功率MOSFET管
自1976年开发出功率MOSFET以来，由于半导体工艺技术的发展，它的性能不断提高：如高压功率MOSFET其工作电
2009-11-07 09:23:12
1870 MOSFET因导通内阻低、开关速度快等优点被广泛应用于开关电源中。MOSFET的驱动常根据电源IC和MOSFET的参数选择合适的电路。本文探讨MOSFET用于开关电源的驱动电路。
2016-12-15 16:00:3417031 
功率场效应管自身拥有众多优点，但是MOSFET管具有较脆弱的承受短时过载能力，特别是在高频的应用场合，所以在应用功率MOSFET对必须为其设计合理的保护电路来提高器件的可靠性。功率MOSFET保护电路主要有以下几个方面：
2018-12-25 09:43:009378 
功率电路中常用垂直导电结构的MOSFET(还有横向导电结构的MOSFET，但很少用于耐高压的功率电路中)，如下图是这种MOSFET的分层结构图。
2023-02-16 11:25:471304 
SJ MOSFET是一种先进的高压技术功率MOSFET，根据superP&S的结原理。提供的设备提供快速切换和低导通电阻的所有优点，使其特别适用于需要更高效、更紧凑的LED照明，
高性能适配器等。
2023-09-15 08:19:34
这些超结快速恢复硅基功率MOSFET兼具超低恢复电荷（Qrr）和超快快恢复时间（trr），以及出色的品质因数（RDS(on) x Qg），能够为要求严苛的桥式拓扑和ZVS相移转换器带来极高的效率
2023-09-08 06:00:53
SJ MOSFET是一种先进的高压技术功率MOSFET，根据superP&S的结原理。提供的设备提供快速切换和低导通电阻的所有优点，使其特别适用于需要更高效、更紧凑的LED照明，
高性能适配器等。
2023-09-15 06:19:23
SJ MOSFET是一种先进的高电压功率MOSFET，根据P&S的超结原理。报价设备提供了快速切换的所有好处并且导通电阻低，使其特别适用于需要更多高效，更紧凑，LED照明，高
性能适配器等。
2023-09-15 08:16:02
导致电压尖脉冲、辐射和传导EMI增加。为选择正确的栅极驱动阻抗以满足导通di/dt 的需求，可能需要进行电路内部测试与验证，然后根据MOSFET转换曲线可以确定大概的值 (见图3)。假定在导
2018-08-27 20:50:45
MOSFET及MOSFET驱动电路基础
2021-02-25 06:05:27
具备控制功率小、开关速度快的特点，广泛应用于低中高压的电路中，是功率半导体的基础器件。在如今兴起的新能源电动车中，硅基MOSFET是不可或缺的存在。MOSFET是汽车电子中的核心元件，汽车引擎、驱动系统
2023-02-21 15:53:05
功率mosfet 在中国IC市场中有很大的市场，2010年预计整个MOSFET的市场收益大于160亿。主要的应用使数据处理如： 台式电脑，笔记本，还有家电，汽车和工业控制。。功率MOSFET 按分装
2011-03-07 14:30:04
分享功率MOSFET驱动保护电路方案大全，希望能帮助大家
2023-05-24 10:22:02
，和推荐的印制电路板(PCB)占用面积。在为应用选择合适的器件时，首先从最大额定值表开始考虑。最大额定值表中指定了最大漏源电压和栅源电压。这是在决定一个功率MOSFET是否适用于设计时首先要看的地方。例如，智能手机
2018-10-18 09:13:03
本资料主要研究高频功率MOSFET的驱动电路和在动态开关模式下的并联均流特性。首先简要介绍功率MOSFET的基本工作原理及静态及动态特性，然后根据功率MOSFET对驱动电路的要求，对驱动电路进行了
2019-03-01 15:37:55
功率MOSFET的感性负载关断过程和开通过程一样，有4个阶段，但是时间常数不一样。驱动回路的等效电路图如图1所示，RG1为功率MOSFET外部串联的栅极电阻，RG2为功率MOSFET内部的栅极电阻
2017-03-06 15:19:01
过程中的开关损耗。开关损耗内容将分成二次分别讲述开通过程和开通损耗，以及关断过程和和关断损耗。功率MOSFET及驱动的等效电路图如图1所示，RG1为功率MOSFET外部串联的栅极电阻，RG2为功率
2017-02-24 15:05:54
功率MOSFET的概念是什么 MOSFET的耗散功率如何计算 同步整流器的功耗如何计算
2021-03-11 07:32:50
功率MOSFET的正向导通等效电路（1）：等效电路（2）：说明功率 MOSFET 正向导通时可用一电阻等效，该电阻与温度有关，温度升高，该电阻变大；它还与门极驱动电压的大小有关，驱动电压升高，该电阻
2021-09-05 07:00:00
一、功率MOSFET的正向导通等效电路1）等效电路：2）说明：功率 MOSFET 正向导通时可用一电阻等效，该电阻与温度有关，温度升高，该电阻变大；它还与门极驱动电压的大小有关，驱动电压升高，该电阻
2021-08-29 18:34:54
栅极（Gate），漏极（Drain）和源极（Source）。功率MOSFET为电压型控制器件，驱动电路简单，驱动的功率小，而且开关速度快，具有高的工作频率。常用的MOSFET的结构有横向双扩散型
2016-10-10 10:58:30
不同，对测量结果的影响非常大。IAR和EAR的测试电路和单脉冲雪崩电流以及单脉冲雪崩能量一样，中、低功率MOSFET使用去耦测量电路，高压功率MOSFET使用非去耦测量电路，只是在测试过程中使用多个重复
2017-09-22 11:44:39
=oxh_wx3、【周启全老师】开关电源全集http://t.elecfans.com/topic/130.html?elecfans_trackid=oxh_wx 超结功率MOSFET技术白皮书资料来自网络
2019-06-26 20:37:17
请问：驱动功率MOSFET，IBGT，SiC MOSFET的PCB布局需要考虑哪些因素？
2019-07-31 10:13:38
针对采用单片集成功率 MOSFET 的 DC/DC 转换器解决方案上，探讨使用控制器驱动分立式高、低侧功率 MOSFET 对的 DC/DC 稳压器电路适用的 EMI 的抑制技术，到底有哪些具体要求？
2019-09-10 15:18:08
具有广泛的保护功能，可增强系统的安全性和可靠性。当驱动器温度高于内置热折返保护触发点时，AL1697开始降低输出电流。
特性
两种内部高压MOSFET选项：用于超级结的RDSON 4Ω和1.8
2023-10-12 15:09:18
产品描述 QQ289 271 5427 DP950XB系列是高度集成的恒流LED功率开关， 芯片采用了准谐振的工作模式，无需辅助绕组检测 消磁。同时内部集成有高压500V功率MOSFET和 高压自供
2019-09-27 15:10:01
概述 FM7318A是内置高压功率MOSFET的电流模式PWM控制芯片，适用于全电压18W离线式反激开关电源，具有高性能、低待机功耗、低成本的优点。 为了保证芯片正常工作，FM7318A针对
2020-07-06 10:57:25
`光电耦合器IGBT驱动TLP250的结构和使用方法，给出了其与功率MOSFET和DSP控制器接口的硬件电路图。在阐述IRF840功率MOSFET的开关特性的基础上，设计了吸收回路。最后结合直流斩波
2012-06-14 20:30:08
IPS5451是美国国家半导体公司生产的一款高压侧功率MOSFET开关，它为单列5脚封装，工作电压50V，电流35A，Rds(on) 25m欧姆。
2021-04-23 07:32:01
LLC电路简介LLC，即半桥谐振电路，随着开关电源功率密度的增加，需要我们不断增加开关频率，以减小变压器和滤波器等器件的尺寸。但是过高的开关损耗成为高频的障碍，因此谐振开关技术得到了很大发展，LLC
2019-09-17 09:05:04
NCP5181BAL36WEVB，NCP5181,36 W镇流器评估板。 NCP5181是一款高压功率MOSFET驱动器，提供两路输出，用于直接驱动2个N沟道功率MOSFET，这些功率MOSFET
2019-10-12 10:29:07
模块电源的开关频率来降低驱动损耗，从而进一步提高轻负载条件下的效率，使得系统在待机工作下，更节能，进一步提高蓄电池供电系统的工作时间，并且还能够降低EMI的辐射问题;2.通过降低、来减少MOSFET
2019-09-25 07:00:00
N+区，作为功率MOSFET导通时的电流通路，也就是将反向阻断电压与导通电阻功能分开，分别设计在不同的区域，就可以实现上述的要求。基于超结SuperJunction的内建横向电场的高压功率MOSFET
2017-08-09 17:45:55
LT1336的典型应用是具有成本效益的半桥N沟道功率MOSFET驱动器。浮动驱动器可以驱动顶部N沟道功率MOSFET工作在高达60V（绝对最大值）的高压（HV）轨道上工作
2019-05-10 06:46:05
变速驱动的需求是什么兼顾性能、成本的高压功率半导体驱动IC应用
2021-04-21 07:06:40
程中导致开关电流升高。 尽管超结MOSFET开关管优化过的体硅二极管大幅降低了能耗，但IGBT还是能够利用共同封装的超快速二极管降低导通能耗。 在低功率压缩机驱动电路内，意法半导体最新超结MOSFET
2018-11-20 10:52:44
时，考虑了激光调整，以防止激光热量的注入影响整个晶体管的工作。应用混合信号制造技术而不影响可制造性成本。总结在批量生产中使用激光修整已经进行了多年。在高压超结功率MOSFET的情况下，采用这种制造技术是独特且开创性的。它不仅为设计人员追求电路优化开辟了许多新方法，而且这种微调选项可用于大批量生产。
2023-02-27 10:02:15
测量和校核开关电源、电机驱动以及一些电力电子变换器的功率器件结温，如 MOSFET 或 IGBT 的结温，是一个不可或缺的过程，功率器件的结温与其安全性、可靠性直接相关。测量功率器件的结温常用二种方法：
2021-03-11 07:53:26
的功率耗散和允许环境温度通过计算得出。当允许的环境温度达到或略高于我们所期望的机箱内最高温度时（机箱内安装了电源及其所驱动的电路），这个过程就结束了。 迭代过程始于为每个MOSFET假定一个结温，然后
2021-01-11 16:14:25
功率三极管（GTR）来做比较的：优点—开关速度快、输入阻抗高、驱动方便等；缺点—难以制成高电压、大电流型器件，这是因为耐压高的功率 MOSFET 的通态电阻较大的缘故。言归正传，下面来看看具体如何选型
2019-11-17 08:00:00
问题：如何通过驱动高功率LED降低EMI？
2019-03-05 14:33:29
变压器耦合方式来实现对高压功率开关器件的激励和输入级与输出级之间的隔离，同时还兼有对功率开关器件关断时，施加反向偏置，来加速器件的关断。当驱动MOSFET器件时，常规的驱动电路是用一个驱动变压器实现
2009-10-24 09:30:11
怎么实现MOSFET的半桥驱动电路的设计？
2021-10-11 07:18:56
HiperLCS是一款集成了多功能控制器、高压端和低压端栅极驱动以及两个功率MOSFET的LLC半桥功率级。图1（上）所示为采用HiperLCS器件的功率级结构简图，其中LLC谐振电感集成在变压器中
2019-03-07 14:39:44
设计角度，讨论如何降低电路 EMI。为提高开关电源的功率密度，电源工程师首先想到的办法是选择开关频率更高的 MOSFET,通过提高开关速度可以显著地减小输出滤波器体积，从而在单位体积内可实现更高的功率
2020-10-10 08:31:31
摘要：针对桥式拓扑功率MOSFET因栅极驱动信号振荡产生的桥臂直通问题，给出了计及各寄生参数的驱动电路等效模型，对栅极驱动信号振荡的机理进行了深入研究，分析了驱动电路各参数与振荡的关系，并以此为依据
2018-08-27 16:00:08
的寄生电容和以下的因素相关：• 沟道的宽度和沟槽的宽度• G极氧化层的厚度和一致性• 沟槽的深度和形状• S极体-EPI层的掺杂轮廓• 体二极管PN结的面积和掺杂轮廓高压平面功率MOSFET的Crss由
2016-12-23 14:34:52
功率MOSFET来说，通常连续漏极电流是一个计算值。当器件的封装和芯片的大小一定时，如对于底部有裸露铜皮的封装TO220，D2PAK，DFN5*6，DPAK等，那么器件的结到裸露铜皮的热阻RqJC是一
2016-08-15 14:31:59
AN1315，用于三相电机驱动的L6386 MOSFET功率驱动器评估板。 L6386，用于三相电机驱动的MOSFET功率驱动器。三相演示板是用于评估和设计高压栅极驱动器L6386的参考套件。用户
2019-07-03 09:22:07
控双极性晶体管IGBTIGBT晶体管是集GP与MOSFET二者优点于一体的复合器件，既有MOSFET输入阻抗高、速度快、开关损耗小、驱动电路简单、要求驱动功率小、极限工作温度高、易驱动的特点稳定运行直流
2018-11-27 11:04:24
供电，其中输入电压V在直接来自总线电压。这可能会有很大的电压变化，包括由于应用环境而导致的高压尖峰。耗尽型MOSFET可用于在线性稳压器电路中实现浪涌保护，如图5所示。MOSFET 以源极跟随器配置连接
2023-02-21 15:46:31
运放正负12伏供电，运放输出端连接mosfet的G极。mosfet的D连接500v直流高压，mosfet的S极连接一个20欧姆电阻到地，20欧姆电阻连接运放反馈端，我想把运放个mosfet进行隔离，求方案。求器件。整个原理其实就是运放控制mosfet实现电流源。
2018-08-02 08:55:51
设计角度，讨论如何降低电路EMI。为提高开关电源的功率密度，电源工程师首先想到的办法是选择开关频率更高的MOSFET,通过提高开关速度可以显著地减小输出滤波器体积，从而在单位体积内可实现更高的功率等级
2020-10-21 07:13:24
从本篇开始，介绍近年来MOSFET中的高耐压MOSFET的代表超级结MOSFET。功率晶体管的特征与定位首先来看近年来的主要功率晶体管Si-MOSFET、IGBT、SiC-MOSFET的功率与频率
2018-11-28 14:28:53
等级，同时，在器件导通时，形成一个高掺杂N+区，作为功率MOSFET导通时的电流通路，也就是将反向阻断电压与导通电阻功能分开，分别设计在不同的区域，就可以实现上述的要求。基于超结
2018-10-17 16:43:26
。在此基础上，本文继续探讨使用控制器驱动分立式高、低侧功率 MOSFET 对的 DC/DC 稳压器电路适用的 EMI 的抑制技术。使用控制器（例如图 1 所示同步降压稳压器电路中的控制器）的实现方案具有诸多优点
2022-11-09 08:02:39
极电流，驱动电路简单，需要的驱动功率小，开关速度快，工作频率高，热稳定性优于GTR， 但其电流容量小，耐压低，一般只适用于功率不超过10kW的电力电子装置。 功率MOSFET的结构和工作原理 功率
2023-02-27 11:52:38
本文分析了功率MOSFET 对驱动电路的要求，对电路中的正弦波发生电路，信号放大电路和两路隔离输出变压器进行了设计。仿真和试验结果证明了所设计驱动电路的可行性。关
2009-06-18 08:37:15
59 功率MOSFET驱动电路分析:针对功率MOSFET的特点，介绍由多个—概管组成的组台式驱动电路．在逆变焊接电源上做了实验．验证了该方法的合理性。关键词：功率MOSFET，半桥式电路，
2010-04-12 08:36:5470 摘要：介绍了一种用于功率MOSFET的谐振栅极驱动电路。该电路通过循环储存在栅极电容中的能量来实现减少驱动功率损耗的目的，从而保证了此驱动电路可以在较高的频率下工作。
2010-05-04 08:38:1253 本文主要研究高频功率MOSFET的驱动电路和在动态开关模式下的并联均流特性。首先简要介绍功率MOSFET的基本工作原理及静态及动态特性，然后根据功率MOSFET对驱动电路的要求，
2010-11-11 15:34:22201 功率MOSFET的隔离式栅极驱动电路
2009-04-02 23:36:182182 
高压变压器驱动电路
高压变压器驱动电路采用单端驱动工作方式，这种电路简单、工作可靠性高。功率管由
2009-08-07 21:19:494412 
IGBT高压大功率驱动和保护电路的应用及原理
通过对功率器件IGBT的工作特性分析、驱动要求和保护方法等讨
2009-10-09 09:56:011851 
IGBT高压大功率驱动和保护电路的应用研究
IGBT在以变频器及各类电源为代表的电力电子装置中得到了广泛应用。IGBT集双极型功率晶体管和功率MOSFET
2009-11-13 15:43:50743 
MOSFET与MOSFET驱动电路原理及应用
下面是我对MOSFET及MOSFET驱动电路基础的一点总结，其中参考了一些资料，非全部原创。包括MOS管的
2009-12-29 10:41:099784 用于高压功率MOSFET的全新无管脚SMD封装ThinPAK 8x8
英飞凌科技股份公司近日推出适用于高压功率MOSFET的全新无管脚SMD封装ThinPAK 8x8。新封装的占板空间
2010-05-12 18:17:18951 本内容提供了功率MOSFET与高压集成电路的知识概括。众所周知，由于采用了绝缘栅，功率MOSFET器件只需很小的驱动功率，且开关速度优异。可以说具有理想开关的特性。其主要缺点是开
2011-07-22 11:28:47235 本文介绍了专用驱动芯片组UC3724的主要特点和原理, 并对其构成的功率MOSFET驱动电路进行了分析和实验实验结果表明, 该集成驱动电路具有开关速度快, 且能满足驱动所需的功率, 是一种
2011-09-14 17:34:39114 高压MOSFET驱动器电路的LTC1154被用作电荷泵，从而来驱动一个高压侧功率MOSFET的栅极。
2011-12-17 00:02:004947 
功率场效应晶体管由于具有诸多优点而得到广泛的应用；但它承受短时过载的能力较弱，使其应用受到一定的限制。分析了MOSFET器件驱动与保护电路的设计要求；计算了MOSFET驱动器的功
2012-03-05 15:56:44134 分析了对功率MOSFET器件的设计要求；设计了基于EXB841驱动模块的功率MOSFET驱动保护电路。该电路具有结构简单，实用性强，响应速度快等特点。在电涡流测功机励磁线圈驱动电路中的实
2012-03-14 14:23:48221 功率场效应晶体管由于具有诸多优点而得到广泛的应用；但它承受短时过载的能力较弱，使其应用受到一定的限制。分析了MOSFET器件驱动与保护电路的设计要求；计算了MOSFET驱动器的功
2012-10-10 16:32:583880 
功率MOSFET驱动和保护电路，以及其的相关应用。
2016-04-26 16:01:467 采用集成高压MOSFET和Qspeed™二极管的高功率PFC控制器
2016-05-11 15:18:1421 集成的LLC控制器、高压功率MOSFET及驱动器设计，感兴趣的可以看看。
2016-05-11 18:00:0830 IGBT高压大功率驱动和保护电路的应用及原理，感兴趣的小伙伴们可以看看。
2016-07-26 11:11:0026 本文介绍功率mosfet工作原理、几种常见的mosfet驱动电路设计，功率mosfet驱动电路原理图。
2016-08-04 18:15:3534308 
LCS700-708 HiperLCS™产品系列集成的LLC控制器、高压功率MOSFET及驱动器
2016-11-23 11:00:160 大功率开关电源中功率MOSFET驱动技术
2017-09-14 09:55:0225 高压MOSFET驱动器电路的LTC1154被用作电荷泵，从而来驱动一个高压侧功率MOSFET的栅极。高压MOSFET驱动器电路：
2017-10-19 16:02:3723 的主要功能是将脉宽控制器输出的可变宽度脉冲进行功率放大，以作为高压功率开关器件的驱动信号。驱动电路一般都具有隔离作用，常用变压器耦合方式来实现对高压功率开关器件的激励和输入级与输出级之间的隔离，同时
2018-09-20 18:26:553032 大功率LED高压驱动电路,LED driver
关键字：大功率LED高压驱动电路
本电路可驱动5~12只大功率LED，可用于照明场合
2018-09-20 19:50:172470 功率MOSFET通常由PWM或其它模式的控制器IC内部的驱动源来驱动，为了提高关断的速度，实现快速的关断降低关断损耗提高系统效率，在很多ACDC电源、手机充电器以及适配器的驱动电路设计中，通常
2020-06-07 12:01:325064 电源系统中的恒定电流源，固态继电器，电信开关和高压直流线路等应用需要N沟道耗尽型功率MOSFET，当栅极至源极电压为零时，该MOSFET用作常开的开关。本文将介绍IXYS最新的N沟道耗尽型功率
2021-05-27 12:18:587444 
为解决功率MOSFET因栅极驱动信号振荡产生的过热损坏问题，从MOSFET的模型入手，给出了考虑驱动电路各寄生参数的半桥逆变电路等效模型．深入分析了栅极振荡的产生机理，推导了各参数与振荡之间的关系
2021-05-10 10:05:3877 为了研究 Boost 变流器中 MOSFET 门极驱动电路的电磁干扰（EMI）发射特性，通过测试将 Boost 变流器门极信号的 EMI 发射与整机 EMI 发射分离。分离的测试结果表明门极电路自身
2021-05-30 09:58:0216 功率MOSFET的驱动电路设计论文
2021-11-22 15:57:3784 传统的电机驱动解决方案是门级驱动芯片+功率 MOSFET 的架构。对于三相无刷直流电机来说，需要6个外置的 MOSFET 组成三个桥臂来分别驱动每相绕组。在当前电子产品模块越来越小的发展趋势下，这种解决方案有个主要缺点：电路板尺寸偏大。
2021-12-16 16:13:384444 
功率 MOSFET 是最常见的功率半导体，主要原因是因为其栅极驱动需要的功率小、以及快速的切换速度，使其成为电机驱动时最常用的功率半导体。本文将为您简介功率 MOSFET 的技术特性，以及由安森美（onsemi）推出的NTBLS1D5N10MC功率MOSFET的产品特性。
2022-09-27 15:17:561407 
本文介绍了三个驱动MOSFET工作时的功率计算 以及通过实例进行计算 辅助MOSFET电路的驱动设计中电流的计算 不是mosfet导通电流 是mosfet栅极驱动电流计算和驱动功耗计算
2022-11-11 17:33:0335 在本文中，我们将学习如何使用 P沟道和 N 沟道 MOSFET 构建通用全桥或 H 桥 MOSFET 驱动电路，该电路可用于制造电机、逆变器和许多不同的功率转换器的高效驱动电路。
2023-04-29 09:35:005293 
SIC MOSFET对驱动电路的基本要求 SIC MOSFET（碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管）是一种新兴的功率半导体器件，具有良好的电气特性和高温性能，因此被广泛应用于各种驱动电路中。SIC
2023-12-21 11:15:49417
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