:47
功率增益13 dB的增益和55%的功率附加效率在1 dB压缩。这种性能使tgf2040适合高效率的应用。带有氮化硅的保护层提供了环境鲁棒性和划痕保护级别。产品型号：TGF2040产品名称：砷化镓晶体管
2018-07-18 12:00:19
TGF2160砷化镓晶体管产品介绍TGF2160报价TGF2160代理TGF2160咨询热线TGF2160现货,王先生 深圳市首质诚科技有限公司. TGF2160离散的1600微米pHEMT由DC至
2018-07-19 10:35:47
TGF2977-SM氮化镓晶体管产品介绍TGF2977-SM报价TGF2977-SM代理TGF2977-SM咨询热线TGF2977-SM现货,王先生 深圳市首质诚科技有限公司TGF2977-SM是5
2018-07-25 10:06:15
multisim仿真中高频晶体管BFG35能用哪个晶体管来代替，MFR151管子能用哪个来代替？或是谁有这两个高频管子的原件库？求大神指教
2016-10-26 11:51:18
氮化镓(GaN)的重要性日益凸显，增加。因为它与传统的硅技术相比，不仅性能优异，应用范围广泛，而且还能有效减少能量损耗和空间的占用。在一些研发和应用中，传统硅器件在能量转换方面，已经达到了它的物理
2023-06-15 15:47:44
度为1.1 eV，而氮化镓的禁带宽度为3.4 eV。由于宽禁带材料具备高电场强度，耗尽区窄短，从而可以开发出载流子浓度非常高的器件结构。例如，一个典型的650V横向氮化镓晶体管，可以支持超过800V
2023-06-15 15:53:16
次，与之相反，因此它具有更低的功耗（工作效率）。那么，为何碳化硅比氮化镓更早用于耐高压应用？原因是，在 MOS场效应管的制造中，碳化硅更容易形成SiO2 (SiO2)，「氮化镓晶片面临三大难题」（森
2023-02-23 15:46:22
互补晶体管的匹配
2019-10-30 09:02:03
的电荷量变化小于一个电子，则不会有电流通过量子点。因此，电流-电压关系不是正常的线性关系，而是阶梯形关系。该实验是历史上第一次手动控制电子的运动，为制造单个电子晶体管提供了实验基础。》 绝缘栅双极晶体管
2023-02-03 09:36:05
氮化镓(GaN)功率芯片，将多种电力电子器件整合到一个氮化镓芯片上，能有效提高产品充电速度、效率、可靠性和成本效益。在很多案例中，氮化镓功率芯片，能令先进的电源转换拓扑结构，从学术概念和理论达到
2023-06-15 14:17:56
通过SMT封装，GaNFast™ 氮化镓功率芯片实现氮化镓器件、驱动、控制和保护集成。这些GaNFast™功率芯片是一种易于使用的“数字输入、电源输出” (digital in, power out
2023-06-15 16:03:16
两年多前，德州仪器宣布推出首款600V氮化镓（GaN）功率器件。该器件不仅为工程师提供了功率密度和效率，且易于设计，带集成栅极驱动和稳健的器件保护。从那时起，我们就致力于利用这项尖端技术将功率级
2020-10-27 09:28:22
氮化镓南征北战纵横半导体市场多年，无论是吊打碳化硅，还是PK砷化镓。氮化镓凭借其禁带宽度大、击穿电压高、热导率大、电子饱和漂移速度高、抗辐射能力强和良好的化学稳定性等优越性质，确立了其在制备宽波谱
2019-07-31 06:53:03
镓具有更小的晶体管、更短的电流路径、超低的电阻和电容等优势，氮化镓充电器的充电器件运行速度，比传统硅器件要快 100倍。
更重要的是，氮化镓相比传统的硅，可以在更小的器件空间内处理更大的电场，同时提供更快的开关速度。此外，氮化镓比硅基半导体器件，可以在更高的温度下工作。
2023-06-15 15:41:16
SiC、蓝宝石、AlN和原生块体氮化镓。不过，所有这些材料价格昂贵，而最常用的透明电路基板——玻璃，则非常便宜。 我们的解决方案是一个两步式制程，可在玻璃基板上形成氮化镓晶体管。第一步是在将氮化镓层
2020-11-27 16:30:52
达林顿晶体管是一对双极晶体管，连接在一起，从低基极电流提供非常高的电流增益。输入晶体管的发射极始终连接到输出晶体管的基极;他们的收藏家被绑在一起。结果，输入晶体管放大的电流被输出晶体管进一步放大
2023-02-16 18:19:11
产的Guidance Enhanced Missile-TBM（GEM-T）拦截器中使用氮化镓（GaN）计算机芯片，以取代目前在导弹发射器中使用的行波管（TWT）。雷神希望通过使用GaN芯片升级
2019-07-08 04:20:32
应用领域，SiC和GaN形成竞争。随着碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)等新材料陆续应用在二极管、场效晶体管(MOSFET)等组件上，电力电子产业的技术大革命已揭开序幕。这些新组件虽然在成本上仍比传统硅
2021-09-23 15:02:11
明佳达电子优势供应氮化镓功率芯片NV6127+晶体管AON6268丝印6268，只做原装，价格优势，实单欢迎洽谈。产品信息型号1：NV6127丝印：NV6127属性：氮化镓功率芯片封装：QFN芯片
2021-01-13 17:46:43
请教：单结晶体管在什么位置，有人说是UJT，但好象用不了呀？
2013-09-26 16:55:49
各位高手，小弟正在学习单结晶体管，按照网上的电路图做的关于单结晶体管的仿真，大多数都不成功，请问谁有成功的单结晶体管的仿真仿真啊，可以分享下吗。
2016-03-04 09:15:06
晶体管开关对电子产品至关重要。了解晶体管开关，从其工作区域到更高级的特性和配置。 晶体管开关对于低直流开/关开关的电子设备至关重要，其中晶体管在其截止或饱和状态下工作。一些电子设备（如 LED
2023-02-20 16:35:09
我经常感到奇怪，我们的行业为什么不在加快氮化镓 (GaN) 晶体管的部署和采用方面加大合作力度；毕竟，大潮之下，没人能独善其身。每年，我们都看到市场预测的前景不太令人满意。但通过共同努力，我们就能
2022-11-16 06:43:23
什么是微波功率晶体管？如何提高微波功率晶体管可靠性？
2021-04-06 09:46:57
导读：将GaN FET与它们的驱动器集成在一起可以改进开关性能，并且能够简化基于GaN的功率级设计。氮化镓 (GaN) 晶体管的开关速度比硅MOSFET快很多，从而有可能实现更低的开关损耗。然而，当
2022-11-16 06:23:29
如何设计GaN氮化镓 PD充电器产品？
2021-06-15 06:30:55
来至网友的提问：如何选择分立晶体管？
2023-11-24 08:16:54
MOS管对向串联来实现电池关断的，因为硅MOS管内部存在体二极管，只能控制充电方向或者放电方向的关闭，无法彻底关断电路，所以需要使用两颗对向串联来使用。氮化镓锂电保护板应用可以说是有锂电池的地方就离不开
2023-02-21 16:13:41
晶体管依照用途大致分为高频与低频，它们在型号上的大致区别是什么？例如《晶体管电路设计》中列举的：高频（2SA****，2SC*****）、低频（2SB****，2SD****）。现在产品设计中最常用的型号是哪些？
2017-10-11 23:53:40
bandgap中晶体管的热噪声比较大，通过什么手段能解决？
2021-06-24 07:29:25
。LMG3410和LMG3411系列产品的额定电压为600 V，提供从低功率适配器到超过2 kW设计的各类解决方案。通过导通电阻选择器件内部氮化镓场效应晶体管（FET）的额定值为RDS(on) - 漏极-源极或导通电阻…
2022-11-10 06:36:09
选定方法①使TR达到饱和的IC/IB的比率是IC/IB=20/1②输入电阻：R1是±30% E-B间的电阻：R2/R1=±20%③VBE是0.55~0.75V数字晶体管具有下面的关系式。■数字晶体管
2019-04-22 05:39:52
选定方法数字晶体管的型号说明IO和IC的区别GI和hFE的区别VI(on)和VI(off)的区别关于数字晶体管的温度特性关于输出电压 - 输出电流特性的低电流领域（数字晶体管的情况）关于数字晶体管
2019-04-09 21:49:36
功率/高频射频晶体管和发光二极管。2010年，第一款增强型氮化镓晶体管普遍可用，旨在取代硅功率MOSFET。之后随即推出氮化镓功率集成电路- 将GaN FET、氮化镓基驱动电路和电路保护集成为单个器件
2023-06-25 14:17:47
晶体管的代表形状晶体管分类图：按照该分类，掌握其种类1. 按结构分类根据工作原理不同分类，分为双极晶体管和单极晶体管。双极晶体管双是指Bi（2个）、极是指Polar（极性）。双极晶体管，即流经构成
2019-05-05 01:31:57
请问半桥上管氮化镓这样的开尔文连接正确吗？
2024-01-11 07:23:47
针对可靠的高功率和高频率电子设备，制造商正在研究氮化镓(GaN)来制造具有高开关频率的场效应晶体管(FET)由于硅正在接近其理论极限，制造商现在正在研究使用宽带隙(WBG)材料来制造高效率的大功率
2022-06-15 11:43:25
受益于集成器件保护，直接驱动GaN器件可实现更高的开关电源效率和更佳的系统级可靠性。高电压（600V）氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管（HEMT）的开关特性可实现提高开关模式电源效率和密度的新型
2020-10-27 06:43:42
氮化镓GaN是什么？
2021-06-16 08:03:56
来至网友的提问：如何选择分立晶体管？
2018-12-12 09:07:55
虽然低电压氮化镓功率芯片的学术研究，始于 2009 年左右的香港科技大学，但强大的高压氮化镓功率芯片平台的量产，则是由成立于 2014 年的纳微半导体最早进行研发的。纳微半导体的三位联合创始人
2023-06-15 15:28:08
的晶体管”。 伊斯曼和米什拉是对的。氮化镓的宽带隙（使束缚电子自由断裂并有助于传导的能量）和其他性质让我们能够利用这种材料承受高电场的能力，制造性能空前的器件。 如今，氮化镓是固态射频功率应用领域
2023-02-27 15:46:36
这个达林顿晶体管厂家是哪家
2022-05-30 16:36:56
作为第三代半导体的天之骄子，氮化镓晶体管日益引起工业界的重视，且被更大规模应用
2023-02-07 17:13:06
357 法国和瑞士科学家首次使用氮化镓在（100）-硅（晶体取向为100）基座上，成功制造出了性能优异的高电子迁徙率晶体管（HEMTs）。
2023-02-08 17:39:07616
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