本文简要比较了下SiC Mosfet管和Si IGBT管的部分电气性能参数并分析了这些电气参数对电路设计的影响,并且根据SiC Mosfet管开关特性和高压高频的应用环境特点,推荐了金升阳可简化设计隔离驱动电路的SIC驱动电源模块。
2015-06-12 09:51:234738 损耗是MOSFET的Qg乘以驱动器电压和开关频率的值。Qg请参考所使用的MOSFET的技术规格书。驱动器电压或者实测,或者参考IC的技术规格书。
2020-04-05 11:52:003550 MOSFET的漏伏安特性(输出特性):截止区(对应GTR的截止区);饱和区(对应于GTR的放大区);非饱和区(对应于GTR的饱和区)。功率MOSFET在开关状态下工作,即截止区域和不饱和区之间的转换
2023-07-04 16:46:37978 众所周知,由于采用了绝缘栅,功率MOSFET器件只需很小的驱动功率,且开关速度优异。可以说具有“理想开关”的特性。其主要缺点是开态电阻(RDS(on))和正温度系数较高。本教程阐述了高压N型沟道功率
2023-10-18 09:11:42622 SJ MOSFET是一种先进的高压技术功率MOSFET,根据superP&S的结原理。提供的设备提供快速切换和低导通电阻的所有优点,使其特别适用于需要更高效、更紧凑的LED照明,
高性能适配器等。
2023-09-15 08:19:34
SJ MOSFET是一种先进的高压技术功率MOSFET,根据superP&S的结原理。提供的设备提供快速切换和低导通电阻的所有优点,使其特别适用于需要更高效、更紧凑的LED照明,
高性能适配器等。
2023-09-15 06:19:23
SJ MOSFET是一种先进的高电压功率MOSFET,根据P&S的超结原理。报价设备提供了快速切换的所有好处并且导通电阻低,使其特别适用于需要更多高效,更紧凑,LED照明,高
性能适配器等。
2023-09-15 08:16:02
进行性能比较,确定关键参数的范围还是能起到一定的参考作用。本文将对一些参数进行探讨,如硬开关和软开关ZVS (零电压转换) 拓扑中的开关损耗,并对电路和器件特性相关的三个主要功率开关损耗—导通损耗
2018-08-27 20:50:45
MOSFET简介MOSFET的一些主要参数MOSFET的驱动技术
2021-03-04 06:43:10
关于MOSFET的寄生容量和温度特性关于MOSFET的开关及其温度特性关于MOSFET的VGS(th) (界限値)ID-VGS特性和温度特性关于MOSFET的寄生容量和温度特性MOSFET的静电
2019-04-10 06:20:15
和器件特性相关的三个主要功率开关损耗—导通损耗、传导损耗和关断损耗进行描述。此外,还通过举例说明二极管的恢复特性是决定MOSFET 或 IGBT导通开关损耗的主要因素,讨论二极管恢复性能对于硬开关拓扑
2021-06-16 09:21:55
对MOSFET的重要设计参数进行介绍。 1. 功率损耗MOSFET的功率损耗主要受限于MOSFET的结温,基本原则就是任何情况下,结温不能超过规格书里定义的最高温度。而结温是由环境温度和MOSFET自身的功耗决定
2018-07-12 11:34:11
MOSFET特性的分析,其驱动通常要求:触发脉冲要具有足够快的上升和下降速度;②开通时以低电阻力栅极电容充电,关断时为栅极提供低电阻放电回路,以提高功率MOSFET的开关速度;③为了使功率MOSFET可靠
2019-06-14 00:37:57
最后,我们来到了这个试图破解功率MOSFET数据表的“看懂MOSFET数据表”博客系列的收尾部分。在这个博客中,我们将花时间看一看MOSFET数据表中出现的某些其它混合开关参数,并且检查它们对于总体
2018-09-05 09:59:06
前篇对MOSFET的寄生电容进行了介绍。本篇将介绍开关特性。MOSFET的开关特性在功率转换中,MOSFET基本上被用作开关。MOSFET的开关特性一般提供导通延迟时间:Td(on)、上升时间:tr
2018-11-28 14:29:57
,器件可携带的电流数会降低。本视频的最后部分包括电气特性表和器件性能曲线。电气特性表提供器件性能的快照。每种功率MOSFET是有特点的,以确定器件参数的特定设置。电气特性表提供有用的信息,指引设计人员用于
2018-10-18 09:13:03
本资料主要研究高频功率MOSFET的驱动电路和在动态开关模式下的并联均流特性。首先简要介绍功率MOSFET的基本工作原理及静态及动态特性,然后根据功率MOSFET对驱动电路的要求,对驱动电路进行了
2019-03-01 15:37:55
。由于相应理论技术文章有很多介绍 MOSFET 参数和性能的,这里不作赘述,只对实际选型用图解和简单公式作简单通俗的讲解。另外,这里的功率 MOSFET 应用选型为功率开关应用,对于功率放大应用不一定适用
2019-11-17 08:00:00
功率MOSFET的感性负载关断过程和开通过程一样,有4个阶段,但是时间常数不一样。驱动回路的等效电路图如图1所示,RG1为功率MOSFET外部串联的栅极电阻,RG2为功率MOSFET内部的栅极电阻
2017-03-06 15:19:01
前面的文章讲述过基于功率MOSFET的漏极特性理解其开关过程,也讨论过开关电源的PWM及控制芯片内部的图腾驱动器的特性和栅极电荷的特性,基于上面的这些理论知识,就可以估算功率MOSFET在开关
2017-02-24 15:05:54
在功率MOSFET的数据表的开关特性中,列出了栅极电荷的参数,包括以下几个参数,如下图所示。Qg(10V):VGS=10V的总栅极电荷。Qg(4.5V)):VGS=4.5V的总栅极电荷。Qgd:栅极
2017-01-13 15:14:07
这个损耗看成器件的感性关断损耗。3)开关损耗:开通损耗:考虑二极管反向恢复后:关断损耗:驱动损耗:十、功率MOSFET的选择原则与步骤1)选择原则:a.根据电源规格,合理选择MOSFET 器件(见下
2021-08-29 18:34:54
;包含寄生参数的功率MOSFET等效电路(1):等效电路(2):说明实际的功率MOSFET 可用三个结电容,三个沟道电阻,和一个内部二极管及一个理想MOSFET 来等效。三个结电容均与结电压的大小
2021-09-05 07:00:00
在功率MOSFET的数据表中,列出了开通延时、开通上升时间,关断延时和关断下降时间,作者经常和许多研发的工程师保持技术的交流,在交流的过程中,发现有些工程师用这些参数来评估功率MOSFET的开关
2016-12-16 16:53:16
栅极(Gate),漏极(Drain)和源极(Source)。功率MOSFET为电压型控制器件,驱动电路简单,驱动的功率小,而且开关速度快,具有高的工作频率。常用的MOSFET的结构有横向双扩散型
2016-10-10 10:58:30
`功率Mosfet参数介绍V(BR)DSS(有时候叫做BVDSS)是指在特定的温度和栅源短接情况下,流过漏极电流达到一个特定值时的漏源电压。这种情况下的漏源电压为雪崩击穿电压。V(BR)DSS是正
2012-01-12 16:12:20
):容性开通和感性关断损耗为MOSFET 器件与二极管回路中的所有分布电感只和。一般也可将这个损耗看成器件的感性关断损耗。(3):开关损耗开通损耗:考虑二极管反向恢复后:关断损耗:驱动损耗:功率
2018-10-25 16:11:27
%。<br/>(6)电容<br/>&nbsp; MOSFET的一个明显特点是三个极间存在比较明显的寄生电容,这些电容对开关速度有一定
2009-05-12 20:38:45
MOSFET因导通内阻低、开关速度快等优点被广泛应用于开关电源中。MOSFET的驱动常根据电源IC和MOSFET的参数选择合适的电路。下面一起探讨MOSFET用于开关电源的驱动电路。在
2017-01-09 18:00:06
=oxh_wx3、【周启全老师】开关电源全集http://t.elecfans.com/topic/130.html?elecfans_trackid=oxh_wx 超结功率MOSFET技术白皮书资料来自网络
2019-06-26 20:37:17
具有广泛的保护功能,可增强系统的安全性和可靠性。当驱动器温度高于内置热折返保护触发点时,AL1697开始降低输出电流。
特性
两种内部高压MOSFET选项:用于超级结的RDSON 4Ω和1.8
2023-10-12 15:09:18
找到了市场突破点。 在不间断电源 (UPS) 、工业逆变器、功率控制、电机驱动、脉宽调制 (PWM) 、开关电源 (SMPS) 等开关应用中,MOSFET和IGBT因其具有的优越特性,在性能上明显优于
2022-06-28 10:26:31
IPS5451是美国国家半导体公司生产的一款高压侧功率MOSFET开关,它为单列5脚封装,工作电压50V,电流35A,Rds(on) 25m欧姆。
2021-04-23 07:32:01
NCP5181BAL36WEVB,NCP5181,36 W镇流器评估板。 NCP5181是一款高压功率MOSFET驱动器,提供两路输出,用于直接驱动2个N沟道功率MOSFET,这些功率MOSFET
2019-10-12 10:29:07
说明一下,DMOS是平面型的MOSFET,是常见的结构。Si的功率MOSFET,因其高耐压且可降低导通电阻,近年来超级结(Super Junction)结构的MOSFET(以下简称“SJ-MOSFET
2018-11-30 11:35:30
。SiC-MOSFET体二极管的反向恢复特性MOSFET体二极管的另一个重要特性是反向恢复时间(trr)。trr是二极管开关特性相关的重要参数这一点在SiC肖特基势垒二极管一文中也已说明过。不言而喻
2018-11-27 16:40:24
;&nbsp; MOSFET的规格书中,通常会给出MOSFET的特性参数,如输出曲线、输出电压、通态电阻RDS(ON)、栅极阀值电压VGS(TH)等。在选择MOSFET时,需要根据电路
2010-08-10 11:46:47
工程师知道哪个参数起主导作用并更加深入理解MOSFET。1. 开通过程中MOSFET开关损耗2. 关断过程中MOSFET开关损耗3. Coss产生的开关损耗4.Coss对开关过程的影响希望大家看了本文,都能深入理解功率MOSFET的开关损耗。
2021-01-30 13:20:31
性能比较,确定关键参数的范围还是能起到一定的参考作用。本文将对一些参数进行探讨,如硬开关和软开关ZVS (零电压转换) 拓扑中的开关损耗,并对电路和器件特性相关的三个主要功率开关损耗—导通损耗、传导损耗
2019-03-06 06:30:00
基于超级结技术的功率MOSFET已成为高压开关转换器领域的业界规范。它们提供更低的RDS(on),同时具有更少的栅极和和输出电荷,这有助于在任意给定频率下保持更高的效率。在超级结MOSFET出现之前
2017-08-09 17:45:55
本帖最后由 maskmyself 于 2016-5-24 09:42 编辑
电阻主要特性参数电阻的主要参数有电阻阻值,允许误差,额定功率,温度系数等1、标称阻值:电阻器上面所标示的阻值。 2
2016-05-23 11:40:20
ZCC2451是一款内部集成有高边高压功率MOSFET管的高频率(2 MHz)降压型开关稳压器。提供单路最大0.6A高效率输出,以电流模式控制方式达到快速环路响应。宽范围输入电压(3.3 V至36
2020-10-30 16:33:45
特性参数有关。QG影响驱动损耗,这一部分损耗并不消耗在功率MOSFET中,而且是消耗在驱动IC中。QG越大,驱动损耗越大。基于RDSON选取了功率MOSFET的型号后,这些开关特性参数都可以在数据表中
2019-04-04 06:30:00
`最近我在做D类放大。要放大1Mhz正弦波信号,比较用的三角波为10Mhz。需要开关频率能大于20Mhz的mosfet驱动器。请问mosfet驱动器的最高工作频率是由什么参数决定的?有能达到20Mhz以上的mosfet驱动器吗?`
2018-04-11 23:31:46
电机驱动市场特别是家电市场对系统的能效、尺寸和稳健性的要求越来越高。 为满足市场需求,意法半导体针对不同的工况提供多种功率开关技术,例如, IGBT和最新的超结功率MOSFET。 本文在实际
2018-11-20 10:52:44
`大功率开关电源中功率MOSFET的驱动技术`
2012-08-20 16:15:28
采用新技术,例如D3半导体正在实施的技术。新方法在开发新的+FET产品线时,D3半导体选择了一种非传统的技术方法,将集成应用于高压超结功率MOSFET™。在传统的晶体管配置中,没有元件来提供微调功能
2023-02-27 10:02:15
测量和校核开关电源、电机驱动以及一些电力电子变换器的功率器件结温,如 MOSFET 或 IGBT 的结温,是一个不可或缺的过程,功率器件的结温与其安全性、可靠性直接相关。测量功率器件的结温常用二种方法:
2021-03-11 07:53:26
如何实现高压MOSFET控制器简化非隔离开关的设计?
2021-10-12 11:44:30
如何更加深入理解MOSFET开关损耗?Coss产生开关损耗与对开关过程有什么影响?
2021-04-07 06:01:07
的功率耗散和允许环境温度通过计算得出。当允许的环境温度达到或略高于我们所期望的机箱内最高温度时(机箱内安装了电源及其所驱动的电路),这个过程就结束了。 迭代过程始于为每个MOSFET假定一个结温,然后
2021-01-11 16:14:25
。由于相应理论技术文章有很多介绍 MOSFET 参数和性能的,这里不作赘述,只对实际选型用图解和简单公式作简单通俗的讲解。另外,这里的功率 MOSFET 应用选型为功率开关应用,对于功率放大应用不一定适用
2019-11-17 08:00:00
开关电源的电压波形及其参数分析在开关电源的分析与设计中,对开关工作时所形成的电压波形及其参数的分析是致关重要的。为了分析开关电源的工作特性,研究了开关电源的电路模型及电压波形的形成过程,针对
2020-07-15 15:17:28
。产品特色特性集成了控制器、高压端和低压端栅极驱动以及高压功率MOSFET的LLC半桥功率级可最多省去30个外围元件降低装配成本并减小PCB布局的环路面积最高工作频率为1 MHz大幅降低磁芯尺寸并允许
2019-03-07 14:39:44
摘要:针对桥式拓扑功率MOSFET因栅极驱动信号振荡产生的桥臂直通问题,给出了计及各寄生参数的驱动电路等效模型,对栅极驱动信号振荡的机理进行了深入研究,分析了驱动电路各参数与振荡的关系,并以此为依据
2018-08-27 16:00:08
硅IGBT与碳化硅MOSFET驱动两者电气参数特性差别较大,碳化硅MOSFET对于驱动的要求也不同于传统硅器件,主要体现在GS开通电压、GS关断电压、短路保护、信号延迟和抗干扰几个方面,具体如下
2023-02-27 16:03:36
尽管MOSFET在开关电源、电机控制等一些电子系统中得到广泛的应用,但是许多电子工程师对于MOSFET开关过程仍然有一些疑惑,本文先简单介绍常规的基于栅极电荷的特性,理解MOSFET的开通和关断
2016-11-29 14:36:06
,温度降低,从而实现自动的均流达到平衡,这也是功率MOSFET相对于晶体管最具有优势的一个特性。同样对于一个功率MOSFET器件的内部也是有许多小晶胞并联而成,晶胞的导通电阻具有正的温度系数,因此并联工作
2016-09-26 15:28:01
的差异相互扩散,也会在PN结的两侧产生电荷存储效应,这些因素作用在一起,在任何半导体功率器件内部,就会产生相应的寄生电容。MOSFET的寄生电容是动态参数,直接影响到其开关性能,MOSFET的栅极电荷
2016-12-23 14:34:52
功率MOSFET来说,通常连续漏极电流是一个计算值。当器件的封装和芯片的大小一定时,如对于底部有裸露铜皮的封装TO220,D2PAK,DFN5*6,DPAK等,那么器件的结到裸露铜皮的热阻RqJC是一
2016-08-15 14:31:59
AN1315,用于三相电机驱动的L6386 MOSFET功率驱动器评估板。 L6386,用于三相电机驱动的MOSFET功率驱动器。三相演示板是用于评估和设计高压栅极驱动器L6386的参考套件。用户
2019-07-03 09:22:07
控双极性晶体管IGBTIGBT晶体管是集GP与MOSFET二者优点于一体的复合器件,既有MOSFET输入阻抗高、速度快、开关损耗小、驱动电路简单、要求驱动功率小、极限工作温度高、易驱动的特点稳定运行直流
2018-11-27 11:04:24
1. 开关模式电源的启动电路 - SMPS SMPS的传统启动电路方法是通过功率电阻和齐纳二极管。在这种方法中,即使在启动阶段之后,功率电阻也会连续消耗功率。这会导致PCB上过热、效率低下以及
2023-02-21 15:46:31
MOSFET的栅极电荷特性与开关过程MOSFET的漏极导通特性与开关过程
2021-04-14 06:52:09
,Coss越低,dv/dt越高。在MOSFET选型中,MOSFET的Coss、Ciss、Crss参数特性,影响开关尖峰大小。从上述分析中可知,我们可以通过提高MOSFET寄生电容Cgd、Cgs、Cds
2020-10-21 07:13:24
范围。因为接下来的几篇将谈超级结MOSFET相关的话题,因此希望在理解Si-MOSFET的定位的基础上,根据其特征和特性对使用区分有个初步印象。下图表示处理各功率晶体管的功率与频率范围。可以看出
2018-11-28 14:28:53
结构和沟槽结构的功率MOSFET,可以发现,超结型结构实际是综合了平面型和沟槽型结构两者的特点,是在平面型结构中开一个低阻抗电流通路的沟槽,因此具有平面型结构的高耐压和沟槽型结构低电阻的特性。内建横向
2018-10-17 16:43:26
讨论如何根据RDS(ON)、热性能、雪崩击穿电压及开关性能指标来选择正确的MOSFET。 MOSFET的选择 MOSFET有两大类型:N沟道和P沟道。在功率系统中,MOSFET可被看成电气开关。当在
2011-08-17 14:18:59
的基本部件,工程师需要深入了解它的关键特性及指标才能做出正确选择。本文将讨论如何根据RDS(ON)、热性能、雪崩击穿电压及开关性能指标来选择正确的MOSFET。MOSFET的选择MOSFET有两大类
2012-10-31 21:27:48
要有深入了解,才能有利于理解和分析相应的问题。 高压MOSFET原理与性能分析 在功率半导体器件中,MOSFET以高速、低开关损耗、低驱动损耗在各种功率变换,特别是高频功率变换中起着重要作用。在低压
2023-02-27 11:52:38
上一篇介绍了近年来的主要功率晶体管Si-MOSFET、IGBT、SiC-MOSFET的产品定位,以及近年来的高耐压Si-MOSFET的代表超级结MOSFET(以下简称“SJ-MOSFET”)的概要
2018-12-03 14:27:05
众所周知,由于采用了绝缘栅,功率MOSFET器件只需很小的驱动功率,且开关速度优异。可以说具有“理想开关”的特性。其主要缺点是开态电阻(RDS(on))和正温度系数较高。本教程阐
2009-11-19 14:53:2434 本文主要研究高频功率MOSFET的驱动电路和在动态开关模式下的并联均流特性。首先简要介绍功率MOSFET的基本工作原理及静态及动态特性,然后根据功率MOSFET对驱动电路的要求,
2010-11-11 15:34:22201 摘要:从功率MOSFET内部结构和极间电容的电压依赖关系出发,对功率MOSFET的开关现象及其原因进行了较深入分析。从实际应用的角度,对功率MOSFET开关过程的功率损耗和所需驱动
2010-11-11 15:36:3853 开关电源中功率MOSFET的驱动技术荟萃
功率MOSFET以其导通电阻低和负载电流大的突出优点,已经成为开关电源(switch-mode power supplies,SMPS)整流组件的最佳选择,专
2010-03-01 11:00:181505 本内容提供了功率MOSFET与高压集成电路的知识概括。众所周知,由于采用了绝缘栅,功率MOSFET器件只需很小的驱动功率,且开关速度优异。可以说具有理想开关的特性。其主要缺点是开
2011-07-22 11:28:47235 本文先介绍了基于功率MOSFET的栅极电荷特性的开关过程;然后介绍了一种更直观明析的理解功率MOSFET开关过程的方法:基于功率MOSFET的导通区特性的开关过程,并详细阐述了其开关过程
2011-09-14 17:39:1765 关于大功率开关电源中功率MOSFET的驱动技术的 研究
2011-10-11 19:27:56186 高压MOSFET驱动器电路的LTC1154被用作电荷泵,从而来驱动一个高压侧功率MOSFET的栅极。
2011-12-17 00:02:004947 功率MOS场效应晶体管技术讲座_功率MOSFET特性参数的理解。
2016-03-24 17:59:0847 集成的LLC控制器、高压功率MOSFET及驱动器设计,感兴趣的可以看看。
2016-05-11 18:00:0830 将双开关正向主电源转换器及反激式待机电源转换器与高压功率MOSFET集成
2016-05-11 18:00:0820 大功率开关电源中功率MOSFET驱动技术
2017-09-14 09:55:0225 高压MOSFET驱动器电路的LTC1154被用作电荷泵,从而来驱动一个高压侧功率MOSFET的栅极。高压MOSFET驱动器电路:
2017-10-19 16:02:3723 功率VDMOSFET器件由于其用栅极电压来控制漏极电流,驱动电路简单,需要的驱动功率小,开关速度快,工作频率高等特性,被广泛应用于DC/DC转换器,UPS及各种开关电路等。在电路设计中,工程师会根据
2020-03-07 08:00:0021 工业应用中需要根据工况选用合适的 IGBT 模块袁不能直接参考模块数据手册上的数据来应用模块遥本文针对特定的应用工况搭建硬件和软件电路袁进行全面自动化双脉冲测试袁分析了各工况条件对开关特性
2021-05-17 09:51:1964 功率MOSFET特性参数的理解
2022-07-13 16:10:3924 MOSFET特性参数说明
2022-08-22 09:54:471705 功率 MOSFET 是最常见的功率半导体,主要原因是因为其栅极驱动需要的功率小、以及快速的切换速度,使其成为电机驱动时最常用的功率半导体。本文将为您简介功率 MOSFET 的技术特性,以及由安森美(onsemi)推出的NTBLS1D5N10MC功率MOSFET的产品特性。
2022-09-27 15:17:561407 前篇对MOSFET的寄生电容进行了介绍。本篇将介绍开关特性。MOSFET的开关特性:在功率转换中,MOSFET基本上被用作开关。
2023-02-09 10:19:242519 功率MOSFET在开通的过程中,当VGS的驱动电压从VTH上升到米勒平台VGP时间段t1-t2,漏极电流ID从0增加系统的最大的电流,VGS和ID保持由跨导GFS所限制的传输特性曲线的关系,而VDS
2023-02-16 10:45:04908 功率MOSFET的输出电容Coss会随着外加电压VDS的变化而变化,表现出非线性的特性,超结结构的高压功率MOSFET采用横向电场的电荷平衡技术
2023-02-16 10:52:42280 UTC 10N65-ML是一款高压功率MOSFET,它结合了先进的沟槽MOSFET,设计具有更好的特性,如快速开关时间、低栅极电荷、低导通状态电阻和高崎岖雪崩特性。这种功率MOSFET通常用于开关电源和适配器的高速开关应用。
2023-06-14 16:45:450 功率MOSFET雪崩特性分析
2023-12-04 14:12:36315
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