当IGBT在开关时普遍会遇到的一个问题即寄生米勒电容开通期间的米勒平台。米勒效应在单电源门极驱动的应用中影响是很明显的。基于门极G与集电极C之间的耦合，在IGBT关断期间会产生一个很高的瞬态dv
2015-01-14 17:10:29
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米勒效应在MOS驱动中臭名昭著，他是由MOS管的米勒电容引发的米勒效应，在MOS管开通过程中，GS电压上升到某一电压值后GS电压有一段稳定值，过后GS电压又开始上升直至完全导通。为什么会有稳定值这段
2018-09-28 08:02:0019124 什么叫米勒电容？如何作用和影响于MOSFET？
2019-05-12 07:27:0022239 
作者：Stephen Woodward 虽然最初人们认为米勒效应只不过是会限制带宽和稳定性的不想要的寄生电容倍增器，但它现在已被有用的拓扑所采纳，如模拟示波器时基积分器。根据这样一个事实：如果放大器
2021-01-26 16:05:202750 
MOS管的米勒效应会在高频开关电路中，延长开关频率、增加功耗、降低系统稳定性，可谓是臭名昭著，各大厂商都在不遗余力的减少米勒电容。
2022-09-29 09:26:071441 上篇文章聊了MOS管-传输特性曲线的细微之处，希望同学们能精准识别三种特性曲线的区别，而不是死记硬背。研究MOS管，一定绕不开一个重要现象——Miller效应，今天我们就一起探讨下，一次聊不完，可能会分几篇来探讨。
2023-02-01 10:18:411547 在说MOS管的米勒效应之前我们先看下示波器测量的这个波形。
2023-02-03 15:35:472321 
当出现短路时IGBT的Vce快速上升，过高的dVce/dt会通过米勒电容给IGBT门极充电，若不进行保护会使得门极电压过高而损坏IGBT，门极钳位电路主要是在门极电压过高时起动保护电路动作，提供电流泻放通道抑制门极电压升高。
2023-02-23 14:45:093776 
对于MOSFET，米勒效应（Miller Effect）指其输入输出之间的分布电容（栅漏电容）在反相放大作用下，使得等效输入电容值放大的效应。由于米勒效应，MOSFET栅极驱动过程中，会形成平台电压，引起开关时间变长，开关损耗增加，给MOS管的正常工作带来非常不利的影响。
2023-04-26 09:20:532057 
本文主要介绍了米勒效应的由来，并详细分析了MOSFET开关过程米勒效应的影响，帮助定性理解米勒平台的形成机制。最后给出了场效应管栅极电荷的作用。
2023-05-16 09:47:341316 
通过了解MOS管的的开关过程，以及MOS米勒电容的影响，来改进MOS管设计。
2023-07-21 09:19:364571 
MOS管具有三个内在的寄生电容：Cgs、Cgd、Cds。这一点在MOS管的规格书中可以体现（规格书常用Ciss、Coss、Crss这三个参数代替）。MOS管之所以存在米勒效应，以及ＧＳ之间要并电阻
2023-08-26 08:12:55915 
米勒电容（Miller capacitance）通常用于运算放大器频率补偿的方法中。
2023-09-18 09:44:47982 
米勒平台的形成与其材料、制造工艺息息相关，当GE之间电压大于阈值点的时候，管子的CE电压开始下降，但是下降的速度十分缓慢
2023-11-03 14:55:573339 
的是MOS场效应管，简称MOS管（即金属-氧化物-半导体场效应管MOSFET）；此外还有PMOS、NMOS和VMOS功率场效应管，以及最近刚问世的πMOS场效应管、VMOS功率模块等。按沟道半导体资料
2018-10-29 22:20:31
了，没错就是米勒电容。我们都知道因为多晶硅宽度、沟道与沟槽宽度、G极氧化层厚度、PN结掺杂轮廓等因素，MOS管会产生寄生电容。 它们分别是输入电容Ciss、输出电容Coss、反向传输电容Crss
2023-03-15 16:55:58
影响不明显，可是当开关速度比较高，而且VDD供电电压比较高，比方310V下，经过Cgd的电流比较大，强的积分很容易引起振动，这个振动叫米勒振动。所以Cgd也叫米勒电容，而在MOS管开关导通或者关断的那段时刻
2019-04-09 11:39:46
也叫米勒电容，而在MOS管开关导通或者关断的那段时间，也就是积分那段时间，叫米勒平台，如下图圆圈中的那部分为米勒平台，右边的是振荡严重的米勒振荡：因为MOS管的反馈引入了电容，当这个电容足够大，并且
2018-11-21 14:43:01
米勒振荡可以认为是开关电源设计的核心关键。A、减缓驱动强度 1、提高MOS管G极的输入串联电阻，一般该电阻阻值在1~100欧姆之间，具体值看MOS管的特性和工作频率，阻值越大，开关速度越缓。2、在MOS
2018-11-26 11:40:06
上一节讲了MOS管的等效模型，引出了米勒振荡，可以这么讲，在电源设计中，米勒振荡是一个很核心的一环，尤其是超过100KHz以上的频率，而作者是做超高频感应加热电源的，工作频率在500K~1MHz范围
2018-11-20 16:00:00
，Vds开始下降，Id开始上升，此时MOSFET进入饱和区；但由于米勒效应，Vgs会持续一段时间不再上升，此时Id已经达到最大，而Vds还在继续下降，直到米勒电容充满电，Vgs又上升到驱动电压的值，此时
2021-01-27 15:15:03
MOS场效应管的工作原理MOS场效应管也被称为MOS FET，即Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor（金属氧化物半导体场效应管）的缩写
2011-06-08 10:43:25
米勒平台形成的基本原理米勒平台形成的详细过程
2021-03-18 06:52:14
场效应管和IGBT的驱动经常听到米勒效应这个词，查阅了一些资料是栅极和漏极之间的等效电容，这个等效电容在场效应管或者IGBT开通的时候在某一阶段会放大较多倍，进而导致驱动电路需要提供的电压电流增多
2024-01-11 16:47:48
【不懂就问】看到TI的一个三相逆变器设计资料中，关于有源米勒钳位的设计这是一段原话“开关IGBT过程中，位移电流流经IGBT的GE极电容，使其栅极电压上升，可能让器件误导通原因是，当逆变器的上管导
2017-12-21 09:01:45
90kW变频器，当电流达到110A以上时，IGBT在关断的时候，出现这个波形，请问是怎么回事？在110A以下就不出现。这是IGBT Vce的电压波形，当关断的时候还要再开通一下，这样不就很容易上下桥直通了吗？这是怎么回事呢？是米勒效应导致的吗？如何解决呢？
2017-07-24 10:06:32
损耗与减小米勒平台区间的损耗方法讨论9-降低开关损耗带来的其它问题分析及高压 MOSFET 栅极电阻取值10-MOSFET 栅极电阻与米勒平台时间取值及桥式电路分析11-桥式电路管子误触发因素讨论
2021-09-08 09:52:54
也是几乎没有变化，理想情况下，我们就认为它们是不变的。那么，到了某一时刻（t3），米勒平台效应就会结束。在米勒平台期间，MOS管的DS内阻Rdson在逐渐变小。图片太多，完整见附件:上期回顾：从无到有，彻底搞懂MOSFET讲解（四）
2021-06-02 10:37:35
产生很大感抗，这里面就有电容，电感，电阻组成震荡电路（能形成2个回路），并且电流脉冲越强频率越高震荡幅度越大。所以最关键的问题就是这个米勒平台如何过渡。Gs极加电容，减慢mos管导通时间，有助于减小米勒
2019-07-26 07:00:00
`大家上午好！这是张飞电子90天硬件工程师讲解之mos管视频教程， 每日一课，20天的打卡学习计划，机会难得，希望坛友们积极参与，学习过程中遇到的问题，可以留言交流，老师都会一一解答！`
2021-06-03 09:06:58
MOSFET开时米勒平台的形成过程的详细解析！纯手工画图解析，这资料还是可以的回帖直接下载原文档 [hide]https://pan.baidu.com/s/1gf0A2pt[/hide]
2017-10-25 16:14:46
MOSFET的栅极驱动过程，可以简单的理解为驱动源对MOSFET的输入电容的充放电过程；当Cgs达到门槛电压之后， MOSFET就会进入开通状态；当MOSFET开通后，Vds开始下降，Id开始上升，此时MOSFET进入饱和区；
2019-09-12 09:05:05
.认为这个二极管的作用有2点,十分巧妙:1,这是个自举驱动形式,可以隔离反向电压对驱动电路的损坏.但是不是真正意义上的隔离! 2,MOS有米勒效应,这个二极管可以使米勒平台很陡,也就是米勒效应时间变短
2012-12-25 09:55:24
组成震荡电路（能形成2个回路），并且电流脉冲越强频率越高震荡幅度越大，所以最关键的问题就是这个米勒平台如何过渡。 Gs极加电容，减慢mos管导通时间，有助于减小米勒振荡。防止mos管烧毁。 过快的充电会
2020-06-26 13:11:45
在给三极管一个负信号，打开三极管从而打开场效应管，在遇到场效应管的米勒平台（通道4）时，三极管的三个管脚的电压也出现了平台，这似乎时被米勒平台的电压给钳制住了一样，本人是个电路小白，望大神们指点现象原因
2018-10-29 16:44:41
的米勒平台区，它会影响MOS管的开通和关断过程。对于这个平台区，在开关电源中会引起较大的开关损耗，这是它不利的一面；但是在EMI超标的时候，适当的增加Cgd电容，延长MOS管的开通过程，又可以用来降低
2023-03-22 14:52:34
也叫米勒电容，而在MOS管开关导通或者关断的那段时间，也就是积分那段时间，叫米勒平台，如下图圆圈中的那部分为米勒平台，右边的是振荡严重的米勒振荡： 因为MOS管的反馈引入了电容，当这个电容足够大，并且
2018-11-27 14:11:15
状态) 所以就出现了所谓的图腾驱动!!选择MOS管时，Cgd越小开通损耗就越小。米勒效应不可能完全消失。 MOS管中的米勒平台实际上就是MOSFET处于“放大区”的典型标志 用用示波器测量GS
2018-12-19 13:55:15
MOS管与IGBT是不是都有这个GS米勒效应？
2019-09-05 03:29:03
三极管会不会存在米勒效应
2019-09-10 04:37:38
请问各路大神，场效应管组成的放大电路，存在米勒效应，阶跃时间变得很长，是不是需要增大前级驱动电流，就能减小阶跃时间，或者还有其他方法吗，我看米勒效应都在开关状态下来讲解，但在放大状态依然有米勒平台，这是正常的吗？
2018-08-08 10:29:41
摘要: 讨论了目前存在的基于米勒电容的采样/保持电路，在此基础上设计了一种简化形式。该电路利用简单的CMOS反相器代替米勒反馈电路中的运算放大器，在保证采样速度和精度
2010-07-31 17:24:53
0 调谐米勒振荡器射频电路(Tuned Miller oscillator RF circuit)
2008-11-24 12:30:391936 
魏德米勒推出创新型的印刷电路板接插件
在今年的SPS / IPC / 驱动装置展览会上，魏德米勒针对驱动系统和部件推出了一种创新型的印刷电路板接插件。用于印刷电路
2010-02-26 12:00:001335 专业的互联与机电产品授权分销商赫联电子亚太（Heilind Asia Pacific）日前宣布，新增德国魏德米勒（Weidmüller）为供应商，双方团队通力合作，旨在拓宽互联解决方案的产品范围，瞄准发展空间巨大的工业及信号数据等市场。
2015-11-26 14:39:201052 二级米勒补偿运算放大器的课程设计-模拟IC相关!
2016-07-25 17:45:307 米勒平台是开关管开通和关断过程中出现的极短平台，学习了解米勒平台的形成的原理，对它有个直观的认识，有利于我们分析实际的电路波形。
2016-11-02 17:20:3010 米勒效应解决
2017-06-09 09:56:4048 装配、测试及定制——魏德米勒配有插入式连接器的预制电缆，应用于机械及工程设计中，提供多种定制化的选项。可通过在线订购标准化电缆，也可通过选型助手或咨询魏德米勒专业人员进行定制化订购。
2018-07-03 15:00:00903 聚集行业最新技术、引领行业发展趋势。作为一场工业自动化及相关行业盛会，第20届中国国际工业博览会(下称工博会)于9月23日圆满落幕。在工博会期间，gongkong通过直播的形式对前来参展的魏德米勒
2018-10-30 20:44:01220 米勒效应在单电源门极驱动过程中非常显著。基于门极G与集电极C之间的耦合，在IGBT关断期间会产生一个很高的瞬态dv/dt，这样会引发门极VGE间电压升高而导通，这里存在着潜在的风险。
2019-02-04 11:17:0037672 
在描述米勒平台（miller plateau）之前，首先来看看“罪魁祸首”米勒效应（miller effect） 。
2019-02-02 17:08:0058509 
MOS管的等效模型 我们通常看到的MOS管图形是左边这种，右边的称为MOS管的等效模型。
2020-09-24 11:24:3727499 
使用IGBT时，面临的常见问题之一是由于米勒电容器而导致的寄生导通。在0至+15 V型栅极驱动器（单电源驱动器）中，这种影响是明显的。
2021-05-17 07:31:006521 
如下是一个 NMOS 的开关电路，阶跃信号 VG1 设置 DC 电平 2V，方波（振幅 2V，频率 50Hz），T2 的开启电压 2V，所以 MOS 管 T2 会以周期 T=20ms 进行开启和截止状态的切换。
2020-12-01 23:00:0037 魏德米勒产品告诉你，魏德米勒安装导轨材料的使用性能和用途阐述 根据不同的应用，魏德米勒安装导轨的材料是钢，不锈钢，铝，铜和塑料。各种类型的不锈钢是（合金）是一种总称，它具有特殊的熔炼工艺和具有较强
2020-12-20 10:54:23671 如下是一个NMOS的开关电路，阶跃信号VG1设置DC电平2V，方波（振幅2V，频率50Hz），T2的开启电压2V，所以MOS管T2会以周期T＝20ms进行开启和截止状态的切换。
2020-12-24 15:45:44367 魏德米勒开关电源中的锂离子电池： 魏德米勒开关电源中的锂离子电池是一种电池充电电池，（魏德米勒代理商）它重要依靠锂离子在正级和负极正中间移动来工作上。 在蓄电池电池充电整个过程中，Li+在两个电极
2021-02-19 16:08:49313 现代社会下的魏德米勒端子必不可少： 魏德米勒端子运用节省成本,适合许多的输电线互联,在电力行业便会有技术专业的端子排，端子箱，单双面的、双层的，电总流量的，工作标准电压的，一般的，可断的等。一定
2021-02-20 10:20:29775 伴随着接线端子容积增大，（魏德米勒代理商）逐步完善的pcb线路板专业性使操作面板上安装的接线端子可安裝的电流量提升了很多，魏德米勒接线端子可安裝高些的输出功率。在不一样地区考虑性能参数的方法不一样
2021-02-25 10:36:531735 当IGBT在开关时普遍会遇到的一个问题即寄生米勒电容开通期间的米勒平台。米勒效应在单电源门极驱动的应用中影响是很明显的。基于门极G与集电极C之间的耦合，在IGBT关断期间会产生一个很高的瞬态dv/dt，这样会引发门极VGE间电压升高而导通，这是一个潜在的风险（如图1）。
2021-03-15 15:01:2615562 
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2021-04-05 08:41:1896 Mos在控制器电路中的工作状态：开通过程（由截止到导通的过渡过程）、导通状态、关断过程（由导通到截止的过渡过程）、截止状态。
2022-02-09 11:55:4112 MOS管的细节
2022-02-11 16:33:053 MOS管即场效应管(MOSFET)，属于压控型，是一种应用非常广泛的功率型开关元件，在开关电源、逆变器、直流电机驱动器等设备中很常见，是电力电子的核心元件。
2022-02-16 16:38:464395 
本文介绍了米勒效应的由来，并详细分析了MOSFET开关过程米勒效应的影响，帮助定性理解米勒平台的形成机制。最后给出了场效应管栅极电荷的作用。
2022-03-10 14:44:186226 
米勒平台的形成原理
2022-03-17 15:52:387 米勒电容器寄生导通效应的抑制方法
2022-03-17 15:32:1210 如下是一个NMOS的开关电路，阶跃信号VG1设置DC电平2V，方波（振幅2V，频率50Hz），T2的开启电压2V，所以MOS管T2会以同期T=20ms进行开启和截止状态的切换。
2022-03-29 13:56:160 后，Vds开始下降，Id开始上升，此时MOSFET进入饱和区;但由于米勒效应，Vgs会持续一段时间不再上升，此时Id已经达到最大，而Vds还在继续下降，直到米勒电容充满电，Vgs又上升到驱动电压的值，此时MOSFET进入电阻区，此时Vds彻底降下来，开通结束。
2022-04-19 10:28:2725969 从t1时刻开始，MOS进入了饱和区。在饱和有转移特性：Id=Vgs*Gm。其中Gm是跨导，只要Id不变Vgs就不变。Id在上升到最大值以后，而此时又处于饱和区，所以Vgs就会维持不变。
2022-08-22 09:11:431821 由于米勒电容阻止了Vgs的上升，从而也就阻止了Vds的下降，这样就会使损耗的时间加长。（Vgs上升，则导通电阻下降，从而Vds下降）
2022-08-29 11:28:1025025 米勒效应在MOS驱动中臭名昭著，他是由MOS管的米勒电容引发的米勒效应，在MOS管开通过程中，GS电压上升到某一电压值后GS电压有一段稳定值，过后GS电压又开始上升直至完全导通。
2022-08-30 15:34:142286 MOS管的米勒效应会在高频开关电路中，延长开关频率、增加功耗、降低系统稳定性，可谓是臭名昭著，各大厂商都在不遗余力的减少米勒电容。
2022-10-31 02:03:321073 
有源米勒钳位技术
2022-11-15 20:06:076 )也大，在寄生电感上产生的电压更大。这种震荡的特点是栅极电压有过冲现象，超过米勒平台电压后下降，在米勒平台附近产生栅极电压震荡。
2022-11-24 09:34:2410269 在现在使用的MOS和IGBT等开关电源应用中，所需要面对一个常见的问题 — 米勒效应，本文将主要介绍MOS管在开通过程中米勒效应的成因、表现、危害及应对方法。
2023-02-10 14:05:506736 
IGBT米勒平台产生原因 我们在使用IGBT的时候，可以从手册中得到IGBT栅极的充电特性，但是栅极的充电特性在中间一部分会出现一个平台电压，影响着IGBT的动态性能，这是为什么呢？ IGBT
2023-02-22 14:27:3010 在上一篇文章中详细描述了带阻性负载时米勒平台是怎样的，对各阶段做了定量分析，相信看过的同学应该会有所收获。今天我们来聊一聊带感性负载时米勒平台是怎样的。
2023-03-26 13:40:481714 关于MOS管的米勒效应，已经输出了8篇，今天这一篇是MOS管章节的最后一篇，下一篇就开始整理运放相关的内容。我个人认为今天聊的这个话题至关重要：抑制米勒效应和抑制EMI之间如何平衡。
2023-04-17 10:28:194149 米勒效应（Miller effect）是在电子学中，反相放大电路中，输入与输出之间的分布电容或寄生电容由于放大器的放大作用，其等效到输入端的电容值会扩大1+K倍，其中K是该级放大电路电压放大倍数
2023-05-15 16:11:324100 
之前我们在介绍MOS和IGBT的文章中也有提到米勒电容和米勒效应的概念，在IGBT的导通过程分析的文章中我们也简单提到过米勒平台
2023-05-25 17:24:253999 
搞电力电子的同学想必经常被“米勒效应”这个词困扰。米勒效应增加开关延时不说，还可能引起寄生导通，增加器件损耗。那么米勒效应是如何产生的，我们又该如何应对呢？我们先来看IGBT开通时的典型波形：上图
2023-03-03 16:04:061634 
为什么说共源共栅结构会减小米勒电容效应呢？ 共源共栅结构是一种常见的放大器电路结构，在多种电路应用中都有广泛的应用。它由共源、共栅、共耦合电容和外部负载等元件组成。共源共栅结构由于具有许多优良的特性
2023-09-05 17:29:36769 如何减轻米勒电容所引起的寄生导通效应？ 米勒电容是指由电路中存在的电感所形成的电容。它可以导致电路中的寄生导通效应，从而影响电路的性能。常见的一种解决方法是使用补偿电容，但这么做也会带来其他
2023-09-05 17:29:39977 米勒电容对IGBT关断时间的影响 IGBT，即绝缘栅双极性晶体管，是一种高效、高稳定性的半导体器件。它是一种功率开关元件，能够控制大电流和高电压的开关。IGBT的关断时间是非常重要的一个参数
2023-09-05 17:29:421284 米勒电容效应怎么解决？ 米勒电容效应是指在一个带有放大器的电路中，负载电容会产生一种反馈效应，使得整个电路的增益降低或者不稳定。这种效应的产生会影响到很多电路的稳定性和性能，是电子设计中必须面对
2023-09-18 09:15:451230 MOS管开通过程的米勒效应及应对措施
2023-11-27 17:52:431378 
在半导体开关中使用共源共栅拓扑消除米勒效应
2023-12-07 11:36:43237 
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