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电子发烧友网>模拟技术>功率MOSFET管Rds负温度系数对负载开关设计有什么影响

功率MOSFET管Rds负温度系数对负载开关设计有什么影响

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功率MOSFET在电子负载中的应用

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2016-02-22 15:08:5042

一文读懂负温度系数热敏电阻

晶片制程允许较小的容差负温度系数芯片热敏电阻的另一个优点是其较小的电和热容差。这个精度是由特殊技术流程获得的:分离元件之前,晶片的总电阻是由100 °C的额定温度决定的。分离的热敏电阻尺寸是由此计算的,因此确保单个元件的容差规格是非常精密的。图3显示了在额定温度25-60 °C的电阻和温度的∆值。
2018-05-07 11:59:029666

一文详解负温度系数热敏电阻

新的爱普科斯负温度系数热敏电阻是由TDK-EPC以基于晶片的制造工艺开发的,可以非常简单地整合入功率半导体元件。允许执行可靠的温度监控功能,保护昂贵的电子设备免于故障或损坏。传统的陶瓷NTC(负温度系数)热敏电阻对温度测量是理想的,同时也是符合成本效益的元件。
2018-05-20 07:03:0018631

TDK推出新型K525负温度系数温度传感器,可测量-10°C至+300°C的范围

TDK公司近日推出K525新元件,这是一种新型爱普科斯 (EPCOS) 负温度系数 (NTC) 温度传感器,具有更宽的温度测量范围,达到-10 °C至+300 °C。
2018-10-19 15:30:101674

TDK 负温度系数 (NTC) 热敏电阻: 坚固耐用的温度传感器,测量温度高达300℃

TDK公司近日推出K525新元件,这是一种新型爱普科斯 (EPCOS) 负温度系数 (NTC) 温度传感器,具有更宽的温度测量范围,达到-10 ℃至+300 ℃。
2018-11-03 11:01:316523

电阻温度系数的原理

电阻温度系数(temperature coefficient of resistance 简称TCR)表示电阻当温度改变1摄氏度时,电阻值的相对变化,单位为ppm/℃。有负温度系数、正温度系数
2020-05-22 17:54:424258

什么时候使用负载开关取代分立MOSFET

周围绕着众多分立电阻器与电容器(以及用于控制功率MOSFET的双极结型晶体管(BJT)/第二个场效应晶体管)围绕的功率MOSFET)。但在多数情况下,使用全面集成的负载开关具有更显著的优点。 系统中的负载开关
2021-11-10 09:40:23554

电阻的正温度系数还是负温度系数

电阻器的TCR为负、正或在特定温度范围内稳定。选择合适的电阻器可以避免温度补偿的需要。在某些应用中,需要有一个大的TCR,例如测量温度。用于这些应用的电阻器称为热敏电阻,可以具有正温度系数(PTC)或负温度系数(NTC)。
2022-03-31 15:00:485744

功率MOSFET负载功率能力的评估

功率MOSFET负载功率能力的评估
2022-07-26 17:43:441860

何时使用负载开关取代分立MOSFET

何时使用负载开关取代分立MOSFET
2022-11-03 08:04:340

工作于线性区功率MOSFET的设计-2

MOSFETRDS是正温度系数;VGS低于5.5V时,温度越高电流越大,功率MOSFET的的RDS负温度系数
2023-02-16 14:07:081362

何时使用负载开关取代分立MOSFET

像蜡烛一样,功率MOSFET功率场效应晶体管)是切换负载最常见的方式,其四周围绕着众多分立电阻器与电容器(以及用于控制功率MOSFET的双极结型晶体管(BJT)/第二个场效应晶体管)围绕的功率MOSFET)。但在多数情况下,使用全面集成的负载开关具有更显著的优点。
2023-04-15 09:17:39512

热敏电阻负温度系数详解

热敏电阻负温度系数详解 热敏电阻是一种基于温度变化而改变电阻值的电阻器件,其基本原理是热敏材料的电阻值随着温度的升高而降低,随着温度的降低而升高。而热敏电阻的负温度系数(NTC)则是指其温度越高
2023-09-08 10:44:572154

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