晶体管是电子元器件中常用的一种，用来放大电信号、控制电流等。晶体管通常由三个电极组成：基极、发射极和集电极。不同类型的晶体管电极排列方式和特性不同，因此需要通过判断电极类型和排列方式来确定晶体管的类型。下面介绍一下如何判断晶体管的类型及三个电极。
2023-06-03 09:44:16
6232 。 晶体管中的每个层都附有引线。由此产生的端子称为发射极、基极和集电极。底座始终是中间层。 工作原理 晶体管基本上是一个电子开关。电源电压和负载通过集电极和发射极端子接线。在没有对基极端子施加电压
2023-02-16 18:22:30
PNP和NPN两种，一般在信号源电压较低，又允许从信号源取较多电流的条件下，应优先选用三极管。二、场效应晶体管定义：场效应晶体管(FET)简称场效应管，也称为单极型晶体管，主要有两种类型，JFET管
2019-04-08 13:46:25
不同外，其工作原理都是相同的。 二、晶体三极管的三种工作状态 三极管的三种状态也叫三个工作区域，即：截止区、放大区和饱和区。 （1）、截止区：三极管工作在截止状态，当发射结电压Ube小于
2020-12-25 15:24:23
的判别。 1.正反馈和负反馈的判别 （1）晶体管各极电压的变化关系 为了快速判断出反馈电路的反馈类型，有必要了解晶体管各极电压的变化关系。 不管是NPN型还是PNP型晶体管，它们各极电压变化都有
2023-03-20 17:23:53
;gt;双极型晶体管的埃伯尔斯-莫尔模型、小信号模型及其高频参数。<br/>双极型晶体管的基本使用方法<br/>晶体三极管是双极型器件
2009-08-20 18:07:52
cbo，一般来说，同一晶体管BV cbo＞BV ceo，通常要求用于置换的三极管，其上述两个击穿电压应不小于原晶体管对应的两个击穿电压。频率特性。在置换三极管时，主要考虑ƒT，置换的三极管，其ƒT应
2015-07-07 16:56:34
关于晶体管ON时的逆向电流在NPN晶体管中，基极 (B) 被偏置为正，集电极 (C) 被偏置为负，由发射极 (E) 流向C的是逆电流。1. 不用担心劣化和损坏，在使用上是没有问题的2. NPN-Tr
2019-04-09 21:27:24
晶体管并联时，当需要非常大的电流时，可以将几个晶体管并联使用。因为存在VBE扩散现象，有必要在每一个晶体管的发射极上串联一个小电阻。电阻R用以保证流过每个晶体管的电流近似相同。电阻值R的选择依据
2024-01-26 23:07:21
晶体管之间的差异性：就三极管，mos管和可控硅之间的差别和相同点的相关概念有点模糊，请各位大侠指点！！！
2016-06-07 23:27:44
晶体管低频放大器晶体管低频放大器主要是用来放大低频小信号电压的放大器，频率从几十赫到一百千赫左右一、晶体管的偏置电路为了使放大器获得线性的放大作用，晶体管不仅须有一个合适的静态工作点，而且必须使
2021-06-02 06:14:09
阻尼晶体管、微波晶体管、光敏晶体管和磁敏晶体管等多种类型
2010-08-12 13:59:33
继电器线圈时，晶体管的导通与关断控制着线圈中电流的通过。此时，当晶体管由导通状态向截止状态转换时，集电极（线圈中）的电流的突然减小，线圈将会产生一个反电动势，并作用于集电极。这个反电动势将高达数百伏（V
2017-03-28 15:54:24
晶体管在基极和集电极之间并联电容有什么作用？是为了米勒电容吗、？但是米勒电容对三极管的开通有害的时候，为什么还要并联电容？电容不是越并越大，加大了等效米勒电容？
2024-01-19 22:39:57
，由于其具有三个终端，因此我们通常将其称为三极管。三极管由两个PN结构成，两个PN结将其分为发射区、基区和集电区，相应的产生三个电极：发射极、基极和集电极。三极管的工作原理是这样子的，首先，电源作用于
2016-06-29 18:04:43
一、晶体管开关电路：是一种计数地接通-断开晶体管的集电极-发射极间的电流作为开关使用的电路，此时的晶体管工作在截止区和饱和区。当需要输出大的负载电流时，由于集电极电流(负载电流)是放大基极电流而来
2021-10-29 09:25:31
的hFE档测量。测量时，应先将万用表置于ADJ档进行调零后，再拨至hFE档，将被测晶体管的C、B、E三个引脚分别插入相应的测试插孔中（采用TO-3封装的大功率晶体管，可将其3个电极接出3根引线后，再分
2012-04-26 17:06:32
组成。 BA.3B.4C.5D.63.固定偏置共射极放大电路，已知RB=300KΩ，RC=4KΩ，Vcc=12V，β=50，则ICQ为( )。 CA.2μAB.3μAC.2mAD.3mA4.三相异步电动机的转子由转子铁心、转子绕组、风扇、换向器等组成。 ×5.单结晶体管的结构中有( )个PN结。 CA.
2021-09-02 06:19:31
(1) 电流放大系数β和hFEβ是晶体管的交流放大系数，表示晶体管对交流（变化）信号的电流放大能力。β等于集电极电流IC的变化量△IC与基极电流IB的变化量△IB两者之比，即β=△IC/△IBhFE
2018-06-13 09:12:21
晶体管的主要参数有哪些？晶体管的开关电路是怎样的？
2021-06-07 06:25:09
晶体管的代表形状晶体管分类图：按照该分类，掌握其种类1. 按结构分类根据工作原理不同分类，分为双极晶体管和单极晶体管。双极晶体管双是指Bi（2个）、极是指Polar（极性）。双极晶体管，即流经构成
2019-04-10 06:20:24
与漏极间流过电流，而IGBT是从P型的集电极向N型的发射极流过电流，也就是与双极晶体管相同。因此，具有MOSFET的栅极相关的参数，以及双极晶体管的集电极-发射极相关的参数。基本工作特性比较这三种晶体管
2018-11-28 14:29:28
相关的参数，以及双极晶体管的集电极-发射极相关的参数。 基本工作特性比较 这三种晶体管的工作特性各不相同。以下是Vce/Vds相对于基本的Ic/Id的特性。功率元器件基本上被用作开关，因此一般尽量在Vce/Vds较低的条件下使用。这是在使用的电路条件下，探讨哪种晶体管最适合时的代表特性之一。
2020-06-09 07:34:33
是自来水的阀门，发射极是配管，集电极是水龙头。用自来水的构造来举例说明晶体管的作用。把晶体管的3个引脚-基极、集电极和发射极分别视作自来水的阀门、水龙头和配管。通过微小之力（即基极的输入信号）来控制
2019-07-23 00:07:18
是自来水的阀门，发射极是配管，集电极是水龙头。用自来水的构造来举例说明晶体管的作用。把晶体管的3个引脚-基极、集电极和发射极分别视作自来水的阀门、水龙头和配管。通过微小之力（即基极的输入信号）来控制
2019-05-05 00:52:40
1．晶体管的结构晶体管内部由两PN结构成，其三个电极分别为集电极（用字母C或c表示），基极（用字母B或b表示）和发射极（用字母E或e表示）。如图5-4所示，晶体管的两个PN结分别称为集电结（C、B极
2013-08-17 14:24:32
型号的晶体管。 5．开关三极管的选用小电流开关电路和驱动电路中使用的开关晶体管，其最高反向电压低于100V，耗散功率低于1W，最大集电极电流小于1A，可选用3CK3、3DK4、3DK9、3DK12等
2012-01-28 11:27:38
和集电极电位的关系中，可以非常方便地对晶体管的工作状态作出判断。对处于共发射极放大的NPN型晶体管而言，集电极电位>基极电位>发射极电位时，晶体管工作于放大状态。随着基极注入电流的增大，流出
2012-02-13 01:14:04
）形成的两个 PN 结（发射结和集电结）组成，分别从三个区引出三个电极（发射极e、基极b 和集电极c）。 晶体管根据掺杂类型不同，可分为 NPN 型和 PNP 型两种；根据使用的半导体材料不同 ，又可
2021-05-13 06:43:22
关于晶体管ON时的逆向电流在NPN晶体管中，基极 (B) 被偏置为正，集电极 (C) 被偏置为负，由发射极 (E) 流向C的是逆电流。1. 不用担心劣化和损坏，在使用上是没有问题的2. NPN-Tr
2019-05-09 23:12:18
; 晶体管，本名是半导体三极管，是内部含有两个PN结，外部通常为三个引出电极的半导体器件。它对电信号有放大和开关等作用，应用十分广泛。输入级和输出
2010-08-12 13:57:39
1.MOSFET的速度比晶体管或IGBT快。2.MOSFET的过电流适中；晶体管是一个流控流型的，要使集电极上的电流增大，基极上的电流就要增大，但是基极上的电流是无用的。IGBT一般使用在大电流的场景。...
2021-10-29 08:28:40
）。 图3.双栅鳍式场效应晶体管 三栅极表示折叠在鳍片三面上的单个栅极电极。三栅极中翅片上方的电场不受抑制，栅极从三个侧面施加控制（图4）。 图4.三栅鳍式场效应晶体管 第三个栅极增加了工艺
2023-02-24 15:20:59
两个N型半导体和一个P型半导体组成。通常，NPN晶体管将一块P型硅（基极）夹在两块N型（集电极和发射极）之间。排列如图1所示。NPN晶体管如何工作？以下是说明NPN晶体管的基本原理和功能的主要描述。1
2023-02-08 15:19:23
晶体管是现代电子产品的基本组成部分之一。在二极管教程中，我们看到简单的二极管由两块半导体材料组成，形成一个简单的pn结。而晶体管是通过背靠背连接两个二极管而形成的三端固态器件。因此，它有两个PN结
2023-02-15 18:13:01
发射极流向集电极。掺杂半导体可以在晶体管的三个不同部分中找到。一侧有一个发射器，另一侧有一个收集器。术语“基地”是指中心区域。晶体管的三个组件将在下面详细介绍。PNP 晶体管结构发射发射器有责任向接收器
2023-02-03 09:44:48
众所周知，像硅双极晶体管等一些晶体管能够在其中一些半导体单元因短路或负载失配等原因损坏时继续工作。因此，将一个器件定义为“耐用晶体管”可能没有清晰的界限。对硅LDMOS晶体管的耐用性测试通常是指器件
2019-06-26 07:11:37
工作电压的极性而可分为NPN型或PNP型。双极结型晶体管 双极结型晶体管（Bipolar Junction Transistor—BJT）又称为半导体三极管，它是通过一定的工艺将两个PN结结
2010-08-13 11:36:51
三极管的主要参数选用三极管需要了解三极管的主要参数。若手中有一本晶体管特性手册最好。三极管的参数很多，根据实践经验，我认为主要了解三极管的四个极限参数：ICM、BVCEO、PCM及fT即可满足95
2010-08-17 09:24:08
主要参数 晶体管的主要参数有电流放大系数、耗散功率、频率特性、集电极最大电流、最大反向电压、反向电流等。电流放大系数 电流放大系数也称电流放大倍数，用来表示晶体管放大能力。 耗散功率也称集电极
2010-08-13 11:35:21
multisim仿真中高频晶体管BFG35能用哪个晶体管来代替，MFR151管子能用哪个来代替？或是谁有这两个高频管子的原件库？求大神指教
2016-10-26 11:51:18
用multisim仿真高频振荡器，晶体管集电极输出为12v,哪位高手帮我看看
2019-01-14 22:50:32
s1307是什么类型的晶体管？
2022-09-25 09:21:11
控制器件。 一、晶体三极管和场效应晶体管说明: （1）晶体三极管含义: 用于电压放大或者电路放大的控制器件。可以把基极和集电极的间的电压Vbc放大到几十到几百倍以上，在发射集和集电极之间以Vce的方式
2019-04-09 11:37:36
进行改变。因此，这就是光电晶体管仅包含两个端子而不是三个端子的原因。一旦外部区域保持阴凉，设备就会关闭。
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光电晶体管
基本上，没有电流从集电极区域流向
2023-08-02 12:26:53
互补晶体管的匹配
2019-10-30 09:02:03
：发射极、基极和集电极;场效应晶体管的三极是：源极、栅极、漏极。由于晶体管的三极性，它们也有三种使用方式：接地发射极（也称为公共发射放大器/ CE配置），接地基极（也称为公共基极放大器/CB配置）和接地
2023-02-03 09:36:05
典型GaN晶体管的核心是一个导电通道，它由AlGaN阻挡层和GaN缓冲层间界面上产生的二维电子气形成（见图1）。这种器件倾向在一个异质基板上生产，典型的是硅或碳化硅，并具备三个电极：源极、漏极、栅极。为
2020-11-27 16:30:52
从基极流向发射极时，晶体管导通，将电流从集电极引导到发射极，而不是从晶体管基极流向发射极。PNP晶体管在另一个方向工作。电流通常从晶体管的发射极流向基极，当足够的电流从发射极流向基极时，晶体管打开，将
2023-02-03 09:50:59
相当高的总电流增益。输出晶体管的最大集电极电流决定了输出晶体管对的最大集电极电流，可以是 100 安培或更高。需要的物理空间更少，因为晶体管通常封装在一个器件中。另一个优点是整个电路可以具有非常高
2023-02-16 18:19:11
双极晶体管，具有三个引脚，集电极、基极和发射极。晶体管的增益在 110 到 800 之间，这是决定该晶体管放大率的值。集电极的最大电流为 100mA，因此消耗超过该电流的负载不能连接到该晶体管。偏置
2022-08-30 07:23:58
用作Q2的基极电压，以在晶体管Q2中产生更稳定的电流。波形发生器配置为1 kHz三角波，峰峰值幅度为3 V，偏置为1.5 V。示波器通道2的输入(2+)用于测量Q2集电极上的稳定输出电流。置示波器以
2021-11-01 09:53:18
的原理是什么？晶体管由两个背靠背连接的PN二极管组成。它有三个端子，即发射器，基极和集电极。晶体管背后的基本思想是，它允许您通过改变流经第二个通道的较小电流的强度来控制通过一个通道的电流。4.晶体管
2023-02-03 09:32:55
。PNP 晶体管有三个端子：集电极 （C）、发射极 （E） 和基极 （B）（B）。PNP 晶体管的功能类似于背靠背连接的两个 PN 结二极管。
2023-02-03 09:45:56
各位高手，小弟正在学习单结晶体管，按照网上的电路图做的关于单结晶体管的仿真，大多数都不成功，请问谁有成功的单结晶体管的仿真仿真啊，可以分享下吗。
2016-03-04 09:15:06
单结晶体管有一个PN结和三个电极，一个发射极和两个基极，所以又称双基极二极管。其结构、等效电路及电路符号如下图所示。a、单结晶体管的结构；b、等效电路；c、电路符号它是在一块高电阻率(低掺杂)的N型
2018-01-09 11:39:27
2PNP 150V 0.2A SOT26 晶体管类型2 PNP（双）配对电流 - 集电极（Ic）（最大值）200mA电压 - 集射极击穿（最大值）150V不同 Ib，Ic 时的 Vce 饱和值（最大值
2020-02-25 11:39:26
NPN型双极性晶体管可以视为共用阳极的两个二极管接合在一起。在双极性晶体管的正常工作状态下，基极-发射极结（称这个PN结为“发射结”）处于正向偏置状态，而基极-集电极（称这个PN结为“集电结”）则处于反向偏置状态。
2019-09-26 09:00:23
，则分析时则按照单独的晶体管电路分析，与一般晶体管电路无差。
如果多发射极或多集电极的电路在非多极的一侧全部短起来当作一个晶体管，那么此时的关系可以看作一个或门的关系，只要有一路导通，则晶体管就实现
2024-01-21 13:47:56
（1）场效应晶体管的源极S、栅极G、漏极D分别对应于三极管的发射极e、基极b、集电极c，它们的作用相似，图1-6-A所示是N沟道MOS管和NPN型晶体三极管引脚，图1-6-B所示是P沟道场效应晶体管
2019-03-28 11:37:20
`二极管、三极管是沿袭原来电子管的叫法,由半导体晶体制成的管子具有三极管的功能的叫半导体晶体三极管,简称为半导体管或者晶体管. 在晶体管中靠两种载流子形成电流的叫双极型晶体管, 另有一种仅靠一种
2012-07-11 11:42:48
同国产管的第三位基本相同。 晶体管是内部含有两个PN结，外部通常为三个引出电极的半导体器件。它对电信号有放大和开关等作用，应用十分广泛。二、晶体管的种类晶体管有多种分类方法。（一）按半导体材料和极性
2012-07-11 11:36:52
NPN达林顿配置中，两个晶体管的集电极连接，而第二个晶体管的基极连接到第一个晶体管的发射极。从配置中，我们看到第一个晶体管的发射极电流成为打开它的第二个晶体管的基极电流。 使用晶体管开关的关键要点
2023-02-20 16:35:09
的场效应晶体管，右边是P沟道的场效应晶体管的方向如何判断呢？**它的判断规则就是对于N沟道，由S极指向D极；对于P沟道，由D极指向S极。如何分辨三个极？D极单独位于一边，而G极是第4PIN。剩下的3个脚则是S
2019-03-29 12:02:16
如何快速定性判断场效应管、三极管的好坏？怎么判断结型场效应管的电极？有什么注意事项？如何判别晶体三极管管脚？
2021-05-10 06:36:25
们测量NPN管时，正极测试引线连接到发射极，负极测试引线连接到集电极。测得的电阻一般应超过几千欧姆。 然后在基极和集电极之间串联一个100kΩ电阻。此时，万用表测量的电阻值应显着降低。变化越大，晶体管
2023-02-14 18:04:16
开关二极管IN4148与电阻R1的作用是当晶体管VT1截止时，为反向基极电流提供一个低阻抗的通路。 加速电路三 在加速电路三中，并联在基极电阻RB两端的高速开关二极管IN4148的作用是当晶体管VT1截止时，为反向基极电流提供通路，迅速释放基极与发射极间电容储存的电量，加快晶体管的关闭。
2020-11-26 17:28:49
电路之一是具有发射极偏置电路的自偏置功能，其中一个或多个偏置电阻器用于为三个晶体管电流（I B）设置初始DC值 ， （I C）和（I E）。双极晶体管偏置的两种最常见形式是：Beta依赖和Beta独立
2020-11-12 09:18:21
三极管类型，并辨别出e（发射极）、b（基极）、c（集电极）三个电极 ①用指针式万用表判断基极b和三极管的类型：将万用表欧姆挡置“R&TImes;100”或“R&TImes;lk”处
2019-03-14 09:11:10
来至网友的提问：如何选择分立晶体管？
2023-11-24 08:16:54
栅、源电压对漏极电流的控制作用。 极间电容 场效应管三个电极之间的电容，它的值越小表示管子的性能越好。(3)极限参数 漏、源击穿电压 当漏极电流急剧上升时，产生雪崩击穿时的UDS。 栅极击穿电压 结型场效应管正常工作时，栅、源极之间的PN结处于反向偏置状态，若电流过高，则产生击穿现象。
2008-08-12 08:39:59
一个指定其功能的名称。这些称为发射器（E），基极（B）和集电极（C）。使用NPN晶体管时，集电极连接到N部分之一，基极连接到中间的P部分，E连接到另一个N部分。P段被轻度掺杂，而发射极端的N段被重掺杂
2023-02-17 18:07:22
强型、P沟耗尽型和加强型四大类。 MOS管应该如何检测呢？MOS管的外形、结构及符号如下图所示，三个电极分别为栅极G、源极S、漏极D。国产N沟道管典型产品有3DJ2、3DJ4.3DJ6、3DJ7，P
2018-10-23 15:10:53
如何检测晶体管和三极管。 晶体管的检测 1、检测小功率晶体二极管 A、判别正、负电极 (a)、观察外壳上的的符号标记。通常在二极管的外壳上标有二极管的符号，带有三角形箭头的一端为正极，另一端是负极
2013-11-27 19:21:18
2个电阻器的晶体管。直流电流放大率为 输出电流/输入电流 ，因此不因输入电阻R1，放大率下降。仅有输入电阻R1的类型 放大率表示为hFE，与个别晶体管hFE相等。如果在E-B间附加电阻R2，输入电流则
2019-04-22 05:39:52
晶体管是指普通晶体管上连接2个电阻器的晶体管。直流电流放大率为 输出电流/输入电流 ，因此不因输入电阻R1，放大率下降。仅有输入电阻R1的类型 放大率表示为hFE，与个别晶体管hFE相等。如果在E-B
2019-04-09 21:49:36
晶体管的代表形状晶体管分类图：按照该分类，掌握其种类1. 按结构分类根据工作原理不同分类，分为双极晶体管和单极晶体管。双极晶体管双是指Bi（2个）、极是指Polar（极性）。双极晶体管，即流经构成
2019-05-05 01:31:57
我在设计 PCB 时犯了一个错误，我的一些晶体管在原理图上将集电极和发射极调换了。“正常”方式是有 1：基极，2：发射极，3：集电极，但我需要一个晶体管，1：基极，2：集电极，3：发射极。引脚号与此图像相关：你知道有这种封装的晶体管吗？我知道我可以将它倒置并旋转，但我想知道我是否可以正确使用一个。
2023-03-28 06:37:56
如图所示。晶体管特性曲线描绘仪电路图的工作原理:要描绘晶体管的特性曲线，需要对被测晶体管加上两种电压:一是要在晶体管的集电极加上工作电压，但这个工作电压不是固定的直流电压，而是一个按一定频率变化的锯齿波
2008-07-25 13:34:04
件，二场效应晶体管是电压控制器件。一、晶体三极管：用于电压放大或者电路放大的控制器件。可以把基极和集电极的间的电压Vbc放大到几十到几百倍以上，在发射集和集电极之间以Vce的方式输出;还可以把基极电流
2019-03-27 11:36:30
三极管，是内部含有两个PN结，外部通常为三个引出电极的半导体器件。它对电信号有放大和开关等作用，应用十分广泛。输入级和输出级都采用晶体管的逻辑电路，叫做晶体管－晶体管逻辑电路，书刊和实用中都简称为TTL
2017-09-19 10:22:59
2000一5000（α＝0.995-0.9998）。 是以P型衬底作为集电极，因此只有集成元器件之间采用PN结隔离槽的集成电路才能制作这种结构的管子。由于这种结构管子的载流子是沿着晶体管断面的垂直
2019-04-30 06:00:00
; P沟道图1-8：IGBT的图形符号注意，它的三个电极分别为门极G、集电极C、发射极E。图1-9：IGBT的等效电路图。上面给出了该器件的等效电路图。实际上，它相当于把MOS管和达林顿晶体管做到了一起
2009-05-12 20:44:23
标记为: 集电极、发射极和栅极。它的两个端子(C-E)与通过电流的电导路径相关联，而它的第三个端子(g)控制器件。绝缘栅双极性晶体管所达到的放大量是其输出信号与输入信号之间的比值。对于传统的双极性晶体管
2022-04-29 10:55:25
，随着前面三个简单电路的分析，引出了在使用晶体管的过程中基本需要注意的几个主要因素：hFE（ DC Current Gain）；IC（ Collector Current - Continuous
2016-06-03 18:29:59
时，RC阻尼电路能够一直晶体管集电极和发射极间出现的浪涌电压。 3、充放电型RCD阻尼电路 图三 图三适用于带有较窄反向偏置安全工作区的器件浪涌电压一致。当晶体管关断时，电容C通过二极管被充电
2020-11-26 17:26:39
判别晶体管电极的方法
2009-07-31 17:38:01668 
图1中的简单晶体管测试仪可以判断出晶体管的类型，并且能帮助检测出晶体管的发射极、集电极和基极。其方法是检查被测晶体管三个端子T1、T2和T3之间流过的各种可能电流方向的
2012-03-28 18:02:541769 
晶体管是一种电子器件，它有三个电极：基极、集电极和发射极。
基极是晶体管的输入端，也称为“正向基极”，是一个半导体金属片，通常是一个镀锡或镀银的金属片，用于将外部信号引入到晶体管内部。
2023-02-11 15:23:1314431 晶体管的三个极的电压关系 晶体管作为一种电子器件，是当今电子技术和通信领域中不可或缺的重要元件。晶体管的基本结构包括一个基极、一个发射极和一个集电极。它实现了一种对电流的控制，从而能够实现电子设备
2023-08-25 15:35:205252 晶体管是一种半导体器件，用于放大电信号、开关电路和逻辑运算等。它是现代电子技术和计算机科学的核心之一。在晶体管中，有三个电极：基极、发射极和集电极。这三个电极的电压之间的关系对于理解晶体管的工作原理
2023-12-20 14:50:491205 晶体管是一种常用的电子器件，用于放大和控制电信号。判断晶体管的一种常见方法是根据管脚电位来识别晶体管的类型和状态。本文将详细介绍如何根据管脚电位来判断晶体管，分为以下几个部分进行阐述： 晶体管
2024-01-09 17:29:41332 晶体管是由三个主要元件组成的，即漏极（Collector）、基极（Base）和发射极（Emitter）。晶体管是一种半导体器件，用于放大和控制电流。它是现代电子技术中最重要的元件之一。
2024-02-03 14:12:12613
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