绝缘栅双极晶体管(IGBT)结合了GTR和MOSFET的优点，具有良好的特性。IGBT也是三端器件，具有栅极G、集电极C和发射极E。
2022-10-28 16:12:42
9922 
时间为皮秒级的，图7是它的工作特性曲线。TVS管按导电方向分有单向和双向两种，在由IGBT器件组成的逆变电路中，因为是直流母线，所以一般选单向TVS管。图6IGBT有源钳位图7TVS管工作特性曲线选择
2018-12-06 10:06:18
。IGBT驱动电路的选择 绝缘栅双极型晶体管(IGBT)在今天的电力电子领域中已经得到广泛的应用，在实际使用中除IGBT自身外，IGBT 驱动器的作用对整个换流系统来说同样至关重要。驱动器的选择
2012-07-25 09:49:08
本帖最后由 张飞电子学院郭嘉 于 2021-3-18 17:15 编辑
GBT 工作原理及应用绝缘栅双极型晶体管（IGBT）的保护引言绝缘栅双极型晶体管IGBT是由MOSFET和双极型晶体管
2021-03-17 11:59:25
降低而容量大的特点（功率级较为耐用），频率特性介于MOSFET与功率晶体管之间，可正常 工作于几十kHz频率范围内。 理想等效电路与实际等效电路如图所示： IGBT 的静态特性一般用不到
2011-08-17 09:26:02
这里以单个IGBT管为例（内含阻尼二极管），IGBT管的好坏可用数字万用表的“二极管”挡来测量PN结正向压降进行判断。检测前先将IGBT管三只引脚短路放电，使IGBT的CE脚在关闭状态下，避免
2012-04-18 16:15:53
IGBT 的静态特性主要有伏安特性、转移特性和开关特性。
2019-09-11 11:31:16
大家好，我是新手，想做一个PWM卸荷装置，请问一下，这个IGBT管怎么接线？谢谢
2012-12-17 13:48:41
实用，但精度不高。这是因为每个二极管的通态压降为固定值，使得驱动模块与IGBT集电极c之间的电压不能连续可调。在实际工作中，改进方法有两种： （1）改变二极管的型号与个数相结合。例如，IGBT的通态
2011-08-17 09:46:21
本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 10:01 编辑
1，IGBT单管：IGBT，封装较模块小，电流通常在100A以下，常见有TO247 等封装,sg 本人常用。2，IGBT模块
2012-07-09 12:00:13
本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 10:02 编辑
1，IGBT单管：IGBT，封装较模块小，电流通常在100A以下，常见有TO247 等封装,sg 本人常用。2，IGBT模块
2012-07-09 10:12:52
本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 09:48 编辑
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极型三极管
2012-07-09 11:53:47
本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 10:02 编辑
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极型三极管
2012-07-09 10:01:42
本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 09:59 编辑
请哪位高手指点一下，如何测量IGBT单管的好坏，谢谢
2012-07-25 21:49:17
---------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------一、简述大家都知道，IGBT单管相当的脆弱，同样电流容量的IGBT单管，比同样电流容量的MOSFET脆弱多了，也就是说，在逆变H桥里头，MOSFET上去没有问题，但是IGBT.
2021-11-15 08:51:39
目录 IGBT和MOS管的区别：IGBT和可控硅的区别：IGBT驱动电路设计：1、IGBT驱动电路的设计2、IGBT驱动器的选择3、IGBT驱动电路的设计IGBT和MOS管的区别： IIGBT
2021-09-09 08:05:31
而言，其工作频率在 20KHz 以下，工作电压在 72V 以下，故 IGBT 和 Mosfet 都可以选择，所以也是探讨比较多的应用。**特性对比： **Mosfet 和 IGBT 在结构上的主要差异
2022-09-16 10:21:27
。 那么场效应管IRF250能否替换型号为H20R1203的IGBT呢？ （1）从耐压上来看，IGBT-H20R1203的最高工作电压为1200V，而场效应管IRF250只有200V，再根据70%的降
2021-03-15 15:33:54
和可靠性，因此。如何选择斩波电路和斩波器件十分重要。IGBT是近代新发展起来的全控型功率半导体器件，它是由MOSFET（场效应晶体管）与GTR（大功率达林顿晶体管）结合，并由前者担任驱动，因此具有
2018-10-17 10:05:39
MOSFET 器件驱动功率小和开关速度快的特点（控制和响应），又有双极型器件饱和压降低而容量大的特点（功率级较为耐用），频率特性介于MOSFET 与功率晶体管之间，可正常工作于几十kHz 频率范围内。 IGBT数据手册资料 ：集成电路查询网datasheet5
2012-07-11 17:07:52
和电容量，以此来减小关断过电压；在集电极和发射极之间，放置续流二极管，并接RC电路和RCD电路等；在栅极，根据电路容量合理选择串接阻抗，并接稳压二极管防止栅极过电压。引起IGBT失效的原因1、过热
2020-09-29 17:08:58
等级，从而提升变流器的功率等级。考虑到前者功率密度相对较低，从性价比出发，IGBT并联技术是最好的选择。1IGBT并联运行分析1.1 影响并联IGBT均流的主要因素1)IGBT和反并联二极管静态参数
2015-03-11 13:18:21
像IGBT或MOS管，他的CE有的会加续流二极管，这时在CE端加RCD缓冲电路还有作用吗！！
2019-04-23 04:30:30
的承受力；最适合的开关频率；安全工作区（SOA)限制；最高运行限制；封装尺寸；1、IGBT耐压的选择 因为大多数IGBT模块工作在交流电网通过单相或三相整流后的直流母线电压下，所以，通常IGBT模块的工作
2022-05-10 10:06:52
改变二极管的个数来调整过流保护动作点的方法，虽然简单实用，但精度不高。这是因为每个二极管的通态压降为固定值，使得驱动模块与IGBT模块散热器集电极c之间的电压不能连续可调。在实际工作中，改进方法有两种
2012-06-19 11:26:00
能有着重要的影响。 河北工业大学省部共建电工装备可靠性与智能化国家重点实验室的研究人员，针对现阶段仍存在的问题，对于不同功率循环下的IGBT的热退化特性进行了研究。设计了动态实验，对不同的工作模式下IGBT模块的退化
2020-12-10 15:06:03
本人在IGBT代理和原厂做了7年，跑了全国上百家igbt用户， 对IGBT市场比较了解，非常清楚哪家的价格和货源情况， 并了解哪些型号，哪家价格有优势，哪家供货好， 如希望了解IGBT优质采购渠道，请QQ:1874501009
2012-06-30 17:26:05
注入到N 一层的空穴（少子），对N 一层进行电导调制，减小N一层的电阻，使IGBT 在高电压时，也具有低的通态电。IGBT 的工作特性包括静态和动态两类：1 ．静态特性:IGBT 的静态特性主要有伏安
2018-10-18 10:53:03
IGBT的内部结构及特点：本文通过等效电路分析，通俗易懂的讲解IGBT的工作原理和作用，并精简的指出了IGBT的特点。IGBT(绝缘栅双极型晶体管)，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型
2021-11-16 07:16:01
可以将交流电转换为直流电吗？因此，输出电压随设定值电压连续调谐。我们在工作中使用绝缘栅双极晶体管（IGBT）将交流电转换为受控直流电。IGBT是通过将BJT和MOSFET的最佳品质结合到其中而开发
2023-02-02 17:05:34
和IGBT在一个开关周期内轮流进行导通。 2、逆变全桥拓扑特性 针对逆变拓扑分析首先需要认定以下几个特性： 特性一：由于50Hz频率内的正负周期对称性，认为上下开关管的热模型一致，电压和电流导致
2023-02-24 16:47:34
IGBT模块或者单管应用于变频器的制造，在做变频器的短路实验时，在IGBT开通时刻做出短路动作，IGBT的CE电压会从零逐渐升高到最大之然后回到母线电压的一半后达到稳定。
但是在具体波形时，IGBT
2024-02-21 20:12:42
1 引言 绝缘栅双极晶体管(Insulated Gate Bipolar Tramistor，IGBT)是MOSFET与GTR的复合器件，因此，它既具有MOSFET的工作速度快、开关频率高
2012-07-18 14:54:31
电压（与功率MOSFET的低导通电阻相当）和较快的开关特性的晶体管。尽管其具有较快的开关特性，但仍比不上功率MOSFET，这是IGBT的弱点。【功率元器件的基本结构与特点
2019-05-06 05:00:17
电压（与功率MOSFET的低导通电阻相当）和较快的开关特性的晶体管。尽管其具有较快的开关特性，但仍比不上功率MOSFET，这是IGBT的弱点。【功率元器件的基本结构与特点
2019-03-27 06:20:04
及故障状态反馈电路，为驱动电路的可靠工作提供了保障。其特性为：兼容CMOS/TYL电平；光隔离，故障状态反馈；开关时间最大500ns；“软”IGBT关断；欠饱和检测及欠压锁定保护；过流保护功能；宽工作电压
2012-07-06 16:28:56
`我需要通过LC电路产生一个1200A，2.5KHz的脉冲电流，所加电压500V，电路图如下。需要用到IGBT来进行开关控制，初步选定IGBT使用IRG4PC50FD 。但是IGBT需要驱动电路
2017-10-10 17:16:20
IGBT(绝缘栅双极晶体管)是新一代全控型电力电子器件，具有M08场效应晶体管的电压控制、开关频率高、驱动功率小的优点，又具备大功率双极晶体管的通态压降低、耐高反压及电流额定值的特性。而且，其
2016-06-21 18:25:29
(Isolated Gate Bipolar Transistor简称IGBT)是复合了功率场效应管和电力晶体管的优点而产生的一种新型复合器件，具有输入阻抗高、工作速度快、热稳定性好驱动电路简单、通态
2009-09-04 11:37:02
。 绝缘门极双极型晶体管(Isolated Gate Bipolar Transistor简称IGBT)是复合了功率场效应管和电力晶体管的优点而产生的一种新型复合器件，具有输入阻抗高、工作速度快、热稳定性好
2012-09-09 12:22:07
请帮忙看下这个IGBT驱动电路是否可行；如果可行，栅极电压将会是多少，以及三极管Q1，Q2在IGBT导通时的工作状态
2013-08-18 19:56:22
ASEMI的IGBT管FGL40N120AN适用于什么场合？-Z
2021-05-25 14:02:00
在电子电路中，MOS管和IGBT管会经常出现，它们都可以作为开关元件来使用，MOS管和IGBT管在外形及特性参数也比较相似，那为什么有些电路用MOS管？而有些电路用IGBT管？下面我们就来了解一下
2022-04-01 11:10:45
在电子电路中，MOS管和IGBT管会经常出现，它们都可以作为开关元件来使用，MOS管和IGBT管在外形及特性参数也比较相似。那为什么有些电路用MOS管，而有些电路用IGBT管？ 下面我们就来了解一下
2020-07-19 07:33:42
中，与IGBT组合封装的是快恢复管或MOSFET体二极管，当对应的开关管导通时二极管有电流经过，因而二极管的恢复特性决定了Eon损耗。所以，选择具有快速体二极管恢复特性的MOSFET十分重要。不幸
2018-08-27 20:50:45
。因此，对于硬开关MOSFET应用而言，体二极管常常是决定SMPS工作频率的限制因素。一般来说，IGBT组合封装二极管的选择要与其应用匹配，具有较低正向传导损耗的较慢型超快二极管与较慢的低VCE(sat
2021-06-16 09:21:55
开关电路中，如全桥和半桥拓扑中，与IGBT组合封装的是快恢复管或MOSFET体二极管，当对应的开关管导通时二极管有电流经过，因而二极管的恢复特性决定了Eon损耗。所以，选择具有快速体二极管恢复特性
2020-06-28 15:16:35
1.MOSFET的速度比晶体管或IGBT快。2.MOSFET的过电流适中；晶体管是一个流控流型的，要使集电极上的电流增大，基极上的电流就要增大，但是基极上的电流是无用的。IGBT一般使用在大电流的场景。...
2021-10-29 08:28:40
二极管要缓慢。因此，对于硬开关MOSFET应用而言，体二极管常常是决定SMPS工作频率的限制因素。一般来说，IGBT组合封装二极管的选择要与其应用匹配，具有较低正向传导损耗的较慢型超快二极管与较慢的低
2018-09-28 14:14:34
的功率MOSFET，从而形成垂直的PNP双极结型晶体管。该附加的p+区域产生PNP双极结型晶体管与表面n沟道MOSFET的级联连接。 IGBT将MOSFET的简单栅极驱动特性与双极晶体管的高电流和低饱和
2020-07-07 08:40:25
上一章针对与Si-MOSFET的区别，介绍了关于SiC-MOSFET驱动方法的两个关键要点。本章将针对与IGBT的区别进行介绍。与IGBT的区别：Vd-Id特性Vd-Id特性是晶体管最基本的特性之一
2018-12-03 14:29:26
晶体管组成的复合晶体管，它的转移特性与MOSFET十分类似。为了便于理解，这里我们可通过分析MOSFET来理解IGBT的转移特性。图2.MOSFET截面示意图当MOSFET的栅极-源极电压VGS=0V
2019-10-17 10:08:57
)，绝缘栅双极型晶体管，是由晶体三极管和MOS管组成的复合型半导体器件。IGBT作为新型电子半导体器件，具有输入阻抗高，电压控制功耗低，控制电路简单，耐高压，承受电流大等特性，在各种电子电路中获得极广
2021-05-14 09:24:58
开关管和整流器。虽然没有万全的方案来解决选择IGBT还是MOSFET的问题，但针对特定SMPS应用中的IGBT 和 MOSFET进行性能比较，确定关键参数的范围还是能起到一定的参考作用。本文将对一些
2017-04-15 15:48:51
的是，MOSFET的寄生二极管或体二极管的恢复特性比业界目前使用的分立二极管要缓慢。因此，对于硬开关MOSFET应用而言，体二极管常常是决定SMPS工作频率的限制因素。一般来说，IGBT组合封装二极管的选择
2019-03-06 06:30:00
开关，强电功率使用，例如变频器、逆变器、电力控制系统等，很多场合以IGBT作为逆变器件，工作电流3000kVA以上，频率达25kHz以上。如下图是直流电机驱动主电路四、总结1）三极管是电流控制器件、而
2023-02-13 15:43:28
和8英寸的平面型和沟槽型1700V、 2500V和3300V IGBT芯片已进入量产２ ＩＧＢＴ的工作原理ＩＧＢＴ的驱动原理与电力ＭＯＳＦＥＴ基本相同，是一种场控器件，其开通和关断由栅射极电压u GE
2021-03-22 19:45:34
应用的时候，什么时候能选择IGBT、什么时候选择BJT、什么时候又选择MOSFET管呢？乍看这么多问题好像很头痛，其实很简单，我们一步一步来。1为什么说IGBT是由BJT和MOSFET组成的器件？要
2023-02-10 15:33:01
，因为IGBT存在关断拖尾时间，由于IGBT关断拖尾时间长，死区时间也要加长，从而会影响开关频率。选择MOS管还是IGBT？在电路中，选用MOS管作为功率开关管还是选择IGBT管，这是工程师常遇到
2021-03-02 13:47:10
`什么是IGBT?什么是IGBT模块？什么是IGBT模块散热器？IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极型三极管)和MOS
2012-06-19 11:36:58
大功率的变频器会对igbt的管压降进行保护，这是对变频器控制igbt完全导通的一种控制，但是在运行现场频繁报这个故障，请问有哪些原因造成的？该如何解决？
2024-01-25 14:45:14
本文介绍ROHM命名为“Hybrid MOS”的、同时具备MOSFET和IGBT两者优势的MOSFET。产品位于下图最下方红色框内。同时具备MOSFET和IGBT优异特性的Hybrid MOS GN
2018-11-28 14:25:36
IGBT-1200A型Vce-Ic特性曲线测试仪电脑操作界面图仪器规格改变，恕不通知！五：操作步骤第一步：关闭电源，将IGBT管接入； 第二步：连上电源线、RS232连接线； 第三步：打开上位机操作界面，选择测试电流
2015-03-11 13:51:32
大量回收富士IGBT模块 收购富士IGBT模块 全国各地区高价回收IGBT模块、英飞凌、西门康、富士、三菱-天津高价收购IGBT模块系列,BGA,内存,单片机,继电器,二三极管,电容,电感,保险丝
2021-11-01 18:13:51
［1］中有详细描述。质子辐照的剂量各不相同，使得可以获得具有各种静态和动态特性组合的芯片。氢原子的路径长度保持不变。实验性IGBT设计用于在混合（Si / SiC）模块中与SiC肖特基二极管一起工作
2023-02-22 16:53:33
IGBT的工作原理IGBT极性判断IGBT好坏的判断
2021-03-04 07:18:28
IGBT是由哪些部分组成的？绝缘栅双极型晶体管IGBT有哪些特点？如何去使用绝缘栅双极型晶体管IGBT呢？
2021-11-02 06:01:06
绝缘栅双极晶体管（IGBT）有哪些应用呢？如何去实现绝缘栅双极晶体管（IGBT）的电磁兼容设计呢？
2022-01-14 07:02:41
特性好、热稳定性好、功率增益大及噪声小等优点与双极型大功率三极管的大电流、低导通电阻特性集于一体，是性能较高的高速、高压半导体功率器件。IGBT识别常见的IGBT的名称、功能、特性、电路符号、实物
2023-02-03 17:01:43
IGBT和MOS管的区别是什么？IGBT和可控硅的区别有哪些？如何实现IGBT驱动电路的设计？
2021-11-02 08:30:41
电子设备使用频率较高的新型电子器件，因此在电子电路中常常碰到也习以为常。可是MOS管和IGBT管由于外形及静态参数相似的很，有时在选择、判断、使用容易出差池。MOS管和IGBT管可靠的识别方法为选择、判断、使用扫清
2019-05-02 22:43:32
压降为固定值，使得驱动模块与IGBT集 电极c之间的电压不能连续可调。在实际工作中，改进方法有两种：（1）改变二极管的型号与个数相结合。例如，IGBT的通态饱和压降为2.65V，驱动模块过流保护临界
2011-10-28 15:21:54
的应力更大,故 IGBT 的可靠性直接关系到电源的可靠性。因而,在选择 IGBT 时除了要作降额考虑外,对 IGBT 的保护设计也是电源设计时需要重点考虑的一个环节。1 IGBT 的工作原理IGBT
2021-03-19 15:22:33
模块回收电源模块回收斯达IGBT回收STARPOWER电源模块回收功率二极管模块快恢复二极管模块 整流二极管回收晶闸管模块回收电焊机配件 高频加热感应电磁加热IGBT 电焊机氩弧焊机等离子切割机专用IGBT模块各种逆变焊机气保焊机氩弧焊机 、电话151-5220-9946 QQ 2360670759
2022-01-04 20:52:15
栅极电阻RG对IGBT开关特性有什么影响？
2021-06-08 06:56:22
`模电前辈们，求 IGBT 高频电源 ADC采集电压 滤掉开关管的尖峰 办法`
2016-01-21 21:19:49
模电前辈们，求 IGBT 高频电源 ADC采集电压 滤掉开关管的尖峰办法
2019-07-15 02:57:42
绝缘栅双极晶体管IGBT是第三代电力电子器件，安全工作，它集功率晶体管GTR和功率场效应管MOSFET的优点于一身，具有易于驱动、峰值电流容量大、自关断、开关频率高(10-40 kHz)的特点
2016-11-28 23:45:03
绝缘栅双极晶体管IGBT是第三代电力电子器件，安全工作，它集功率晶体管GTR和功率场效应管MOSFET的优点于一身，具有易于驱动、峰值电流容量大、自关断、开关频率高(10-40 kHz)的特点
2016-10-15 22:47:06
IGBT管烧坏想要替代一个，那么就要根据实际情况来代换，一般遵循几个原则： 1、宁大勿小 由于 IGBT 管工作在高电压、大电流、温度高状态，一般不超过2000W的电磁炉在相同的条件选择20A
2023-02-28 13:51:19
时一定要用万用表检测验证，避免出现不应有的损失。一只IGBT管的技术参数较多，包括反向击穿电压(BVceo)、集电极最大连续电流(Ic)、输出功率、工作频率等参数。例：G40N150D反向击穿电压
2012-03-22 19:09:22
电磁炉已经OK了。2. 若灯泡很亮，表明IGBT管完全导通。此时，若拆除灯泡通电工作，必烧IGBT管！应主要查修驱动 谐振电容 高压整流等电路。3. 若灯泡暗红，开启电磁炉电源，灯泡亮度不变。则应主要查修
2009-07-21 19:02:06
绝缘栅双极晶体管IGBT又叫绝缘栅双极型晶体管。一．绝缘栅双极晶体管IGBT的工作原理： 半导体结构分析略。本讲义附加了相关资料，供感兴趣
2009-05-12 20:44:23
绝缘栅双级晶体管IGBT
2012-08-20 09:46:02
本文由IGBT技术专家特约编写，仅供同行交流参考。 IGBT的结构与工作原理 图1所示为一个N 沟道增强型绝缘栅双极晶体管结构， N+ 区称为源区，附于其上的电极称为源极。N+ 区称为漏区。器件
2012-03-23 11:13:52
MOS管与IGBT是不是都有这个GS米勒效应？
2019-09-05 03:29:03
读书的时候，老师看我们太笨了，讲三极管特性原理的时候打的比喻，在此我要感谢他），IGBT在桥电路的原理同样如此。在IGBT严重短路的时候，如果立马硬关闭IGBT，轻则只是会在母线上造成过冲的感应电
2017-03-24 11:53:14
IGBT资料包含了以下内容：
IGBT 的基本结构IGBT 的工作原理和工作特性
IGBT 的擎住效应和安
2007-12-22 10:41:42
251 IGBT的原理和基本特性
IGBT的原理
绝缘栅双极晶体
2010-03-05 15:53:4510640 如何为电路设计选择适合的IGBT？
什么是IGBT？其工作原理是什么？为什么大家要选择IGBT？它的优势是什么？一系列疑问的抛出，在3月5日第十五届国际集成电路研讨会
2010-03-11 10:44:081124 本文档的主要内容详细介绍的是IGBT的基本结构和工作原理等资料合集说明包括了：IGBT 的基本结构，IGBT 的工作原理和工作特性，IGBT 的擎住效应和安全工作区，IGBT 的驱动与保护技术，集成
2020-09-10 08:00:0019 IGBT工作中的特性： IGBT 的静态特性， 静态数据特性关键有光电流特性、迁移特性和电源开关特性。 （1）光电流特性： IGBT 的光电流特性就是指以栅源电压Ugs 为参变量时，漏极电流与栅极
2020-12-15 16:10:315907
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