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中国SiC碳化硅器件行业技术情况研究报告
- SiC(61351)
- 碳化硅(47293)
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碳化硅（SiC），通常被称为金刚砂，是唯一由硅和碳构成的合成物。虽然在自然界中以碳硅石矿物的形式存在，但其出现相对罕见。然而，自从1893年以来，粉状碳化硅就已大规模生产，用作研磨剂。碳化硅在研磨领域有着超过一百年的历史，主要用于磨轮和多种其他研磨应用。
2023-09-08 15:24:02
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600V碳化硅二极管SIC SBD选型
极快反向恢复速度的600V-1200V碳化硅肖特基二极管芯片及成品器件 。海飞乐技术600V碳化硅二极管现货选型相比于Si半导体材料，SiC半导体材料具有禁带宽度较大、临界电场较大、热导率较高的特点，SiC
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碳化硅 （SiC）：历史与应用
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54【大神课堂】碳化硅 (SiC)：历史与应用
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高技术耐火原料中，碳化硅为应用最广泛、最经济的一种，可以称为金钢砂或耐火砂。中国工业生产的碳化硅分为黑色碳化硅和绿色碳化硅两种，均为六方晶体，比重为3.20～3.25。
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功率半导体碳化硅（SiC）技术 Silicon Carbide Adoption Enters Next Phase 碳化硅（SiC）技术的需求继续增长，这种技术可以最大限度地提高当今电力系统的效率
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sic碳化硅电机 碳化硅（SiC）器件损耗小、耐高温并能高频运行，被公认为将推动新能源汽车领域产生重大技术变革。世界各工业强国和大型跨国公司纷纷投入了大量的人力物力，特斯拉等国外车企开发的SiC电机
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SiC器件是一种新型的硅基 MOSFET，特别是 SiC功率器件具有更高的开关速度和更宽的输出频率。SiC功率芯片主要由 MOSFET和 PN结组成。
在众多半导体器件中，碳化硅材料具有低热
2023-03-03 14:18:564079
40796.3.5.3 界面氮化∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》
6.3.5.3界面氮化6.3.5氧化硅/SiC界面特性及其改进方法6.3氧化及氧化硅/SiC界面特性第６章碳化硅器件工艺《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》往期内容：6.3.5.2氧化
2022-01-17 09:18:16613
613
6.3.7 迁移率限制因素∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》
6.3.7迁移率限制因素6.3氧化及氧化硅/SiC界面特性第６章碳化硅器件工艺《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》往期内容：6.3.6不同晶面上的氧化硅/SiC界面特性∈《碳化硅技术
2022-01-21 09:37:00736
7366.3.5.1 界面态分布∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》
6.3.5.1界面态分布6.3.5氧化硅/SiC界面特性及其改进方法6.3氧化及氧化硅/SiC界面特性第６章碳化硅器件工艺《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》往期内容：6.3.4.8其他
2022-01-12 10:00:29744
7446.3.6 不同晶面上的氧化硅/SiC 界面特性∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》
6.3.6不同晶面上的氧化硅/SiC界面特性6.3氧化及氧化硅/SiC界面特性第６章碳化硅器件工艺《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》往期内容：6.3.5.5界面的不稳定性∈《碳化硅技术
2022-01-21 09:35:56706
7066.3.4.3 确定表面势、6.3.4.4 Terman法∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》
6.3.4.4Terman法6.3.4.3确定表面势6.3.4电学表征技术及其局限性6.3氧化及氧化硅/SiC界面特性第６章碳化硅器件工艺《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》往期内
2022-01-07 11:49:21725
7256.5 总结∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》
6.5总结第６章碳化硅器件工艺《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》往期内容：6.4.2.3p型SiC的欧姆接触∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》6.4.2.2n型SiC
2022-01-27 09:16:44861
8616.3.5.4 其他方法∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》
6.3.5.4其他方法6.3.5氧化硅/SiC界面特性及其改进方法6.3氧化及氧化硅/SiC界面特性第６章碳化硅器件工艺《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》往期内容：6.3.5.3界面
2022-01-18 09:28:24662
6626.3.5.2 氧化后退火∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》
6.3.5.2氧化后退火6.3.5氧化硅/SiC界面特性及其改进方法6.3氧化及氧化硅/SiC界面特性第６章碳化硅器件工艺《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》往期内容：6.3.5.1界面
2022-01-13 11:21:29631
6316.3.2 氧化硅的介电性能∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》
6.3.2氧化硅的介电性能6.3氧化及氧化硅/SiC界面特性第６章碳化硅器件工艺《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》往期内容：6.3.1氧化速率∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件
2022-01-04 14:11:56775
7756.4.1.1 基本原理∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》
6.1.1.1基本原理6.4.1n型和p型SiC的肖特基接触6.4金属化第６章碳化硅器件工艺《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》往期内容：6.3.7迁移率限制因素∈《碳化硅技术基本原理
2022-01-24 14:08:51807
8077.1.1 阻断电压∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》
7.1.1阻断电压7.1SiC功率开关器件简介第７章单极型和双极型功率二极管《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》往期内容：6.5总结∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件
2022-02-07 16:12:08568
5686.3.4.6 C-Ψs方法∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》
6.3.4.6C-Ψs方法6.3.4电学表征技术及其局限性6.3氧化及氧化硅/SiC界面特性第６章碳化硅器件工艺《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》往期内容：6.3.4.5高低频方法
2022-01-10 14:04:39631
6316.3.4.7 电导法∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》
6.3.4.7电导法6.3.4电学表征技术及其局限性6.3氧化及氧化硅/SiC界面特性第６章碳化硅器件工艺《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》往期内容：6.3.4.6C-Ψs方法
2022-01-12 10:44:27394
3947.1.2 单极型功率器件优值系数∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》
7.1.2单极型功率器件优值系数7.1SiC功率开关器件简介第７章单极型和双极型功率二极管《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》往期内容：7.1.1阻断电压∈《碳化硅技术基本原理——生长
2022-02-07 15:01:28396
3966.4.1.2 SiC上的肖特基接触∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》
6.4.1.2SiC上的肖特基接触6.4.1n型和p型SiC的肖特基接触6.4金属化第６章碳化硅器件工艺《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》往期内容：6.4.1.1基本原理∈《碳化硅技术
2022-01-24 10:22:28480
4806.3.4.1 SiC特有的基本现象∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》
6.3.4.1SiC特有的基本现象6.3.4电学表征技术及其局限性6.3氧化及氧化硅/SiC界面特性第６章碳化硅器件工艺《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》往期内容：6.3.3热氧化氧化硅
2022-01-05 13:59:37493
4936.4.2.1 基本原理∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》
6.4.2.1基本原理6.4.2n型和p型SiC的欧姆接触6.4金属化第６章碳化硅器件工艺《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》往期内容：6.4.1.2SiC上的肖特基接触∈《碳化硅技术
2022-01-24 10:09:121034
10346.4.2.2 n型SiC的欧姆接触∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》
6.4.2.2n型SiC的欧姆接触6.4.2n型和p型SiC的欧姆接触6.4金属化第６章碳化硅器件工艺《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》往期内容：6.4.2.1基本原理∈《碳化硅技术
2022-01-25 09:18:08743
7436.3.4.2 MOS电容等效电路∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》
6.3.4.2MOS电容等效电路6.3.4电学表征技术及其局限性6.3氧化及氧化硅/SiC界面特性第６章碳化硅器件工艺《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》往期内容：6.3.4.1SiC
2022-01-07 14:24:25420
4205.3.2.1 寿命控制∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》
5.3.2.1寿命控制5.3.1SiC中的主要深能级缺陷5.3SiC中的点缺陷第５章碳化硅的缺陷及表征技术《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》往期内容：5.3.2载流子寿命“杀手
2022-01-06 09:38:25510
5105.3.2 载流子寿命“杀手”∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》
5.3.2载流子寿命“杀手”5.3.1SiC中的主要深能级缺陷5.3SiC中的点缺陷第５章碳化硅的缺陷及表征技术《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》往期内容：5.3.1.2杂质∈《碳化硅
2022-01-06 09:37:40535
5355.3.1.2 杂质∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》
5.3.1.2杂质5.3.1SiC中的主要深能级缺陷5.3SiC中的点缺陷第５章碳化硅的缺陷及表征技术《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》往期内容：5.3.1.1本征缺陷∈《碳化硅技术
2022-01-06 09:30:23552
5525.3.1.1 本征缺陷∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》
5.3.1.1本征缺陷5.3.1SiC中的主要深能级缺陷5.3SiC中的点缺陷第５章碳化硅的缺陷及表征技术《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》往期内容：5.2.3扩展缺陷对SiC器件性能
2022-01-06 09:27:16693
6936.4.2.3 p型SiC的欧姆接触∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》
6.4.2.3p型SiC的欧姆接触6.4.2n型和p型SiC的欧姆接触6.4金属化第６章碳化硅器件工艺《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》往期内容：6.4.2.2n型SiC的欧姆接触
2022-01-26 10:08:16636
6365.2.3 扩展缺陷对SiC器件性能的影响∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》
5.2.3扩展缺陷对SiC器件性能的影响5.2SiC的扩展缺陷第５章碳化硅的缺陷及表征技术《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》往期内容：5.2.1SiC主要的扩展缺陷&5.2.2
2022-01-06 09:25:55621
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碳化硅功率器件：革命性的封装技术揭秘
碳化硅(SiC)作为一个新兴的宽带隙半导体材料，已经吸引了大量的研究关注。其优越的电气性能、高温稳定性和高频响应使其在功率电子器件领域中具有巨大的应用潜力。但要完全发挥SiC功率器件的潜力，封装技术同样至关重要。本文主要探讨碳化硅功率器件封装的三个关键技术。
2023-08-15 09:52:11701
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碳化硅SiC功率器件，全球市场总体规模，前三十大厂商排名及市场份额
本文研究SiC碳化硅功率模块及分立器件，功率模块主要包括碳化硅MOSFET模块（SiC MOSFET Module），分立器件包括碳化硅MOSFET分立器件和碳化硅二极管（主要是碳化硅肖特二极管）。
2023-09-08 11:30:451806
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碳化硅功率器件的原理和应用
随着科技的快速发展，碳化硅（SiC）功率器件作为一种先进的电力电子设备，已经广泛应用于能源转换、电机控制、电网保护等多个领域。本文将详细介绍碳化硅功率器件的原理、应用、技术挑战以及未来发展趋势。
2023-12-16 10:29:20360
360碳化硅功率器件简介、优势和应用
碳化硅（SiC）是一种优良的宽禁带半导体材料，具有高击穿电场、高热导率、低介电常数等特点，因此在高温、高频、大功率应用领域具有显著优势。碳化硅功率器件是利用碳化硅材料制成的电力电子器件，主要包括
2024-01-09 09:26:49379
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