Nov. 2019IV1D12010T2 – 1200V 10A 碳化硅肖特基二极管特性 封装外形⚫最大结温为 175°C⚫高浪涌电流容量⚫零反向恢复电流⚫零正向恢复电压⚫高频工作⚫开关特性不受温度
2020-03-13 13:42:49
极快反向恢复速度的600V-1200V碳化硅肖特基二极管芯片及成品器件 。海飞乐技术600V碳化硅二极管现货选型相比于Si半导体材料，SiC半导体材料具有禁带宽度较大、临界电场较大、热导率较高的特点，SiC
2019-10-24 14:25:15
。 SiC肖特基势垒二极管（SBD）在大功率应用方面的最大优势在于近乎理想的动态特性。在反向恢复瞬态，当二极管从正向导通模式转变为反向阻断模式时，有很低的反向恢复时间，而且在整个工作温度范围内保持
2020-09-24 16:22:14
SIC碳化硅二极管
2016-11-04 15:50:11
电源系统应用实现小型与更低损耗的关键 | SiC肖特基势垒二极管在功率二极管中损耗最小的SiC-SBDROHM努力推进最适合处理高耐压与大电流电路使用SiC（碳化硅）材料的SBD（肖特基势垒二极管
2019-03-27 06:20:11
继SiC功率元器件的概述之后，将针对具体的元器件进行介绍。首先从SiC肖特基势垒二极管开始。SiC肖特基势垒二极管和Si肖特基势垒二极管下面从SiC肖特基势垒二极管（以下简称“SBD”）的结构开始
2018-11-29 14:35:50
1. 器件结构和特征SiC能够以高频器件结构的SBD（肖特基势垒二极管）结构得到600V以上的高耐压二极管（Si的SBD最高耐压为200V左右）。因此，如果用SiC-SBD替换现在主流产品快速PN结
2019-03-14 06:20:14
1. 器件结构和特征SiC能够以高频器件结构的SBD（肖特基势垒二极管）结构得到600V以上的高耐压二极管（Si的SBD最高耐压为200V左右）。因此，如果用SiC-SBD替换现在主流产品快速PN结
2019-04-22 06:20:22
SiC-MOSFET－沟槽结构SiC-MOSFET与实际产品SiC功率元器件基础篇前言前言何谓SiC（碳化硅）？何谓碳化硅SiC功率元器件的开发背景和优点SiC肖特基势垒二极管所谓SiC-SBD－特征以及与Si
2018-11-27 16:40:24
ROHM推出了SiC肖特基势垒二极管（以下SiC SBD）的第三代产品“SCS3系列”。SCS3系列是进一步改善了第二代SiC SBD实现的当时业界最小正向电压，并大幅提高了抗浪涌电流性能的产品
2018-12-03 15:12:02
二极管的参数是选用二极管的决定性因素之一，二极管的压降的其中的一种。 二极管在正向导通的时候，流过电流的时候会产生压降。一般情况下，这个压降和正向电流以及温度有关。通常硅二极管，电流越大，压降越大。温度越高，压降越小。但是碳化硅二极管却是温度越高，压降越大。二极管规格书下载：
2021-03-22 17:25:26
250V左右。对于能够耐受500～600V以上反向电压要求，人们开始使用碳化硅(SiC)制造器件，因为它能够耐受较高的电压。 除此以外的器件参数均相当于或优于硅肖特基二极管。详见表2。 由于SiC器件的成本较高(是同类硅器件的3～5倍)，除非性能上要求非用不可，还没有用它来替代硅功率器件。`
2019-01-11 13:42:03
Toshiba研发出一种SiC金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET)，其将嵌入式肖特基势垒二极管（SBD）排列成格子花纹（check-pattern embedded SBD），以降低导通电
2023-04-11 15:29:18
。不过，还有更多的事情要做，如果系统是围绕SiC-FET设计的，开关频率可以提高，而不会显著损害效率，甚至可以消除分立整流二极管和缓冲网络等元件。” 他说，其他相关元件（如散热器、电感器/变压器
2023-02-27 14:28:47
应用领域。更多规格参数及封装产品请咨询我司人员！附件是海飞乐技术碳化硅二极管选型表，欢迎大家选购！碳化硅（SiC）半导体材料是自第一代元素半导体材料（Si、Ge）和第二代化合物半导体材料（GaAs
2019-10-24 14:21:23
由于碳化硅具有不可比拟的优良性能，碳化硅是宽禁带半导体材料的一种，主要特点是高热导率、高饱和以及电子漂移速率和高击场强等，因此被应用于各种半导体材料当中，碳化硅器件主要包括功率二极管和功率开关管
2020-06-28 17:30:27
。超硬度的材料包括:金刚石、立方氮化硼，碳化硼、碳化硅、氮化硅及碳化钛等。3)高强度。在常温和高温下，碳化硅的机械强度都很高。25℃下，SiC的弹性模量，拉伸强度为1.75公斤/平方厘米，抗压强度为
2019-07-04 04:20:22
二极管具有明显优势；下面结合碳化硅肖特基二极管的结构图，谈谈碳化硅肖特基二极管的导通压降构成。 碳化硅肖特基二极管在导通时，其导通压降可等效为4部分构成： 图（7）①号区域的势垒电压 图（7
2023-02-28 16:55:45
开关电源小型化，并降低产品噪音。 2、碳化硅肖特基二极管的正向特性 碳化硅肖特基二极管的开启导通电压比硅快速恢复二极管较低，如果要降低VF值，需要减薄肖特基势垒的高度，但这会使器件反向偏压时的漏电
2023-02-28 16:34:16
阻。尽管普通二极管的“惯性”较大，但是在超过200V的工作电压场合，普通的PIN二极管占主导地位。 源于硅基的肖特基二极管，近年来开发出来新的基于碳化硅(SiC)的肖特基二极管用于一些效率很关键的电力
2019-01-02 13:57:40
肖特基二极管是以其发明人肖特基博士（Schottky）命名的，SBD是肖特基势垒二极管（SchottkyBarrierDiode,缩写成SBD）的简称。SBD不是利用P型半导体与N型半导体接触形成
2010-08-17 09:31:20
二极管的结电容分两种：势垒电容和扩散电容。而一般数据手册给到的结电容参数，通常指的是势垒电容。上面这个是ES1J超快恢复二极管数据手册的结电容参数Cj=8pF。同时我们知道，对于常用的二极管来说
2021-10-08 10:37:02
，有助于满足现代电子技术对高温、高功率、高压、高频以及抗辐射等恶劣条件的新要求。
二、 SiC的性能优势
1、SiC SBD可将耐压提高到3.3kV，极大扩展了SBD的应用范围
肖特基二极管
2023-10-07 10:12:26
什么是碳化硅（SiC）？它有哪些用途？碳化硅（SiC）的结构是如何构成的？
2021-06-18 08:32:43
是1000V。FR106,FR107300ns快速恢复二极管FR101-FR105150nsSR260肖特基二极管 10ns左右反向恢复时间短，特别适用于高频电路。二、碳化硅二极管碳化硅是一种新材料，几乎不
2023-02-15 14:24:47
应用领域，SiC和GaN形成竞争。随着碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)等新材料陆续应用在二极管、场效晶体管(MOSFET)等组件上，电力电子产业的技术大革命已揭开序幕。这些新组件虽然在成本上仍比传统硅
2021-09-23 15:02:11
相较于硅，碳化硅（SiC）肖特基二极管采用全新的技术，提供更出色的开关性能和更高的可靠性。SiC无反向恢复电流，且具有不受温度影响的开关特性和出色的散热性能，因此被视为下一代功率半导体。安森美半导体
2018-10-29 08:51:19
相较于硅，碳化硅（SiC）肖特基二极管采用全新的技术，提供更出色的开关性能和更高的可靠性。SiC无反向恢复电流，且具有不受温度影响的开关特性和出色的散热性能，因此被视为下一代功率半导体。
2020-07-30 07:14:58
大功率适配器为了减小对电网的干扰，都会采用PFC电路、使用氮化镓的充电器，基本也离不开碳化硅二极管，第三代半导体材料几乎都是同时出现，强强联手避免短板。创能动力推出的碳化硅二极管
2023-02-22 15:27:51
硅 IGBT 和二极管与多电平配置等新拓扑相结合，可提供最佳的性价比。混合碳化硅结合了高速硅IGBT和碳化硅肖特基续流二极管，也是一个不错的选择，与纯硅解决方案相比，可将功率损耗降低多达50
2023-02-20 16:29:54
的需求，在中国构建了与罗姆日本同样的集开发、生产、销售于一体的一条龙体制。ROHM公司推出了两款表面贴装肖特基势垒二极管RB051LAM-40和RB081LAM-20，两者二极管的反向电压都为20V，正向
2019-04-17 23:45:03
的混合碳化硅分立器件（Hybrid SiC Discrete Devices）将新型场截止IGBT技术和碳化硅肖特基二极管技术相结合，为硬开关拓扑打造了一个兼顾品质和性价比的完美方案。 该器件将传统
2023-02-28 16:48:24
ROHM努力推进最适合处理高耐压与大电流电路使用SiC（碳化硅）材料的SBD（肖特基势垒二极管）。2010年在日本国内率先开始SiC SBD的量产，目前正在扩充第二代SIC-SBD产品阵容，并推动在
2018-12-04 10:26:52
相较于硅，碳化硅（SiC）肖特基二极管采用全新的技术，提供更出色的开关性能和更高的可靠性。SiC无反向恢复电流，且具有不受温度影响的开关特性和出色的散热性能，因此被视为下一代功率半导体。
2019-07-25 07:51:59
：Gen1》 Gen2 》 Gen3 VF：Gen1》 Gen2 》 Gen3 产品优点 综上所述，基本半导体推出的第三代碳化硅肖特基二极管有以下优点： 更低VF：第三代二极管具有更低VF，同时
2023-02-28 17:13:35
金属和半导体触点形成肖特基势垒以实现整流。与普通PN结二极管相比，它的反向恢复惯量非常低。因此，肖特基二极管适用于高频整流或高速开关。碳化硅（SiC）是一种高性能半导体材料，因此SiC肖特基二极管具有
2023-02-07 15:59:32
对于高压开关电源应用，碳化硅或SiC MOSFET带来比传统硅MOSFET和IGBT明显的优势。在这里我们看看在设计高性能门极驱动电路时使用SiC MOSFET的好处。
2018-08-27 13:47:31
是肖特基势垒二极管（SchottkyBarrierDiode，缩写成SBD）的简称。SBD不是利用P型半导体与N型半导体接触形成PN结原理制作的，而是利用金属与半导体接触形成的金属－半导体结原理制作的。因此
2019-04-01 11:59:16
1. 器件结构和特征SiC能够以高频器件结构的SBD（肖特基势垒二极管）结构得到600V以上的高耐压二极管（Si的SBD最高耐压为200V左右）。因此，如果用SiC-SBD替换现在主流产品快速PN结
2019-05-07 06:21:51
不同，ROHM利用多种金属，推出如下产品阵容。低VF型 RB**1系列低IR型 RB**0系列车载用超低IR型 RB**8系列特点通过改变金属种类，可制造低VF型、低IR型产品。关于热失控肖特基势垒二极管在
2019-04-11 02:37:28
罗姆（ROHM）是全球著名半导体厂商之一。它推出了6款中功率肖特基势垒二极管，型号分别为RBR1MM60A，RBR2MM60A，RBR2MM60B，RBR2MM60C，RBR3MM60A
2019-07-15 04:20:07
肖特基势垒二极管。五者的VRM（峰值反向电压）均为35V，反向电压（VR）均为30V。RB078BM30S,RB085BM-30,RB088BM-30,RB095BM-30,RB098BM-30的平均正向整流
2019-03-21 06:20:10
一般的二极管是利用PN结的单方向导电的特性，而肖特基二极管则是利用金属和半导体面接触产生的势垒（barrier）整流作用，这个接触面称为“金属半导体结”，其全名应为肖特基势垒二极管，简称为肖特基
2021-01-13 16:36:44
肖特基二极管是以其发明人肖特基博士（Schottky）命名的，SBD是肖特基势垒二极管（SchottkyBarrierDiode,缩写成SBD）的简称。SBD不是利用P型半导体与N型半导体接触形成
2017-10-19 11:33:48
肖特基二极管原理； 肖特基二极管是以其发明人肖特基博士（Schottky）命名的，SBD是肖特基势垒二极管（SchottkyBarrierDiode，缩写成SBD）的简称。SBD不是利用P型
2021-04-17 14:10:23
，简称：SR,比如：SR107,SR10100CT……肖特基：Schottky势垒：BarrierSB:即为肖特基势垒二极管肖特基二极管也称肖特基势垒二极管（简称SBD），国内厂家也有叫做"
2021-06-30 17:04:44
，大多数硅用于高达250V的电压，而砷化镓、碳化硅或硅锗被用作阻断200至1700V电压的半导体材料。硅肖特基二极管具有大约0.4V的低阈值电压，工作电流较低时甚至低于0.1V。这远远低于电压约为1V
2017-04-19 16:33:24
(Schottky)二极管，又称肖特基势垒二极管(简称SBD)，它属一种低功耗、超高速半导体器件。最显著的特点为反向恢复时间极短(可以小到几纳秒)，正向导通压降仅0.4V左右。其多用作高频、低压、大电流
2018-10-25 14:48:50
人叫做：肖特基势垒二极管（ Schottky Barrier Diode 缩写成 SBD）的简称。但 SBD 不是利用 P 型半导体与 N 型半 导体接触形成 PN 结原理制作的，而是利用金属与半导体
2021-01-19 17:26:57
再次谈及Si二极管，将说明肖特基势垒二极管（以下简称为SBD）的相关特征和应用。Si-SBD的特征 如前文所述，Si-SBD并非PN结，而是利用硅称之为势垒金属的金属相接合（肖特基接合）所产生
2018-12-03 14:31:01
不同，ROHM利用多种金属，推出如下产品阵容。低VF型 RB**1系列低IR型 RB**0系列车载用超低IR型 RB**8系列特点通过改变金属种类，可制造低VF型、低IR型产品。关于热失控肖特基势垒二极管在
2019-04-30 03:25:24
是宽禁带半导体材料的一种，主要特点是高热导率、高饱和以及电子漂移速率和高击场强等，因此被应用于各种半导体材料当中，碳化硅器件主要包括功率二极管和功率开关管。功率二极管包括结势垒肖特基（JBS）二极管
2023-02-20 15:15:50
CSD01060E为600 V 分立碳化硅肖特基二极管。Wolfspeed 的 600 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二极管采用 MPS（合并 PiN 肖特基）设计，比标准肖特基势垒二极管更坚固
2022-05-27 20:10:54
C3D03060F为600 V 分立碳化硅肖特基二极管。Wolfspeed 的 600 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二极管采用 MPS（合并 PiN 肖特基）设计，比标准肖特基势垒二极管更坚固
2022-05-28 12:10:17
C3D04060F为600 V 分立碳化硅肖特基二极管。Wolfspeed 的 600 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二极管采用 MPS（合并 PiN 肖特基）设计，比标准肖特基势垒二极管更坚固
2022-05-28 15:37:47
C3D04060A为600 V 分立碳化硅肖特基二极管。Wolfspeed 的 600 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二极管采用 MPS（合并 PiN 肖特基）设计，比标准肖特基势垒二极管更坚固
2022-05-28 15:55:46
C3D08060G为600 V 分立碳化硅肖特基二极管。Wolfspeed 的 600 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二极管采用 MPS（合并 PiN 肖特基）设计，比标准肖特基势垒二极管更坚固
2022-05-28 16:25:05
C3D08060A为600 V 分立碳化硅肖特基二极管。Wolfspeed 的 600 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二极管采用 MPS（合并 PiN 肖特基）设计，比标准肖特基势垒二极管更坚固
2022-05-28 16:54:16
C3D10060A为600 V 分立碳化硅肖特基二极管。Wolfspeed 的 600 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二极管采用 MPS（合并 PiN 肖特基）设计，比标准肖特基势垒二极管更坚固
2022-05-28 17:04:18
C3D16060D为600 V 分立碳化硅肖特基二极管。Wolfspeed 的 600 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二极管采用 MPS（合并 PiN 肖特基）设计，比标准肖特基势垒二极管更坚固
2022-05-29 10:28:06
C3D20060D为600 V 分立碳化硅肖特基二极管。Wolfspeed 的 600 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二极管采用 MPS（合并 PiN 肖特基）设计，比标准肖特基势垒二极管更坚固
2022-05-29 10:32:40
C6D06065Q为650 V 分立碳化硅肖特基二极管。描述具有碳化硅 (SiC) 的性能优势肖特基势垒二极管，电力电子系统可以期待满足比硅基解决方案更高的效率标准，同时还达到更高的频率和功率密度
2022-05-29 19:27:15
C6D06065G为650 V 分立碳化硅肖特基二极管。第 6 代 650 V、6 A 碳化硅肖特基二极管。具有碳化硅 (SiC) 的性能优势肖特基势垒二极管，电力电子系统可以期待满足比硅基解决方案
2022-05-29 19:36:12
C3D06065E为650 V 分立碳化硅肖特基二极管。第 6 代 650 V、6 A 碳化硅肖特基二极管。具有碳化硅 (SiC) 的性能优势肖特基势垒二极管，电力电子系统可以期待满足比硅基解决方案
2022-05-29 19:45:27
C6D08065Q为650 V 分立碳化硅肖特基二极管。具有碳化硅 (SiC) 的性能优势肖特基势垒二极管，电力电子系统可以期待满足比硅基解决方案更高的效率标准，同时还达到更高的频率和功率密度
2022-05-29 20:36:06
C6D08065G为650 V 分立碳化硅肖特基二极管。具有碳化硅 (SiC) 的性能优势肖特基势垒二极管，电力电子系统可以期待满足比硅基解决方案更高的效率标准，同时还达到更高的频率和功率密度
2022-05-29 20:42:44
C6D10065Q是650 V 分立碳化硅肖特基二极管。具有碳化硅 (SiC) 的性能优势肖特基势垒二极管，电力电子系统可以期待满足比硅基解决方案更高的效率标准，同时还达到更高的频率和功率密度
2022-05-31 20:02:07
C6D10065G是650 V 分立碳化硅肖特基二极管。具有碳化硅 (SiC) 的性能优势肖特基势垒二极管，电力电子系统可以期待满足比硅基解决方案更高的效率标准，同时还达到更高的频率和功率密度
2022-05-31 20:16:37
E4D02120E是1200 V 分立碳化硅肖特基二极管。具有碳化硅 (SiC) 的性能优势肖特基势垒二极管，电力电子系统可以期待满足比硅基解决方案更高的效率标准，同时还达到更高的频率和功率密度
2022-06-02 18:19:35
C4D02120E是1200 V 分立碳化硅肖特基二极管。Wolfspeed 的 1200 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二极管采用 MPS（合并 PiN 肖特基）设计，比标准肖特基势垒二极管
2022-06-02 18:25:12
C4D02120A是1200 V 分立碳化硅肖特基二极管。Wolfspeed 的 1200 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二极管采用 MPS（合并 PiN 肖特基）设计，比标准肖特基势垒二极管
2022-06-02 18:29:57
C4D05120E是1200 V 分立碳化硅肖特基二极管。Wolfspeed 的 1200 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二极管采用 MPS（合并 PiN 肖特基）设计，比标准肖特基势垒二极管
2022-06-02 18:35:42
C4D05120A是1200 V 分立碳化硅肖特基二极管。Wolfspeed 的 1200 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二极管采用 MPS（合并 PiN 肖特基）设计，比标准肖特基势垒二极管
2022-06-02 18:40:17
C4D08120E是1200 V 分立碳化硅肖特基二极管。Wolfspeed 的 1200 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二极管采用 MPS（合并 PiN 肖特基）设计，比标准肖特基势垒二极管
2022-06-02 18:44:47
C4D08120A是1200 V 分立碳化硅肖特基二极管。Wolfspeed 的 1200 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二极管采用 MPS（合并 PiN 肖特基）设计，比标准肖特基势垒二极管
2022-06-02 18:48:49
E4D10120A是1200 V 分立碳化硅肖特基二极管。Wolfspeed 的 1200 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二极管采用 MPS（合并 PiN 肖特基）设计，比标准肖特基势垒二极管
2022-06-02 18:54:09
C4D10120H是1200 V 分立碳化硅肖特基二极管。Wolfspeed 的 1200 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二极管采用 MPS（合并 PiN 肖特基）设计，比标准肖特基势垒二极管
2022-06-03 14:24:29
C4D10120E是1200 V 分立碳化硅肖特基二极管。Wolfspeed 的 1200 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二极管采用 MPS（合并 PiN 肖特基）设计，比标准肖特基势垒二极管
2022-06-03 18:14:54
C4D10120D是1200 V 分立碳化硅肖特基二极管。Wolfspeed 的 1200 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二极管采用 MPS（合并 PiN 肖特基）设计，比标准肖特基势垒二极管
2022-06-03 18:21:10
C4D10120A是1200 V 分立碳化硅肖特基二极管。Wolfspeed 的 1200 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二极管采用 MPS（合并 PiN 肖特基）设计，比标准肖特基势垒二极管
2022-06-03 18:25:26
C4D15120H是1200 V 分立碳化硅肖特基二极管。Wolfspeed 的 1200 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二极管采用 MPS（合并 PiN 肖特基）设计，比标准肖特基势垒二极管
2022-06-03 18:30:26
C4D15120D是1200 V 分立碳化硅肖特基二极管。Wolfspeed 的 1200 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二极管采用 MPS（合并 PiN 肖特基）设计，比标准肖特基势垒二极管
2022-06-03 18:37:08
C4D15120A是1200 V 分立碳化硅肖特基二极管。Wolfspeed 的 1200 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二极管采用 MPS（合并 PiN 肖特基）设计，比标准肖特基势垒二极管
2022-06-03 18:43:35
E4D20120A是1200 V 分立碳化硅肖特基二极管。Wolfspeed 的 1200 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二极管采用 MPS（合并 PiN 肖特基）设计，比标准肖特基势垒二极管
2022-06-03 18:49:31
E4D20120D是1200 V 分立碳化硅肖特基二极管。Wolfspeed 的 1200 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二极管采用 MPS（合并 PiN 肖特基）设计，比标准肖特基势垒二极管
2022-06-03 18:54:14
C4D20120H是1200 V 分立碳化硅肖特基二极管。Wolfspeed 的 1200 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二极管采用 MPS（合并 PiN 肖特基）设计，比标准肖特基势垒二极管
2022-06-03 19:01:56
C4D20120D是1200 V 分立碳化硅肖特基二极管。Wolfspeed 的 1200 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二极管采用 MPS（合并 PiN 肖特基）设计，比标准肖特基势垒二极管
2022-06-03 19:07:00
C4D20120A是1200 V 分立碳化硅肖特基二极管。Wolfspeed 的 1200 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二极管采用 MPS（合并 PiN 肖特基）设计，比标准肖特基势垒二极管
2022-06-03 19:12:16
E4D20120G是1200 V 分立碳化硅肖特基二极管。Wolfspeed 的 1200 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二极管采用 MPS（合并 PiN 肖特基）设计，比标准肖特基势垒二极管
2022-06-03 19:18:42
C4D30120H是1200V 分立碳化硅肖特基二极管。具有碳化硅 (SiC) 的性能优势肖特基势垒二极管，电力电子系统可以期待满足比硅基解决方案更高的效率标准，同时还达到更高的频率和功率密度
2022-06-03 19:29:09
C4D30120D是1200 V 分立碳化硅肖特基二极管。Wolfspeed 的 1200 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二极管采用 MPS（合并 PiN 肖特基）设计，比标准肖特基势垒二极管
2022-06-03 19:34:40
C4D40120H是1200V 分立碳化硅肖特基二极管。具有碳化硅 (SiC) 的性能优势肖特基势垒二极管，电力电子系统可以期待满足比硅基解决方案更高的效率标准，同时还达到更高的频率和功率密度
2022-06-03 19:40:19
C4D40120D是1200 V 分立碳化硅肖特基二极管。Wolfspeed 的 1200 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二极管采用 MPS（合并 PiN 肖特基）设计，比标准肖特基势垒二极管
2022-06-03 19:46:36
SiC碳化硅二极管起步电压为650V，电流6A到10A，主要用于UPS、快充、微逆、电源、电动工具、消费类产品、工控。碳化硅二极管料号为：KN3D06065F（650V碳化硅二极管，电流6A，贴片
2023-02-21 10:12:24
1680 
什么是第三代半导体？我们把SiC碳化硅功率器件和氮化镓功率器件统称为第三代半导体，这个是相对以硅基为核心的第二代半导体功率器件的。今天我们着重介绍SiC碳化硅功率器件，也就是SiC碳化硅二极管
2023-02-21 10:16:472090
电子发烧友App
工商网监
评论