。尤其在高压工作环境下，依然体现优异的电气特性，其高温工作特性，大大提高了高温稳定性，也大幅度提高电气设备的整体效率。 产品可广泛应用于太阳能逆变器、车载电源、新能源汽车电机控制器、UPS、充电桩、功率电源等领域。 1200V碳化硅MOSFET系列选型
2020-09-24 16:23:17
电压或高温条件的器件非常有利。在高频、高温、高功率及恶劣环境下，仍具有更优越的开关性能以及更小的结温和结温波动。 碳化硅二极管广泛应用于开关电源、功率因素校正（PFC）电路、不间断电源（UPS）、光伏
2020-09-24 16:22:14
、车载电源、太阳能逆变器、充电桩、UPS、PFC 电源等领域有广泛应用。附上1200V同系列碳化硅MOSFET B1M160120HC B1M080120HC B1M080120HK B1M032120HC B1M018120HC 参数选型表：
2021-11-10 09:10:42
场效应管（Si MOSFET）以前从未考虑过的应用而变得更具有吸引力。 碳化硅MOSFET越来越多用于千瓦级功率水平应用，涵盖如通电源，和服务器电源，和快速增长的电动汽车电池充电器市场等领域。碳化硅
2023-03-14 14:05:02
一样，可以制成结型器件、场效应器件、和金属与半导体接触的肖特基二极管。 其优点是： (1)碳化硅单载流子器件漂移区薄，开态电阻小。比硅器件小100-300倍。由于有小的导通电阻，碳化硅功率器件
2019-01-11 13:42:03
碳化硅MOSFET开关频率到100Hz为什么波形还变差了
2015-06-01 15:38:39
充电器、电机和太阳能逆变器，不仅可以从这些新器件中受益匪浅，不仅在效率上，而且在尺寸上，可实现高功率、高温操作。但是，不仅器件的特性让人对新设计充满好奇，也是意法半导体的战略。碳化硅（SiC）技术是意
2023-02-24 15:03:59
本文的目的是分析碳化硅MOSFET的短路实验(SCT)表现。具体而言，该实验的重点是在不同条件下进行专门的实验室测量，并借助一个稳健的有限元法物理模型来证实和比较测量值，对短路行为的动态变化进行深度评估。
2019-08-02 08:44:07
阻并提高可靠性。东芝实验证实，与现有SiC MOSFET相比，这种设计结构在不影响可靠性的情况下[1]，可将导通电阻[2]（RonA）降低约20%。功率器件是管理各种电子设备电能，降低功耗以及实现碳中和
2023-04-11 15:29:18
。 功率半导体就是这样。在首度商业化时，碳化硅的创新性和较新的颠覆性技术必然很昂贵，尽管认识到了与硅基产品（如IGBT和Si-MOSFET）相比的潜在优势，大多数工程师还是把它放在了“可有可无”的清单
2023-02-27 14:28:47
反向恢复电流，其关断过程很快，开关损耗很小。由于碳化硅材料的临界雪崩击穿电场强度较高，可以制作出超过1000V的反向击穿电压。在3kV以上的整流器应用领域，由于SiC PiN二极管与Si器件相比具有更快
2019-10-24 14:21:23
开关电源输出整流部分如果用碳化硅肖特基二极管可以用实现更高的直流电输出。 2、SiCMOSFET 对于传统的MOSFET，它的导通状态电阻很大，开关损耗很大，额定工作结温低，但是SiCMOSFET
2020-06-28 17:30:27
圆盘的能量吸收范围高达 122,290J，允许圆盘组件具有数十兆焦耳的极高能量吸收额定值。 电气参数 EAK碳化硅磁盘应用来自雷电、电感或电容耦合的电源过电压。开关带感性负载的触点。变压器、电机
2024-03-08 08:37:49
进一步了解碳化硅器件是如何组成逆变器的。
2021-03-16 07:22:13
今天我们来聊聊碳化硅器件的特点
2021-03-16 08:00:04
超过40%，其中以碳化硅材料（SiC）为代表的第三代半导体大功率电力电子器件是目前在电力电子领域发展最快的功率半导体器件之一。根据中国半导体行业协会统计，2019年中国半导体产业市场规模达7562亿元
2021-01-12 11:48:45
大量采用持续稳定的线路板；在引擎室中，由于高温环境和LED 灯源的散热要求，现有的以树脂、金属为基材的电路板不符合使用要求，需要散热性能更好碳化硅电路板，例如斯利通碳化硅基板；在高频传输与无线雷达侦测
2020-12-16 11:31:13
在设计功率转换器时，碳化硅（SiC）等宽带隙（WBG）技术现在是组件选择过程中的现实选择。 在设计功率转换器时，碳化硅（SiC）等宽带隙（WBG）技术现在是组件选择过程中的现实选择。650V
2023-02-23 17:11:32
。强氧化气体在1000℃以上与SiC反应，并分解SiC.水蒸气能促使碳化硅氧化在有50%的水蒸气的气氛中，能促进绿色碳化硅氧化从100℃开始，随着温度的提高，氧化程度愈为明显，到1400℃时为最大
2019-07-04 04:20:22
的化学惰性• 高导热率• 低热膨胀这些高强度、较持久耐用的陶瓷广泛用于各类应用，如汽车制动器和离合器，以及嵌入防弹背心的陶瓷板。碳化硅也用于在高温和/或高压环境中工作的半导体电子设备，如火焰点火器、电阻加热元件以及恶劣环境下的电子元器件。
2019-07-02 07:14:52
碳化硅作为现在比较好的材料，为什么应用的领域会受到部分限制呢？
2021-08-19 17:39:39
，热导率是硅材料的3倍，电子饱和漂移速率是硅的2倍，临界击穿场强更是硅的10倍。材料特性对比如图（1）所示。 图（1） 4H型碳化硅与硅基材料特性对比 在硅基半导体器件性能已经进入瓶颈期时，碳化硅材料
2023-02-28 16:55:45
，能够有效降低产品成本、体积及重量。 碳化硅具有载流子饱和速度高和热导率大的特点，应用开关频率可达到1MHz，在高频应用中优势明显，其中碳化硅肖特基二极管（SiC JBS）耐压可以达到6000V以上
2023-02-28 16:34:16
半导体行业协会统计，2019年中国半导体产业市场规模达7562亿元，同比增长15.77%。2020年H1，中国集成电路产业销售额为3539亿元，同比增长16.1%。每一次材料的更新换代，都是产业的一次革命。碳化硅陶瓷基板在高铁、太阳能光伏、风能、电力输送、UPS不间断电源等电力电子领域均有不小单的作用。
2021-03-25 14:09:37
哪位大神知道CISSOID碳化硅驱动芯片有几款,型号是什么
2020-03-05 09:30:32
SIC碳化硅二极管
2016-11-04 15:50:11
对比 我们采用双脉冲的方法来比较一下基本半导体1200V 80mΩ 的碳化硅MOSFET的两种封装B1M080120HC（TO-247-3）和B1M080120HK（TO-247-4）在相同条件下
2023-02-27 16:14:19
，利用SiC MOSFET来作为永磁同步电机控制系统中的功率器件，可以降低驱动器损耗，提高开关频率，降低电流谐波和转矩脉动。本项目中三相逆变器拟打算使用贵公司的SiC MOSFET，验证碳化硅功率器件
2020-04-21 16:04:04
什么是碳化硅（SiC）？它有哪些用途？碳化硅（SiC）的结构是如何构成的？
2021-06-18 08:32:43
近年来，因为新能源汽车、光伏及储能、各种电源应用等下游市场的驱动，碳化硅功率器件取得了长足发展。更快的开关速度，更好的温度特性使得系统损耗大幅降低，效率提升，体积减小，从而实现变换器的高效高功率密度
2022-03-29 10:58:06
应用领域，SiC和GaN形成竞争。随着碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)等新材料陆续应用在二极管、场效晶体管(MOSFET)等组件上，电力电子产业的技术大革命已揭开序幕。这些新组件虽然在成本上仍比传统硅
2021-09-23 15:02:11
，在这些环境中，传统的硅基电子设备无法工作。碳化硅在高温、高功率和高辐射条件下运行的能力将提高各种系统和应用的性能，包括飞机、车辆、通信设备和航天器。今天，SiC MOSFET是长期可靠的功率器件。未来，预计多芯片电源或混合模块将在SiC领域发挥更重要的作用。
2022-06-13 11:27:24
电机驱动。碳化硅器件和碳化硅模组可用于太阳能发电、风力发电、电焊机、电力机车、远距离输电、服务器、家电、电动汽车、充电桩等用途。创能动力于2015年在国内开发出6英寸SiC制造技术，2017年推出基于6
2023-02-22 15:27:51
功率器件在工业应用中的解决方案，议程分为：功率分立器件概览 、 IGBT产品3、高压MOSFET 、 碳化硅Mosfet、碳化硅二极管和整流器、氮化镓PowerGaN、工业电源中的应用和总结八个部分。
2023-09-05 06:13:28
本文重点介绍赛米控碳化硅在功率模块中的性能，特别是SEMITRANS 3模块和SEMITOP E2无基板模块。 分立器件（如 TO-247）是将碳化硅集成到各种应用中的第一步，但对于更强大和更
2023-02-20 16:29:54
的硅基IGBT和碳化硅肖特基二极管合封，在部分应用中可以替代传统的IGBT （硅基IGBT与硅基快恢复二极管合封），使得IGBT的开关损耗大幅降低。这款混合碳化硅分立器件的性能介于超结MOSFET
2023-02-28 16:48:24
电源和高压直流工业电源等三相隔离变换器中（图3）。本图比较了15KW市面上量产硅MOSFET方案和本碳化硅MOSFETR的20KW方案的尺寸和拓扑，从结果上看，该碳化硅MOSFET器件由于自身的高频高压
2016-08-05 14:32:43
对于高压开关电源应用，碳化硅或SiC MOSFET带来比传统硅MOSFET和IGBT明显的优势。在这里我们看看在设计高性能门极驱动电路时使用SiC MOSFET的好处。
2018-08-27 13:47:31
用碳化硅MOSFET设计一个双向降压-升压转换器
2021-02-22 07:32:40
采用沟槽型、低导通电阻碳化硅MOSFET芯片的半桥功率模块系列 产品型号 BMF600R12MCC4 BMF400R12MCC4 汽车级全碳化硅半桥MOSFET模块Pcore2
2023-02-27 11:55:35
。碳化硅器件的结电容更小，栅极电荷低，因此，开关速度极快，开关过程中的 dv/dt 和 di/dt 均极高。虽然器件开关损耗显著降低，但传统封装中杂散电感参数较大，在极高的 di/dt 下会产生更大
2023-02-22 16:06:08
新型材料铝碳化硅解决了封装中的散热问题，解决各行业遇到的各种芯片散热问题，如果你有类似的困惑，欢迎前来探讨，铝碳化硅做封装材料的优势它有高导热，高刚度，高耐磨，低膨胀，低密度，低成本，适合各种产品的IGBT。我西安明科微电子材料有限公司的赵昕。欢迎大家有问题及时交流，谢谢各位！
2016-10-19 10:45:41
概要：本文将讨论谐振LLC和移相（Phase Shift）两种隔离DC/DC拓扑的性能特点以及在新能源汽车电源中的应用，然后针对宽禁带碳化硅MOSFET对两种隔离DC/DC拓扑的应用进行了比较，并
2016-08-25 14:39:53
风险，配置合适的短路保护电路，可以有效减少开关器件在使用过程中因短路而造成的损坏。与硅IGBT相比，碳化硅MOSFET短路耐受时间更短。 1）硅IGBT： 硅IGBT的承受退保和短路的时间一般小于
2023-02-27 16:03:36
1）。图1.与最新一代IGBT相比，TW070J120B SiC MOSFET的开关速度明显更快，可在功率转换器中提供更高的效率在 3 相 400 V PFC 中仿真，SiC MOSFET
2023-02-22 16:34:53
面向电动汽车的全新碳化硅功率模块 碳化硅在电动汽车应用中代表着更高的效率、更高的功率密度和更优的性能，特别是在800 V 电池系统和大电池容量中，它可提高逆变器的效率，从而延长续航里程或降低电池成本
2021-03-27 19:40:16
，同时在正向电压也减少，耐压也大大超过200V，典型的电压有650V、1200V等，另外在反向恢复造成的损耗方面碳化硅肖特基二极管也有很大优势。在开关电源输出整流部分如果用碳化硅肖特基二极管可以用实现
2023-02-20 15:15:50
最近需要用到干法刻蚀技术去刻蚀碳化硅，采用的是ICP系列设备，刻蚀气体使用的是SF6+O2，碳化硅上面没有做任何掩膜，就是为了去除SiC表面损伤层达到表面改性的效果。但是实际刻蚀过程中总是会在碳化硅
2022-08-31 16:29:50
IGBT 的三相电机半桥的高侧和低侧功率级，并能够监控和保护各种故障情况。图1：电动汽车牵引逆变器框图碳化硅 MOSFET 米勒平台和高强度栅极驱动器的优势特别是对于SiC MOSFET，栅极驱动器IC
2022-11-02 12:02:05
；启用更小；打火机; 在更广泛的电力系统中实现高效的电源转换。650 V MOSFET 产品系列非常适合包括高性能工业电源在内的应用；服务器/电信电源；电动汽车充
2022-05-21 11:12:51
；启用更小；打火机; 在更广泛的电力系统中实现高效的电源转换。650 V MOSFET 产品系列非常适合包括高性能工业电源在内的应用；服务器/电信电源；电动汽车充
2022-05-21 11:41:58
的领先地位；启用更小；打火机; 在更广泛的电力系统中实现高效的电源转换。650 V MOSFET 产品系列非常适合包括高性能工业电源在内的应用；服务器/电信电源；电动汽车
2022-05-21 12:35:38
；启用更小；打火机; 在更广泛的电力系统中实现高效的电源转换。650 V MOSFET 产品系列非常适合包括高性能工业电源在内的应用；服务器/电信电源；电动汽车充
2022-05-21 15:52:28
；启用更小；打火机; 在更广泛的电力系统中实现高效的电源转换。650 V MOSFET 产品系列非常适合包括高性能工业电源在内的应用；服务器/电信电源；电动汽车充
2022-05-21 16:01:31
的领先地位；启用更小；打火机; 在更广泛的电力系统中实现高效的电源转换。650 V MOSFET 产品系列非常适合包括高性能工业电源在内的应用；服务器/电信电源；电动汽车
2022-05-21 16:29:09
的领先地位；启用更小；打火机; 在更广泛的电力系统中实现高效的电源转换。650 V MOSFET 产品系列非常适合包括高性能工业电源在内的应用；服务器/电信电源；电动汽车
2022-05-21 16:32:55
；启用更小；打火机; 在更广泛的电力系统中实现高效的电源转换。650 V MOSFET 产品系列非常适合包括高性能工业电源在内的应用；服务器/电信电源；电动汽车充
2022-05-21 16:42:00
；启用更小；打火机; 在更广泛的电力系统中实现高效的电源转换。650 V MOSFET 产品系列非常适合包括高性能工业电源在内的应用；服务器/电信电源；电动汽车充
2022-05-21 16:51:45
的领先地位；启用更小；打火机; 在更广泛的电力系统中实现高效的电源转换。650 V MOSFET 产品系列非常适合包括高性能工业电源在内的应用；服务器/电信电源；电动汽车
2022-05-21 17:01:57
；启用更小；打火机; 在更广泛的电力系统中实现高效的电源转换。650 V MOSFET 产品系列非常适合包括高性能工业电源在内的应用；服务器/电信电源；电动汽车充
2022-05-21 17:40:51
；启用更小；打火机; 在更广泛的电力系统中实现高效的电源转换。650 V MOSFET 产品系列非常适合包括高性能工业电源在内的应用；服务器/电信电源；电动汽车充
2022-05-21 17:52:20
；启用更小；打火机; 在更广泛的电力系统中实现高效的电源转换。650 V MOSFET 产品系列非常适合包括高性能工业电源在内的应用；服务器/电信电源；电动汽车充
2022-05-21 18:00:35
；启用更小；打火机; 在更广泛的电力系统中实现高效的电源转换。650 V MOSFET 产品系列非常适合包括高性能工业电源在内的应用；服务器/电信电源；电动汽车充
2022-05-21 21:40:15
的领先地位；启用更小；打火机; 在更广泛的电力系统中实现高效的电源转换。650 V MOSFET 产品系列非常适合包括高性能工业电源在内的应用；服务器/电信电源；电动汽车
2022-05-21 21:44:57
；启用更小；打火机; 在更广泛的电力系统中实现高效的电源转换。650 V MOSFET 产品系列非常适合包括高性能工业电源在内的应用；服务器/电信电源；电动汽车充
2022-05-21 21:54:44
；启用更小；打火机; 在更广泛的电力系统中实现高效的电源转换。650 V MOSFET 产品系列非常适合包括高性能工业电源在内的应用；服务器/电信电源；电动汽车充
2022-05-21 22:04:32
(SiC) 技术领先地位；启用更小；打火机; 在更广泛的电力系统中实现高效的电源转换。650 V SiC MOSFET 是高性能工业电源等应用的理想选择；服务器/电信电
2022-06-04 19:44:22
(SiC) 技术领先地位；启用更小；打火机; 在更广泛的电力系统中实现高效的电源转换。650 V SiC MOSFET 是高性能工业电源等应用的理想选择；服务器/电信电
2022-06-04 19:50:42
(SiC) 技术领先地位；启用更小；打火机; 在更广泛的电力系统中实现高效的电源转换。650 V SiC MOSFET 是高性能工业电源等应用的理想选择；服务器/电信电
2022-06-04 19:55:23
碳化硅MOSFET桥臂电路串扰抑制方法_钟志远
2017-01-04 16:32:50
17 采用具备更佳导电性能的碳化硅器件的服务器的耗电量大幅度降低
2018-07-11 02:18:00
2734 支持电动和混合动力汽车、数据中心和辅助电源等高频、高效电源控制应用 Littelfuse公司，今日宣布推出其首款1700V碳化硅MOSFET LSIC1MO170E1000，扩充了其碳化硅MOSFET器件组合。
2018-11-03 11:02:414694 在高端应用领域，碳化硅MOSFET已经逐渐取代硅基IGBT。以碳化硅、氮化镓领衔的宽禁带半导体发展迅猛，被认为是有可能实现换道超车的领域。
2022-07-06 12:49:161072 基本半导体碳化硅MOSFET B1M080120HC(替代C2M0080120D)助力光伏逆变器设计
2022-08-27 15:57:02567 
碳化硅MOSFET技术是一种半导体技术，它可以用于控制电流和电压，以及检测电阻、电容、电压和电流等参数，以确定电子设备是否正常工作。碳化硅MOSFET技术的关键技术包括结构设计、材料选择、工艺制程、测试技术等。
2023-02-15 16:19:007598 我们拿慧制敏造出品的KNSCHA碳化硅功率器件：碳化硅二极管和碳化硅MOSFET展开说明。碳和硅进过化合先合成碳化硅，然后碳化硅打磨成为粉末，碳化硅粉末经过碳化硅单晶生长成为碳化硅晶锭；碳化硅
2023-02-21 10:04:111693 
系统提出了更高的要求，即更轻、更紧凑、更高效、更可靠，本文重点提到基本半导体碳化硅MOSFET B1M160120HC助力车载充电器实现更快充电和更远的续航里程。 B1M160120HC主要用于用于电动汽车的车载充电和高压DCDC转换，可提高能效并缩
2023-04-19 09:41:41729 
B1M160120主要用于电动汽车的车载充电和高压DCDC转换，可提高能效并缩短电动汽车的充电时间，器件专用于大功率车载充电器，其更低的导通电阻使得碳化硅电力电子器件具有更小的导通损耗，从而能获得更高的整机效率；
2023-05-11 10:28:55361 
MOSFET相比传统的硅MOSFET具有更高的电子迁移率、更高的耐压、更低的导通电阻、更高的开关频率和更高的工作温度等优点。因此，碳化硅MOSFET可以被广泛应用于能源转换、交流/直流电源转换、汽车和航空航天等领域。
2023-06-02 15:33:151182 来源：碳化硅芯观察对于碳化硅MOSFET(SiCMOSFET)而言，高质量的衬底可以从外部购买得到，高质量的外延片也可以从外部购买到，可是这只是具备了获得一个碳化硅器件的良好基础，高性能的碳化硅器件
2023-04-07 11:16:201221 
随着国内对碳化硅技术的日益重视和不断加大的研发投入，国内碳化硅MOSFET芯片设计的水平逐步提升，研究和应用领域也在不断扩展。
2023-08-10 18:17:49855 
B1M160120HC对标科锐C2M0160120D规格书下载
2022-09-22 14:07:400 碳化硅MOSFET尖峰的抑制
2023-11-28 17:32:26322 
碳化硅MOSFET在高频开关电路中的应用优势 碳化硅MOSFET是一种新型的功率半导体器件，具有在高频开关电路中广泛应用的多个优势。 1. 高温特性： 碳化硅MOSFET具有极低的本征载流子浓度
2023-12-21 10:51:03357 共读好书 碳化硅是第三代半导体产业发展的重要基础材料，碳化硅功率器件以其优异的耐高压、耐高温、低损耗等性能，能够有效满足电力电子系统的高效率、小型化和轻量化要求。 碳化硅MOSFET具有高频高效
2024-02-21 18:24:15412 
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