分立SIC器件在电驱系统中的应用
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2023年中国半导体分立器件销售将达到4,428亿元?
分立器件行业概况
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SiC-MOSFET器件结构和特征
通过电导率调制,向漂移层内注入作为少数载流子的空穴,因此导通电阻比MOSFET还要小,但是同时由于少数载流子的积聚,在Turn-off时会产生尾电流,从而造成极大的开关损耗。 SiC器件漂移层的阻抗
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电导率调制,向漂移层内注入作为少数载流子的空穴,因此导通电阻比MOSFET还要小,但是同时由于少数载流子的积聚,在Turn-off时会产生尾电流,从而造成极大的开关损耗。SiC器件漂移层的阻抗比Si器件低
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如前文所说,反向恢复电流会流经开关器件,从而增加开关器件开启过程的尖峰电流。在系统工作过程中,变化的电压信号和电流信号之间相互转换,在回路中形成干扰源,造成系统电磁兼容的问题。改善电磁兼容问题通常
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宽带隙半导体是高效功率转换的助力。有多种器件可供人们选用,包括混合了硅和SiC技术的SiC FET。本文探讨了这种器件的特征,并将它与其他方法进行了对比。
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2023-09-08 11:30:451806
电子元器件里的半导体分立器件
半导体分立器件是电子元器件中的重要组成部分,它们在电子设备中发挥着重要的作用。本文将介绍半导体分立器件的基本概念、分类、应用和发展趋势。
2023-11-23 10:12:56796
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