全新60W GaN HEMT Psat晶体管帮助降低军用和民用雷达系统，对于高功率放大器尺寸、重量以及散热的要求
2012-07-10 09:36:52
1022 GaN（氮化镓）器件由于具有诸如高开关速度，更高的功率密度和效率之类的能力而在设计电源转换器时变得越来越流行[2]，[3]，但是GaN器件的一个缺点是电流损耗会导致电流崩溃。器件关闭和热电子
2021-03-22 12:42:238435 
已经为基于 GaN 的高电子迁移率晶体管 （HEMT）的增强模式开发了两种不同的结构。这两种模式是金属-绝缘体-半导体 （MIS） 结构，2具有由电压驱动的低栅极漏电流，以及栅极注入晶体管 （GIT
2022-07-25 08:05:312595 
基于氮化镓 (GaN) 的高电子迁移率晶体管 (HEMT) 器件具有出色的电气特性，是高压和高开关频率电机控制应用中 MOSFET 和 IGBT 的有效替代品。我们在这里的讨论集中在 GaN HEMT 晶体管在高功率密度电动机应用的功率和逆变器阶段提供的优势。
2022-07-27 14:03:561602 
碳化硅 (SiC) MOSFET 和氮化镓 (GaN) HEMT 等宽带隙 (WBG) 功率器件的采用目前正在广泛的细分市场中全面推进。在许多情况下，WBG 功率器件正在取代它们的硅对应物，并在
2022-07-29 14:09:53807 
使用较低的Rds（on）可以降低传导损耗，而使用GaN可以减小芯片尺寸并降低动态损耗。当GaN与铝基异质结构结合时形成二维电子气体（2DEG）的能力导致了备受青睐的高电子迁移率晶体管（HEMT）功率器件
2023-11-06 09:39:293615 
本推文简述氮化镓器件，主要包括GaN HEMT和二极管，帮助读者了解Sentaurus TCAD仿真氮化镓器件的相关内容。
2023-11-27 17:12:011023 
D类放大器和SMPS板均包含GaN Systems的增强型高电子迁移率晶体管 （E-HEMT）。E-HEMT采用GaN Systems的岛技术 （Island Technology®） 单元布局以减小器件尺寸和成本，同时提供比其他GaN器件更高的电流和更优异的性能。
2020-07-06 14:10:191025 Teledyne e2v HiRel为其基于GaN Systems技术的650伏行业领先高功率产品系列新增两款耐用型GaN功率HEMT（高电子迁移率晶体管）。 这两款全新大功率HEMT
2021-01-09 11:14:212799 电子发烧友网报道（文/梁浩斌）从消费电子电源类产品开始，GaN拉开了巨大市场发展空间的序幕，并逐渐往数据中心、汽车OBC甚至主驱逆变器等领域渗透。主流应用的650V GaN HEMT在充电头、以及
2022-12-13 09:21:001800 电子发烧友网报道（文/梁浩斌）在我们谈论第三代半导体的时候，常说的碳化硅功率器件一般是指代SiC MOSFET（金属-氧化物半导体场效应晶体管），而氮化镓功率器件最普遍的则是GaN HEMT（高电子
2023-12-27 09:11:361220 , ALN系列低噪声放大器由分立或MMIC PHEMT器件构成，可在该频率下工作范围从18到100 GHz。 这些放大器专为低噪声应用而设计。 放大器提供在两个类别，即标准和定制。 定制的放大器提供各种RF
2018-12-03 14:11:55
, ALN系列低噪声放大器由分立或MMIC PHEMT器件构成，可在该频率下工作范围从18到100 GHz。 这些放大器专为低噪声应用而设计。 放大器提供在两个类别，即标准和定制。 定制的放大器提供各种RF
2018-12-03 14:14:02
, ALN系列低噪声放大器由分立或MMIC PHEMT器件构成，可在该频率下工作范围从18到100 GHz。 这些放大器专为低噪声应用而设计。 放大器提供在两个类别，即标准和定制。 定制的放大器提供各种RF
2018-12-03 14:16:14
如果基于GaN的HEMT可靠性的标准化测试方法迫在眉睫，那么制造商在帮助同时提供高质量GaN器件方面正在做什么？ GaN高电子迁移率晶体管（HEMT）由于其极高的耐高温性和高功率密度而在半导体行业中
2020-09-23 10:46:20
电机设计中对于GaN HEMT的使用GaN HEMT的电气特性使得工程师们选择它来设计更加紧凑、承受高压和高频的电动机，综上所述这类器件有如下优点：较高的击穿电压，允许使用更高（大于1000V
2019-07-16 00:27:49
硅MOSFET功率晶体管多年来一直是电源设计的支柱。虽然它们仍然被广泛使用，但是在一些新设计中，氮化镓（GaN）晶体管正在逐渐替代MOSFET。GaN技术的最新发展，以及改进的GaN器件和驱动器电路
2017-05-03 10:41:53
领域的热点。
如图1所示，GaN材料作为第三代半导体材料的核心技术之一，具有禁带宽度高、击穿场强大、电子饱和速度高等优势。由GaN材料制成的GaN器件具有击穿电压高、开关速度快、寄生参数低等优良特性
2023-06-25 15:59:21
材料在制作耐高温的微波大功率器件方面也极具优势。笔者从材料的角度分析了GaN 适用于微波器件制造的原因，介绍了几种GaN 基微波器件最新研究动态，对GaN 调制掺杂场效应晶体管（MODFETs）的工作原理以及特性进行了具体分析，并同其他微波器件进行了比较，展示了其在微波高功率应用方面的巨大潜力。
2019-06-25 07:41:00
为什么GaN可以在市场中取得主导地位?简单来说，相比LDMOS硅技术而言，GaN这一材料技术，大大提升了效率和功率密度。约翰逊优值，表征高频器件的材料适合性优值， 硅技术的约翰逊优值仅为1， GaN最高，为324。而GaAs，约翰逊优值为1.44。肯定地说，GaN是高频器件材料技术上的突破。
2019-06-26 06:14:34
` 本帖最后由 射频技术 于 2021-4-8 09:16 编辑
Wolfspeed的CG2H80015D是氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管（HEMT）。GaN具有比硅或砷化镓更高的性能，包括
2021-04-07 14:31:00
`Cree的CGHV96100F2是氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管（HEMT）在碳化硅（SiC）基板上。 该GaN内部匹配（IM）FET与其他技术相比，具有出色的功率附加效率。 氮化镓与硅或砷化
2020-12-03 11:49:15
`住友电工的GaN-HEMT为具有50V工作电压的高功率L波段放大器提供了高效率，易于匹配，更高的一致性和更宽的带宽，并为您提供了更高的增益。该器件的目标应用是高电压的低电流和宽带应用。高压操作
2021-03-30 11:37:49
Qorvo 的 T2G6001528-Q3 是 15 W (P3dB) 宽带无与伦比的分立式 GaN on SiC HEMT，可在直流至 6 GHz 和 28V 电源轨范围内运行。该器件采用行业标准
2021-08-04 11:50:58
书籍：《炬丰科技-半导体工艺》文章：GaN 半导体材料与器件手册编号：JFSJ-21-059III族氮化物半导体的光学特性介绍III 族氮化物材料的光学特性显然与光电应用直接相关，但测量光学特性
2021-07-08 13:08:32
目前传统硅半导体器件的性能已逐渐接近其理论极限， 即使采用最新的硅器件和软开关拓扑，效率在开关频率超过 250 kHz 时也会受到影响。 而增强型氮化镓晶体管 GaN HEMT（gallium
2023-09-18 07:27:50
为了满足数据中心快速增长的需求，对电源的需求越来越大更高的功率密度和效率。在本文中，我们构造了一个1.5 kW的LLC谐振变换器模块，它采用了Navitas的集成GaN HEMT ic，完全符合尺寸
2023-06-16 11:01:43
在过去的十多年里，行业专家和分析人士一直在预测，基于氮化镓(GaN)功率开关器件的黄金时期即将到来。与应用广泛的MOSFET硅功率器件相比，基于GaN的功率器件具有更高的效率和更强的功耗处理能力
2019-06-21 08:27:30
大家好！我是ADS的新手。我需要CREE GaN HEMT，这在我的版本（ADS 2013）中没有。请提前帮助，谢谢。 以上来自于谷歌翻译 以下为原文Hello everyone! i am
2018-11-13 10:21:37
氮化镓(GaN) 功率放大器(PA) 设计是当前的热门话题。出于多种原因，GaN HEMT 器件已成为满足大多数新型微波功率放大器需求的领先解决方案。过去，PA 设计以大致的起点开始并运用大量
2019-07-31 08:13:22
材料。GaN器件设计人员通过添加一个晶格稍微不匹配的AIGaN缓冲层来利用这个压电效应。这样做增加了器件的应力，从而导致由自发和压电效应引起的极化场。这个二维电子气 (2DEG) 通道就是这个极化场
2019-07-12 12:56:17
您好，有人能告诉我如何在原理图窗口中添加GaN器件，因为当我在ADS的原理图窗口中搜索它时，它只显示GaAs，JFET和BJT器件。我想做一个功率放大器模拟，我需要一个GaN器件。请提出你的建议
2019-01-17 15:55:31
受益于集成器件保护，直接驱动GaN器件可实现更高的开关电源效率和更佳的系统级可靠性。高电压（600V）氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管（HEMT）的开关特性可实现提高开关模式电源效率和密度的新型
2020-10-27 06:43:42
MIS器件,MIS器件是什么意思
以SiO2为栅介质时，叫MOS器件，这是最常使用的器件形式。历史上也出现过以Al2O3为栅介质的MAS器件和以Si3N4
2010-03-04 16:01:241425 什么是MIS
金属－绝缘体－半导体（简写为 MIS）系统的三层结构如图1所示。如绝缘层采用氧化物,则称为金属-氧化物-半导体(简写为MOS)
2010-03-04 16:04:267890 Toshiba推出C-BAND SATCOM应用的高增益50W GaN HEMT功率放大器，东芝美国电子元器件公司推出其功率放大器产品系列中的50W C频段氮化镓(GaN)半导体高电子迁移晶体管(HEMT)。
Toshiba 的
2010-06-10 10:47:331757 科锐公司日前在巴尔的摩举行的 2011 年 IEEE 国际微波研讨会上展出业界首款面向卫星通信应用的 GaN HEMT MMIC 高功率放大器 (HPA)
2011-06-23 09:09:212124 这篇文章的目的是提供一个指南，高功率SiC MESFET和GaN HEMT晶体管的热性能的克里宽禁带半导体设备的用户。
2017-06-27 08:54:11
23 低压氮化镓（GaN）器件市场越来越重要，EPC是低压硅上氮化镓（GaN-on-silicon）高电子迁移率晶体管（HEMT）器件的主要供应商。
2017-10-18 17:22:0710585 松下宣布研发出新型MIS结构的Si基GaN功率晶体管，可以连续稳定的工作，栅极电压高达10V，工作电流在20A，击穿电压达到730V。
2018-03-15 09:56:086681 
本文讨论了红外显微镜用于测量高性能微波GaN HEMT器件和MMIC的局限性。它还将描述Qorvo的热分析集成方法，它利用建模、经验测量（包括显微拉曼热成像）和有限元分析（FEA）。该方法是非常有效的，并已被经验验证。通过承认红外显微镜的局限性，预测和测量可以比用低功率密度技术开发的传统方法更精确。
2018-08-02 11:29:0011 典型的GaN射频器件的加工工艺主要包括如下环节：外延生长-器件隔离-欧姆接触（制作源极、漏极）-氮化物钝化-栅极制作-场板制作-衬底减薄-衬底通孔等环节。
2018-10-26 17:33:0610616 CoolGaN是英飞凌GaN增强模式高电子迁移率晶体管（E-HEMT）系列产品。最近该公司推出了两款进入量产的产品——CoolGaN 600 V增强型HEMT和GaN开关管专用驱动IC GaN
2018-12-06 18:06:214654 LMG3410R070 GaN功率级器件的一个关键优点是在硬切换时控制转换速率，这种控制对于抑制PCB寄生电阻和EMI具有重要意义，TI这款产品采用可编程电流来驱动GaN门，使得转换速率可以设定在30~100V/ns之间。
2019-01-07 10:39:335256 产品包括SBD、常关型FET、常开型FET、级联FET等产品，面向无线充电、电源开关、包络跟踪、逆变器、变流器等市场。而按工艺分，GaN器件则分为HEMT、HBT射频工艺和SBD、Power FET电力电子器件工艺两大类。
2019-02-03 12:54:0011330 目前世界范围内围绕着GaN功率电子器件的研发工作主要分为两大技术路线，一是在自支撑Ga N衬底上制作垂直导通型器件的技术路线，另一是在Si衬底上制作平面导通型器件的技术路线。
2019-08-01 15:00:037275 
本文报道了algan/gan高电子迁移率晶体管（hemt）在反向栅偏压作用下阈值电压的负漂移。该器件在强pinch-off和低漏源电压条件下偏置一定时间（反向栅极偏置应力），然后测量传输特性。施加
2019-10-09 08:00:0010 基于温度步进应力实验，研究了 AlGaN /GaN HEMT 器件在不同温度应力下的退化规律及退化机理。实验发现： 在结温为 139 ～ 200 ℃ 时，AlGaN /GaN HEMT 器件
2020-06-23 08:00:002 充电、电源开关、包络跟踪、逆变器、变流器等市场。而按工艺分，GaN器件则分为HEMT、HBT射频工艺和SBD、 Power FET电力电子器件工艺两大类。
2020-07-27 10:26:001 《涨知识啦19》---HEMT 的电流崩塌效应 在之前的《涨知识啦》章节中，小赛已经介绍了GaN材料中极化效应以及二维电子气（2DEG）的产生原理。因2DEG具有超高的沟道迁移率，所以2DGE可以
2020-09-21 16:35:441856 
GaN 基高电子迁移率场效应管（HEMT）在高频大功率器件方面具有突出的优势，并在其应用领域已取得重要进展，但GaN基HEMT器件大功率应用的最大挑战是其normally-on特性。对于传统
2020-09-21 09:53:013557 
在实际应用中，为实现失效安全的增强模式（E-mode）操作，科研人员广泛研究了基于凹槽栅结构的MIS栅、p-GaN regrowth栅增强型GaN HEMT器件。在实际的器件制备过程中，精确控制栅极凹槽刻蚀深度、减小凹槽界面态密度直接影响器件阈值电压均匀性
2020-10-09 14:18:508850 IR-HiRel氮化镓（GaN）比硅具有根本的优势。特别是高临界电场使得GaN-HEMTs成为功率半导体器件的研究热点。与硅MOSFET相比，GaN-HEMTs具有优异的动态导通电阻和较小的电容
2021-08-27 11:40:032516 工程师于是感到非常困惑，GaN HEMT可以反向导通，那到底有还是没有体二极管？
2021-03-15 09:41:078331 对于许多设计来说，氮化镓（GaN）比硅具有根本的优势。与硅MOSFET相比，氮化镓HEMT具有出色的特定动态导通电阻和更小的电容，因此更适于做高速开关。
2021-09-08 18:03:541518 引言 AlN、GaN及其合金因其宽带隙和独特的性能被广泛应用于光电子领域，例如基于AlGaN的紫外线发光二极管(UV-LEDs) ，激光二极管(LD)，AlGaN/GaN异质结构场效应晶体管
2022-01-14 11:16:262494 
氮化镓高电子迁移率晶体管GaN HEMT(High Electron Mobility Transistors)作为宽禁带(WBG)功率半导体器件的代表，器件在高频功率应用方面有巨大的潜力。GaN材料相比于 Si 和SiC 具有更高的电子迁移率、饱和电子速度和击穿电场，如图1所示。
2022-02-10 15:27:4318442 
作者研究了四个商用 GaN 器件在 400 K 和 4.2 K 之间的宽温度范围内的性能。据作者介绍，正如原始文章中所报道的，所有测试的器件都可以在低温下成功运行，性能整体有所提高。然而，不同的 GaN HEMT 技术意味着器件栅极控制的显着变化。
2022-07-25 09:20:28933 
纳米电子和数字技术研究与创新中心 Imec 在 2021 年国际电子器件会议（IEEE IEDM 2021）上展示了其最新研究成果。通过在基于 p 型氮化镓 （GaN） HEMT 的 200-V
2022-07-26 08:02:43837 
Imec 展示了高性能肖特基势垒二极管和耗尽型 （d-mode） 高电子迁移率晶体管 （HEMT） 在基于 p 型氮化镓 （GaN） HEMT 的 200-V GaN- 上的成功共集成。在 200 毫米基板上开发的 on-SOI 智能功率集成电路 （IC） 平台。
2022-07-29 15:34:03837 虽然乍一看似乎比较简单，但这些器件的栅极驱动器电路需要仔细设计。首先，通常关闭的基于 GaN 的 HEMT 需要负电压来将其关闭并将其保持在关闭状态，从而避免意外开启。
2022-07-29 09:27:171367 
已经为基于 GaN 的高电子迁移率晶体管(HEMT)的增强模式开发了两种不同的结构。这两种模式是金属-绝缘体-半导体 (MIS) 结构，2具有由电压驱动的低栅极泄漏电流，以及栅极注入晶体管 (GIT
2022-07-29 09:19:44762 。基于氮化镓 (GaN) 的高电子迁移率晶体管 (HEMT) 器件具有卓越的电气特性，是高压和高开关频率电机控制应用中 MOSFET 和 IGBT 的有效替代品。我们在这里的讨论集中在 GaN HEMT 晶体管在高功率密度电动机应用的功率和逆变器级中提供的优势。
2022-08-08 09:15:48816 
针对热效应机理和热电模型,我们将着重考虑热导率和饱和速率随晶格温度的变化。由于热电效应最直接的外部反映是就是直流I-V特性,因此这里主要模拟GaN HEMT器件的直流特性曲线。通过编写 Silvaco程序来模拟 GaN HEMT器件的特性曲线,再与实验曲线作对比,获得准确的模型参数。
2022-09-08 10:44:051571 ，达 2,000 cm2/V·s 的 1.3 倍电子迁移率，这意味着与 RDS(ON) 和击穿电压相同的硅基器件相比，GaN RF 高电子迁移率晶体管（HEMT）的尺寸要小得多。因此，GaN RF HEMT 的应用超出了蜂窝基站和国防雷达范畴，在所有 RF 细分市场中获得应用。
2022-09-19 09:33:211670 氮化镓高电子迁移率晶体管GaN HEMT(High Electron Mobility Transistors)作为宽禁带(WBG)功率半导体器件的代表，器件在高频功率应用方面有巨大的潜力。GaN材料相比于 Si 和SiC 具有更高的电子迁移率、饱和电子速度和击穿电场，如图1所示。
2022-09-27 10:30:173330 Wolfspeed的CG2H80060D是种氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管（HEMT）。与硅或砷化镓相比较，GaN具备优异的性能指标；CG2H80060D包含更高的击穿场强；更高的饱和电子漂移
2022-11-01 09:29:51593 电子发烧友网报道（文/梁浩斌）从消费电子电源类产品开始，GaN拉开了巨大市场发展空间的序幕，并逐渐往数据中心、汽车OBC甚至主驱逆变器等领域渗透。主流应用的650V GaN HEMT在充电头、以及
2022-12-13 07:10:04656 GaN HEMT 模型初阶入门：非线性模型如何帮助进行 GaN PA 设计？（第一部分，共两部分）
2022-12-26 10:16:25805 
GaN功率HEMT设计+GaN宽带功率放大器设计
2023-01-30 14:17:44556 随着GaN器件在一线品牌（小米、OPPO、华为、VIVO、联想等）大功率适配器等应用场景的优势展示和产品推出，推动了GaN器件在更广泛的电源领域的使用，使GaN器件的成本价格与市面主流的Si器件相当
2023-02-02 17:20:25836 
第三代半导体器件CaN高电子迁移率晶体管（HEMT）具备较高的功率密度，同时具有较强的自热效应，在大功率工作条件下会产生较高的结温。根据半导体器件可靠性理论，器件的工作温度、性能及可靠性有着极为密切的联系，因此准确检测GaN HEMT的温度就显得极为重要。
2023-02-13 09:27:521084 
的平带电压解析模型，然后考虑栅绝缘层和势垒层界面电荷对两个模型进行对比，提取出了MIS-HEMT和MOS-HEMT两种器件的有效界面电荷密度。
2023-02-13 09:33:581173 
通过AlN栅介质层MIS-HEMT和Al2O3栅介质层MOS-HEMT器件对比研究发现，PEALD沉积AlN栅绝缘层可以大幅改善绝缘栅器件的界面和沟道输运特性；但是由于材料属性和生长工艺的局限性
2023-02-14 09:16:411278 
C-V测试是研究绝缘栅HEMT器件性能的重要方法，采用Keithley 4200半导体表征系统的CVU模块测量了肖特基栅和绝缘栅异质结构的C-V特性。
2023-02-14 09:17:15943 
关态漏电是制约HEMT器件性能提升的重要因素之一，采用绝缘栅HEMT器件结构可以有效减小器件关态漏电。图1给出了S-HEMT、MIS-HEMT、MOS-HEMT三种器件结构的关态栅漏电曲线，漏极电压Vd设定在0V，反向栅极电压从0V扫描至-10V，正向栅电压扫描至5V。
2023-02-14 09:18:541887 
本研究采用PEALD沉积AlN材料作栅绝缘层的同时，利用其作为器件表面钝化层材料，本节即采用脉冲测试方法研究了PEALD沉积AlN钝化器件的电流崩塌特性，并将其与常规的PECVD沉积SiN钝化层材料进行了对比分析。
2023-02-14 09:31:49667 
一款GaN HEMT内匹配功率放大器设计过程详解 张书源，钟世昌 发表于 2020-01-22 16:55:00 模拟技术 +关注 0 引言 近年来，宽禁带材料与微波功率器件发展非常迅猛。GaN材料
2023-02-17 09:52:430 氮化镓 ( GaN) 作为第三代半导体材料的典型代表，具有高击穿电场强度和高热导率 等优异的物理特性，是制作高频微波器件和大功率电力电子器件的理想材料。GaN 外延材料的 质量决定了高电子迁移率
2023-02-20 11:47:22876 GaN基功率开关器件能实现优异的电能转换效率和工作频率，得益于平面型AlGaN/GaN异质结构中高浓度、高迁移率的二维电子气（2DEG）。图1示出绝缘栅GaN基平面功率开关的核心器件增强型AlGaN/GaN MIS/MOS-HEMT的基本结构。
2023-04-29 16:50:00793 
全球知名半导体制造商ROHM(以下简称“ROHM”)将650V耐压的GaN(Gallium Nitride：氮化镓)HEMT*1“GNP1070TC-Z”、“GNP1150TCA-Z”投入量产
2023-05-18 16:34:23465 GaN HEMT 为功率放大器设计者提供了对 LDMOS、GaAs 和 SiC 技术的许多改进。更有利的特性包括高电压操作、高击穿电压、功率密度高达 8W/mm、fT 高达 25 GHz 和低静态
2023-05-24 09:40:011375 
GaN HEMT（高电子迁移率晶体管：High Electron Mobility Transistor）是新一代功率半导体，具有低工作电阻和高抗损性，有望应用于大功率和高频电子设备。
2023-05-25 15:14:061222 
衬底材料和GaN之间纯在较大的晶格失配和热失配，外延层中往往存在大量的缺陷，使得HEMT器件中存在较强电流崩塌效应，影响器件的性能发挥。
2023-06-14 14:00:551654 
点击上方 “泰克科技” 关注我们！ （本文转载自公众号： 功率器件显微镜 ，分享给大家交流学习） GaN HEMT功率器件实测及其测试注意事项。氮化镓器件是第三代半导体中的典型代表，具有极快的开关
2023-07-17 18:45:02711 
摘要：研究了基于AlGaN/GaN型结构的气敏传感器对于CO的传感性.制备出AlGaN/GaN型气敏传感器器件，并测试得到了器件在50℃时对于不同浓度（1%，9000，8000，5000
2023-09-01 16:22:490 英国剑桥 - Cambridge GaN Devices (CGD) 是一家无晶圆厂环保科技半导体公司，开发了一系列高能效 GaN 功率器件，致力于打造更环保的电子器件。CGD 今日宣布
2023-10-10 17:12:15201 
宽带隙GaN基高电子迁移率晶体管(HEMTs)和场效应晶体管(fet)能够提供比传统Si基高功率器件更高的击穿电压和电子迁移率。常关GaN非常需要HEMT来降低功率并简化电路和系统架构，这是GaN HEMT技术的主要挑战之一。凹进的AlGaN/GaN结构是实现常关操作的有用选择之一。
2023-10-10 16:21:11293 
一般而言，GaN器件具有优异的低导通电阻和高速开关性能，因而作为有助于降低各种电源的功耗和实现外围元器件小型化的器件被寄予厚望。然而，器件的使用面临着栅极耐压、控制IC（负责GaN器件的驱动控制
2023-10-25 15:45:02236 
了很多关注，由宽禁带半导体所制备的功率器件可作为具有低导通电阻的高压开关，可以取代硅功率器件。此外，宽禁带异质结场效应晶体管具有较高的载流子密度和二维电子气通道，以及较大的临界电场强度等物理特性，其中的氮化镓 (Gallium Nitride, GaN）已被认为可制备极佳的功率开关。
2023-11-09 11:26:43439 
GaN HEMT为什么不能做成低压器件 GaN HEMT（氮化镓高电子迁移率晶体管）是一种迅速崭露头角的高频功率器件，具有很高的电子迁移率、大的电子饱和漂移速度、高的饱和电子流动速度以及较低的电阻
2023-12-07 17:27:20337 基础半导体器件领域的高产能生产专家 Nexperia（安世半导体）近日宣布推出新款 GaN FET 器件，该器件采用新一代高压 GaN HEMT 技术和专有铜夹片 CCPAK 表面贴装封装，为工业和可再生能源应用的设计人员提供更多选择。
2023-12-13 10:38:17312 报告内容包含：
微带WBG MMIC工艺
GaN HEMT 结构的生长
GaN HEMT 技术面临的挑战
2023-12-14 11:06:58178 
氮化镓功率器件是一种新型的高频高功率微波器件，具有广阔的应用前景。本文将详细介绍氮化镓功率器件的结构和原理。 一、氮化镓功率器件结构 氮化镓功率器件的主要结构是GaN HEMT（氮化镓高电子迁移率
2024-01-09 18:06:41667
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