二十多年来,碳化硅(Silicon Carbide,SiC)作为一种宽禁带功率器件,受到人们越来越多的关注。与硅相比,碳化硅具有很多优点,如:碳化硅的禁带宽度更大,这使碳化硅器件拥有更低的漏电
2022-11-12 10:01:261315 开关器件在运行过程中存在短路风险,配置合适的短路保护电路,可以有效减少开关器件在使用过程中因短路而造成的损坏。与硅IGBT相比,碳化硅MOSFET短路耐受时间更短。
2023-02-12 15:41:121812 本推文主要介碳化硅器件,想要入门碳化硅器件的同学可以学习了解。
2023-11-27 17:48:06642 科锐实现50A碳化硅功率器件技术突破,为更多大功率应用带来更高效率和更低成本,包括1700V碳化硅MOSFET器件在内的科锐大功率碳化硅MOSFET器件降低电力电子系统成本并提升能效
2012-05-10 09:27:161086 。尤其在高压工作环境下,依然体现优异的电气特性,其高温工作特性,大大提高了高温稳定性,也大幅度提高电气设备的整体效率。 产品可广泛应用于太阳能逆变器、车载电源、新能源汽车电机控制器、UPS、充电桩、功率电源等领域。 1200V碳化硅MOSFET系列选型
2020-09-24 16:23:17
功率器件在工业应用中的解决方案,议程分为:功率分立器件概览 、 IGBT产品3、高压MOSFET 、 碳化硅Mosfet、碳化硅二极管和整流器、氮化镓PowerGaN、工业电源中的应用和总结八个部分。
2023-09-05 06:13:28
0.5Ω,内部栅极电阻为0.5Ω。 功率模块的整体热性能也很重要。碳化硅芯片的功率密度高于硅器件。与具有相同标称电流的硅IGBT相比,SiC MOSFET通常表现出显着较低的开关损耗,尤其是在部分
2023-02-20 16:29:54
PN结器件优越的指标是正向导通电压低,具有低的导通损耗。 但硅肖特基二极管也有两个缺点,一是反向耐压VR较低,一般只有100V左右;二是反向漏电流IR较大。 二、碳化硅半导体材料和用它制成的功率
2019-01-11 13:42:03
碳化硅MOSFET开关频率到100Hz为什么波形还变差了
2015-06-01 15:38:39
应用,处理此类应用的唯一方法是使用IGBT器件。碳化硅或简称SiC已被证明是一种材料,可以用来构建类似MOSFET的组件,使电路具有比以往IGBT更高的效率。如今,SiC受到了很多关注,不仅因为它
2023-02-24 15:03:59
本文的目的是分析碳化硅MOSFET的短路实验(SCT)表现。具体而言,该实验的重点是在不同条件下进行专门的实验室测量,并借助一个稳健的有限元法物理模型来证实和比较测量值,对短路行为的动态变化进行深度评估。
2019-08-02 08:44:07
,封装也是影响产品可靠性的重要因素。基本半导体碳化硅分立器件采用AEC-Q101标准进行测试。目前碳化硅二级管产品已通过AEC-Q101测试,工业级1200V碳化硅MOSFET也在进行AEC-Q101
2023-02-28 16:59:26
进一步了解碳化硅器件是如何组成逆变器的。
2021-03-16 07:22:13
今天我们来聊聊碳化硅器件的特点
2021-03-16 08:00:04
。 功率半导体就是这样。在首度商业化时,碳化硅的创新性和较新的颠覆性技术必然很昂贵,尽管认识到了与硅基产品(如IGBT和Si-MOSFET)相比的潜在优势,大多数工程师还是把它放在了“可有可无”的清单
2023-02-27 14:28:47
反向恢复电流,其关断过程很快,开关损耗很小。由于碳化硅材料的临界雪崩击穿电场强度较高,可以制作出超过1000V的反向击穿电压。在3kV以上的整流器应用领域,由于SiC PiN二极管与Si器件相比具有更快
2019-10-24 14:21:23
由于碳化硅具有不可比拟的优良性能,碳化硅是宽禁带半导体材料的一种,主要特点是高热导率、高饱和以及电子漂移速率和高击场强等,因此被应用于各种半导体材料当中,碳化硅器件主要包括功率二极管和功率开关管
2020-06-28 17:30:27
和发电机绕组以及磁线圈中的高关断电压。 棒材和管材EAK碳化硅压敏电阻 这些EAK非线性电阻压敏电阻由碳化硅制成,具有高功率耗散和高能量吸收。该系列采用棒材和管材制造,外径范围为 6 至 30
2024-03-08 08:37:49
超过40%,其中以碳化硅材料(SiC)为代表的第三代半导体大功率电力电子器件是目前在电力电子领域发展最快的功率半导体器件之一。根据中国半导体行业协会统计,2019年中国半导体产业市场规模达7562亿元
2021-01-12 11:48:45
在设计功率转换器时,碳化硅(SiC)等宽带隙(WBG)技术现在是组件选择过程中的现实选择。 在设计功率转换器时,碳化硅(SiC)等宽带隙(WBG)技术现在是组件选择过程中的现实选择。650V
2023-02-23 17:11:32
碳化硅的颜色,纯净者无色透明,含杂质(碳、硅等)时呈蓝、天蓝、深蓝,浅绿等色,少数呈黄、黑等色。加温至700℃时不褪色。金刚光泽。比重,具极高的折射率, 和高的双折射,在紫外光下发黄、橙黄色光,无
2019-07-04 04:20:22
和 DC-AC 变流器等。集成式快速开关 50A IGBT 的关断性能优于纯硅解决方案,可与 MOSFET 媲美。较之常规的碳化硅 MOSFET,这款即插即用型解决方案可缩短产品上市时间,能以更低成本实现 95
2021-03-29 11:00:47
的化学惰性• 高导热率• 低热膨胀这些高强度、较持久耐用的陶瓷广泛用于各类应用,如汽车制动器和离合器,以及嵌入防弹背心的陶瓷板。碳化硅也用于在高温和/或高压环境中工作的半导体电子设备,如火焰点火器、电阻加热元件以及恶劣环境下的电子元器件。
2019-07-02 07:14:52
碳化硅作为现在比较好的材料,为什么应用的领域会受到部分限制呢?
2021-08-19 17:39:39
碳化硅作为一种宽禁带半导体材料,比传统的硅基器件具有更优越的性能。碳化硅的宽禁带(3.26eV)、高临界场(3×106V/cm)和高导热系数(49W/mK)使功率半导体器件效率更高,运行速度更快
2023-02-28 16:34:16
材料的两倍以上。因此,SiC所能承受的温度更高,一般而言,使用碳化硅(SiC)陶瓷线路板的功率器件所能达到的最大工作温度可到600 C。2) 高阻断电压与Si材料相比,SiC的击穿场强是Si的十倍多
2021-03-25 14:09:37
哪位大神知道CISSOID碳化硅驱动芯片有几款,型号是什么
2020-03-05 09:30:32
通损耗一直是功率半导体行业的不懈追求。 相较于传统的硅MOSFET和硅IGBT 产品,基于宽禁带碳化硅材料设计的碳化硅 MOSFET 具有耐压高、导通电阻低,开关损耗小的特点,可降低器件损耗、减小
2023-02-27 16:14:19
)------------------------------------------------------------------------------------------------会议主题:罗姆 SiC(碳化硅)功率器件的活用直播时间:2018
2018-07-27 17:20:31
,利用SiC MOSFET来作为永磁同步电机控制系统中的功率器件,可以降低驱动器损耗,提高开关频率,降低电流谐波和转矩脉动。本项目中三相逆变器拟打算使用贵公司的SiC MOSFET,验证碳化硅功率器件
2020-04-21 16:04:04
什么是碳化硅(SiC)?它有哪些用途?碳化硅(SiC)的结构是如何构成的?
2021-06-18 08:32:43
无不积极研发经济型高性能碳化硅功率器件,例如Cascode结构、碳化硅MOSFET平面栅结构、碳化硅MOSFET沟槽栅结构等。这些不同的技术对于碳化硅功率器件应用到底有什么影响,该如何选择呢?首先
2022-03-29 10:58:06
多半仍以机械结构为主,造价高昂,且产品相当笨重,更需要经常维修。为了改良这些缺点,以电力电子为基础的新一代大功率电力设备应运而生。碳化硅等新世代组件,则是在背后促成这股电力设备电子化不可或缺的功臣
2021-09-23 15:02:11
,获得华大半导体有限公司投资,创能动力致力于开发以硅和碳化硅为基材的功率电子器件、功率模块,并商品化提供解决方案。碳化硅使用在氮化镓电源中,可实现相比硅元器件更高的工作温度,实现双倍的功率密度,更小
2023-02-22 15:27:51
的硅基IGBT和碳化硅肖特基二极管合封,在部分应用中可以替代传统的IGBT (硅基IGBT与硅基快恢复二极管合封),使得IGBT的开关损耗大幅降低。这款混合碳化硅分立器件的性能介于超结MOSFET
2023-02-28 16:48:24
MOSFET之所以有如此的大吸引力,在于与它们具有比硅器件更出众的可靠性,在持续使用内部体二极管的连续导通模式(CCM)功率因数校正(PFC)设计,例如图腾功率因数校正器的硬开关拓扑中,碳化硅
2023-03-14 14:05:02
得到更低栅极开关驱动损耗(图1).碳化硅MOSFET寄生体二极管具有极小的反向恢复时间trr和反向恢复电荷Qrr。如图所示,同一额定电流900V的器件,碳化硅MOSFET 寄生二极管反向电荷只有同等
2016-08-05 14:32:43
对于高压开关电源应用,碳化硅或SiC MOSFET带来比传统硅MOSFET和IGBT明显的优势。在这里我们看看在设计高性能门极驱动电路时使用SiC MOSFET的好处。
2018-08-27 13:47:31
用碳化硅MOSFET设计一个双向降压-升压转换器
2021-02-22 07:32:40
采用沟槽型、低导通电阻碳化硅MOSFET芯片的半桥功率模块系列 产品型号 BMF600R12MCC4 BMF400R12MCC4 汽车级全碳化硅半桥MOSFET模块Pcore2
2023-02-27 11:55:35
摘要: 碳化硅(silicon carbide,SiC)功率器件作为一种宽禁带器件,具有耐高压、高温,导通电阻低,开关速度快等优点。如何充分发挥碳化硅器件的这些优势性能则给封装技术带来了新的挑战
2023-02-22 16:06:08
新型材料铝碳化硅解决了封装中的散热问题,解决各行业遇到的各种芯片散热问题,如果你有类似的困惑,欢迎前来探讨,铝碳化硅做封装材料的优势它有高导热,高刚度,高耐磨,低膨胀,低密度,低成本,适合各种产品的IGBT。我西安明科微电子材料有限公司的赵昕。欢迎大家有问题及时交流,谢谢各位!
2016-10-19 10:45:41
反向恢复时间[2] [3]必将在新能源汽车电源设计中起到越来越重要的作用。它将对高效高功率密度高电池电压等要求的新能源汽车优化带来可能。碳化硅MOSFET目前成本仍然高于硅器件,可通过拓扑结构简化
2016-08-25 14:39:53
硅IGBT与碳化硅MOSFET驱动两者电气参数特性差别较大,碳化硅MOSFET对于驱动的要求也不同于传统硅器件,主要体现在GS开通电压、GS关断电压、短路保护、信号延迟和抗干扰几个方面,具体如下
2023-02-27 16:03:36
碳化硅(SiC)等宽带隙技术为功率转换器设计人员开辟了一系列新的可能性。与现有的IGBT器件相比,SiC显著降低了导通和关断损耗,并改善了导通和二极管损耗。对其开关特性的仔细分析表明,SiC
2023-02-22 16:34:53
面向电动汽车的全新碳化硅功率模块 碳化硅在电动汽车应用中代表着更高的效率、更高的功率密度和更优的性能,特别是在800 V 电池系统和大电池容量中,它可提高逆变器的效率,从而延长续航里程或降低电池成本
2021-03-27 19:40:16
是宽禁带半导体材料的一种,主要特点是高热导率、高饱和以及电子漂移速率和高击场强等,因此被应用于各种半导体材料当中,碳化硅器件主要包括功率二极管和功率开关管。功率二极管包括结势垒肖特基(JBS)二极管
2023-02-20 15:15:50
最近需要用到干法刻蚀技术去刻蚀碳化硅,采用的是ICP系列设备,刻蚀气体使用的是SF6+O2,碳化硅上面没有做任何掩膜,就是为了去除SiC表面损伤层达到表面改性的效果。但是实际刻蚀过程中总是会在碳化硅
2022-08-31 16:29:50
IGBT 的三相电机半桥的高侧和低侧功率级,并能够监控和保护各种故障情况。图1:电动汽车牵引逆变器框图碳化硅 MOSFET 米勒平台和高强度栅极驱动器的优势特别是对于SiC MOSFET,栅极驱动器IC
2022-11-02 12:02:05
科锐公司(Nasdaq: CREE)将继续引领高效率电子电力模组变革,宣布推出业界首款符合全面认证的可应用于电力电子模组的裸芯片型及芯片型碳化硅MOSFET功率器件。
2011-12-19 09:03:161682 碳化硅功率器件近年来越来越广泛应用于工业领域,受到大家的喜爱,不断地推陈出新,大量的更高电压等级、更大电流等级的产品相继推出,市场反应碳化硅元器件的效果非常好,但似乎对于碳化硅元器件的普及还有
2017-12-13 09:17:4421987 硅IGBT与碳化硅MOSFET驱动两者电气参数特性差别较大,碳化硅MOSFET对于驱动的要求也不同于传统硅器件,主要体现在GS开通电压、GS关断电压、短路保护、信号延迟和抗干扰几个方面
2019-12-09 13:58:0223531 碳化硅器件总成本的50%,外延、晶圆和封装测试成本分别为25%、20%和5%。碳化硅材料的可靠性对最终器件的性能有着举足轻重的意义,基本半导体从产业链各环节探究材料特性及缺陷产生的原因,与上下游企业协同合作提升碳化硅功率器件
2021-08-16 10:46:405267 基本半导体是国内比较早涉及第三代半导体碳化硅功率器件研发的企业,率先推出了碳化硅肖特基二极管、碳化硅MOSFET等器件,为业界熟知,并得到广泛应用。在11月27日举行的2021基本创新日活动
2021-11-29 14:54:087839 在高端应用领域,碳化硅MOSFET已经逐渐取代硅基IGBT。以碳化硅、氮化镓领衔的宽禁带半导体发展迅猛,被认为是有可能实现换道超车的领域。
2022-07-06 12:49:161072 SiC MOSFET 较 IGBT 可同时具备耐高压、低损耗和高频三大优势。1)碳化硅击穿电场强度是硅的十余倍,使得碳化硅器件耐高压特性显著高于同等硅器件。
2022-08-23 09:46:342918 碳化硅器件总成本的50%,外延、晶圆和封装测试成本分别为25%、20%和5%。碳化硅材料的可靠性对最终器件的性能有着举足轻重的意义,从产业链各环节探究材料特性及缺陷产生的原因,与上下游企业协同合作提升碳化硅功率器件的可靠性。
2023-01-05 11:23:191191 ,我国已经成为全球最重要的半导体功率器件封测基地。 目前常用的SiC碳化硅功率半导体器件主要包括:碳化sbd(schottkybarrierdiode,肖特基二极管)与碳化硅mosfet(metal-oxide-semiconductor field-effect transistor,金属氧化物半导体场效应管),其中碳化硅
2023-01-13 11:16:441230 硅IGBT与碳化硅MOSFET驱动两者电气参数特性差别较大,碳化硅MOSFET对于驱动的要求也不同于传统硅器件,主要体现在GS开通电压、GS关断电压、短路保护、信号延迟和抗干扰**几个方面。
2023-02-03 14:54:471076 碳化硅MOSFET技术是一种半导体技术,它可以用于控制电流和电压,以及检测电阻、电容、电压和电流等参数,以确定电子设备是否正常工作。碳化硅MOSFET技术的关键技术包括结构设计、材料选择、工艺制程、测试技术等。
2023-02-15 16:19:007598 。目前,我国已经成为全球最重要的半导体功率器件封测
基地。
目前常用的SiC碳化硅功率半导体器件主要包括:碳化sbd(schottkybarrierdiode,肖特基二极管)与碳化硅mosfet(metal-oxidesemiconductor field-effect transistor,金属氧
2023-02-16 15:28:254 我们拿慧制敏造出品的KNSCHA碳化硅功率器件:碳化硅二极管和碳化硅MOSFET展开说明。碳和硅进过化合先合成碳化硅,然后碳化硅打磨成为粉末,碳化硅粉末经过碳化硅单晶生长成为碳化硅晶锭;碳化硅
2023-02-21 10:04:111693 什么是第三代半导体?我们把SiC碳化硅功率器件和氮化镓功率器件统称为第三代半导体,这个是相对以硅基为核心的第二代半导体功率器件的。今天我们着重介绍SiC碳化硅功率器件,也就是SiC碳化硅二极管
2023-02-21 10:16:472090 SiC器件是一种新型的硅基 MOSFET,特别是 SiC功率器件具有更高的开关速度和更宽的输出频率。SiC功率芯片主要由 MOSFET和 PN结组成。
在众多半导体器件中,碳化硅材料具有低热
2023-03-03 14:18:564079 碳化硅功率器件在新能源汽车领域的应用主要有以下几个方面。
2023-04-27 14:05:52635 碳化硅功率模组有哪些 碳化硅功率器件系列研报深受众多专业读者喜爱,本期为番外篇,前五期主要介绍了碳化硅功率器件产业链的上中下游,本篇将深入了解碳化硅功率器件的应用市场,以及未来的发展趋势,感谢各位
2023-05-31 09:43:20390 碳化硅MOSFET什么意思 碳化硅MOSFET是一种新型的功率半导体器件,其中"MOSFET"表示金属氧化物半导体场效应晶体管,"碳化硅"指的是其材料。碳化硅
2023-06-02 15:33:151182 8.2.6功率MOSFET的实施:DMOSFET和UMOSFET8.2金属-氧化物-半导体场效应晶体管(MOSFET)第8章单极型功率开关器件《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》往期内
2022-02-28 11:20:021054 SICMOSFET作为第三代半导体器件,以其卓越的高频高压高结温低阻特性,已经越来越多的应用于功率变换电路。那么,如何用最有效的方式驱动碳化硅MOSFET,发挥SICMOSFET的优势,尽可能
2022-11-30 15:28:282648 来源:碳化硅芯观察对于碳化硅MOSFET(SiCMOSFET)而言,高质量的衬底可以从外部购买得到,高质量的外延片也可以从外部购买到,可是这只是具备了获得一个碳化硅器件的良好基础,高性能的碳化硅器件
2023-04-07 11:16:201221 碳化硅(SiC)功率器件是一种基于碳化硅材料的半导体器件,具有许多优势和广泛的应用前景。
2023-06-28 09:58:092319 igbt和碳化硅区别是什么? IGBT和碳化硅都是半导体器件,它们之间的区别主要体现在以下几个方面。 一、材料: IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor,绝缘
2023-08-25 14:50:049049 随着新能源汽车的快速发展,碳化硅功率器件在新能源汽车领域中的应用也越来越多。碳化硅功率器件相比传统的硅功率器件具有更高的工作温度、更高的能耗效率、更高的开关速度和更小的尺寸等优点,因此在新能源
2023-09-05 09:04:421880 本文研究SiC碳化硅功率模块及分立器件,功率模块主要包括碳化硅MOSFET模块(SiC MOSFET Module),分立器件包括碳化硅MOSFET分立器件和碳化硅二极管(主要是碳化硅肖特二极管)。
2023-09-08 11:30:451806 功率器件的功能是对电能进行处理、转换和控制。硅基功率器件相比,采用碳化硅衬底制作的功率器件具有耐高压、耐高温、能量损耗小、功率密度高等优点,可实现功率模块的小型化和轻量化。与相同规格
2023-09-25 17:31:33233 SiC器件是一种新型的硅基MOSFET,特别是SiC功率器件具有更高的开关速度和更宽的输出频率。SiC功率芯片主要由MOSFET和PN结组成。
在众多的半导体器件中,碳化硅材料具有低热导率、高击穿
2023-09-26 16:42:29342 碳化硅功率器件是一种利用碳化硅材料制作的功率半导体器件,具有高温、高频、高效等优点,被广泛应用于电力电子、新能源等领域。下面介绍一些碳化硅功率器件的基础知识。
2023-09-28 18:19:571220 碳化硅(SiC)功率器件是由硅和碳制成的半导体,用于制造电动汽车、电源、电机控制电路和逆变器等高压应用的功率器件。
2023-10-17 09:43:16169 MOSFET也已经发展到了第3代,新推出的650V和1200V电压产品现已量产。其栅极驱动电路设计简单,可靠性得到进一步的提高。 碳化硅MOSFET的优势 相同功率等级的硅MOSFET相比,新一代碳化硅MOSFET导通电阻、开关损耗大幅降低,适用于更高的工作频率,
2023-10-17 23:10:02269 碳化硅和igbt的区别 碳化硅(SiC)和绝缘栅双极型晶体管(IGBT)都是在电子领域中常见的器件。虽然它们都用于功率电子应用,但在结构、材料、性能和应用方面存在一些显著差异。本文将详细介绍碳化硅
2023-12-08 11:35:531791 随着电力电子技术的不断发展,碳化硅(SiC)功率器件作为一种新型的半导体材料,在电力电子领域的应用越来越广泛。与传统的硅功率器件相比,碳化硅功率器件具有高效率、高功率密度、高耐压、高耐流等优点
2023-12-14 09:14:46241 随着科技的快速发展,碳化硅(SiC)功率器件作为一种先进的电力电子设备,已经广泛应用于能源转换、电机控制、电网保护等多个领域。本文将详细介绍碳化硅功率器件的原理、应用、技术挑战以及未来发展趋势。
2023-12-16 10:29:20360 碳化硅MOSFET在高频开关电路中的应用优势 碳化硅MOSFET是一种新型的功率半导体器件,具有在高频开关电路中广泛应用的多个优势。 1. 高温特性: 碳化硅MOSFET具有极低的本征载流子浓度
2023-12-21 10:51:03357 碳化硅功率器件的实用性不及硅基功率器件吗 碳化硅功率器件相较于传统的硅基功率器件具有许多优势,主要体现在以下几个方面:材料特性、功率密度、温度特性和开关速度等。尽管碳化硅功率器件还存在一些挑战
2023-12-21 11:27:09286 导电型碳化硅功率器件主要是通过在导电型衬底上生长碳化硅外延层,得到碳化硅外延片后进一步加工制成,品种包括SBD(肖特基二极管)、MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)、IGBT(绝缘栅双极性晶体管)等,主要用于电动汽车、光伏、轨道交通、数据中心、充电等基础建设。
2023-12-27 10:08:56306 随着科技的不断进步,碳化硅(SiC)作为一种新型的半导体材料,在功率器件领域的应用越来越广泛。碳化硅功率器件在未来具有很大的发展潜力,将在多个领域展现出显著的优势。本文将介绍未来碳化硅功率器件的优势
2024-01-06 14:15:03353 碳化硅(SiC)是一种优良的宽禁带半导体材料,具有高击穿电场、高热导率、低介电常数等特点,因此在高温、高频、大功率应用领域具有显著优势。碳化硅功率器件是利用碳化硅材料制成的电力电子器件,主要包括
2024-01-09 09:26:49379 共读好书 碳化硅是第三代半导体产业发展的重要基础材料,碳化硅功率器件以其优异的耐高压、耐高温、低损耗等性能,能够有效满足电力电子系统的高效率、小型化和轻量化要求。 碳化硅MOSFET具有高频高效
2024-02-21 18:24:15412
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