、柔性输电等新能源领域中应用的不断扩展，现代社会对电力电子变换器的效率和功率密度提出了更高的要求，需要器件在较高温度环境时仍具有更优越的开关性能以及更小的结温和结温波动。SiC肖特基势垒二极管(SBD
2019-10-24 14:25:15
。 SiC肖特基势垒二极管（SBD）在大功率应用方面的最大优势在于近乎理想的动态特性。在反向恢复瞬态，当二极管从正向导通模式转变为反向阻断模式时，有很低的反向恢复时间，而且在整个工作温度范围内保持
2020-09-24 16:22:14
SIC碳化硅二极管
2016-11-04 15:50:11
理解其波形和温度特性，这样有助于有效使用二极管。SiC-SBD和Si-PND的反向恢复特性的不同首先，反向恢复或恢复是指二极管在呈反向偏置状态时，无法立即完全关断，有时会出现反向电流的现象。trr是其
2018-11-29 14:34:32
两者间权衡时，要想选出最适当的二极管，需要理解两者的特性。另外，毋庸置言，在探讨事项中“损耗降低”是最重要的课题。前篇的trr对应开关损耗，本篇的VF对应传导损耗。关于Si-FRD和SiC-SBD
2018-11-30 11:52:08
，已实施了评估的ROHM的SiC-SBD，在与我们熟知的Si晶体管和IC可靠性试验相同的试验中，确保了充分的可靠性。另外，关于SiC-SBD，可能有人听说过有与dV/dt或dI/dt相关的破坏模式
2018-11-30 11:50:49
，在功率二极管中可以说是损耗最小的二极管。促进电源系统应用的效率提高与小型化前面已经介绍了SiC-SBD的特征，下面将介绍一些其典型应用。主要是在电源系统应用中，将成为代替以往的Si二极管，解决当今
2019-03-27 06:20:11
为了使大家了解SiC-SBD，前面以Si二极管为比较对象，对特性进行了说明。其中，也谈到SiC-SBD本身也发展到第2代，性能得到了提升。由于也有宣布推出第3代产品的，所以在此汇总一下SiC-SBD
2018-11-30 11:51:17
10倍的绝缘击穿场强,所以不仅能保持实际应用特性且可耐高压。ROHM的650V和1200V的SiC-SBD已经实现量产，1700V产品正在开发中。SiC-SBD和Si-PN结二极管通过Si二极管来应对
2018-11-29 14:35:50
1. 器件结构和特征SiC能够以高频器件结构的SBD（肖特基势垒二极管）结构得到600V以上的高耐压二极管（Si的SBD最高耐压为200V左右）。因此，如果用SiC-SBD替换现在主流产品快速PN结
2019-03-14 06:20:14
1. 器件结构和特征SiC能够以高频器件结构的SBD（肖特基势垒二极管）结构得到600V以上的高耐压二极管（Si的SBD最高耐压为200V左右）。因此，如果用SiC-SBD替换现在主流产品快速PN结
2019-04-22 06:20:22
的传递函数导出示例 其1升降压转换器的传递函数导出示例 其2开关的导通电阻对传递函数的影响总结总结关键词开关损耗 传递函数 电源设计 SiC-SBD 快速恢复二极管 SJ-MOSFET IGBT 状态空间
2018-11-27 16:40:24
ROHM推出了SiC肖特基势垒二极管（以下SiC SBD）的第三代产品“SCS3系列”。SCS3系列是进一步改善了第二代SiC SBD实现的当时业界最小正向电压，并大幅提高了抗浪涌电流性能的产品
2018-12-03 15:12:02
在开关电源常用拓扑中，除了功率MOS器件，还有不可或缺的二极管器件，但是不一样的电路拓扑中，二极管的选择需要承担不一样的作用，对二极管的性能就有一定的要求，所以本文就列举目前常用拓扑结构中二极管
2021-09-20 07:00:00
在开关电源常用拓扑中，除了功率MOS器件，还有不可或缺的二极管器件，但是不一样的电路拓扑中，二极管的选择需要承担不一样的作用，对二极管的性能就有一定的要求，所以本文就列举目前常用拓扑结构中二极管
2022-04-12 15:53:31
与Si的比较开发背景SiC的优点SiC-SBD（肖特基势垒二极管）与Si二极管比较采用示例SiC-MOSFET与各种功率MOSFET比较运用事例全SiC模块模块的构成开关损耗运用要点SiC是在热、化学
2018-11-29 14:39:47
SiC-SBD，蓝色是第二代，可确认VF的降低。SiC-SBD因高速trr而使开关损耗降低，加之VF的改善，在功率二极管中可以说是损耗最小的二极管。促进电源系统应用的效率提高与小型化前面已经介绍了
2018-12-04 10:26:52
一、ESD静电二极管，主要功能是防静电，然而防静电要求电容值低，一般在1--3.5PF之间最好；而TVS二极管的电容值却比较高。二、ESD保护二极管，主要应用于板级保护；TVS二极管用于初级
2022-05-18 11:23:17
二极管中观察到的电容恢复特性为独立于温度，正向电流水平以及关断dI/dt。在Si技术中，不切实际外延规范将肖特基二极管降级为< 600 V的应用。GeneSiC的1200 V SiC肖特基二极管是专门设计的，以尽量减少电容电荷，从而实现更快的开关瞬变。
2023-06-16 11:42:39
凑的系统），内部体二极管能够像mosfet一样处理电流吗？可以说25A电流，还是应该使用外部体二极管？如果我使用外部体二极管;我可以使用快速恢复二极管吗？那将是什么缺点。外部SiC SBD是昂贵
2019-05-29 06:12:00
做得更薄，在相同的电场强度下可以减低导通损耗。这一技术不仅仅用于肖特基二极管，也用于IGBT和功率PN二极管。`
2019-01-02 13:57:40
Si整流器与SiC二极管：谁会更胜一筹
2021-06-08 06:14:04
。C：电容值，对于同功率等级的TVS管而言，电压越低电容值就越大。在通信线路的防护中，尤其要注意TVS管的电容值。二极管封装形式：从TVS管的封装形式，可以看出其功率大小。TVS管的芯片面积直接决定其功率等级。TVS二极管规格书下载：
2021-11-12 17:35:11
稳压管是稳压作用的，超过它的稳压值，只要功率不超过它的耐受值，就会稳定在它的稳压值范围内。TVS是瞬态抑制二极管，主要是用来抑制瞬时电压尖峰，减少尖峰电压对元器件的损耗。稳压二极管主要...
2021-11-15 07:36:54
过电压保护器件的一种。瞬态二极管是在稳压二极管的基础上发明的，是一种新型高效的电路保护器件，专门用于抑制暂态过电压，具有优越的过电压防浪涌保护作用。电路正常工作时，瞬态二极管呈高阻态，不会影响电路的正产
2022-05-25 14:16:57
所无法比拟的。中、小功率肖特基整流二极管大多采用封装形式
2010-08-17 09:31:20
，有助于满足现代电子技术对高温、高功率、高压、高频以及抗辐射等恶劣条件的新要求。
二、 SiC的性能优势
1、SiC SBD可将耐压提高到3.3kV，极大扩展了SBD的应用范围
肖特基二极管
2023-10-07 10:12:26
续流二极管作用及工作原理是什么？续流二极管为什么要反向接个二极管呢？续流二极管在正激开关电源的作用是什么？在变流技术中，续流二极管在电路里起什么作用？
2021-07-06 06:53:37
扩展了其650伏(V) SiC二极管系列，提供更高的能效、更高的功率密度和更低的系统成本。工程师在设计用于太阳能光伏逆变器、电动车/混和动力电动车（EV / HEV）充电器、电信电源和数据中心电源等
2018-10-29 08:51:19
相较于硅，碳化硅（SiC）肖特基二极管采用全新的技术，提供更出色的开关性能和更高的可靠性。SiC无反向恢复电流，且具有不受温度影响的开关特性和出色的散热性能，因此被视为下一代功率半导体。
2020-07-30 07:14:58
发光二极管与激光二极管在发光原理上有何差别？发光二极管与激光二极管在工作原理上有何差别？发光二极管与激光二极管在架构上有何差别？发光二极管与激光二极管在效能上有何差别？
2021-07-28 07:02:48
关于SiC-SBD，前面介绍了其特性、与Si二极管的比较、及当前可供应的产品。本篇将汇总之前的内容，并探讨SiC-SBD的优势。SiC-SBD、SiｰSBD、Si-PND的特征SiC-SBD为形成
2018-11-29 14:33:47
从本文开始进入新的一章。继SiC概要、SiC-SBD（肖特基势垒二极管 ）、SiC-MOSFET之后，来介绍一下完全由SiC功率元器件组成的“全SiC功率模块”。本文作为第一篇，想让大家了解全SiC
2018-11-27 16:38:04
3赛季）与文图瑞车队签署官方技术合作协议，并在上个赛季为其提供了SiC肖特基势垒二极管（SiC-SBD）。通过将FRD更换为SiC-SBD，第2赛季由IGBT和快速恢复二极管（FRD）组成的逆变器成功
2018-12-04 10:24:29
内置SiC肖特基势垒二极管的IGBT：RGWxx65C系列内置SiC SBD的Hybrid IGBT在FRD＋IGBT的车载充电器案例中开关损耗降低67%关键词* • SiC肖特基势垒二极管（SiC
2022-07-27 10:27:04
`快恢复二极管从名称上很好理解，肖特基二极管是以人名命名，由于制造I艺完全不同，是肖特基博士的一个创新。肖特基二极管是以其发明人肖特基博士(Schottky) 命名的，SBD是肖特基二极管
2018-11-01 15:26:11
各位有压降最小的二极管推荐吗？
2015-08-14 16:01:03
变容二极管，以及固体功率源中倍频、移相的功率阶跃变容二极管，用于电视机高频头的频道转换和调谐电路，多以硅材料制作。4.快速二极管快速二极管的工作原理与普通二极管是相同的，但由于普通二极管工作在开关状态下
2018-10-18 15:45:32
相较于硅，碳化硅（SiC）肖特基二极管采用全新的技术，提供更出色的开关性能和更高的可靠性。SiC无反向恢复电流，且具有不受温度影响的开关特性和出色的散热性能，因此被视为下一代功率半导体。
2019-07-25 07:51:59
耗散，因此降低了热和电传导损耗。它的高结温能力提高了高环境温度下或无法获得充分冷却的应用中的可靠性。肖特基二极管的应用:MBR系列肖特基势垒整流器的典型应用包括不间断电源、高频开关式电源和直流-直流
2020-08-28 17:12:29
和下方之间的工作边界。值得注意的是，边界曲线直接映射到功率损耗等值线中的拐点。这表明，无论使用何种二极管类型，高于谐振的操作都会增加转换器的功率损耗。 从功率损耗图中可以看出，GaAs和SiC的性能
2023-02-21 16:27:41
电路损耗，提高电路工作频率。在PFC电路中用SiC SBD（肖特基势垒二极管）代替原来的硅FRD（快速恢复二极管）可以使电路在300kHz以上工作，效率基本保持不变，而使用100kHz以上硅FRD的电路效率急剧下降。随着工作频率的增加，电感器等无源元件的体积相应减小，整个电路板的体积减小30%以上。
2023-02-07 15:59:32
省去输入二极管桥。图1：传统的PFC仿真数据（图2）表面，在PFC块中，输入二极管桥的功率损耗比其他所有元器件损耗都要大。图2： PFC中的功率损耗分布为了提高OBC系统的能效，人们研究了不同的PFC
2022-04-19 08:00:00
SiC-MOSFET和SiC-SBD（肖特基势垒二极管）组成的类型，也有仅以SiC-MOSFET组成的类型。与Si-IGBT功率模块相比，开关损耗大大降低处理大电流的功率模块中，Si的IGBT与FRD
2018-12-04 10:14:32
振荡电路，Q1-Q4相互导通，在导通-关断过程中，会产生能量，这个二极管经常被称为寄生二极管或者续流二极管，IGBT作为开关用时候一般电压达到上千伏，因此肖特基二极管不适合。3、快恢复二极管在BOOST
2023-02-16 14:56:38
振荡电路，Q1-Q4相互导通，在导通-关断过程中，会产生能量，这个二极管经常被称为寄生二极管或者续流二极管，IGBT作为开关用时候一般电压达到上千伏，因此肖特基二极管不适合。3、快恢复二极管在BOOST
2023-02-20 15:22:29
的稳压二极管来更换。可以用具有相同稳定电压值的高耗散功率稳压二极管来代换耗散功率低的稳压二极管，但不能用耗散功率低的稳压二极管来代换耗散功率高的稳压二极管。例如，0.5W、6.2V的稳压二极管可以用1W
2021-07-07 14:58:27
1. SiC模块的特征大电流功率模块中广泛采用的主要是由Si材料的IGBT和FRD组成的IGBT模块。ROHM在世界上首次开始出售搭载了SiC-MOSFET和SiC-SBD的功率模块。由IGBT的尾
2019-03-12 03:43:18
新日本无线的这款新MUSES音频系列产品 MUSES7001 是采用了粗铜线丝焊方式的音频碳化硅肖特基二极管(SiC-SBD:Silicon Carbide-Schottky Barrier
2013-11-14 12:16:01
1. 器件结构和特征SiC能够以高频器件结构的SBD（肖特基势垒二极管）结构得到600V以上的高耐压二极管（Si的SBD最高耐压为200V左右）。因此，如果用SiC-SBD替换现在主流产品快速PN结
2019-05-07 06:21:51
(SBD)结构如图1a所示，它是在肖特基二极管中增加了一个低掺杂浓度的n-漂移区，由肖特基结和n-漂移区及n+阴极区组成。结势垒控制的肖特基二极管(JBS)结构如图1b所示，在形成肖特基结之前，先通过
2019-02-12 15:38:27
二极管是半导体器器件中结构最为简单的器件，但它是一种十分重要的基础器件。从某种意义上讲，是任何其他器件替代不了的。例如，自大功率器件IGBT问世后，在很大范围内代替了大功率晶体管GTR。但却无其它
2016-11-14 20:01:52
电子元器件在模块中运用的二极管有稳压二极管，整流二极管，其中整流二极管在电压转换进程中扮演了重要的角色。在变压器的输入端，两个整流二极管在不同时段导通，使交流脉动电压转换为直流脉动。在本实验中
2012-12-13 15:06:51
比如一个电源，全桥架构，副边用的是桥式整流输出，输出电流为10A，假设二极管的管子压降为1.5V，那么副边的二极管通态损耗怎么样计算？可以这样了解吗：正半周期一组对角的二极管导通，此时功耗为1.5V*10*2=30W，同理负半周期也如此，则副边二极管损耗为60W。
2018-12-18 14:52:44
二极管时，看的是功率和封装形式；在实际应用中，二者通常相辅相成，紧密相连，各自发挥优势，更有效地为电路安全保驾护航！TVS二极管规格书下载：
2020-12-24 14:55:58
二极管时，看的是功率和封装形式；在实际应用中，二者通常相辅相成，紧密相连，各自发挥优势，更有效地为电路安全保驾护航！ESD二极管规格书下载：
2021-12-30 17:52:36
高压硅二极管具有低正向传导压降，但由于其反向恢复行为，会在功率转换器中造成显著的动态损耗。与硅相比，SiC二极管的反向恢复行为可以忽略不计，但确实表现出更高的体电容和更大的正向传导降。由于砷化镓技术
2023-02-22 17:13:39
PN结器件优越的指标是正向导通电压低，具有低的导通损耗。 但硅肖特基二极管也有两个缺点，一是反向耐压VR较低，一般只有100V左右;二是反向漏电流IR较大。 二、碳化硅半导体材料和用它制成的功率
2019-01-11 13:42:03
Toshiba研发出一种SiC金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET)，其将嵌入式肖特基势垒二极管（SBD）排列成格子花纹（check-pattern embedded SBD），以降低导通电
2023-04-11 15:29:18
各种耐高温的高频大功率器件，应用于硅器件难以胜任的场合，或在一般应用中产生硅器件难以产生的效果。 肖特基势垒二极管（SBD）作为一种单极性器件，在导通过程中没有额外载流子注入和储存，因而基本没有
2019-10-24 14:21:23
常用的稳压二极管的外形与普通小功率整流二极管的外形基本相似。当壳体上的型号标记清楚时，可根据型号加以鉴别。当其型号标志脱落时，可使用万用表电阻挡很准确地将稳压二极管与普通整流二极管区别开来。具体方法
2021-08-16 17:04:51
，稳压二极管不讨论响应时间，而是更关注稳压值。但对于TVS二极管来说，其特性决定了其具有不同的功能。TVS二极管具有瞬态抑制高能的功能，所以需要在短时间内吸收高能，所以这个时间非常短，达到纳秒级;4.功率大小
2021-12-21 11:16:32
稳压了，为了减小自身功率损耗，因此理想的管子在稳压时我们希望内阻越小越好。因此要想让稳压二极管实现稳压输出，必须保证电流要达到额定稳压值，太小的话管子因无法导通而无法稳压，太大了则会因功率增大而烧毁
2012-07-12 15:31:26
的稳定电压为6～7.5V。 （2）耗散功率PM：反向电流通过稳压二极管的PN结时，要产生一定的功率损耗，PN结的温度也将升高。根据允许的PN结工作温度决定出管子的耗散功率。通常小功率管约为几百毫瓦至几瓦
2018-01-26 09:38:01
本文描述了ROHM推出的SiC-SBD其特性、与Si二极管的比较、及当前可供应的产品，并探讨SiC-SBD的优势。ROHM的SiC-SBD已经发展到第3代。第3代产品的抗浪涌电流特性与漏电流特性得到
2019-07-10 04:20:13
低，可靠性高，在各种应用中非常有助于设备实现更低功耗和小型化。本产品于世界首次※成功实现SiC-SBD与SiC-MOSFET的一体化封装。内部二极管的正向电压（VF）降低70％以上，实现更低损耗的同时
2019-03-18 23:16:12
；trr约为10 ns数量级；适用于低电压（小于50 V）的功率电子电路中（当电路电压高于100 V以上时，则要选用PIV高的SBD，其正向电阻将增大许多）。肖特基二极管属于大电流、低功耗、超高速半导体
2021-01-13 16:36:44
。Si-SBD的特点是：正向压降PN结二极管的UDF低，仅为后者的1/2～1/3；trr约为10ns数量级；适用于低电压（小于50V）的功率电子电路中（当电路电压高于100V以上时，则要选用PIV高的SBD
2019-01-03 13:36:59
肖特基二极管正向导通电压很低，只有0.4V，反向在击穿电压之前不会导通，起到快速反应开关的作用。而稳压二极管正向导通电压跟普通二级管一样约为0.7V，反向状态下在临界电压之前截止，在达到临界电压
2020-09-25 15:38:08
` 在电子产品生产中，都会用到一种材料，它也因此被誉为电子行业的“生命之源”这种材料就是肖特基二极管，又称肖特基势垒二极管（简称SBD），它属一种低功耗、超高速半导体器件。最显著的特点为反向恢复
2019-02-20 12:01:29
肖特基二极管一种应用电路，这是肖特基二极管在步进电动机驱动电路中的应用。利用肖特基二极管的管压降小、恢复时间短的特点，这样大部分电流就流过外部的肖特基二极管，从而集成电路内部的功耗就小了很多，提高了热稳定性能，也就提高了可靠性。肖特基二极管规格书下载：
2021-04-12 17:25:17
100A/cm2电流密度下为4.9V。这充分显示了SiC材料制作功率二极管的巨大威力。 在SBD方面，采用SiC材料和JBS结构的器件具有较大的发展潜力。在高压功率二极管领域，SBD肯定会
2017-10-19 11:33:48
肖特基二极管具有开关频率高和正向压降低等优点，但其反向击穿电压比较低，大多不高于60V，*高仅约100V，以致于限制了其应用范围。像在开关电源（SMPS）和功率因数校正（PFC）电路中功率开关器件
2021-11-16 17:02:37
）电路中功率开关器件的续流二极管、变压器次级用100V以上的高频整流二极管、RCD缓冲器电路中用600V～1.2kV的高速二极管以及PFC升压用600V二极管等，只有使用快速恢复外延二极管（FRED）和超
2021-09-09 15:19:01
肖特基二极管原理； 肖特基二极管是以其发明人肖特基博士（Schottky）命名的，SBD是肖特基势垒二极管（SchottkyBarrierDiode，缩写成SBD）的简称。SBD不是利用P型
2021-04-17 14:10:23
（Schottky Barrier Diode 缩写成SBD）的简称。肖特基：Schottky整流：RectifierSR:即为肖特基整流二极管Schottky Rectifier Diode:肖特基整二极管
2021-06-30 17:04:44
在不同的电路部分。这是一个追求性能和用户体验，对成本不敏感的行业，是肖特基二极管(同时也是sic功率器件)的第1个民用下游领域，曾经在早期为siC功率器件厂家提供了最初的现金流。由于我国缺乏高端音响制造业
2018-11-14 14:54:30
整流二极管、续流二极管、保护二极管，也有用在微波通信等电路中作整流二极管、小信号检波二极管使用。在通信电源、变频器等中比较常见。 肖特基二极管优点包括两个方面: 1、由于肖特基势垒高度低于PN结
2018-10-25 14:48:50
二极管的Tj超过最大额定值，严重时可能会导致某种破坏性结果。如前所述，切勿忽视因Si-SBD的IR损耗。发热是IR和VR（反向电压）的积，即漏电流产生的反向功率损耗乘以热阻之积。与普通的热计算公式相同
2018-12-03 14:31:01
相连）和串联（一只二极管的正极接另一只二极管的负极）三种管脚引出方式。二、肖特基二极管在电源中的优劣对比：肖特基二极管优势：1：低压降，损耗电压小。2：开关速度快，损耗小，适用于高频电路。肖特基二极管
2019-04-12 11:37:43
我发现现在大家在选型这个二极管的时候，一般都是采用那种快恢复的二极管，有些场合明明不需要高速的快恢复二极管，但是大家也一样的采用了，看来是不是快恢复二极管已经可以通吃整个二极管应用了？
2019-05-16 00:12:23
采芯网转载：大功率肖特基二极管（SBD）是贵金属A为正极，以N型半导体B为负极，利用二者接触面上形成的势垒具有整流特性而制成的金属半导体器件。大功率肖特基二极管的结构和特点使其适合于在低压、大电流
2016-12-06 18:25:12
省去输入二极管桥。图1：传统的PFC仿真数据（图2）表面，在PFC块中，输入二极管桥的功率损耗比其他所有元器件损耗都要大。图2： PFC中的功率损耗分布为了提高OBC系统的能效，人们研究了不同的PFC
2022-05-30 10:01:52
二极管的正向电压VF无限接近零、对温度稳定是比较理想的，但事实是不是零、并会受温度影响而变动。为了使大家了解SiC-SBD的VF特性，下面与Si-PND的FRD（快速恢复二极管）进行比较。
2023-02-08 13:43:18
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为了使大家了解SiC-SBD，前面以Si二极管为比较对象，对特性进行了说明。其中，也谈到SiC-SBD本身也发展到第2代，性能得到了提升。
2023-02-08 13:43:18396 
关于SiC-SBD，前面介绍了其特性、与Si二极管的比较、及当前可供应的产品。本篇将汇总之前的内容，并探讨SiC-SBD的优势。
2023-02-08 13:43:18705 
ROHM在全球率先实现了搭载ROHM生产的SiC-MOSFET和SiC-SBD的“全SiC”功率模块量产。与以往的Si-IGBT功率模块相比，“全SiC”功率模块可高速开关并可大幅降低损耗。
2023-02-10 09:41:081333 
面对SiC-SBD和Si-PND的特征进行了比较。接下来比较SiC-SBD和Si-PND的反向恢复特性。反向恢复特性是二极管、特别是高速型二极管的基本且重要的参数，所以不仅要比较trr的数值，还要理解其波形和温度特性，这样有助于有效使用二极管。
2023-02-22 09:17:07198 
二极管的正向电压VF无限接近零、对温度稳定是比较理想的，但事实是不是零、并会受温度影响而变动。为了使大家了解SiC-SBD的VF特性，下面与Si-PND的FRD（快速恢复二极管）进行比较。
2023-02-22 09:18:59140 
为了使大家了解SiC-SBD，前面以Si二极管为比较对象，对特性进行了说明。其中，也谈到SiC-SBD本身也发展到第2代，性能得到了提升。由于也有宣布推出第3代产品的，所以在此汇总一下SiC-SBD的发展，整理一下当前实际上供应的SiC-SBD。
2023-02-22 09:19:45355 
SiC-SBD为形成肖特基势垒，将半导体SiC与金属相接合（肖特基结）。结构与Si肖特基势垒二极管基本相同，仅电子移动、电流流动。而Si-PND采用P型硅和N型硅的接合结构，电流通过电子与空穴（孔）流动。
2023-02-23 11:24:11586 
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