在采用带引线的TO-247封装中采用共源共栅模式技术之后，市场上出现了许多趋势，这些市场朝着R DS（开启），更好的开关品质因数（FOM）和更低的电容方面的改进方向发展。
2021-03-16 11:26:34
6828 通过采用电子马达驱动器或“电压源逆变器”可实现对电机的增强型控制，此类驱动器通常会产生可变频率和幅值的三相交流电来控制马达的速度、扭矩和方向。驱动器采用开关电源技术，通常在16kHz左右运行，并通过脉冲宽度调制实现输出控制。
2021-04-28 09:43:152443 
通过种种信息，我们应该都能发现，氮化镓充电器目前已经快要与普通充电器市场持平，而且，氮化镓充电器是近几年新开发出来的，从刚开始出现的30W到现在的140W、200W，相信未来还会有更多可能。
2023-02-03 16:51:466396 
新一代氮化镓技术针对汽车、5G 和数据中心等应用；新器件采用了传统的TO-247封装和创新的铜夹片贴片封装CCPAK
2020-06-11 08:03:432926 氮化镓（GaN）是第三代半导体技术，其运行速度比旧的慢速硅（Si）快20倍，并且可以以三分之一的体积和重量，实现高达三倍的功率或充电速度。
2021-03-15 09:45:54994 采用了该公司的氮化镓技术。这款适配器采用Transphorm的SuperGaN®第四代技术，这是一种氮化镓场效应管(FET)平台，具有以下优点：系统
2022-08-08 10:47:13707 
对于大规模MIMO系统而言，第4代氮化镓技术和多功能相控阵雷达(MPAR)架构可提升射频性能和装配效率——DavidRyan，MACOM高级业务开发和战略营销经理解说道，向5G移动网络的推进不断加快
2019-08-02 08:28:19
`对于大规模MIMO系统而言，第4代氮化镓技术和多功能相控阵雷达(MPAR)架构可提升射频性能和装配效率——DavidRyan，MACOM高级业务开发和战略营销经理解说道，向5G移动网络的推进不断
2017-08-03 16:28:14
"对于大规模MIMO系统而言，第4代氮化镓技术和多功能相控阵雷达(MPAR)架构可提升射频性能和装配效率。"—David Ryan，MACOM高级业务开发和战略营销经理 行业洞察
2017-06-06 18:03:10
(86) ，因此在正常体温下，它会在人的手中融化。
又过了65年，氮化镓首次被人工合成。直到20世纪60年代，制造氮化镓单晶薄膜的技术才得以出现。作为一种化合物，氮化镓的熔点超过1600℃，比硅高
2023-06-15 15:50:54
从将PC适配器的尺寸减半，到为并网应用创建高效、紧凑的10 kW转换，德州仪器为您的设计提供了氮化镓解决方案。LMG3410和LMG3411系列产品的额定电压为600 V，提供从低功率适配器到超过2 kW设计的各类解决方案。
2019-08-01 07:38:40
的数十亿次的查询，便可以获得数十亿千瓦时的能耗。
更有效地管理能源并占用更小空间，所面临的挑战丝毫没有减弱。氮化镓（GaN）等新技术有望大幅改进电源管理、发电和功率输出的诸多方面。预计到2030年
2019-03-14 06:45:11
被誉为第三代半导体材料的氮化镓GaN。早期的氮化镓材料被运用到通信、军工领域，随着技术的进步以及人们的需求，氮化镓产品已经走进了我们生活中，尤其在充电器中的应用逐步布局开来，以下是采用了氮化镓的快
2020-03-18 22:34:23
技术迭代。2018 年，氮化镓技术走出实验室，正式运用到充电器领域，让大功率充电器迅速小型化，体积仅有传统硅（Si）功率器件充电器一半大小，氮化镓快充带来了充电器行业变革。但作为新技术，当时氮化镓
2022-06-14 11:11:16
现在越来越多充电器开始换成氮化镓充电器了，氮化镓充电器看起来很小，但是功率一般很大，可以给手机平板，甚至笔记本电脑充电。那么氮化镓到底是什么，氮化镓充电器有哪些优点，下文简单做个分析。一、氮化镓
2021-09-14 08:35:58
氮化镓功率半导体技术解析基于GaN的高级模块
2021-03-09 06:33:26
`从研发到商业化应用，氮化镓的发展是当下的颠覆性技术创新，其影响波及了现今整个微波和射频行业。氮化镓对众多射频应用的系统性能、尺寸及重量产生了明确而深刻的影响，并实现了利用传统半导体技术无法实现
2017-08-15 17:47:34
射频半导体技术的市场格局近年发生了显著变化。 数十年来，横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)技术在商业应用中的射频半导体市场领域起主导作用。如今，这种平衡发生了转变，硅基氮化镓(GaN-on-Si
2018-08-17 09:49:42
深圳市尊信电子技术有限公司专业开发设计电子产品方案钰泰，智融，赛芯微一级代理吉娜：*** 微信：mphanfan欢迎行业客户联系，获取datasheet、报价、样片等更多产品信息氮化镓技术的普及，使
2021-11-28 11:16:55
本帖最后由 kuailesuixing 于 2018-2-28 11:36 编辑
整合意法半导体的制造规模、供货安全保障和电涌耐受能力与MACOM的硅上氮化镓射频功率技术，瞄准主流消费
2018-02-12 15:11:38
用于无线基础设施的半导体技术正在经历一场重大的变革，特别是功率放大器(PA)市场。横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)晶体管在功率放大器领域几十年来的主导地位正在被氮化镓(GaN)撼动，这将对无线
2017-08-30 10:51:37
地控制烹饪。以上讲解到的演示，即我们的硅基氮化镓技术将如何支持射频能量市场，这是我们要通过高效氮化镓技术推动的多种应用之一。关于MACOMMACOM是一家新生代半导体器件公司，集高速增长、多元化和高
2017-09-06 14:44:16
，尤其是2010年以后，MACOM开始通过频繁收购来扩充产品线与进入新市场，如今的MACOM拥有包括氮化镓（GaN）、硅锗（SiGe）、磷化铟（InP）、CMOS、砷化镓等技术，共有40多条生产线
2017-09-04 15:02:41
的各个电端子之间的距离缩短十倍。这样可以实现更低的电阻损耗，以及电子具备更短的转换时间。总的来说，氮化镓器件具备更快速的开关、更低的功率损耗及更低的成本优势。由于氮化镓技术在低功耗、小尺寸等方面具有独特
2017-07-18 16:38:20
氮化镓(GaN)的重要性日益凸显，增加。因为它与传统的硅技术相比，不仅性能优异，应用范围广泛，而且还能有效减少能量损耗和空间的占用。在一些研发和应用中，传统硅器件在能量转换方面，已经达到了它的物理
2023-06-15 15:47:44
氮化镓(GaN)是一种“宽禁带”(WBG)材料。禁带，是指电子从原子核轨道上脱离出来所需要的能量，氮化镓的禁带宽度为 3.4ev，是硅的 3 倍多，所以说氮化镓拥有宽禁带特性（WBG）。
硅的禁带宽
2023-06-15 15:53:16
两年多前，德州仪器宣布推出首款600V氮化镓（GaN）功率器件。该器件不仅为工程师提供了功率密度和效率，且易于设计，带集成栅极驱动和稳健的器件保护。从那时起，我们就致力于利用这项尖端技术将功率级
2020-10-27 09:28:22
eMode硅基氮化镓技术，创造了专有的AllGaN™工艺设计套件（PDK），以实现集成氮化镓 FET、氮化镓驱动器，逻辑和保护功能于单芯片中。该芯片被封装到行业标准的、低寄生电感、低成本的 5×6mm 或
2023-06-15 14:17:56
氮化镓南征北战纵横半导体市场多年，无论是吊打碳化硅，还是PK砷化镓。氮化镓凭借其禁带宽度大、击穿电压高、热导率大、电子饱和漂移速度高、抗辐射能力强和良好的化学稳定性等优越性质，确立了其在制备宽波谱
2019-07-31 06:53:03
氮化镓，由镓（原子序数 31）和氮（原子序数 7）结合而来的化合物。它是拥有稳定六边形晶体结构的宽禁带半导体材料。禁带，是指电子从原子核轨道上脱离所需要的能量，氮化镓的禁带宽度为 3.4eV，是硅
2023-06-15 15:41:16
=rgb(51, 51, 51) !important]射频氮化镓技术是5G的绝配，基站功放使用氮化镓。氮化镓（GaN）、砷化镓（GaAs）和磷化铟（InP）是射频应用中常用的半导体材料。[color
2019-07-08 04:20:32
功率密度。氮化镓开关器件通过在高速开关下保持高效率水平实现这些优势， 这使得可以应用更小的元件，从而缩小尺寸。同时，高效率产生更少的热量，从而确保电源适配器表面温度不超过要求的温度上限。精品推荐：通用适配器来了，氮化镓技术做后盾`
2017-05-25 10:35:22
氮化镓技术非常适合4.5G或5G系统，因为频率越高，氮化镓的优势越明显。那对于手机来说射频GaN技术还需解决哪些难题呢？
2019-07-31 06:53:15
，一些射频氮化镓厂商开始考虑在未来的手持设备中使用氮化镓。对于现在的手机而言，氮化镓的性能过剩，价格又太贵。但将来支持下一代通信标准（即5G）的手机，使用氮化镓是有可能的。氮化镓技术非常适合4.5G或
2016-08-30 16:39:28
，利用氮化镓技术的性能优势，基于固态射频能量的等离子照明极大延长了光源的使用寿命，为等离子灯提供了前所未有的市场机会。由于固态射频能量的高效率和长寿命，等离子照明现在可以为大面积照明应用提供极高的价值。由
2017-12-14 10:24:22
在德州仪器不断推出的“技术前沿”系列博客中，一些TI最优秀的人才讨论当今最大的技术趋势以及如何应对未来挑战等问题。相较于先前使用的硅晶体管，氮化镓（GaN）可以让全新的电源应用在同等电压条件下以更高
2018-08-30 15:05:40
两年多前，德州仪器宣布推出首款600V氮化镓（GaN）功率器件。该器件不仅为工程师提供了功率密度和效率，且易于设计，带集成栅极驱动和稳健的器件保护。从那时起，我们就致力于利用这项尖端技术将功率级
2022-11-10 06:36:09
氮化镓(GaN)是一种全新的使能技术，可实现更高的效率、显着减小系统尺寸、更轻和于应用中取得硅器件无法实现的性能。那么，为什么关于氮化镓半导体仍然有如此多的误解？事实又是怎样的呢？
关于氮化镓技术
2023-06-25 14:17:47
氮化镓GaN是什么？
2021-06-16 08:03:56
，是氮化镓功率芯片发展的关键人物。
首席技术官 Dan Kinzer在他长达 30 年的职业生涯中，长期担任副总裁及更高级别的管理职位，并领导研发工作。他在硅、碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）功率芯片方面
2023-06-15 15:28:08
，整合优势资源，让客户更加方便地用上氮化镓技术，获得氮化镓低开关损耗、高效率的优势，降低充电器的能耗，节能减排助力“3060双碳”战略。茂睿芯年初发布了业界最小体积SOT23-6的高频QR ACDC
2021-11-12 11:53:21
就可以实现。正是由于我们推出了LMG3410—一个用开创性的氮化镓 (GaN) 技术搭建的高压、集成驱动器解决方案，相对于传统的、基于硅材料的技术，创新人员将能够创造出更加小巧、效率更高、性能更佳
2018-08-30 15:05:50
爱思强股份有限公司推出最新产品AIX G5+，为其AIX G5行星式反应器平台提供5x200 mm硅基氮化镓生长专用设备。基于以客户为中心的发展计划，爱思强的研发实验室开发了此技术并设计并制
2012-07-25 11:16:211364 在过去的半个世纪，硅一直是现代电子工业的基础，原因很显然：到现在为止，硅是大规模应用于最新消费、商业和工业技术最完美的半导体材料。但是现在，面对一种可提供比旧行业标准更高的速度、更强的功率处理能力和更小的尺寸的新型半导体材料，硅的局限性受到了挑战。
2017-05-22 09:35:501927 
硅功率MOSFET为电路设计者提供了许多好处，使它成为许多应用中的明显选择。它提供了高开关速度和低导通电阻，不像前面的双极晶体管，MOSFET不遭受热失控。
2017-06-13 09:58:49
14 器件能够提供最大限度射频功率密度，芯片与封装包之间的良好热接口极为重要。
在氮化镓技术中，热设计与电气设计同等重要。
2018-01-04 16:44:585694 德州仪器的默认过流保护方法被归类为“电流锁存”保护；这意味着，若在器件中检测到任何过流故障，FET将安全关断，并在故障复位前保持关断状态。在我们的70mΩ器件中，故障在36 A触发；对于50mΩ器件，故障触发器扩展到61 A.
2019-04-24 14:36:47679 
过去十年，全球对电信基础设施的投资一直很稳定，并且，中国政府的投入近年持续增长。在这个稳定的市场中，更高的频率趋势，为RF GaN在5G网络频率低于6GHz（sub-6Ghz）的功率放大器（PA）中找到了用武之地。
2019-05-10 09:18:256132 
毫无疑问，氮化镓在半导体竞争中处于领先地位，可用于超级电源开关。
2019-05-31 15:35:512859 贝尔金近日发布了全新的USB-C氮化镓电源适配器以及无线充电器。贝尔金全新USB-C电源适配器有30W、60W和68W三种选择，全部采用氮化镓技术，尺寸更小。
2020-01-13 14:06:191136 用于无线基础设施的半导体技术正在经历一场重大的变革，特别是功率放大器(PA)市场。横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)晶体管在功率放大器领域几十年来的主导地位正在被氮化镓(GaN)撼动，这将对无线基站的系统性能和运营成本产生深远的影响。
2020-02-12 13:25:448675 
近日，康佳一则招募氮化镓工程师的官方启事引发业界高度关注。康佳副总裁李宏韬在接受记者采访时解释，招募氮化镓工程师是希望加快推进康佳在Micro LED芯片研发上的工作。在经过了长时间的积累与沉淀之后，康佳以氮化镓技术为突破，发力Micro LED的号角已经吹响。
2020-02-28 15:30:351283 在这当中氮化镓技术就起到了非常重要的作用。高输出功率、线性度和功耗要求正促使基站和网络OEM从使用PA LDMOS技术转向氮化镓技术。
2020-04-28 16:15:35853 目前常用的解决方案包括使用硅基超结金属氧化物半导体场效应晶体管（SJMOSFET）来调节、转换并向电池充电。它的尺寸大约为18英寸×25英寸，重量大概13磅，能效约为94%。
2020-11-05 13:03:251452 碳化硅和氮化镓技术的“甜区”在哪里？
2021-06-02 11:14:432855 
通过采用电子马达驱动器或“电压源逆变器”可实现对电机的增强型控制，此类驱动器通常会产生可变频率和幅值的三相交流电来控制马达的速度、扭矩和方向。驱动器采用开关电源技术，通常在16kHz左右运行，并通过脉冲宽度调制实现输出控制。
2021-07-04 09:36:102762 
氮化镓（GaN）是下一代半导体技术，它的器件开关速度比传统硅器件快20倍。
2021-09-08 12:22:201285 USB PD快充是目前主流的快充协议，而USB Type-C接口也在手机和笔记本上广泛应用，USB Type-C接口内置USB PD快充协议的通信线，并且支持USB PD标准的电压与电流，USB Type-C接口是USB PD快充协议的主流载体，所以说USB PD和USB Type-C是一套相辅相成的关系。
2021-12-27 15:19:551199 的65W 2C1A USB PD适配器采用了该公司的氮化镓技术。这款适配器采用Transphorm的SuperGaN®第四代技术，这是一种氮化镓场效应管(FET)平台，具有以下优点：系统设计简单，元件
2022-07-29 09:14:47584 副总裁 Andrea Bricconi 的播客中，我们将分析这个宽带隙生态系统的最新技术，这些技术将推动下一步的改进。 开始 欢迎来到由 Maurizio Di Paolo Emilio 主持的播客节目
2022-07-29 16:06:00418 Micro LED被誉为新时代显示技术，但目前仍面临关键技术、良率、和成本的挑战。 微米级的Micro LED已经脱离了常规LED工艺，迈入类IC制程。相对其它竞争方案，大尺寸硅衬底氮化镓（GaN
2022-08-17 12:25:421137 亚洲充电展(Asia Charging Expo)简称ACE，由充电头网发起，旨在促进最新电源技术和低碳环保的紧密结合。2022亚洲充电展立足现代化国际都市群粤港澳大湾区，是全球影响最为广泛的能源电子技术展会之一，也是亚洲屈指可数的充电行业技术产业盛会。
2022-08-18 12:42:56606 氮化镓技术的出现，通过降低开关损耗和导通阻抗，提高效率，降低发热，减小了快充充电器的体积。
2022-09-28 14:45:221578 支持瓦特到千瓦级应用的氮化镓技术
2022-11-01 08:25:401 氮化镓不仅受到近距离无线充电的欢迎，比如高合汽车采用GaN无线充电，而且远距离无线输电也在采用氮化镓技术。
2022-12-08 11:50:011947 随着氮化镓技术的不断发展，氮化镓也应用在了很多新兴领域，充电头网此次选取了手机、车充、PC电源、服务器电源、笔记本适配器、户外电源等新场景，帮助大家掌握氮化镓应用的最新动态。
2023-02-02 17:52:311332 什么是氮化镓技术 氮化镓（GaN：Gallium Nitride）是氮和镓化合物，具体半导体特性，早期应用于发光二极管中，它与常用的硅属于同一元素周期族，硬度高熔点高稳定性强。氮化镓材料是研制微电子
2023-02-03 14:14:451559 氮化镓是一种无机物，化学式GaN，是氮和镓的化合物，是一种直接能隙（direct bandgap）的半导体，自1990年起常用在发光二极管中。
2023-02-03 17:52:383426 氮化镓是一种无机物，化学式GaN，是氮和镓的化合物，是一种直接能隙的半导体。
2023-02-03 18:18:465898 
的导通电阻，因此能够降低损耗、减少发热，提供高效节能，使得元器件的体积能够更加精简，正因如此，氮化镓技术的应用也越来越多，本文就带大家了解一下氮化镓技术应用在了哪些方面。 氮化镓器件现在普遍应用在了构建放大器电路的
2023-02-06 09:32:01861 氮化镓（GaN：Gallium Nitride）是氮和镓化合物，具体半导体特性，早期应用于发光二极管中，它与常用的硅属于同一元素周期族，硬度高熔点高稳定性强。氮化镓材料是研制微电子器件的重要半导体材料，具有宽带隙、高热导率等特点，应用在充电器可适配小型变压器和高功率器件，充电效率高。
2023-02-06 09:46:091719 硅基氮化镓是一个正在走向成熟的颠覆性半导体技术，硅基氮化镓技术是一种将氮化镓器件直接生长在传统硅基衬底上的制造工艺。在这个过程中，由于氮化镓薄膜直接生长在硅衬底上，可以利用现有硅基半导体制造基础设施实现低成本、大批量的氮化镓器件产品的生产。
2023-02-06 16:44:262277 
通过采用电子马达驱动器或“电压源逆变器”可实现对电机的增强型控制，此类驱动器通常会产生可变频率和幅值的三相交流电来控制马达的速度、扭矩和方向。驱动器采用开关电源技术，通常在16kHz左右运行，并通过脉冲宽度调制实现输出控制。
2023-02-08 09:46:44614 
具体而言，SiC 近年来在很多领域都有应用，比如工业领域。对于 GAN 来说，可使用场景非常广泛。SiC 产品在高功率市场中有着很好的应用，例如 IGBT 这些产品都有着很好的使用，应用领域在不断增长中，其主要动力来自汽车行业
2023-02-10 11:01:28432 氮化镓（GaN）技术如今在电力电子行业风靡一时，这种宽禁带半导体能够实现非常高的效率和功率密度，因此能够减小电源的体积，并且降低其工作温度，该性能优势正迅速成为电源制造商保持竞争力和符合日益严格
2023-02-10 15:10:57669 、零反向恢复电荷、体积小和能耗低、抗辐射等优势。 曾经射频半导体市场中主要用到的是LDMOS技术，而如今，硅基氮化镓技术基本已经取代了传统的LDMOS技术，与传统的LDMOS技术相比，硅基氮化镓技术可提供的功率效率能够超过70%，单位面积功
2023-02-12 14:30:281420 氮化镓是一种无机物，化学式GaN，是氮和镓的化合物，是一种直接能隙（direct bandgap）的半导体，自1990年起常用在发光二极管中。此化合物结构类似纤锌矿，硬度很高。氮化镓的能隙很宽
2023-02-12 17:32:163011 氮化镓，分子式GaN，英文名称Gallium nitride，是氮和镓的化合物，是一种直接能隙（direct bandgap）的半导体，自1990年起常用在发光二极管中。此化合物结构类似纤锌矿，硬度
2023-02-13 09:26:412019 GaN和SiC属于高带隙的第三代半导体材料，与第一代Si和第二代GaAs等前辈相比，它们在特性上具有突出优势。由于大的带隙和高的热导率，GaN器件可以在200°C以上的高温下工作，并且可以承载更高的能量密度和更高的可靠性；大的带隙和绝缘损坏电场降低了器件的导通电阻，有利于提高器件的整体能效。
2023-02-13 17:24:04410 硅基氮化镓技术是一种新型的氮化镓外延片技术，它可以提高外延片的热稳定性和抗拉强度，从而提高外延片的性能。
2023-02-14 14:19:011046 硅基氮化镓技术原理是指利用硅和氮化镓的特性，将其结合在一起，形成一种新的复合材料，以满足电子元件、电子器件和电子零件的制造要求。硅基氮化镓具有良好的热稳定性和电磁屏蔽性，可以用于制造电子元件、电子器件和电子零件，而氮化镓则可以提供良好的电子性能和绝缘性能。
2023-02-14 14:46:581044 氮化镓晶体管型号参数主要包括电压限值、电流密度、功率密度、效率、温度系数、漏电流、漏电压、抗电磁干扰能力等。
2023-02-14 16:24:031388 氮化镓技术是谁突破的技术 作为支撑“新基建”建设的关键核心器件，氮化镓应用范围非常广泛，氮化镓在数据中心，新能源汽车等领域都有运用。那么这么牛的氮化镓技术是谁突破的技术？ 氮化镓技术是谁突破的技术
2023-02-16 17:48:442805 氮化镓在任何功率级别都很关键。工程师正努力提高切换速度、效率和可靠性，同时减小尺寸、重量和元件数量。从历来经验来看，您必须至少对其中的部分因素进行权衡，但德州仪器正通过所有这些优势实现设计，同时通过
2023-03-31 09:14:29299 
氮化镓（GaN）作为第三代半导体器件，凭借其优异的性能，在PD快充领域被广泛使用。
2023-06-02 16:41:13330 
渥太华的公司，为英飞凌带来了丰富的氮化镓（GaN）功率转换解决方案产品组合和领先的应用技术。已获得所有必要的监管部门审批，交易结束后，GaN Systems 已正式成为英飞凌的组成部分。 目前，英飞凌共有 450 名氮化镓技术专家和超过 350 个氮化镓技术专利族。英飞凌表示，公司和 G
2023-10-26 08:43:52207 氮化镓是一种宽带隙半导体材料，具有高电子迁移率、高耐压、高频率等特性。相比传统的硅材料，氮化镓材料的带隙宽度更大，能够承受更高的电压和温度，同时具有更高的电子迁移率和更快的开关速度。这些特性使得氮化
2023-11-07 15:48:01196 氮化镓材料定义：氮化镓(GaN)主要是由人工合成的一种半导体材料，禁带宽度大于2.3eV，也称为宽禁带半导体材料。 氮化镓材料为第三代半导体材料的典型代表，是研制微电子器件、光电子器件的新型材料。
2023-11-14 11:03:10217 
近日，Nexperia（安世半导体）凭借其在氮化镓（GaN）和碳化硅（SiC）领域的杰出表现，荣获两项权威大奖：“SiC年度优秀产品奖”和“中国GaN功率器件十强”。这一荣誉充分展示了安世半导体作为基础半导体全球领导者的强大实力，以及其在三代半领域的深厚积累。
2024-01-03 15:46:13403 氮化镓技术（GaN技术）是一种基于氮化镓材料的半导体技术，被广泛应用于电子设备、光电子器件、能源、通信和国防等领域。本文将详细介绍氮化镓技术的用途和应用，并从不同领域深入探讨其重要性和优势
2024-01-09 18:06:36303 氮化镓是一种半导体材料，由氮气和金属镓反应得到。它具有优异的光电特性和热稳定性，因此在电子器件、光电器件、化学传感器等领域有着广泛的应用。本文将从氮化镓的制备方法、特性、应用等方面进行详细介绍
2024-01-10 10:06:30197
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