描述dcreg12v3a mj2955 lm78122955 MJ晶体管的作用是作为电流放大器，使输出电流达到安培单位，通常如果没有晶体管这个电路只能达到毫安单位。出于电源的目的，晶体管必须不断地
2022-09-05 06:18:39
的情况下，晶体管关闭。当向基极端子施加正确幅度和极性的电压时，晶体管接通，允许更大的电流在发射极和集电极端子之间流动。 控制晶体管开关状态所需的电压通常非常小。因此，晶体管可以用作放大器。基极-发射极电路
2023-02-16 18:22:30
本帖最后由 gongddz 于 2017-3-29 09:06 编辑
晶体管作为电流单方向通过的电子开关使用晶体管也可以作为电子开关使用。但这个开关的电流方向只能是单向的，pnp型管和npn型
2017-03-28 15:54:24
在PROTUES中如何改变晶体管的放大倍数？有的器件有放大倍数改变的参数。另外，不同的仿真模型参数不同如何改变？
2014-02-28 08:42:03
；频率特性和通频带。难点：静态工作点调整。[理论内容]一、电路工作原理及基本关系式1、工作原理晶体管放大器中广泛应用如图1所示的电路，称之为阻容耦合共射极放大器。它采用的是分压式电流负反馈偏置电路
2009-03-20 10:02:58
共基极电路中，基极为输入、输出回路的交流公共端。（3） 在共集电极电路中，集电极为输入、输出回路的交流公共端。既然晶体管放大电路有3种连接方式，为什么共发射极电路是常用的呢?简单地说，共发射电路电压和电流
2017-03-30 09:56:34
关于晶体管ON时的逆向电流在NPN晶体管中，基极 (B) 被偏置为正，集电极 (C) 被偏置为负，由发射极 (E) 流向C的是逆电流。1. 不用担心劣化和损坏，在使用上是没有问题的2. NPN-Tr
2019-04-09 21:27:24
晶体管并联时，当需要非常大的电流时，可以将几个晶体管并联使用。因为存在VBE扩散现象，有必要在每一个晶体管的发射极上串联一个小电阻。电阻R用以保证流过每个晶体管的电流近似相同。电阻值R的选择依据
2024-01-26 23:07:21
可以忽略不计，通常用hie和hre两个参数模拟低频晶体管电路即可，这叫做简化后的h参数等效电路，如图7-1-3所示，图中的rbe、β即上述的hie、hfe.电流放大系数β（或hfe）可以从输出特性曲线中
2021-06-02 06:14:09
;nbsp; 利用电流控制器件晶体三极管组成的电压放大电路来实现对电压信号的有效控制和放大。同时加入反馈措施可以有效改善电路性能。
2009-09-08 08:54:00
及制造工艺分类 晶体管按其结构及制造工艺可分为扩散型晶体管、合金型晶体管和平面型晶体管。 按电流容量分类 晶体管按电流容量可分为小功率晶体管、中功率晶体管和大功率晶体管按工作频率分类 晶体管按
2010-08-12 13:59:33
统通过VCCS输入，取平均等技术获得较理想的测试结果。目前能够完成三极管输入、输出特性曲线、放大倍数、开启电压等参数以及二极管一些参数的测定，并能测试比较温度对这些参数的影响。系统具有通用的RS232 接口和打印机接口，可以方便的将结果打印、显示。关键词AduC812压控流源晶体管参数
2012-08-02 23:57:09
器、电压／电流反馈放大电路、晶体管／FET开关电路、模拟开关电路、开关电源、振荡电路等。上册则主要介绍放大电路的工作、增强输出的电路、功率放大器的设计与制作、拓宽频率特性等。`
2019-03-06 17:29:48
晶体管也就是俗称三极管，其本质是一个电流放大器，通过基射极电流控制集射极电流。
1、当基射极电流很小可以忽略不计时，此时晶体管基本没有对基射极电流的放大作用，此时可以认为晶体管处在关断状态
2、当基
2024-01-18 16:34:45
一、晶体管开关电路：是一种计数地接通-断开晶体管的集电极-发射极间的电流作为开关使用的电路，此时的晶体管工作在截止区和饱和区。当需要输出大的负载电流时，由于集电极电流(负载电流)是放大基极电流而来
2021-10-29 09:25:31
晶体管式电流传感器内部设有检测电流用电阻。使负荷电流通过该电阻，并利用运算放大器（OP比较电路）将其电压降值与基准电压进行比较，当电流检测电阻上的电压降低于基准电压时，比较器的输出电流点亮报警
2018-10-31 17:13:28
时，先将hFE/ICEO选择开关置于ICEO档，选择晶体管的极性，将被测晶体管的三个引脚插个测试孔，然后按下ICEO键，从表中读出反向击穿电流值即可。2．放大能力的检测 晶体管的放大能力可以用万用表
2012-04-26 17:06:32
从事电子设计7年了，发觉这两本书挺好的，发上来给大家分享一下附件晶体管电路设计（上）放大电路技术的实验解析.pdf42.5 MB晶体管电路设计（下）FET_功率MOS_开关电路的实验解析.rar.zip47.2 MB
2018-12-13 09:04:31
晶体管电路设计丛书上册晶体管电路设计(pdf电子书下载):是“实用电子电路设计丛书”之一，共分上下二册。本书作为上册主要内容有晶体管工作原理，放大电路的性能、设计与应用，射极跟随器的性能与应用电
2009-11-20 09:41:18
请问各位***友：晶体管的输入信号不是微弱的电信号吗？而常见的资料用输入信号的频率。问题就在这微弱的电信号与频率有什么关系？像六管超外差收音机接受的电磁波我还能理解，放大其他的我就弄不懂了。。。。希望各位不吝赐教。。。。
2012-11-12 22:34:51
晶体管的 电流放大原理 该怎么解释？
2017-03-12 20:30:29
无量纲的比例系数。hfe称为输出端交流短路时的电流放大系数，简称电流放大系数。它反映基极电流IB对集电极电流IC的控制能力，即晶体管的电流放大能力，是一个无量纲的数，习惯上用β表示。 hoe称为输入端
2021-05-13 07:56:25
(1) 电流放大系数β和hFEβ是晶体管的交流放大系数，表示晶体管对交流（变化）信号的电流放大能力。β等于集电极电流IC的变化量△IC与基极电流IB的变化量△IB两者之比，即β=△IC/△IBhFE
2018-06-13 09:12:21
晶体管的主要参数有哪些？晶体管的开关电路是怎样的？
2021-06-07 06:25:09
晶体管的半导体的电流由空穴（正极性）和电子（负极性）产生。一般而言的晶体管是指这种由硅构成的晶体管。FETField Effect Transistor的简称，是指场效应晶体管。有接合型FET和MOS型
2019-04-10 06:20:24
-发射极间流过电流。如前面的特征汇总表中所示，关于驱动，需要根据与放大系数、集电极电流之间的关系来调整基极电流等。与MOSFET显著不同的是，用于放大或导通/关断的偏置电流会流经晶体管（基极）。另外
2018-11-28 14:29:28
不同的是，用于放大或导通/关断的偏置电流会流经晶体管（基极）。 另外，MOSFET中有称为“导通电阻”的参数，尤其是处理大功率时是重要的特性。但双极晶体管中没有“导通电阻”这个参数。世界上最早的晶体管
2020-06-09 07:34:33
是"增幅"和"开关"。比如收音机。放大空中传播的极微弱信号，使音箱共鸣。这一作用便是晶体管的增幅作用。不改变输入信号的波形，只放大电压或电流。这是模拟信号的情况，但是
2019-07-23 00:07:18
得到了晶体管的h参数后，就可以画出晶体管的线性等效电路，图Z0214是晶体管的h参数等效电路。 关于h参数等效电路，应注意以下几点： （1）电压的参考极性为上正下负，电流的参考正方向是流入为正
2021-05-25 07:25:25
是"增幅"和"开关"。比如收音机。放大空中传播的极微弱信号，使音箱共鸣。这一作用便是晶体管的增幅作用。不改变输入信号的波形，只放大电压或电流。这是模拟信号的情况，但是
2019-05-05 00:52:40
之间）和发射结（B、E极之间），发射结与集电结之间为基区。 根据结构不同，晶体管可分为PNP型和NPN型两类。在电路图形符号上可以看出两种类型晶体管的发射极箭头（代表集电极电流的方向）不同。PNP型
2013-08-17 14:24:32
放大电路中使用的达林顿管，可以选用不带保护电路的中、小功率普通达林顿晶体管。而音频功率输出、电源调整等电路中使用的达林顿管，可选用大功率、大电流型普通达林顿晶体管或带保护电路的大功率达林顿晶体管
2012-01-28 11:27:38
和集电极电位的关系中，可以非常方便地对晶体管的工作状态作出判断。对处于共发射极放大的NPN型晶体管而言，集电极电位>基极电位>发射极电位时，晶体管工作于放大状态。随着基极注入电流的增大，流出
2012-02-13 01:14:04
分为硅管和锗管两类。 晶体管内部结构的特点是发射区的掺杂浓度远远高于基区掺杂浓度，并且基区很薄，集电结的面积比发射结面积大。这是晶体管具有放大能力的内部条件。 2. 电流分配与放大作用 体管具有放大能力
2021-05-13 06:43:22
关于晶体管ON时的逆向电流在NPN晶体管中，基极 (B) 被偏置为正，集电极 (C) 被偏置为负，由发射极 (E) 流向C的是逆电流。1. 不用担心劣化和损坏，在使用上是没有问题的2. NPN-Tr
2019-05-09 23:12:18
;nbsp; 晶体管（transistor）是一种固体半导体器件，可以用于检波、整流、放大、开关、稳压、信号调制和许多其它功能。晶体管作为一种可变开关，基于输入的电压，控制流出的电流，因此晶体管可做为
2010-08-12 13:57:39
导通损耗。即使在低占空比情况下，EiceDRIVER™也可以保持良好的栅极电压调节特性，从而阻止RC驱动网络失压。 电流旁路对GaN晶体管并联配置的影响 即使每个晶体管都配置独立的RC驱动网络
2021-01-19 16:48:15
请问BJT工艺的线性稳压源为什么多是PNP型晶体管呢？
2023-03-31 11:56:49
来至网友的提问：如何选择分立晶体管？
2018-12-12 09:07:55
这个晶体管为什么是开关管的作用，还有电流方向是怎样的？
2018-12-28 15:41:49
差分放大器具有什么性能？CMOS差动放大器晶体管不匹配的原因？差分放大器中的不匹配效应应该怎么消除？
2021-04-12 06:46:18
的，因此在发射极E上使用箭头来指示电流方向。晶体管的放大功能是：集电极电流由基极电流控制（假设电源可以为集电极提供足够大的电流），基极电流的微小变化会引起集电极电流的较大变化：集电极电流的变化是基极电流
2023-02-08 15:19:23
半导体端子）中的正电子碰撞，产生集电极电流。由此可见，基极电流越大，集电极电流越大。也就是说，当一个小电流输入集电极时，集电极可以获得大电流，现在晶体管处于放大状态。需要注意的是，当基极电流达到一定水平
2023-02-15 18:13:01
电流可以调节巨大的发射极集电极电流。II. 什么是PNP晶体管？PNP 晶体管是将一种 n 型材料与两种 p型材料掺杂在一起的晶体管。它是一种由电流供电的设备。适量的基极电流调节了发射极和集电极电流
2023-02-03 09:44:48
）= + 25°CSGN19H181M1H砷化镓晶体管SGN19H240M1H砷化镓晶体管SGN21H180M1H砷化镓晶体管SGN21H121M1H砷化镓晶体管SGN21H181M1H砷化镓晶体管
2021-03-30 11:32:19
晶体管（transistor）是一种固体半导体器件，可以用于检波、整流、放大、开关、稳压、信号调制和许多其它功能
2010-08-13 11:36:51
主要参数 晶体管的主要参数有电流放大系数、耗散功率、频率特性、集电极最大电流、最大反向电压、反向电流等。电流放大系数 电流放大系数也称电流放大倍数，用来表示晶体管放大能力。 耗散功率也称集电极
2010-08-13 11:35:21
multisim仿真中高频晶体管BFG35能用哪个晶体管来代替，MFR151管子能用哪个来代替？或是谁有这两个高频管子的原件库？求大神指教
2016-10-26 11:51:18
们的李老师通过对这本书的学习和研究，运用自己的经验和学识打造出了与本书配套的实验板，正好可以供大家学习、实践、研究。所以此次众筹《OP放大器与晶体管的放大电路设计》实验板的项目刚好可以方便每一位对OP
2016-08-19 14:28:29
`内容简介：《晶体管电路设计》(上)是“实用电子电路设计丛书”之一，共分上下二册。《晶体管电路设计》(上)作为上册主要内容有晶体管工作原理，放大电路的性能、设计与应用，射极跟随器的性能与应用电
2017-07-25 15:29:55
输出;还可以把基极电流lb放大β倍，然后在集电极以Ic形式输出。（2）场效应晶体管含义：原件要比晶体管小得多晶体管就是一个小硅片 但是场效应晶体管的结构要比晶体管的要复杂场效应管的沟道一般是几个纳米
2019-04-09 11:37:36
小信号晶体管主要用于放大低电平信号，但也可以用作开关。这些晶体管可通过 hFE 值来使用，该值指定晶体管如何放大输入信号。典型 hFE 值的范围为 10 至 500，其中最高集电极电流 (Ic
2023-08-02 12:26:53
互补晶体管的匹配
2019-10-30 09:02:03
晶体管的工作原理是一样的。》 光电晶体管光电晶体管是由双极晶体管或场效应晶体管组成的光电器件。光被吸收在这种器件的有源区域，产生光生载流子，这些载流子通过内部电放大机制并产生光电流增益。光电晶体管在三
2023-02-03 09:36:05
PNP 和 NPN 是两种类型的双极结型晶体管 （BJT）。BJT由可以放大电流的掺杂材料制成。它具有PNP和NPN配置选项。PNP 和 NPN晶体管可用于放大或开关。本文将解释NPN和PNP之间
2023-02-03 09:50:59
两种比光敏二极管产生更高输出电流的光敏器件的一些基本信息: 光敏晶体管和光敏集成电路。后一个术语指的是基本上是一个光电二极管和放大器集成到同一封装。什么是光电晶体管？光电二极管可以产生光电流，因为它的结
2022-04-21 18:05:28
达林顿晶体管是一对双极晶体管，连接在一起，从低基极电流提供非常高的电流增益。输入晶体管的发射极始终连接到输出晶体管的基极;他们的收藏家被绑在一起。结果，输入晶体管放大的电流被输出晶体管进一步放大
2023-02-16 18:19:11
，拐角处的电场总是被放大。这可以通过在角落使用硝酸盐层来最小化。 制造成本高 鳍式场效应晶体管演进 现代电子产品的基础是CMOS晶体管。在过去的17年中，CMOS技术在制造和建筑中使用的材料方面
2023-02-24 15:25:29
输入一起用来测量集电极电流。图2.NMOS零增益放大器面包板电路程序步骤零增益放大器可用于创建稳定的电流源。现在，当W1所表示的输入电源电压变化时，晶体管Q1的集电极所看到的电压更为稳定，因此可以将其
2021-11-01 09:53:18
的基础知识和基本实验，内容包括FET放大电路、源极跟随器电路、功率放大器、电压／电流反馈放大电路、晶体管／FET开关电路、模拟开关电路、开关电源、振荡电路等。上册则主要介绍放大电路的工作、增强输出的电路
2017-06-22 18:05:03
1.什么是晶体管，它是如何工作的？晶体管是一种微型电子元件，可以完成两种不同的工作。它可以用作放大器或开关：流过晶体管一部分的微小电流可以使更大的电流流过晶体管的另一部分。换句话说，小电流打开较大
2023-02-03 09:32:55
PNP晶体管在哪里使用？放大电路采用PNP晶体管。达林顿对电路采用PNP晶体管。机器人应用利用了PNP晶体管。PNP 晶体管用于控制大功率应用中的电流。如何控制PNP晶体管？首先，为了接通PNP
2023-02-03 09:45:56
各位高手，小弟正在学习单结晶体管，按照网上的电路图做的关于单结晶体管的仿真，大多数都不成功，请问谁有成功的单结晶体管的仿真仿真啊，可以分享下吗。
2016-03-04 09:15:06
管子多用于集成放大电路中的电流源电路。
请问对于这种多发射极或多集电极的晶体管时候该如何分析？按照我的理解，在含有多发射极或多集电极的晶体管电路时，如果多发射极或多集电极的每一极分别接到独立的电源回路中
2024-01-21 13:47:56
。场效应管的工作方式有两种：当栅压为零时有较大漏极电流的称为耗尽型；当栅压为零，漏极电流也为零，必须再加一定的栅压之后才有漏极电流的称为增强型。场效应晶体管作用是什么1、场效应管可应用于放大。由于场效应管
2019-05-08 09:26:37
、漏极电流等参数。选用音频功率放大器推挽输出用VMOS大功率场效应晶体管时，要求两管的各项参数要一致（配对），要有一定的功率余量。所选大功率管的最大耗散功率应为放大器输出功率的0.5~1倍,漏源击穿电压应为功放工作电压的2倍以上。
2021-05-13 07:10:20
`场效应管与晶体管的比较（1）场效应管是电压控制元件，而晶体管是电流控制元件。在只允许从信号源取较少电流的情况下，应选用场效应管；而在信号电压较低，又允许从信号源取较多电流的条件下，应选用晶体管
2017-05-06 15:56:51
场效应管与晶体管的比较（1）场效应管是电压控制元件，而晶体管是电流控制元件。在只允许从信号源取较少电流的情况下，应选用场效应管；而在信号电压较低，又允许从信号源取较多电流的条件下，应选用晶体管。（2
2009-04-25 15:43:51
）场效应管是利用多数载流子导电，所以称之为单极型器件，而晶体管是即有多数载流子，也利用少数载流子导电。被称之为双极型器件。（4）场效应管能在很小电流和很低电压的条件下工作，而且它的制造工艺可以很方便地把很多场效应管集成在一块硅片上，因此场效应管
2018-11-05 17:16:04
本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 10:00 编辑
场效应管是一种放大器件元件，而晶体管是场效应管元件它是通过改变输入电压来控制输出电流的，它是电压控制器件，它不吸收信号源电流
2012-07-11 11:36:52
电路功能与优势数字控制电流源在许多应用中至关重要，如电源管理、电磁阀控制、电机控制、阻抗测量、传感器激励和脉搏血氧仪等。本文介绍三种利用 DAC、运算放大器和 MOSFET 晶体管构建支持串行接口
2018-10-16 08:45:57
）需要几毫安才能上电，并且可以由逻辑门输出驱动。然而，螺线管、灯和电机等大功率电子设备比逻辑门电源需要更多的电力。输入晶体管开关。 晶体管开关操作和操作区域 图 1 中图表上的蓝色阴影区域表示饱和
2023-02-20 16:35:09
IGBT是由哪些部分组成的？绝缘栅双极型晶体管IGBT有哪些特点？如何去使用绝缘栅双极型晶体管IGBT呢？
2021-11-02 06:01:06
绝缘栅双极晶体管（IGBT）有哪些应用呢？如何去实现绝缘栅双极晶体管（IGBT）的电磁兼容设计呢？
2022-01-14 07:02:41
转电阻为零，则表示短路。 2. 晶体晶体管测试方法 ● 测试放大能力 晶体晶体管主要用于放大，那么我们如何判断它的放大能力呢？ 首先，将万用表的齿轮设置为 R × 100 或 R ×1K。当我
2023-02-14 18:04:16
。当晶体管的驱动电压突变为0时，还是因为电容电压不能突变，CB两端的电压加到VT1的发射结上，可以形成很大的反向基极抽取电流，使VT1迅速关闭并进入问题。 加速电路二 在加速电路二中，高速
2020-11-26 17:28:49
晶体管的稳态操作在很大程度上取决于其基极电流，集电极电压和集电极电流值，因此，如果晶体管要正确地用作线性放大器，则必须在其工作点周围适当偏置。建立正确的工作点需要选择偏置电阻器和负载电阻器，以提供
2020-11-12 09:18:21
来至网友的提问：如何选择分立晶体管？
2023-11-24 08:16:54
减小势垒电容）和减小基极反向偏压的大小（以使得发射结能够尽快能进入正偏而开启晶体管）；而从晶体管使用来说，可以增大输入基极电流脉冲的幅度，以加快对结电容的充电速度（但如果该基极电流太大，则将使晶体管在
2019-09-22 08:00:00
减小势垒电容）和减小基极反向偏压的大小（以使得发射结能够尽快能进入正偏而开启晶体管）；而从晶体管使用来说，可以增大输入基极电流脉冲的幅度，以加快对结电容的充电速度（但如果该基极电流太大，则将使晶体管在
2019-08-19 04:00:00
探讨中此IO即为绝对最大额定值。GI和hFE的区别hFE: 作为晶体管的直流电流增幅率GI: 作为数字晶体管的直流电流增幅率解说GI和hFE都表示发射极接地直流电流放大率。数字晶体管是指普通晶体管上连接
2019-04-22 05:39:52
标记为IO。因此电路设计探讨中此IO即为绝对最大额定值。GI和hFE的区别hFE: 作为晶体管的直流电流增幅率GI: 作为数字晶体管的直流电流增幅率解说GI和hFE都表示发射极接地直流电流放大率。数字
2019-04-09 21:49:36
放大器设计中非常重要，因为它建立了准备好接收信号的晶体管放大器的正确工作点，从而减少了输出信号的任何失真。我们还看到，可以在这些输出特性曲线上绘制静态或直流负载线，以显示晶体管从完全“接通”到完全
2020-11-02 09:25:24
流过晶体管的大部分基极电流通过D1被旁路掉了，这时候流过晶体管的基极电流非常小，所以可以认为这时晶体管的导通状态很接近截止状态。如下图，上面的B点的波形，下面的是A点的波形，可以看出来，晶体管由导通到
2023-02-09 15:48:33
有没有负触发导通正的晶体管呢？哪位大神知道请赐教。谢谢啦！
2023-03-31 11:47:46
晶体管的半导体的电流由空穴（正极性）和电子（负极性）产生。一般而言的晶体管是指这种由硅构成的晶体管。FETField Effect Transistor的简称，是指场效应晶体管。有接合型FET和MOS型
2019-05-05 01:31:57
LLC的效率和损耗数据。对于500KHz，变压器、电感器和SR晶体管等其他元件的损耗击穿应该相同，关键损耗差异来自初级侧晶体管。虽然LLC转换器可以实现导通的ZVS，但随着初级磁化电流的增强，开关
2023-02-27 09:37:29
如何用晶体管搭建一个放大电路，要求输入为1V，输出至少放大一倍，这么大的输入怎么做到不失真呢？
2016-06-11 16:17:59
电子产品中，近年来逐渐被晶体管和集成电路所取代，但目前在一些高保真音响器材中，仍然使用电子管作为音频功率放大器件。 而晶体管是一种固体半导体器件，可以用于检波、整流、放大、开关、稳压、信号调制和许多
2016-01-26 16:52:08
件，二场效应晶体管是电压控制器件。一、晶体三极管：用于电压放大或者电路放大的控制器件。可以把基极和集电极的间的电压Vbc放大到几十到几百倍以上，在发射集和集电极之间以Vce的方式输出;还可以把基极电流
2019-03-27 11:36:30
2000一5000（α＝0.995-0.9998）。 是以P型衬底作为集电极，因此只有集成元器件之间采用PN结隔离槽的集成电路才能制作这种结构的管子。由于这种结构管子的载流子是沿着晶体管断面的垂直
2019-04-30 06:00:00
的比值，使其成为一个跨导器件，IGBT 也是如此。然后我们可以把 IGBT 看作是由 MOSFET 提供基极电流的功率 BJT。绝缘栅双极性晶体管可以用在小信号放大电路中，与 BJT 或 MOSFET
2022-04-29 10:55:25
频率特性变化的密勒效应，再比如基于晶体管的负反馈、差分放大电路的设计。这些内容如果认真的去看《晶体管电路设计》，同时结合李老师的电路板进行实际的电路搭建和测试分析，相信每一个位用心的同学都会有或多或少的收获
2016-06-03 18:29:59
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