2012年10月10日，德国纽必堡讯——英飞凌近日宣布推出第五代650V thinQ！TM SiC 肖特基势垒二极管，壮大其SiC（碳化硅）产品阵容。
2012-10-10 13:37:10
1451 美高森美公司(Microsemi Corporation) 推出采用碳化硅(SiC)材料和技术的全新1200 V肖特基二极管系列
2012-11-22 14:09:061450 ） MOSFET 和SiC二极管产品组合，包括提供下一代1200 V、25 mOhm和80 mOhm SiC MOSFET器件的样品，及下一代700 V、50 A 肖特基势垒二极管（SBD）和相应的裸片。
2018-05-28 12:46:395890 IGBT分立器件一般由IGBT和续流二极管(FWD)构成，续流二极管按材料可分为硅材料和碳化硅材料，按照器件结构可分为PIN二极管和肖特基势垒二极管(SBD)。材料与结构两两组合就形成了4种结果：硅
2023-09-22 10:26:251008 
3.3 kV碳化硅MOSFET和肖特基势垒二极管（SBD）扩大了设计人员对交通、能源和工业系统中的高压电力电子产品的选择范围。
2022-03-22 11:12:561258 
Nov. 2019IV1D12010T2 – 1200V 10A 碳化硅肖特基二极管特性 封装外形⚫最大结温为 175°C⚫高浪涌电流容量⚫零反向恢复电流⚫零正向恢复电压⚫高频工作⚫开关特性不受温度
2020-03-13 13:42:49
极快反向恢复速度的600V-1200V碳化硅肖特基二极管芯片及成品器件 。海飞乐技术600V碳化硅二极管现货选型相比于Si半导体材料，SiC半导体材料具有禁带宽度较大、临界电场较大、热导率较高的特点，SiC
2019-10-24 14:25:15
。 SiC肖特基势垒二极管（SBD）在大功率应用方面的最大优势在于近乎理想的动态特性。在反向恢复瞬态，当二极管从正向导通模式转变为反向阻断模式时，有很低的反向恢复时间，而且在整个工作温度范围内保持
2020-09-24 16:22:14
SIC碳化硅二极管
2016-11-04 15:50:11
继SiC功率元器件的概述之后，将针对具体的元器件进行介绍。首先从SiC肖特基势垒二极管开始。SiC肖特基势垒二极管和Si肖特基势垒二极管下面从SiC肖特基势垒二极管（以下简称“SBD”）的结构开始
2018-11-29 14:35:50
SiC-MOSFET－沟槽结构SiC-MOSFET与实际产品SiC功率元器件基础篇前言前言何谓SiC（碳化硅）？何谓碳化硅SiC功率元器件的开发背景和优点SiC肖特基势垒二极管所谓SiC-SBD－特征以及与Si
2018-11-27 16:40:24
ROHM推出了SiC肖特基势垒二极管（以下SiC SBD）的第三代产品“SCS3系列”。SCS3系列是进一步改善了第二代SiC SBD实现的当时业界最小正向电压，并大幅提高了抗浪涌电流性能的产品
2018-12-03 15:12:02
250V左右。对于能够耐受500～600V以上反向电压要求，人们开始使用碳化硅(SiC)制造器件，因为它能够耐受较高的电压。 除此以外的器件参数均相当于或优于硅肖特基二极管。详见表2。 由于SiC器件的成本较高(是同类硅器件的3～5倍)，除非性能上要求非用不可，还没有用它来替代硅功率器件。`
2019-01-11 13:42:03
Toshiba研发出一种SiC金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET)，其将嵌入式肖特基势垒二极管（SBD）排列成格子花纹（check-pattern embedded SBD），以降低导通电
2023-04-11 15:29:18
应用领域。更多规格参数及封装产品请咨询我司人员！附件是海飞乐技术碳化硅二极管选型表，欢迎大家选购！碳化硅（SiC）半导体材料是自第一代元素半导体材料（Si、Ge）和第二代化合物半导体材料（GaAs
2019-10-24 14:21:23
由于碳化硅具有不可比拟的优良性能，碳化硅是宽禁带半导体材料的一种，主要特点是高热导率、高饱和以及电子漂移速率和高击场强等，因此被应用于各种半导体材料当中，碳化硅器件主要包括功率二极管和功率开关管
2020-06-28 17:30:27
二极管具有明显优势；下面结合碳化硅肖特基二极管的结构图，谈谈碳化硅肖特基二极管的导通压降构成。 碳化硅肖特基二极管在导通时，其导通压降可等效为4部分构成： 图（7）①号区域的势垒电压 图（7
2023-02-28 16:55:45
开关电源小型化，并降低产品噪音。 2、碳化硅肖特基二极管的正向特性 碳化硅肖特基二极管的开启导通电压比硅快速恢复二极管较低，如果要降低VF值，需要减薄肖特基势垒的高度，但这会使器件反向偏压时的漏电
2023-02-28 16:34:16
阻。尽管普通二极管的“惯性”较大，但是在超过200V的工作电压场合，普通的PIN二极管占主导地位。 源于硅基的肖特基二极管，近年来开发出来新的基于碳化硅(SiC)的肖特基二极管用于一些效率很关键的电力
2019-01-02 13:57:40
，有助于满足现代电子技术对高温、高功率、高压、高频以及抗辐射等恶劣条件的新要求。
二、 SiC的性能优势
1、SiC SBD可将耐压提高到3.3kV，极大扩展了SBD的应用范围
肖特基二极管
2023-10-07 10:12:26
什么是碳化硅（SiC）？它有哪些用途？碳化硅（SiC）的结构是如何构成的？
2021-06-18 08:32:43
是1000V。FR106,FR107300ns快速恢复二极管FR101-FR105150nsSR260肖特基二极管 10ns左右反向恢复时间短，特别适用于高频电路。二、碳化硅二极管碳化硅是一种新材料，几乎不
2023-02-15 14:24:47
应用领域，SiC和GaN形成竞争。随着碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)等新材料陆续应用在二极管、场效晶体管(MOSFET)等组件上，电力电子产业的技术大革命已揭开序幕。这些新组件虽然在成本上仍比传统硅
2021-09-23 15:02:11
大功率适配器为了减小对电网的干扰，都会采用PFC电路、使用氮化镓的充电器，基本也离不开碳化硅二极管，第三代半导体材料几乎都是同时出现，强强联手避免短板。创能动力推出的碳化硅二极管
2023-02-22 15:27:51
的混合碳化硅分立器件（Hybrid SiC Discrete Devices）将新型场截止IGBT技术和碳化硅肖特基二极管技术相结合，为硬开关拓扑打造了一个兼顾品质和性价比的完美方案。 该器件将传统
2023-02-28 16:48:24
ROHM努力推进最适合处理高耐压与大电流电路使用SiC（碳化硅）材料的SBD（肖特基势垒二极管）。2010年在日本国内率先开始SiC SBD的量产，目前正在扩充第二代SIC-SBD产品阵容，并推动在
2018-12-04 10:26:52
相较于硅，碳化硅（SiC）肖特基二极管采用全新的技术，提供更出色的开关性能和更高的可靠性。SiC无反向恢复电流，且具有不受温度影响的开关特性和出色的散热性能，因此被视为下一代功率半导体。
2019-07-25 07:51:59
：Gen1》 Gen2 》 Gen3 VF：Gen1》 Gen2 》 Gen3 产品优点 综上所述，基本半导体推出的第三代碳化硅肖特基二极管有以下优点： 更低VF：第三代二极管具有更低VF，同时
2023-02-28 17:13:35
金属和半导体触点形成肖特基势垒以实现整流。与普通PN结二极管相比，它的反向恢复惯量非常低。因此，肖特基二极管适用于高频整流或高速开关。碳化硅（SiC）是一种高性能半导体材料，因此SiC肖特基二极管具有
2023-02-07 15:59:32
不同，ROHM利用多种金属，推出如下产品阵容。低VF型 RB**1系列低IR型 RB**0系列车载用超低IR型 RB**8系列特点通过改变金属种类，可制造低VF型、低IR型产品。关于热失控肖特基势垒二极管在
2019-04-11 02:37:28
一般的二极管是利用PN结的单方向导电的特性，而肖特基二极管则是利用金属和半导体面接触产生的势垒（barrier）整流作用，这个接触面称为“金属半导体结”，其全名应为肖特基势垒二极管，简称为肖特基
2021-01-13 16:36:44
，简称：SR,比如：SR107,SR10100CT……肖特基：Schottky势垒：BarrierSB:即为肖特基势垒二极管肖特基二极管也称肖特基势垒二极管（简称SBD），国内厂家也有叫做"
2021-06-30 17:04:44
人叫做：肖特基势垒二极管（ Schottky Barrier Diode 缩写成 SBD）的简称。但 SBD 不是利用 P 型半导体与 N 型半 导体接触形成 PN 结原理制作的，而是利用金属与半导体
2021-01-19 17:26:57
再次谈及Si二极管，将说明肖特基势垒二极管（以下简称为SBD）的相关特征和应用。Si-SBD的特征 如前文所述，Si-SBD并非PN结，而是利用硅称之为势垒金属的金属相接合（肖特基接合）所产生
2018-12-03 14:31:01
不同，ROHM利用多种金属，推出如下产品阵容。低VF型 RB**1系列低IR型 RB**0系列车载用超低IR型 RB**8系列特点通过改变金属种类，可制造低VF型、低IR型产品。关于热失控肖特基势垒二极管在
2019-04-30 03:25:24
是宽禁带半导体材料的一种，主要特点是高热导率、高饱和以及电子漂移速率和高击场强等，因此被应用于各种半导体材料当中，碳化硅器件主要包括功率二极管和功率开关管。功率二极管包括结势垒肖特基（JBS）二极管
2023-02-20 15:15:50
C6D06065Q为650 V 分立碳化硅肖特基二极管。描述具有碳化硅 (SiC) 的性能优势肖特基势垒二极管，电力电子系统可以期待满足比硅基解决方案更高的效率标准，同时还达到更高的频率和功率密度
2022-05-29 19:27:15
C6D06065G为650 V 分立碳化硅肖特基二极管。第 6 代 650 V、6 A 碳化硅肖特基二极管。具有碳化硅 (SiC) 的性能优势肖特基势垒二极管，电力电子系统可以期待满足比硅基解决方案
2022-05-29 19:36:12
C3D06065E为650 V 分立碳化硅肖特基二极管。第 6 代 650 V、6 A 碳化硅肖特基二极管。具有碳化硅 (SiC) 的性能优势肖特基势垒二极管，电力电子系统可以期待满足比硅基解决方案
2022-05-29 19:45:27
C6D08065Q为650 V 分立碳化硅肖特基二极管。具有碳化硅 (SiC) 的性能优势肖特基势垒二极管，电力电子系统可以期待满足比硅基解决方案更高的效率标准，同时还达到更高的频率和功率密度
2022-05-29 20:36:06
C6D08065G为650 V 分立碳化硅肖特基二极管。具有碳化硅 (SiC) 的性能优势肖特基势垒二极管，电力电子系统可以期待满足比硅基解决方案更高的效率标准，同时还达到更高的频率和功率密度
2022-05-29 20:42:44
C6D10065Q是650 V 分立碳化硅肖特基二极管。具有碳化硅 (SiC) 的性能优势肖特基势垒二极管，电力电子系统可以期待满足比硅基解决方案更高的效率标准，同时还达到更高的频率和功率密度
2022-05-31 20:02:07
C6D10065G是650 V 分立碳化硅肖特基二极管。具有碳化硅 (SiC) 的性能优势肖特基势垒二极管，电力电子系统可以期待满足比硅基解决方案更高的效率标准，同时还达到更高的频率和功率密度
2022-05-31 20:16:37
E4D02120E是1200 V 分立碳化硅肖特基二极管。具有碳化硅 (SiC) 的性能优势肖特基势垒二极管，电力电子系统可以期待满足比硅基解决方案更高的效率标准，同时还达到更高的频率和功率密度
2022-06-02 18:19:35
C4D30120H是1200V 分立碳化硅肖特基二极管。具有碳化硅 (SiC) 的性能优势肖特基势垒二极管，电力电子系统可以期待满足比硅基解决方案更高的效率标准，同时还达到更高的频率和功率密度
2022-06-03 19:29:09
C4D40120H是1200V 分立碳化硅肖特基二极管。具有碳化硅 (SiC) 的性能优势肖特基势垒二极管，电力电子系统可以期待满足比硅基解决方案更高的效率标准，同时还达到更高的频率和功率密度
2022-06-03 19:40:19
肖特基势垒二极管肖特基势垒二极管原理/结构
肖特基二极管 肖特基二极管是以其
2010-02-26 14:00:193971 肖特基势垒二极管,肖特基势垒二极管是什么意思
肖特基势垒二极管（也叫热载子二极管）在机械构造上与点接触二极管很相似，但它
2010-02-26 14:12:102074 什么是肖特基势垒二极管
肖特基二极管SBD（Schottky Barrier Diode），又称为金属-半导体二极管,是近年来间世的低功耗、大电流、超高速半导体器件
2010-03-05 09:52:492563 碳化硅(SiC)功率器件的市场领先者科锐公司(Nasdaq: CREE)日前宣布推出全新系列封装型二极管。在现有碳化硅肖特基二极管技术条件下，该系列二极管可提供业界最高的阻断电压。
2012-02-07 15:40:401701 瑞萨电子株式会社(TSE：6723，以下简称“瑞萨”)宣布开发出了肖特基势垒二极管(SBD)RJS6005TDPP，该器件采用了碳化硅材料(SiC，注1)——这种材料被认为具有用于功率半导体器件的巨大潜力
2012-02-09 09:11:176222 
东芝公司旗下的半导体&存储产品公司今天宣布，该公司将通过添加TO-220F-2L绝缘封装产品扩大其650V碳化硅（SiC）肖特基势垒二极管（SBD）系列产品。四款新产品将扩大现有TO-220-2L封装产品的6A、8A、10A和12A阵容。量产出货即日启动。
2014-06-09 10:33:26975 
全球知名半导体制造商ROHM开发出非常适用于服务器和高端计算机等的电源PFC电路※1的、第3代SiC（Silicon Carbide：碳化硅）肖特基势垒二极管（以下称“SiC-SBD”） “SCS3系列”。
2016-05-10 14:25:512466 推动高能效创新的安森美半导体推出最新650 V碳化硅（SiC）肖特基二极管系列产品，扩展了SiC二极管产品组合。
2018-03-01 13:14:179301 2018年6月5日 —推动高能效创新的安森美半导体 (ON Semiconductor，美国纳斯达克上市代号：ON)，发布了碳化硅 (SiC) 肖特基二极管的扩展系列，包括专门用于要求严苛的汽车应用的器件。
2018-06-21 16:08:424497 目前，国内外碳化硅功率电子分立器件商业化产品主要有功率二极管和SiC MOSFET。SiC功率二极管分为肖特基二极管（SBD）、PIN二极管和结势垒控制肖特基二极管三种。
2018-11-13 15:47:597488 因为本征载流子激发导致器件性能失效。碳化硅材料在发生雪崩击穿前所能够忍受的极限电场是硅材料和砷化镓(GaAs)的5~20倍12。这一高极限电场可以用来制造高压、大功率器件。 大功率碳化硅二极管
2018-11-20 15:28:071867 ）今日宣布推出最新通过认证的700和1200V碳化硅（SiC）肖特基势垒二极管（SBD）功率器件，为电动汽车（EV）系统设计人员提供了符合严苛汽车质量标准的解决方案，同时支持丰富的电压、电流和封装选项。
2020-10-29 15:24:343420 ）今日宣布推出最新通过认证的700和1200V碳化硅（SiC）肖特基势垒二极管（SBD）功率器件，为电动汽车（EV）系统设计人员提供了符合严苛汽车质量标准的解决方案，同时支持丰富的电压、电流和封装选项。 Microchip新推出的器件通过了AEC-Q101认证，对于需要在提高系统效率的同时保持高质
2020-11-05 10:20:352091 碳化硅肖特基二极管（SiCSBD）是一种单极型器件，采用结势垒肖特基二极管结构（JBS），因此相比于传统的硅快恢复二极管（SiFRD），碳化硅肖特基二极管具有理想的反向恢复特性。可以有效降低反向漏电
2020-11-17 15:55:056966 二次侧整流二极管通常使用FRD（快速恢复二极管）和SBD（肖特基势垒二极管）等，本文提到的基本半导体碳化硅肖特基二极管B1D30120HC基本没有开关损耗，而且VF具有正向温度系数，有利于提高车载充电机实际的效率。
2022-07-26 14:43:341889 继SiC功率元器件的概述之后，将针对具体的元器件进行介绍。首先从SiC肖特基势垒二极管开始。SiC肖特基势垒二极管和Si肖特基势垒二极管：下面从SiC肖特基势垒二极管（以下简称“SBD”）的结构开始介绍。
2023-02-08 13:43:171454 
再次谈及Si二极管，将说明肖特基势垒二极管（以下简称为SBD）的相关特征和应用。 Si-SBD的特征：如前文所述，Si-SBD并非PN结，而是利用硅称之为势垒金属的金属相接合（肖特基接合）所产生的肖特基势垒。
2023-02-09 10:19:231415 
ROHM近期推出的"SCS3系列"是第三代SiC肖特基势垒二极管（以下简称"SiC-SBD"）产品。ROHM的每一代SiC-SBD产品的推出都是正向电压降低、各特性得以改善的持续改进过程。
2023-02-10 09:41:07797 
ROHM近期推出的“SCS3系列”是第三代SiC肖特基势垒二极管（以下简称“SiC-SBD”）产品。ROHM的每一代SiC-SBD产品的推出都是正向电压降低、各特性得以改善的持续改进过程。
2023-02-10 09:41:071642 
碳化硅二极管是用碳化硅为原料制作而成的二极管。碳化硅二极管，号称反向恢复时间为零，是高效PFC boost电路的专用升压二极管。以碳化硅二极管为代表的第三代半导体材料的发展开始受到重视，并在智能
2023-02-10 17:45:173674 ROHM努力推进最适合处理高耐压与大电流电路使用SiC（碳化硅）材料的SBD（肖特基势垒二极管）。2010年在日本国内率先开始SiC SBD的量产，目前正在扩充第二代SIC-SBD产品阵容，并推动在包括车载在内的各种应用中的采用。
2023-02-13 09:30:071187 
碳化硅二极管是一种由碳化硅材料制成的半导体器件，它具有较高的强度、轻量、耐磨性和耐腐蚀性。碳化硅二极管的工作原理是，当电压通过碳化硅二极管时，电子会从N极流向P极，从而产生电流。碳化硅二极管可以用于汽车电子控制系统，以及其他电子设备中，用于控制电流和电压。
2023-02-15 15:13:421713 碳化硅二极管是一种由碳化硅材料制成的半导体器件，它具有较高的强度、轻量、耐磨性和耐腐蚀性。
2023-02-15 15:21:401513 ROHM推出了SiC肖特基势垒二极管（以下SiC SBD）的第三代产品“SCS3系列”。SCS3系列是进一步改善了第二代SiC SBD实现的当时业界最小正向电压，并大幅提高了抗浪涌电流性能的产品。
2023-02-16 09:55:061350 
我们拿慧制敏造出品的KNSCHA碳化硅功率器件：碳化硅二极管和碳化硅MOSFET展开说明。碳和硅进过化合先合成碳化硅，然后碳化硅打磨成为粉末，碳化硅粉末经过碳化硅单晶生长成为碳化硅晶锭；碳化硅晶锭
2023-02-21 10:04:113177 
Star、80Plus、以及European Efficiency）外，碳化硅二极管的动态特性是标准硅二极管的四倍，而正向电压（VF）比其低15%。 碳化硅（SiC）二极管的使用大大提高了太阳能逆变器、电机
2023-02-21 10:06:421981 
SiC碳化硅二极管起步电压为650V，电流6A到10A，主要用于UPS、快充、微逆、电源、电动工具、消费类产品、工控。碳化硅二极管料号为：KN3D06065F（650V碳化硅二极管，电流6A，贴片
2023-02-21 10:12:244172 
什么是第三代半导体？我们把SiC碳化硅功率器件和氮化镓功率器件统称为第三代半导体，这个是相对以硅基为核心的第二代半导体功率器件的。今天我们着重介绍SiC碳化硅功率器件，也就是SiC碳化硅二极管
2023-02-21 10:16:473721 ，碳化硅二极管封装小型化成为趋势。那么各个碳化硅二极管厂家推出了更小的封装DFN5X6,DFN8X8,超薄型封装。主要用于高功率密度电源和PD快充这样子的应用中。
2023-02-21 13:38:163523 
碳化硅二极管是什么 碳化硅二极管是一种半导体器件，它由碳化硅材料制成。碳化硅具有高的耐压能力和高的温度耐受性，因此碳化硅二极管具有较低的反向漏电流、高温下稳定性良好、响应速度快等特点，广泛用于高功率、高频率、高温、高压等领域，如电源、变频器、太阳能、电动汽车等。
2023-06-02 14:10:321819 碳化硅肖特基二极管是一种基于碳化硅材料的半导体器件，具有高速、高温、高功率特性。其原理基于肖特基效应，即在金属与半导体接触处形成一个肖特基势垒，使得半导体中的载流子向金属一侧偏移，形成整流效应。
2023-06-07 17:10:342338 肖特基二极管是以其发明人肖特基博士（Schottky）命名的，SBD是肖特基势垒二极管（SchottkyBarrierDiode,缩写成SBD）的简称。SBD不是利用P型半导体与N型半导体接触形成
2022-01-06 09:13:415184 
7.2肖特基势磊二极管（SBD）第７章单极型和双极型功率二极管《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》往期内容：7.1.3双极型功率器件优值系数∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件
2022-02-09 09:27:531337 7.4结势垒肖特基（JBS）二极管与混合pin肖特基（MPS）二极管第７章单极型和双极型功率二极管《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》往期内容：7.3.4电流-电压关系∈《碳化硅技术
2022-02-15 11:20:415478 7.3pn与pin结型二极管第７章单极型和双极型功率二极管《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》往期内容：7.2肖特基势磊二极管（SBD）∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件
2022-02-10 09:18:151371 今天鑫环电子就为大家讲解一下碳化硅二极管的应用领域及优势。 一、太阳能逆变器。 碳化硅二极管是太阳能发电用二极管的基本原材料，碳化硅二极管在各项技术指标上都优于普通双极二极管技术。碳化硅二极管
2022-12-14 11:36:052134 
我们从SiC肖特基势垒二极管（以下简称“SBD”）的结构开始介绍。如下图所示，为了形成肖特基势垒，将半导体SiC与金属相接合（肖特基结）。结构与Si肖特基势垒二极管基本相同，其重要特征也是具备高速特性。
2023-07-18 09:47:301207 
肖特基势垒二极管的作用 肖特基势垒二极管的工作原理 肖特基势垒二极管是一种特殊的二极管，由于其独特的结构和功能特点而得到广泛应用。本文将详细介绍肖特基势垒二极管的作用与工作原理。 一
2023-09-02 10:34:034283 【科普小贴士】肖特基势垒二极管（SBD）的金属差异
2023-12-13 14:40:481636 
【科普小贴士】肖特基势垒二极管（SBD）的反向恢复特性
2023-12-13 14:42:082109 
【科普小贴士】什么是肖特基势垒二极管（SBD）？
2023-12-13 14:43:083225 
碳化硅二极管的优点和局限性分析 碳化硅（SiC）二极管是一种新型半导体材料，在高频电源电子装置中得到了广泛应用。与传统的硅（Si）材料相比，碳化硅二极管具有许多优点和局限性。下面是对碳化硅二极管
2023-12-21 11:31:274769 在当今快速发展的电力电子领域，碳化硅（SiC）材料因其出色的物理性能而备受关注。作为一种宽禁带半导体材料，碳化硅在制造高效、高温和高速的电子器件方面具有巨大潜力。其中，碳化硅肖特基二极管作为一种重要
2023-12-29 09:54:291624 北京工业大学和中国北京大学报道了碳化硅衬底（GaN/SiC）上由氮化镓制成的全垂直结构肖特基势垒二极管（SBD）的性能
2024-02-19 11:23:292661 
碳化硅（SiC）肖特基二极管是一种带隙大于传统硅基肖特基二极管的半导体器件。
2024-04-11 10:27:141696 
SiC二极管，全称SiC碳化硅势垒二极管，也被称为SiC碳化硅肖特基二极管（SiC SBD），是碳化硅（SiC）功率器件的一种，属于第三代半导体材料的应用范畴。SiC作为一种宽禁带半导体材料，相比
2024-09-10 14:55:023943 SiC MOSFET（碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管）和SiC SBD（碳化硅肖特基势垒二极管）是两种基于碳化硅（SiC）材料的功率半导体器件，它们在电力电子领域具有广泛的应用。尽管它们都属于
2024-09-10 15:19:074705 为什么BASiC基本公司SiC碳化硅肖特基二极管全面取代FRD快恢复二极管 在科技政策与法规的推动下，半导体行业正经历一场深刻的变革。随着对高效能、低能耗电子设备需求的不断增长，BASiC基本公司
2025-02-06 11:51:051090 
结合国产碳化硅功率半导体市场的竞争格局和技术发展趋势，SiC碳化硅二极管公司已经成为国产碳化硅功率器件行业出清的首批对象，比如2024已经有超过两家SiC碳化硅二极管公司破产清算，仅有碳化硅二极管
2025-02-28 10:34:31753 使用反向并联的肖特基势垒二极管(SBD)可以提高碳化硅MOSFET在电力转换应用中的性能和可靠性。本文将展示两家SiC器件制造商在集成SBD与MOSFET为单芯片解决方案方面所取得的进展。SiC
2025-03-20 11:16:591047 
在电力电子领域，碳化硅（SiC）肖特基二极管正凭借其卓越性能逐渐成为主流。今天我要和大家分享安森美（onsemi）的一款碳化硅肖特基二极管——NDSH20120C - F155，深入探讨它的特性、参数和应用。
2025-12-01 15:55:06207 
LSIC2SD065D40CC是一款耐压650V，每路20A的碳化硅肖特基势垒二极管。它采用TO - 263 - 2L封装，这种封装形式在实际应用中较为常见，方便
2025-12-15 16:10:20275
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