晶体管输出伏安特性，是指一个确定的基极电流Ib下，集电极电流Ic与与输入电压Uce的关系，理想状态下如下图关系，集电极电流与输入电压没有关系，是由基极电流决定的。
2023-02-23 13:50:52
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的内部结构，可以在内部工作原理中引导和直流电，以调节它们并将它们带到需要的地方。晶体管就是其中之一。8050型晶体管是一种非常特殊的器件，被归类为负-正-负（NPN）外延放大器晶体管，最常见于无线电
2023-02-16 18:22:30
用NPN型功率晶体管扩流的CW200集成稳压电源
2008-11-12 14:50:56
。晶体管NPN型和PNP型结晶体管工作状态晶体管的工作原理类似于电子开关。它可以打开和关闭电流。晶体管背后的基本思想是，它允许您通过改变流经第二个通道的较小电流的强度来控制通过一个通道的电流。1）截止
2023-02-15 18:13:01
两个N型半导体和一个P型半导体组成。通常，NPN晶体管将一块P型硅（基极）夹在两块N型（集电极和发射极）之间。排列如图1所示。NPN晶体管如何工作？以下是说明NPN晶体管的基本原理和功能的主要描述。1
2023-02-08 15:19:23
目标：设计一共射极直流增益β>150的NPN双极型晶体管，并分析其输入特性和输出特性。1）MDRAW工具设计一个双极型晶体管（平面工艺）；2）在MDRAW下对器件必要的位置进行网格加密；3
2014-05-26 19:51:59
，PHP型管置换PNP型管。特性相近用于置换的晶体管应与原晶体管的特性相近，它们的主要参数值及特性曲线应相差不多。晶体管的主要参数近20个，要求所有这些参数都相近，不但困难，而且没有必要。一般来说，只要下述
2015-07-07 16:56:34
题库来源：特种作业模考题库小程序1.晶体管特性图示仪的功耗限制电阻相当于晶体管放大电路的( )电阻。 BA.基极B.集电极C.限流D.降压2.集成运放通常有( )部分
2021-09-02 06:19:31
关于晶体管ON时的逆向电流在NPN晶体管中，基极 (B) 被偏置为正，集电极 (C) 被偏置为负，由发射极 (E) 流向C的是逆电流。1. 不用担心劣化和损坏，在使用上是没有问题的2. NPN
2019-04-09 21:27:24
晶体管并联时，当需要非常大的电流时，可以将几个晶体管并联使用。因为存在VBE扩散现象，有必要在每一个晶体管的发射极上串联一个小电阻。电阻R用以保证流过每个晶体管的电流近似相同。电阻值R的选择依据
2024-01-26 23:07:21
晶体管分类 按半导体材料和极性分类 按晶体管使用的半导体材料可分为硅材料晶体管和锗材料晶体管。按晶体管的极性可分为锗NPN型晶体管、锗PNP晶体管、硅NPN型晶体管和硅PNP型晶体管。 按结构
2010-08-12 13:59:33
本帖最后由 gongddz 于 2017-3-29 09:06 编辑
晶体管作为电流单方向通过的电子开关使用晶体管也可以作为电子开关使用。但这个开关的电流方向只能是单向的，pnp型管和npn型
2017-03-28 15:54:24
晶体管图示仪器是用来测量晶体管输入、输出特性曲线的仪器。在实验、教学和工程中通过使用图示仪，可以获得晶体管的实际特性，能更好的发挥晶体管的作用。
2021-05-07 07:43:17
晶体管在高频信号幅频特性不扩展的理由扩展共射级放大电路的幅频特性
2021-03-02 07:51:16
的应用。二、晶体管分类及其工作原理晶体管泛指所有半导体器件，包含N多种类，因此其也具有多种不同的分类方式。晶体管根据使用材料的不同可分为硅材料晶体管和锗材料晶体管;根据极性的不同可分为NPN型晶体管和PNP型
2016-06-29 18:04:43
1．反向击穿电流的检测 普通晶体管的反向击穿电流（也称反向漏电流或穿透电流），可通过测量晶体管发射极E与集电极C之间的电阻值来估测。测量时，将万用表置于R×1k档， NPN型管的集电极C接黑表笔
2012-04-26 17:06:32
➤ 01晶体管测量模块在 淘宝购买到的晶体管测试显示模块 （¥：67.0）刚刚到货。▲ 刚刚到货的集体管测试线是模块1.基本特性采用2015 V1.12版软件。采用12864点阵液晶屏，显示内容更加
2021-07-13 08:30:42
晶体管测量模块的基本特性有哪些？晶体管测量模块的基本功能有哪些？
2021-09-24 07:37:23
从事电子设计7年了，发觉这两本书挺好的，发上来给大家分享一下附件晶体管电路设计（上）放大电路技术的实验解析.pdf42.5 MB晶体管电路设计（下）FET_功率MOS_开关电路的实验解析.rar.zip47.2 MB
2018-12-13 09:04:31
绍了各种电路印制电路板的实际制作，以及电路特性的测量，并对电路的工作机制进行了验证。《晶体管电路设计与制作》分为两部分。第一部分介绍单管和双管电路，主要目的是理解晶体管的基本工作机制。第二部分介绍各种
2018-01-15 12:46:03
晶体管的主要参数有哪些？晶体管的开关电路是怎样的？
2021-06-07 06:25:09
晶体管的半导体的电流由空穴（正极性）和电子（负极性）产生。一般而言的晶体管是指这种由硅构成的晶体管。FETField Effect Transistor的简称，是指场效应晶体管。有接合型FET和MOS型
2019-04-10 06:20:24
。 Si晶体管的分类 Si晶体管的分类根据不同分类角度，有几种不同的分类方法。在这里，从结构和工艺方面粗略地分类如下。其中，本篇的主题“功率类”加粗/涂色表示。 双极晶体管和MOSFET中，分功率型
2020-06-09 07:34:33
是基于代表性的特性进行的，因此存在个别不吻合的内容。请理解为整体的倾向、特征。另外，这些晶体管的结构、工作原理与代表性的参数如下。双极晶体管（图中以NPN为例）由PN结组成，通过在基极流过电流，而在集电极
2018-11-28 14:29:28
晶体管概述的1. 1948年、在贝尔电话研究所诞生。1948年，晶体管的发明给当时的电子工业界来带来了前所未有的冲击。而且，正是这个时候成为了今日电子时代的开端。之后以计算机为首，电子技术取得急速
2019-05-05 00:52:40
之间）和发射结（B、E极之间），发射结与集电结之间为基区。 根据结构不同，晶体管可分为PNP型和NPN型两类。在电路图形符号上可以看出两种类型晶体管的发射极箭头（代表集电极电流的方向）不同。PNP型
2013-08-17 14:24:32
。 7．音频功率放大互补对管的选用音频功率放大器的低放电路和功率输出电路，一般均采用互补推挽对管（通常由1只NPN型晶体管和1只PNP型晶体管组成）。选用时要求两管配对，即性能参数要一致。 低放电路中
2012-01-28 11:27:38
很少一部分在基区被复合，大部分电子是在集电结的强电场的作用下，集中到了集电极，构成了集电极电流的主体，所以，此时的集电极电流要远大于从基极注入的电流，这就是晶体管放大功能的物理模型。此时，是以NPN型
2012-02-13 01:14:04
，晶体管的输入特性类似于二极管的正向伏安特性。 (2)共射极输出特性 （以 NPN 管为例） 共射极输出特性表达式为：。晶体管输出特性曲线的三个区域对应于 晶体管的三个工作状态（饱和、放大和截止）。 a
2021-05-13 06:43:22
关于晶体管ON时的逆向电流在NPN晶体管中，基极 (B) 被偏置为正，集电极 (C) 被偏置为负，由发射极 (E) 流向C的是逆电流。1. 不用担心劣化和损坏，在使用上是没有问题的2. NPN
2019-05-09 23:12:18
电压（与功率MOSFET的低导通电阻相当）和较快的开关特性的晶体管。尽管其具有较快的开关特性，但仍比不上功率MOSFET，这是IGBT的弱点。【功率元器件的基本结构与特点
2019-05-06 05:00:17
电压（与功率MOSFET的低导通电阻相当）和较快的开关特性的晶体管。尽管其具有较快的开关特性，但仍比不上功率MOSFET，这是IGBT的弱点。【功率元器件的基本结构与特点
2019-03-27 06:20:04
向各位大神求助，我想仿真“用石墨烯代替硅制作的场效应晶体管的特性测量”。电路和普通的测量场效应晶体管特性的电路基本一样，只是需要能够调整晶体管的迁移率等特性，想问下LABVIEW能实现这种仿真吗？我在库里没找到晶体管，能帮忙指出在哪可以找到吗？谢谢！实在是太菜鸟了，请见谅。能建立下图这种电路就行。
2014-04-11 12:06:22
一、引言PNP 晶体管是双极结型晶体管（BJT）。PNP晶体管具有与NPN晶体管完全不同的结构。在PNP晶体管结构中，两个PN结二极管相对于NPN晶体管反转，使得两个P型掺杂半导体材料被一层薄薄的N
2023-02-03 09:44:48
PNP双极型晶体管的设计
2012-08-20 08:29:56
工作电压的极性而可分为NPN型或PNP型。双极结型晶体管 双极结型晶体管（Bipolar Junction Transistor—BJT）又称为半导体三极管，它是通过一定的工艺将两个PN结结
2010-08-13 11:36:51
multisim仿真中高频晶体管BFG35能用哪个晶体管来代替，MFR151管子能用哪个来代替？或是谁有这两个高频管子的原件库？求大神指教
2016-10-26 11:51:18
路，包括矩形波振荡器，射极跟随器，宽带放大器，电子电位器，OP放大器，带自举电路的射极跟随器，Sallen-Key型低通滤波器，带隙型稳压电路，三角波→正弦波变换器，低失真系数振荡器，移相器，串联调节器，斩波放大器等。 点击链接进入旧版 ：晶体管电路设计与制作
2020-08-19 18:24:17
上使用的模拟器“SPICE”对设计的结果进行模拟。《晶体管电路设计与制作》中介绍了各种电路印制电路板的实际制作，以及电路特性的测量，并对电路的工作机制进行了验证。《晶体管电路设计与制作》分为两部分。第一部分介绍单
2021-01-05 22:38:36
伏安特性是指加在二 极 管两端的电 压u与流过=极管的电 流，之间的关系，即，I=f（U）。2CP12（普通型硅=极管）和2AP9（普通型锗二 极 管）的伏安特。11.png
2020-10-27 10:17:50
1三极管基本特性晶体管分为三极管和场效应管，三极管电路的学习更具普遍性，场效应管的应用我们放到后面电源管理的章节介绍。晶体管都可分为N型和P型，具体到三极管就是NPN三极管和PNP三极管。我们主要
2021-12-30 07:30:30
字（可选）
PNP 和 NPN 晶体管
晶体管的种类繁多，每种晶体管的特性各不相同，各有其优点和缺点。某些类型的晶体管主要用于开关应用。其他的可用于开关和放大。尽管如此，其他晶体管仍属于自己的专业组
2023-08-02 12:26:53
互补晶体管的匹配
2019-10-30 09:02:03
类型。3.2 晶体管的种类及其特点》巨型晶体管GTR是一种高电压、高电流的双极结型晶体管（BJT），因此有时被称为功率BJT。特点：电压高，电流大，开关特性好，驱动功率高，但驱动电路复杂;GTR和普通双极结型
2023-02-03 09:36:05
PNP 和 NPN 是两种类型的双极结型晶体管 （BJT）。BJT由可以放大电流的掺杂材料制成。它具有PNP和NPN配置选项。PNP 和 NPN晶体管可用于放大或开关。本文将解释NPN和PNP之间
2023-02-03 09:50:59
年代和 1960 年代，它也被称为超级阿尔法对。Darlington认识到这种设计对发射极-跟随电路的诸多优势，并为这一概念申请了专利。 达林顿晶体管通常具有低功耗、高增益的特性，使其对输入电流
2023-02-16 18:19:11
本文将重点讨论使用双极性结型晶体管(BJT)和NMOS晶体管的稳定电流源。稳定电流源(BJT)目标本实验旨在研究如何利用零增益概念来产生稳定（对输入电流电平的变化较不敏感）的输出电流。材料
2021-11-01 09:53:18
的两种主要类型是什么？晶体管基本上分为两种类型;它们是双极结型晶体管（BJT）和场效应晶体管（FET）。BJT再次分为NPN和PNP晶体管。5.晶体管有多少种？两种类型晶体管有两种类型，它们在电路中
2023-02-03 09:32:55
伏安特性分析仪简称IV分析仪，专门用来测量二极管的伏安特性曲线、晶体管三极管的输出特性曲线，以及MOS场效应管的输出特性曲线。
IV分析仪相当于实验室的晶体管图示仪，需要将晶体管与连接
2023-04-27 16:28:47
的规则，则可以互换使用NPN和PNP晶体管。双极晶体管实际上是两个背靠背连接的二极管，基极用作公共连接。PNP 结点如何工作？PNP晶体管是由夹在两个P型半导体之间的N型半导体组成的双极结型晶体管
2023-02-03 09:45:56
功率晶体管（GTR）具有控制方便、开关时间短、通态压降低、高频特性好、安全工作区宽等优点。但存在二次击穿问题和耐压难以提高的缺点，阻碍它的进一步发展。—、结构特性1、结构原理功率晶体管是双极型大功率
2018-01-15 11:59:52
功率晶体管（GTR）具有控制方便、开关时间短、通态压降低、高频特性好、安全工作区宽等优点。但存在二次击穿问题和耐压难以提高的缺点，阻碍它的进一步发展。—、结构特性1、结构原理功率晶体管是双极型大功率
2018-01-25 11:27:53
VT称为增强型MOS管的开启电压。 单极型晶体管特点 输入电阻高，可达107~1015Ω，绝缘栅型场效应管（IGFET）可高达1015Ω。 噪声低，热稳定性好，工艺简单，易集成，器件特性便于
2020-06-24 16:00:16
各位高手，小弟正在学习单结晶体管，按照网上的电路图做的关于单结晶体管的仿真，大多数都不成功，请问谁有成功的单结晶体管的仿真仿真啊，可以分享下吗。
2016-03-04 09:15:06
NPN型双极性晶体管可以视为共用阳极的两个二极管接合在一起。在双极性晶体管的正常工作状态下，基极-发射极结（称这个PN结为“发射结”）处于正向偏置状态，而基极-集电极（称这个PN结为“集电结”）则处于反向偏置状态。
2019-09-26 09:00:23
放大，似于多路比较器的输出，NPN型晶体管多发射极分别接到比较器的输出端，集电极共用一路上拉电阻连接至电源，如果多路比较器有一路导通，则该多发射极晶体管集电极输出导通拉低，电平为低电平。
不知是否是我理解的这样？
2024-01-21 13:47:56
（1）场效应晶体管的源极S、栅极G、漏极D分别对应于三极管的发射极e、基极b、集电极c，它们的作用相似，图1-6-A所示是N沟道MOS管和NPN型晶体三极管引脚，图1-6-B所示是P沟道场效应晶体管
2019-03-28 11:37:20
场效应晶体管（Field Effect Transistor缩写(FET)）简称场效应管。一般的晶体管是由两种极性的载流子,即多数载流子和反极性的少数载流子参与导电,因此称为双极型晶体管,而FET
2021-05-24 06:27:18
制作材料分，晶体管可分为锗管和硅管两种。 按极性分，三极管有PNP和NPN两种，而二极管有P型和N型之分。多数国产管用xxx表示，其中每一位都有特定含义：如 3 A X 31，第一位3代表三极管，2
2012-07-11 11:36:52
基于LabVIEW的三极管伏安特性测量1. 内容利用LabVIEW设计一个三极管伏安特性测量程序，采用电压扫描法实现对三极管伏安特性的分析。2. 要求
2016-07-05 10:34:20
基于单片机的晶体管特性图示仪
2012-08-20 09:30:07
。对于NPN，它是灌电流。 达林顿晶体管开关 这涉及使用多个开关晶体管，因为有时单个双极晶体管的直流增益太低而无法切换负载电压或电流。在配置中，一个小输入双极结型晶体管（BJT）晶体管参与打开和关闭
2023-02-20 16:35:09
IGBT是由哪些部分组成的？绝缘栅双极型晶体管IGBT有哪些特点？如何去使用绝缘栅双极型晶体管IGBT呢？
2021-11-02 06:01:06
怎样去设计扫描信号发生器？扫描信号发生器的阶梯波和锯齿波有什么关系？以CRT示波器为显示终端显示波形，与通用晶体管特性图示仪比较，具有哪些优点？
2021-04-15 06:13:59
黑色，则晶体管为NPN型;如果固定测试引线是红色引线，则管子是PNP型晶体管。 注意：锗管用R×100测量，硅管用R×1k测量。 ○ 确定发射器和集电极 使用万用表测量除基极电极外两极的电阻。更换
2023-02-14 18:04:16
什么是微波功率晶体管？如何提高微波功率晶体管可靠性？
2021-04-06 09:46:57
为了改善晶体管的开关特性，减小晶体管的损耗，在晶体管基极驱动电路的设计上会采取一些加速措施。如下： 加速电路一 在加速电路一中，并联在RB两端的电容CB称为加速电容，数值一般在1nf
2020-11-26 17:28:49
如何用Multisim10进行数据采集？如何用LabVIEW显示单结晶体管伏安特性？
2021-04-09 06:13:03
来至网友的提问：如何选择分立晶体管？
2023-11-24 08:16:54
小功率管2N930 NPN LOW POWER 硅 晶体管 [53kb]2N1613 NPN - 音频 output ,Video, Driver [NTE128][28KB]2N2222A NPN
2021-05-25 06:28:22
结型晶体管（BJT）和场效应晶体管（FET）。前者是本次讨论的重点。 双极结型晶体管的类型 BJT安排有两种基本类型：NPN和PNP。这些名称是指构成组件的P型（正极）和N型（负极）半导体材料
2023-02-17 18:07:22
小弟想问，有谁可以告诉我。晶体管transistor part number(UTC MCR101L 6UDA)是NPN 还是PNP。如果找不到同一样的晶体管(transistor)那我该买什么晶体管(transistor)来替换。急求。。。。。。。答案。。。。。
2011-06-21 13:38:28
变化。因这一变化点在3V以下，故产品为合格。关于数字晶体管的温度特性根据环境温度、VBE、hFE、R1、R2变化。hFE的温度变化率约为0.5％/ºCVBE的温度系数约为－2mV/ºC(-1.8
2019-04-22 05:39:52
选定方法数字晶体管的型号说明IO和IC的区别GI和hFE的区别VI(on)和VI(off)的区别关于数字晶体管的温度特性关于输出电压 - 输出电流特性的低电流领域（数字晶体管的情况）关于数字晶体管
2019-04-09 21:49:36
的小变化将导致集电极电流的大变化。关于Beta的最后一点。相同类型和部件号的晶体管的Beta值会有很大的差异。例如，BC107 NPN双极型晶体管的直流电流增益Beta值介于110和450之间（数据表值
2020-11-02 09:25:24
晶体管的半导体的电流由空穴（正极性）和电子（负极性）产生。一般而言的晶体管是指这种由硅构成的晶体管。FETField Effect Transistor的简称，是指场效应晶体管。有接合型FET和MOS型
2019-05-05 01:31:57
我在设计 PCB 时犯了一个错误，我的一些晶体管在原理图上将集电极和发射极调换了。“正常”方式是有 1：基极，2：发射极，3：集电极，但我需要一个晶体管，1：基极，2：集电极，3：发射极。引脚号与此图像相关：你知道有这种封装的晶体管吗？我知道我可以将它倒置并旋转，但我想知道我是否可以正确使用一个。
2023-03-28 06:37:56
求购双极晶体管BD249C，NPN，30个，要求现货。2-4天能到北京
2019-07-23 05:27:32
二极管的伏安特性是什么？温度对二极管的伏安特性有何影响？
2021-10-08 08:55:17
仪器仅对NPN 型晶体管进行测试，若要测试PNP 型管，需将电路内的晶体管改型，3DG 改为3CG ， 3CG 改为3DG ， VD1 应反接，电源正、负极互换(振荡电路极性不变)。电路中， NE555
2008-07-25 13:34:04
不导通。当UA＞UG时，P1N1结正偏将发生空穴注入，P1N1P2N2结构开通，A-K间导通并出现负阻现象。其过程及伏安特性与单结晶体管十分相似，区别仅在于：单结晶体管的负阻特性出现在E-B1之间，而
2018-01-22 15:23:21
绝缘栅双极型晶体管检测方法
2009-12-10 17:18:39
电极-发射极电流与几乎零栅流驱动器。典型的 IGBT绝缘栅双极性晶体管，即 IGBT，结合了 MOSFET 的绝缘栅(因此得名第一部分)技术和传统双极性晶体管的输出性能特性，因此得名第二部分。这种混合
2022-04-29 10:55:25
晶体管中，输入回路负载线与输入特性曲线的交点为什么就是Q点？
2019-04-01 06:36:50
本帖最后由 一只耳朵怪 于 2018-6-1 09:25 编辑
請問各大大有無 Multisim 14 基本晶体管模型數據庫以外,更多更多晶体管模型數據庫 ,(例如日本型號 2SAxxx 2SCxxx 晶体管模型數據庫) 下載.如能幫忙非常感謝
2018-05-31 18:21:56
频率特性变化的密勒效应，再比如基于晶体管的负反馈、差分放大电路的设计。这些内容如果认真的去看《晶体管电路设计》，同时结合李老师的电路板进行实际的电路搭建和测试分析，相信每一个位用心的同学都会有或多或少的收获
2016-06-03 18:29:59
硅NPN RF晶体管BFX89、BFY90，专为VHF/UHF放大器、振荡器、转换器应用BFX89和BFY90硅NPN RF晶体管采用TO-72封装方式封装。它们的实物如图1所示，专为VHF/UHF
2019-04-08 01:46:37
NPN型和PNP型晶体管电路
2009-06-08 23:13:053255 
单结晶体管具有负租特性，其工作原理和伏安特性见图1-31。
图1-31中电源电压UBB的
2009-07-31 17:22:552649 
NPN晶体管,NPN晶体管是什么意思
１９４７年１２月２３日，美国新泽西州墨累山的贝尔实验室里，３位科学家——巴丁博士、布菜顿博士和肖克莱博
2010-03-05 11:11:425389 NPN晶体管共发电路:
2012-04-17 15:14:451718 
Multisim 10的元器件库提供数千种电路元器件供实验选用，虚拟测试仪器仪表种类齐全，有一般实验用的通用仪器，但没有晶体管图示仪，只能测试晶体三极管、PMOS和NMOS伏安特性曲线，不具备测试
2019-01-04 09:18:004248 
晶体管配置是NPN晶体管。我们还了解到双极晶体管的结可以以三种不同的方式偏置 -公共基极，公共发射极和公共集电极。在本教程中，关于双极晶体管，我们将更详细地讨论使用双极NPN晶体管的“共发射极”配置，并举例说明NPN晶体管的构造以及晶体管电流特性
2019-06-25 15:14:168110 
本文档的主要内容详细介绍的是晶体管的特性与参数详细资料说明包括了：1 晶体管的工作原理，2 晶体管的伏安特性，3 晶体管的主要参数
2019-06-17 08:00:00
23 今天为大家介绍晶体管由两个PN结构成，分为NPN型和PNP型两类，根据使用材料的不同，将晶体管分为NPN型锗管和NPN型硅管，PNP型锗管和PNP型硅管。
2023-06-03 09:29:111255 
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