的内部结构，可以在内部工作原理中引导和直流电，以调节它们并将它们带到需要的地方。晶体管就是其中之一。8050型晶体管是一种非常特殊的器件，被归类为负-正-负（NPN）外延放大器晶体管，最常见于无线电
2023-02-16 18:22:30
功率晶体管（GTR）具有控制方便、开关时间短、通态压降低、高频特性好、安全工作区宽等优点。但存在二次击穿问题和耐压难以提高的缺点，阻碍它的进一步发展。—、结构特性1、结构原理功率晶体管是双极型大功率
2018-01-15 11:59:52
功率晶体管（GTR）具有控制方便、开关时间短、通态压降低、高频特性好、安全工作区宽等优点。但存在二次击穿问题和耐压难以提高的缺点，阻碍它的进一步发展。—、结构特性1、结构原理功率晶体管是双极型大功率
2018-01-25 11:27:53
`功率场效应晶体管(MOSFET)原理`
2012-08-20 09:10:49
的B和C对称、和E极同样是N型。也就是说，逆接C、E也同样有晶体管的功效。即电流由E→C流动。3. 逆向晶体管有如下特点。hFE低（正向约10%以下）耐压低 (7 to 8Ｖ 与VEBO一样低)↑通用
2019-04-09 21:27:24
是，最大输出电流时产生0.2 V压降。功率场效应管可以无需任何外接元件而直接并联，因为其漏极电流具有负温度系数。
1、晶体管的Vbe扩散现象是什么原理，在此基础上为什么要加电阻？
2、场效应管无需任何外接
2024-01-26 23:07:21
晶体管之间的差异性：就三极管，mos管和可控硅之间的差别和相同点的相关概念有点模糊，请各位大侠指点！！！
2016-06-07 23:27:44
？5. 连续脉冲？单脉冲？6. 平均功耗是否在周围温度的额定功率以下？功率计算的积分公式使晶体管工作会产生电气负载和热负载。对晶体管来讲，负载太大寿命会缩短，最坏的情况下会导致晶体管被破坏。为防止这种
2019-04-15 06:20:06
什么是电阻测量法？晶体管共发射极电路特点有哪些？
2021-09-27 08:33:35
及制造工艺分类 晶体管按其结构及制造工艺可分为扩散型晶体管、合金型晶体管和平面型晶体管。 按电流容量分类 晶体管按电流容量可分为小功率晶体管、中功率晶体管和大功率晶体管按工作频率分类 晶体管按
2010-08-12 13:59:33
晶体管的电流方向相反。如果使晶体管以开关方式工作，需要加大基极电流晶体管VCE的饱和状态当晶体管处于开关工作方式时，因为电源电压和集电极电阻的限制，集电极IC不足以提供hFEIB大小的电流。因此
2017-03-28 15:54:24
放大器、电压／电流反馈放大电路、晶体管／FET开关电路、模拟开关电路、开关电源、振荡电路等。上册则主要介绍放大电路的工作、增强输出的电路、功率放大器的设计与制作、拓宽频率特性等。`
2019-03-06 17:29:48
，发射极E接红表笔；PNP管的集电极C接红表笔，发射极E接黑表笔。正常时，锗材料的小功率晶体管和中功率晶体管的电阻值一般大于10Kω（用R×100档测，电阻值大于2kΩ），锗大功率晶体管的电阻值为1.5k
2012-04-26 17:06:32
在PROTUES中如何改变晶体管的放大倍数？有的器件有放大倍数改变的参数。另外，不同的仿真模型参数不同如何改变？
2014-02-28 08:42:03
；频率特性和通频带。难点：静态工作点调整。[理论内容]一、电路工作原理及基本关系式1、工作原理晶体管放大器中广泛应用如图1所示的电路，称之为阻容耦合共射极放大器。它采用的是分压式电流负反馈偏置电路
2009-03-20 10:02:58
供应晶圆芯片，型号有： 可控硅， 中、大功率晶体管，13000系列晶体管，达林顿晶体管，高频小信号晶体管，开关二极管，肖特基二极管，稳压二极管等。有意都请联系：沈女士***
2020-02-17 16:24:13
晶体管测量模块的基本特性有哪些？晶体管测量模块的基本功能有哪些？
2021-09-24 07:37:23
从事电子设计7年了，发觉这两本书挺好的，发上来给大家分享一下附件晶体管电路设计（上）放大电路技术的实验解析.pdf42.5 MB晶体管电路设计（下）FET_功率MOS_开关电路的实验解析.rar.zip47.2 MB
2018-12-13 09:04:31
`非常不错的晶体管电路设计书籍！`
2016-11-08 14:12:33
晶体管电路设计丛书上册晶体管电路设计(pdf电子书下载):是“实用电子电路设计丛书”之一，共分上下二册。本书作为上册主要内容有晶体管工作原理，放大电路的性能、设计与应用，射极跟随器的性能与应用电
2009-11-20 09:41:18
等同hFE，甚至相差很大，所以不要将其混淆。β和hFE大小除了与晶体管结构和工艺等有关外，还与管子的工作电流（直流偏置）有关，工作电流IC在正常情况下改变时，β和hFE也会有所变化；若工作电流变得过小或
2018-06-13 09:12:21
晶体管的主要参数有哪些？晶体管的开关电路是怎样的？
2021-06-07 06:25:09
晶体管的代表形状晶体管分类图：按照该分类，掌握其种类1. 按结构分类根据工作原理不同分类，分为双极晶体管和单极晶体管。双极晶体管双是指Bi（2个）、极是指Polar（极性）。双极晶体管，即流经构成
2019-04-10 06:20:24
是基于代表性的特性进行的，因此存在个别不吻合的内容。请理解为整体的倾向、特征。另外，这些晶体管的结构、工作原理与代表性的参数如下。双极晶体管（图中以NPN为例）由PN结组成，通过在基极流过电流，而在集电极
2018-11-28 14:29:28
相对于晶体管的主要评估项目的特征。 对于各项目的评估是基于代表性的特性进行的，因此存在个别不吻合的内容。请理解为整体的倾向、特征。另外，这些晶体管的结构、工作原理与代表性的参数如下。 双极晶体管
2020-06-09 07:34:33
控制大功率现在的功率晶体管能控制数百千瓦的功率，使用功率晶体管作为开关有很多优点，主要是；(1)容易关断，所需要的辅助元器件少，(2)开关迅速，能在很高的频率下工作，(3)可得到的器件耐压范围从
2018-10-25 16:01:51
晶体管概述的1. 1948年、在贝尔电话研究所诞生。1948年，晶体管的发明给当时的电子工业界来带来了前所未有的冲击。而且，正是这个时候成为了今日电子时代的开端。之后以计算机为首，电子技术取得急速
2019-05-05 00:52:40
）用业收集电子。晶体管的发射极电流IE与基极电流IB、集电极电流IC之间的关系如下：IE=IB+IC3．晶体管的工作条件晶体管属于电流控制型半导体器件，其放大特性主要是指电流放大能力。所谓放大，是指当
2013-08-17 14:24:32
、S9012、S9014、S9015、2N5551、2N5401、BC337、BC338、BC548、BC558等型号的小功率晶体管，可根据电路的要求选择晶体管的材料与极性，还要考虑被选晶体管的耗散
2012-01-28 11:27:38
的偏置条件及其特点如表 2.1 所列。 表 2.1 晶体管的三种工作状态 [/td][/td][td=1,2,76][/td][td]U C > U B > U EU C < U B
2021-05-13 06:43:22
的B和C对称、和E极同样是N型。也就是说，逆接C、E也同样有晶体管的功效。即电流由E→C流动。3. 逆向晶体管有如下特点。hFE低（正向约10%以下）耐压低 (7 to 8Ｖ 与VEBO一样低)↑通用
2019-05-09 23:12:18
晶体管 &
2010-08-12 13:57:39
硬之城,晶体管这个词仅是对所有以半导体材料为基础的元件的统称，那么问题来了，晶体管有哪些类型，其工作原理又是什么呢?一、晶体管工作原理晶体管，英文名称为transistor，泛指一切以半导体材料为
2016-06-29 18:04:43
利用半导体的特性，每个管子工作原理个不同，你可以找机电方面的书看 下图中的S是指源极(Source)，D是指漏极(Drain)，G是栅极(Gate)。晶体管的工作原理其实很简单，就是用两个状态表
2017-08-03 10:33:03
电子，雷达和微波应用生产全系列AM晶体管。 这些AM晶体管最初由Microwave Semiconductor Corp.和S.T.制造。 ASI的AM晶体管覆盖60 MHz至3.0 GHz的范围，功率
2018-07-17 15:08:03
脉冲功率。 在没有外部调谐的情况下，所有设备都在宽带RF测试夹具中100％屏蔽了大信号RF参数。硅双极匹配50欧姆210W输出功率经过100％大功率射频测试C级操作IB0607S10功率晶体管
2021-04-01 10:07:29
`IB0912M600是一种高功率脉冲晶体管器件，设计用于在0.960-1.215 GHz瞬时带宽上运行的系统。 当在规定的脉冲条件下且VCC = 50V时以C类模式工作时，该通用基本设备可提供至少
2021-04-01 09:41:49
`IB0912M600是一种高功率脉冲晶体管器件，设计用于在0.960-1.215 GHz瞬时带宽上运行的系统。 当在规定的脉冲条件下且VCC = 50V时以C类模式工作时，该通用基本设备可提供至少
2021-04-01 10:29:42
`IB1011M800是高功率脉冲航空电子晶体管，专为工作在1.03-1.09 GHz的L波段航空电子系统而设计。 当在VCC = 50V的模式S脉冲突发条件下以C类模式运行时，此通用基本设备可提供
2021-04-01 10:11:46
`IB2729M170是专为S波段ATC雷达系统设计的大功率脉冲晶体管，该系统工作在2.7-2.9 GHz的瞬时带宽上。 在C类模式下工作时，该通用基础设备在100µs脉冲宽度和10％占空比的条件下
2021-04-01 09:48:36
`IDM165L650是一种高功率脉冲晶体管，专为工作于0.125-0.167 GHz的Sub-1 GHz系统而设计。 该双MOSFET器件以1ms的脉冲宽度和20％的占空比工作，在瞬时工作带宽上以
2021-04-01 10:03:31
电压（与功率MOSFET的低导通电阻相当）和较快的开关特性的晶体管。尽管其具有较快的开关特性，但仍比不上功率MOSFET，这是IGBT的弱点。【功率元器件的基本结构与特点
2019-05-06 05:00:17
电压（与功率MOSFET的低导通电阻相当）和较快的开关特性的晶体管。尽管其具有较快的开关特性，但仍比不上功率MOSFET，这是IGBT的弱点。【功率元器件的基本结构与特点
2019-03-27 06:20:04
，可提供至少250 W的峰值输出功率，通常具有> 24 dB的增益和75％的效率。它通过50 V电源电压工作。 为了获得最佳的热效率，该晶体管封装在带有环氧密封陶瓷盖的金属基封装中。特征
2021-04-01 10:35:32
`IGN2856S40是高功率脉冲晶体管，指定用于AB类操作下。 该晶体管提供2.856 GHz的工作频率，最小40W的峰值脉冲功率，50V和3％的占空比。 该单元采用金线技术通过芯片和线材技术组装
2021-04-01 09:57:55
求大神相助，Multisim里面雪崩晶体管的过压击穿怎么放着那，当我设的电压已经大于了Vcbo滞后还是不见晶体管导通。
2014-08-08 10:42:58
。晶体管NPN型和PNP型结晶体管工作状态晶体管的工作原理类似于电子开关。它可以打开和关闭电流。晶体管背后的基本思想是，它允许您通过改变流经第二个通道的较小电流的强度来控制通过一个通道的电流。1）截止
2023-02-15 18:13:01
称为发射极-基极二极管或发射极二极管。集电极基极二极管，也称为集电极二极管，是集电极和基极之间的结点。五、PNP晶体管的工作原理电压源（VEBpositive）的端子连接到发射极（P型），而负极
2023-02-03 09:44:48
能够在高输出功率电平下承受严苛的负载失配状况而不降低性能或造成器件故障。当晶体管工作在负载失配状态下时，它的输出功率有很大一部分会被反射进器件，此时功率必须在晶体管中耗散掉。但在比较不同耐用性的晶体管时，重要的是检查不同器件制造商达到其耐用性结果的条件，因为不同制造商的测试条件可能有很大变化。
2019-06-26 07:11:37
）= + 25°CSGN19H181M1H砷化镓晶体管SGN19H240M1H砷化镓晶体管SGN21H180M1H砷化镓晶体管SGN21H121M1H砷化镓晶体管SGN21H181M1H砷化镓晶体管
2021-03-30 11:32:19
继前篇内容，继续进行各功率晶体管的比较。本篇比较结构和特征。功率晶体管的结构与特征比较下图是各功率晶体管的结构、耐压、导通电阻、开关速度的比较。使用的工艺技术不同结构也不同，因而电气特征也不同。补充
2018-11-30 11:35:30
工作电压的极性而可分为NPN型或PNP型。双极结型晶体管 双极结型晶体管（Bipolar Junction Transistor—BJT）又称为半导体三极管，它是通过一定的工艺将两个PN结结
2010-08-13 11:36:51
晶体管开关的作用控制大功率 现在的功率晶体管能控制数百千瓦的功率，使用功率晶体管作为开关有很多优点，主要是； (1)容易关断，所需要的辅助元器件少， (2)开关迅速，能在很高的频率下工作
2010-08-13 11:38:59
multisim仿真中高频晶体管BFG35能用哪个晶体管来代替，MFR151管子能用哪个来代替？或是谁有这两个高频管子的原件库？求大神指教
2016-10-26 11:51:18
`内容简介：《晶体管电路设计》(上)是“实用电子电路设计丛书”之一，共分上下二册。《晶体管电路设计》(上)作为上册主要内容有晶体管工作原理，放大电路的性能、设计与应用，射极跟随器的性能与应用电
2017-07-25 15:29:55
利用半导体的特性，每个管子工作原理个不同，可以找机电方面的书看下图中的S是指源极(Source)，D是指漏极(Drain)，G是栅极(Gate)。晶体管的工作原理其实很简单，就是用两个状态表示二进制
2017-09-12 11:10:57
互补晶体管的匹配
2019-10-30 09:02:03
功率晶体管。》 工作频率按工作频率，晶体管可分为低频晶体管、高频晶体管和超高频晶体管。》 包装结构根据封装结构，晶体管可分为金属封装晶体管、塑料封装晶体管、玻璃外壳封装晶体管、表面封装晶体管和陶瓷封装
2023-02-03 09:36:05
目前制造的大功率射频晶体管比以往任何时候都更坚实耐用。针对特高耐用性设计的器件可以承受严重的失配，即使在满输出电平时也是如此。现在多家制造商可提供大功率硅横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)晶体管
2019-08-22 08:14:59
。达林顿通常用于需要低频高增益的地方。常见应用包括音频放大器输出级、功率调节器、电机控制器和显示驱动器。 达林顿晶体管也被称为达林顿对，由贝尔实验室的西德尼达林顿于 1953 年发明。在 1950
2023-02-16 18:19:11
`简介：《晶体管电路设计》(上)是“实用电子电路设计丛书”之一，共分上下二册。《晶体管电路设计》(上)作为上册主要内容有晶体管工作原理，放大电路的性能、设计与应用，射极跟随器的性能与应用电路，小型
2017-06-22 18:05:03
PNP晶体管在哪里使用？放大电路采用PNP晶体管。达林顿对电路采用PNP晶体管。机器人应用利用了PNP晶体管。PNP 晶体管用于控制大功率应用中的电流。如何控制PNP晶体管？首先，为了接通PNP
2023-02-03 09:45:56
导电，故称为单极型晶体管。 单极型晶体管的工作原理 以N沟道增强型MOS场效应管为例说明其工作原理。N沟道增强型MOS管的结构模型如图1所示，它由两个背靠背的PN结组成。 图2是实际结构
2020-06-24 16:00:16
请教：单结晶体管在什么位置，有人说是UJT，但好象用不了呀？
2013-09-26 16:55:49
各位高手，小弟正在学习单结晶体管，按照网上的电路图做的关于单结晶体管的仿真，大多数都不成功，请问谁有成功的单结晶体管的仿真仿真啊，可以分享下吗。
2016-03-04 09:15:06
NPN型双极性晶体管可以视为共用阳极的两个二极管接合在一起。在双极性晶体管的正常工作状态下，基极-发射极结（称这个PN结为“发射结”）处于正向偏置状态，而基极-集电极（称这个PN结为“集电结”）则处于反向偏置状态。
2019-09-26 09:00:23
、漏极电流等参数。选用音频功率放大器推挽输出用VMOS大功率场效应晶体管时，要求两管的各项参数要一致（配对），要有一定的功率余量。所选大功率管的最大耗散功率应为放大器输出功率的0.5~1倍,漏源击穿电压应为功放工作电压的2倍以上。
2021-05-13 07:10:20
仅是由多数载流子参与导电,它与双极型相反,也称为单极型晶体管。它属于电压控制型半导体器件，具有输入电阻高（108～109Ω）、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点，现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞争者。
2021-05-24 06:27:18
工艺可分为扩散型晶体管、合金型晶体管和平面型晶体管。（三）按电流容量分类晶体管按电流容量可分为小功率晶体管、中功率晶体管和大功率晶体管。（四）按工作频率分类晶体管按工作频率可分为低频晶体管、高频晶体管
2012-07-11 11:36:52
晶体管开关对电子产品至关重要。了解晶体管开关，从其工作区域到更高级的特性和配置。 晶体管开关对于低直流开/关开关的电子设备至关重要，其中晶体管在其截止或饱和状态下工作。一些电子设备（如 LED
2023-02-20 16:35:09
IGBT是由哪些部分组成的？绝缘栅双极型晶体管IGBT有哪些特点？如何去使用绝缘栅双极型晶体管IGBT呢？
2021-11-02 06:01:06
如何去判别晶体管材料与极性？如何去检测晶体管的性能？怎样去检测特殊晶体管？
2021-05-13 07:23:57
什么是微波功率晶体管？如何提高微波功率晶体管可靠性？
2021-04-06 09:46:57
来至网友的提问：如何选择分立晶体管？
2023-11-24 08:16:54
使晶体管工作会产生电气负载和热负载。对晶体管来讲，负载太大寿命会缩短，最坏的情况下会导致晶体管被破坏。为防止这种情况，需要检查实际使用状态，并确认在使用上是否有问题。这里说明一下具体的判定方法。为
2019-05-05 09:27:01
目前制造的大功率射频晶体管比以往任何时候都更坚实耐用。针对特高耐用性设计的器件可以承受严重的失配，即使在满输出电平时也是如此。现在多家制造商可提供大功率硅横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)晶体管
2019-08-22 06:13:27
晶体管依照用途大致分为高频与低频，它们在型号上的大致区别是什么？例如《晶体管电路设计》中列举的：高频（2SA****，2SC*****）、低频（2SB****，2SD****）。现在产品设计中最常用的型号是哪些？
2017-10-11 23:53:40
bandgap中晶体管的热噪声比较大，通过什么手段能解决？
2021-06-24 07:29:25
选定方法①使TR达到饱和的IC/IB的比率是IC/IB=20/1②输入电阻：R1是±30% E-B间的电阻：R2/R1=±20%③VBE是0.55~0.75V数字晶体管具有下面的关系式。■数字晶体管
2019-04-22 05:39:52
选定方法数字晶体管的型号说明IO和IC的区别GI和hFE的区别VI(on)和VI(off)的区别关于数字晶体管的温度特性关于输出电压 - 输出电流特性的低电流领域（数字晶体管的情况）关于数字晶体管
2019-04-09 21:49:36
晶体管的代表形状晶体管分类图：按照该分类，掌握其种类1. 按结构分类根据工作原理不同分类，分为双极晶体管和单极晶体管。双极晶体管双是指Bi（2个）、极是指Polar（极性）。双极晶体管，即流经构成
2019-05-05 01:31:57
励磁电流ILM开始在死区时间内对低侧晶体管的输出电容放电。在状态2时，寄生输出电容完全放电，GaN功率晶体管通过2DEG通道从源极到漏极以第三象限工作。至于Si和SiC MOSFET，有一个固有的双极
2023-02-27 09:37:29
本文展示氮化镓场效应晶体管并配合LM5113半桥驱动器可容易地实现的功率及效率。
2021-04-13 06:01:46
100GHz以上。 电子管是利用静电场对电子流的控制来工作的，是电压控制元件，与MOS场效应管的工作原理有些相似。所以输入阻抗极高，输入信号只要电压，不需要电流。晶体管是利用半导体器件内杂质浓度的差异
2016-01-26 16:52:08
受益于集成器件保护，直接驱动GaN器件可实现更高的开关电源效率和更佳的系统级可靠性。高电压（600V）氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管（HEMT）的开关特性可实现提高开关模式电源效率和密度的新型
2020-10-27 06:43:42
绝缘栅双极晶体管IGBT又叫绝缘栅双极型晶体管。一．绝缘栅双极晶体管IGBT的工作原理： 半导体结构分析略。本讲义附加了相关资料，供感兴趣
2009-05-12 20:44:23
方向上受控，在反向方向上不受控)。绝缘栅极双极性晶体管的工作原理和栅极驱动电路与 n 沟道功率 MOSFET 非常相似。基本区别在于 IGBT 中，当电流通过处于“ ON”状态的器件时，主导通道所提
2022-04-29 10:55:25
继电器和晶体管输出具有哪些特点？使用注意事项有哪些？继电器与晶体管输出有哪些差别？
2021-10-12 06:28:48
导读：近日，英飞凌宣布推出700瓦L波段射频功率晶体管。该晶体管具备业界最高的L波段输出功率（700瓦），适用于工作频率范围为1200 MHz~1400 MHz的雷达系统。这种新型器件可通过减少
2018-11-29 11:38:26
来至网友的提问：如何选择分立晶体管？
2018-12-12 09:07:55
`作者：Mountain 毕业于燕山大学，获学士学位。工作5年多，一直从事医疗检测及分析仪器设备相关的硬件电路设计工作。最初接到李老师的邀请要写一篇晶体管使用心得的时候，内心着实惶恐了一阵，毕竟
2016-06-03 18:29:59
这个达林顿晶体管厂家是哪家
2022-05-30 16:36:56
电力晶体管工作原理和结构
电力晶体管的结构
电力晶体管(Giant Transistor)简称GTR，结构和工作原理都和小功率晶体管非常
2009-11-05 12:02:42
1960 电力晶体管的原理和特点是什么?
结构电力晶体管(GiantTransistor)简称GTR，结构和工作原理都和小功率晶体管
2010-03-05 13:43:5611247
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