65W氮化镓电源原理图
2022-10-04 22:09:30
氧化镓是一种新型超宽禁带半导体材料,是被国际普遍关注并认可已开启产业化的第四代半导体材料。与碳化硅、氮化镓等第三代半导体相比,氧化镓的禁带宽度远高于后两者,其禁带宽度达到4.9eV,高于碳化硅
2023-03-15 11:09:59
氮化镓(GaN)功率集成电路集成与应用
2023-06-19 12:05:19
的存在。1875年,德布瓦博德兰(Paul-Émile Lecoq de Boisbaudran)在巴黎被发现镓,并以他祖国法国的拉丁语 Gallia (高卢)为这种元素命名它。纯氮化镓的熔点只有30
2023-06-15 15:50:54
的PowiGaN方案具有高集成度、易于工厂开发的特点;纳微半导体的GaNFast方案则可以通过高频实现充电器的小型化和高效率(小米65W也是采用此方案)。对于氮化镓快充普及浪潮的来临,各大主流电商及电源厂
2020-03-18 22:34:23
的挑战丝毫没有减弱。氮化镓(GaN)等新技术有望大幅改进电源管理、发电和功率输出的诸多方面。预计到2030年,电力电子领域将管理大约80%的能源,而2005年这一比例仅为30%1。这相当于30亿千瓦时以上
2020-11-03 08:59:19
的选择。 生活更环保 为了打破成本和大规模采用周期,一种新型功率半导体技术需要解决最引人注目应用中现有设备的一些缺点。氮化镓为功率调节的发展创造了机会,使其在高电压应用中的贡献远远超越硅材料。用于
2018-11-20 10:56:25
在所有电力电子应用中,功率密度是关键指标之一,这主要由更高能效和更高开关频率驱动。随着基于硅的技术接近其发展极限,设计工程师现在正寻求宽禁带技术如氮化镓(GaN)来提供方案。
2020-10-28 06:01:23
技术迭代。2018 年,氮化镓技术走出实验室,正式运用到充电器领域,让大功率充电器迅速小型化,体积仅有传统硅(Si)功率器件充电器一半大小,氮化镓快充带来了充电器行业变革。但作为新技术,当时氮化镓
2022-06-14 11:11:16
现在越来越多充电器开始换成氮化镓充电器了,氮化镓充电器看起来很小,但是功率一般很大,可以给手机平板,甚至笔记本电脑充电。那么氮化镓到底是什么,氮化镓充电器有哪些优点,下文简单做个分析。一、氮化镓
2021-09-14 08:35:58
氮化镓功率半导体技术解析基于GaN的高级模块
2021-03-09 06:33:26
桥式拓扑结构中放大了氮化镓的频率、密度和效率优势,如主动有源钳位反激式(ACF)、图腾柱PFC 和 LLC(CrCM 工作模式)。随着硬开关拓扑结构向软开关拓扑结构的转变,初级 FET 的一般损耗方程可以被最小化。更新后的简单方程使效率在 10 倍的高频率下得到改善。
2023-06-15 15:35:02
更小:GaNFast™ 功率芯片,可实现比传统硅器件芯片 3 倍的充电速度,其尺寸和重量只有前者的一半,并且在能量节约方面,它最高能节约 40% 的能量。
更快:氮化镓电源 IC 的集成设计使其非常
2023-06-15 15:32:41
。氮化镓的性能优势曾经一度因高成本而被抵消。最近,氮化镓凭借在硅基氮化镓技术、供应链优化、器件封装技术以及制造效率方面的突出进步成功脱颖而出,成为大多数射频应用中可替代砷化镓和 LDMOS 的最具成本
2017-08-15 17:47:34
本文展示氮化镓场效应晶体管并配合LM5113半桥驱动器可容易地实现的功率及效率。
2021-04-13 06:01:46
从将PC适配器的尺寸减半,到为并网应用创建高效、紧凑的10 kW转换,德州仪器为您的设计提供了氮化镓解决方案。LMG3410和LMG3411系列产品的额定电压为600 V,提供从低功率适配器到超过2 kW设计的各类解决方案。
2019-08-01 07:38:40
封装技术的效率。三维散热是GaN封装的一个很有前景的选择。
生活更环保
为了打破成本和大规模采用周期,一种新型功率半导体技术需要解决最引人注目应用中现有设备的一些缺点。氮化镓为功率调节的发展创造了机会
2019-03-14 06:45:11
激光器是20世纪四大发明之一,半导体激光器是采用半导体芯片加工工艺制备的激光器,具有体积小、成本低、寿命长等优势,是应用最多的激光器类别。氮化镓激光器(LD)是重要的光电子器件,基于GaN材料
2020-11-27 16:32:53
氮化镓电源设计从入门到精通,这个系列直播共分为八讲,本篇第六讲将为您介绍EMC优化和整改技巧,助您完成电源工程师从入门到精通的蜕变。前期回顾(点击下方内容查看上期直播):- 第一讲:元器件选型
2021-12-29 06:31:58
和意法半导体今天联合宣布将硅基氮化镓技术引入主流射频市场和应用领域的计划,这标志着氮化镓供应链生态系统的重要转折点,未来会将MACOM的射频半导体技术实力与ST在硅晶圆制造方面的规模化和出色运营完美结合
2018-08-17 09:49:42
GaN如何实现快速开关?氮化镓能否实现高能效、高频电源的设计?
2021-06-17 10:56:45
氮化镓 (GaN) 可为便携式产品提供更小、更轻、更高效的桌面 AC-DC 电源。Keep Tops 氮化镓(GaN)是一种宽带隙半导体材料。 当用于电源时,GaN 比传统硅具有更高的效率、更小
2023-08-21 17:06:18
高压硅二极管具有低正向传导压降,但由于其反向恢复行为,会在功率转换器中造成显著的动态损耗。与硅相比,SiC二极管的反向恢复行为可以忽略不计,但确实表现出更高的体电容和更大的正向传导降。由于砷化镓技术
2023-02-22 17:13:39
砷化镓铟微光显微镜(InGaAs)与微光显微镜(EMMI)其侦测原理相同,都是用来侦测故障点定位,寻找亮点、热点(Hot Spot)的工具,其原理都是侦测电子-电洞结合与热载子所激发出的光子。差别
2018-10-24 11:20:30
AN011: NV612x GaNFast功率集成电路(氮化镓)的热管理
2023-06-19 10:05:37
CGHV96050F1是款碳化硅(SiC)基材上的氮化镓(GaN)高电子迁移率晶体管(HEMT)。与其它同类产品相比,这些GaN内部搭配CGHV96050F1具有卓越的功率附带效率。与硅或砷化镓
2024-01-19 09:27:13
`Cree的CGHV96100F2是氮化镓(GaN)高电子迁移率晶体管(HEMT)在碳化硅(SiC)基板上。 该GaN内部匹配(IM)FET与其他技术相比,具有出色的功率附加效率。 氮化镓与硅或砷化
2020-12-03 11:49:15
Cree的CMPA801B025是氮化镓(GaN)高电子迁移率基于晶体管(HEMT)的单片微波集成电路(MMIC)。 氮化镓与硅或砷化镓相比具有更好的性能,包括更高的击穿电压,更高的饱和电子漂移速度
2020-12-03 11:46:10
深圳市尊信电子技术有限公司专业开发设计电子产品方案钰泰,智融,赛芯微一级代理吉娜:*** 微信:mphanfan欢迎行业客户联系,获取datasheet、报价、样片等更多产品信息氮化镓技术的普及,使
2021-11-28 11:16:55
GaN功率半导体(氮化镓)的系统集成优势
2023-06-19 09:28:46
衬底上GaN基外延材料生长及杂质缺陷研究的成果,首次提供了在C掺杂半绝缘氮化镓中取代C原子占据N位点的明确证据。中科院半导体所张翔带来了关于石墨烯提升氮化铝核化以及高质量氮化铝薄膜外延层的报告,分享了该
2018-11-05 09:51:35
本帖最后由 kuailesuixing 于 2018-2-28 11:36 编辑
整合意法半导体的制造规模、供货安全保障和电涌耐受能力与MACOM的硅上氮化镓射频功率技术,瞄准主流消费
2018-02-12 15:11:38
,尤其是2010年以后,MACOM开始通过频繁收购来扩充产品线与进入新市场,如今的MACOM拥有包括氮化镓(GaN)、硅锗(SiGe)、磷化铟(InP)、CMOS、砷化镓等技术,共有40多条生产线
2017-09-04 15:02:41
多个方面都无法满足要求。在基站端,由于对高功率的需求,氮化镓(GaN)因其在耐高温、优异的高频性能以及低导通损耗、高电流密度的物理特性,是目前最有希望的下一代通信基站功率放大器(PA)芯片材料。5G采用
2017-07-18 16:38:20
测试背景地点:国外某知名品牌半导体企业,深圳氮化镓实验室测试对象:氮化镓半桥快充测试原因:因高压差分探头测试半桥上管Vgs时会炸管,需要对半桥上管控制信号的具体参数进行摸底测试测试探头:麦科信OIP
2023-01-12 09:54:23
)1.1脉冲条件脉冲宽度:120µsec,占空比10%笔记Tc(op)= + 25°CSG36F30S-D基站用晶体管SGN350H-R氮化镓晶体管SGN1214-220H-R氮化镓晶体管
2021-03-30 11:14:59
)1.1脉冲条件脉冲宽度:120µsec,占空比10%笔记Tc(op)= + 25°CSG36F30S-D基站用晶体管SGN350H-R氮化镓晶体管SGN1214-220H-R氮化镓晶体管
2021-03-30 11:24:16
功率增益13 dB的增益和55%的功率附加效率在1 dB压缩。这种性能使tgf2040适合高效率的应用。带有氮化硅的保护层提供了环境鲁棒性和划痕保护级别。产品型号:TGF2040产品名称:砷化镓晶体管
2018-07-18 12:00:19
TGF2160砷化镓晶体管产品介绍TGF2160报价TGF2160代理TGF2160咨询热线TGF2160现货,王先生 深圳市首质诚科技有限公司. TGF2160离散的1600微米pHEMT由DC至
2018-07-19 10:35:47
由于换了三星手机,之前的充电器都不支持快充了,一直想找一款手机电脑都能用的快充充电器,「倍思GaN2 Pro氮化镓充电器」就是这样一款能满足我的充电器,这篇文章就来说下这款充电器的选购过程
2021-09-14 08:28:31
Canaccord Genuity预计,到2025年,电动汽车解决方案中每台汽车的半导体构成部分将增加50%或更多。本文将探讨氮化镓(GaN)电子器件,也涉及到一点碳化硅(SiC),在不增加汽车成本的条件下
2018-07-19 16:30:38
氮化镓(GaN)的重要性日益凸显,增加。因为它与传统的硅技术相比,不仅性能优异,应用范围广泛,而且还能有效减少能量损耗和空间的占用。在一些研发和应用中,传统硅器件在能量转换方面,已经达到了它的物理
2023-06-15 15:47:44
。
在器件层面,根据实际情况而言,归一化导通电阻(RDS(ON))和栅极电荷(QG)乘积得出的优值系数,氮化镓比硅好 5 倍到 20 倍。通过采用更小的晶体管和更短的电流路径,氮化镓充电器将能实现了
2023-06-15 15:53:16
V,并且氮化镓耐电压小于1000 V。正是由于这些区别,使得功率半导体厂商与研究开发厂商之间产生了一种“无声的默契”。但是,以上所说的改变是非常有可能的。因为氮化镓可以极大地减少晶片的缺陷(错位)密度
2023-02-23 15:46:22
氮化镓(GaN)功率芯片,将多种电力电子器件整合到一个氮化镓芯片上,能有效提高产品充电速度、效率、可靠性和成本效益。在很多案例中,氮化镓功率芯片,能令先进的电源转换拓扑结构,从学术概念和理论达到
2023-06-15 14:17:56
通过SMT封装,GaNFast™ 氮化镓功率芯片实现氮化镓器件、驱动、控制和保护集成。这些GaNFast™功率芯片是一种易于使用的“数字输入、电源输出” (digital in, power out
2023-06-15 16:03:16
两年多前,德州仪器宣布推出首款600V氮化镓(GaN)功率器件。该器件不仅为工程师提供了功率密度和效率,且易于设计,带集成栅极驱动和稳健的器件保护。从那时起,我们就致力于利用这项尖端技术将功率级
2020-10-27 09:28:22
氮化镓南征北战纵横半导体市场多年,无论是吊打碳化硅,还是PK砷化镓。氮化镓凭借其禁带宽度大、击穿电压高、热导率大、电子饱和漂移速度高、抗辐射能力强和良好的化学稳定性等优越性质,确立了其在制备宽波谱
2019-07-31 06:53:03
氮化镓,由镓(原子序数 31)和氮(原子序数 7)结合而来的化合物。它是拥有稳定六边形晶体结构的宽禁带半导体材料。禁带,是指电子从原子核轨道上脱离所需要的能量,氮化镓的禁带宽度为 3.4eV,是硅
2023-06-15 15:41:16
=rgb(51, 51, 51) !important]射频氮化镓技术是5G的绝配,基站功放使用氮化镓。氮化镓(GaN)、砷化镓(GaAs)和磷化铟(InP)是射频应用中常用的半导体材料。[color
2019-07-08 04:20:32
图片所示,列出了几个厂家,基本上都是欧美的。国产有哪些品牌也在做?3.硅、碳化硅、氮化镓这三种材料其实是各有优缺点,传统的硅组件不一定都是缺点。他们三之间有哪些优缺点呢?(百度的东西不够系统全面,都是很散的回复,而且有些论文罗里吧嗦讲了很多,没说重点,不够简洁)
2021-09-23 15:02:11
客户测试后再进行下一步沟通。作为光隔离探头的提供方,麦科信工程师对测试过程提供了技术支持。测试背景:3C消费类产品,其电源采用氮化镓(GaN)半桥方案。测试目的:氮化镓半桥上下管的Vgs及Vds,分析
2023-02-01 14:52:03
高频150W PFC-LLC与GaN功率ic(氮化镓)
2023-06-19 08:36:25
砷化镓功率二极管是宽带隙半导体器件,其性能仅为碳化硅(SiC)的70%左右。本文对10kW LLC转换器中GaAs、SiC和超快硅二极管的性能进行基准测试,该转换器也常用于高效电动汽车充电
2023-02-21 16:27:41
和优化、EMC优化和整改技巧、可靠性评估和分析。第一步:元器件选型对于工程师来说,GaN元器件相较于传统的MOSFET而言有很多不同和优势,但在设计上也带来一定挑战。课程从硅、砷化镓、碳化硅、氮化镓
2020-11-18 06:30:50
如何带工程师完整地设计一个高效氮化镓电源,包括元器件选型、电路设计和PCB布线、电路测试和优化技巧、磁性元器件的设计和优化、环路分析和优化、能效分析和优化、EMC优化和整改技巧、可靠性评估和分析。
2021-06-17 06:06:23
我经常感到奇怪,我们的行业为什么不在加快氮化镓 (GaN) 晶体管的部署和采用方面加大合作力度;毕竟,大潮之下,没人能独善其身。每年,我们都看到市场预测的前景不太令人满意。但通过共同努力,我们就能
2022-11-16 06:43:23
如何实现小米氮化镓充电器是一个c to c 的一个充电器拯救者Y7000提供了Type-c的端口,但这个口不可以充电,它是用来转VGA,HDMI,DP之类了,可以外接显示器,拓展坞之类的。要用氮化镓
2021-09-14 06:06:21
导读:将GaN FET与它们的驱动器集成在一起可以改进开关性能,并且能够简化基于GaN的功率级设计。氮化镓 (GaN) 晶体管的开关速度比硅MOSFET快很多,从而有可能实现更低的开关损耗。然而,当
2022-11-16 06:23:29
如何设计GaN氮化镓 PD充电器产品?
2021-06-15 06:30:55
的性能已接近理论极限[1-2],而且市场对更高功率密度的需求日益增加。氮化镓(GaN)晶体管和IC具有优越特性,可以满足这些需求。
氮化镓器件具备卓越的开关性能,有助消除死区时间且增加PWM频率,从而
2023-06-25 13:58:54
厂商大放异彩。其中砷化镓晶圆代工龙头稳懋就是最大的受益者。
稳懋:全球最大的砷化镓晶圆代工龙头
稳懋成立于1999年10月,是亚洲首座以六吋晶圆生产砷化镓微波通讯芯片的晶圆制造商,自2010年为全球最大
2019-05-27 09:17:13
OPPO公司分享了这一应用的优势,一颗氮化镓可以代替两颗硅MOS,体积更小、更节省空间,且阻抗比单颗硅MOS更低,可降低在此路径上的热量消耗,降低充电温升,提升充电的恒流持续时间。不仅如此,氮化镓有
2023-02-21 16:13:41
替换的插脚。从产品类型来看,电商品牌的氮化镓充电器呈现了多元化的发展,功率涵盖30W、45W、65W、100W等多个级别,接口涵盖单C口、双C口、2C1A、2C2A、3C1A等多种配置,产品
2021-04-16 09:33:21
氮化镓(GaN)和射频(RF)能量应用为工业市场带来重大变革。以前分享过氮化镓如何改变烹饪、等离子体照明和医疗过程,接下来在日常生活中的射频能量系列中分享下氮化镓如何用于工业加热和干燥。从工业角度
2018-01-18 10:56:28
两年多前,德州仪器宣布推出首款600V氮化镓(GaN)功率器件。该器件不仅为工程师提供了功率密度和效率,且易于设计,带集成栅极驱动和稳健的器件保护。从那时起,我们就致力于利用这项尖端技术将功率级
2022-11-10 06:36:09
导致振铃和过冲,从而增加EMI和电路故障的风险。然而,实现最小化的寄生电感很简单,只需采用氮化镓技术。与基于MOSFET的最佳设计相比,如果能够正确采用氮化镓电路来设计解决方案,它具有更少的EMI和过
2023-06-25 14:17:47
请问半桥上管氮化镓这样的开尔文连接正确吗?
2024-01-11 07:23:47
射频半导体技术的市场格局近年发生了显著变化。数十年来,横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)技术在商业应用中的射频半导体市场领域起主导作用。如今,这种平衡发生了转变,硅基氮化镓(GaN-on-Si)技术成为接替传统LDMOS技术的首选技术。
2019-09-02 07:16:34
日前,在广州举行的2013年LED外延芯片技术及设备材料最新趋势专场中,晶能光电硅衬底LED研发副总裁孙钱博士向与会者做了题为“硅衬底氮化镓大功率LED的研发及产业化”的报告,与同行一道分享了硅衬底
2014-01-24 16:08:55
纳微集成氮化镓电源解决方案及应用
2023-06-19 11:10:07
氮化镓GaN是什么?
2021-06-16 08:03:56
candence中的Spice模型可以修改器件最基本的物理方程吗?然后提取参数想基于candence model editor进行氮化镓器件的建模,有可能实现吗?求教ICCAP软件呢?
2019-11-29 16:04:02
请问一下VGA应用中硅器件注定要改变砷化镓一统的局面?
2021-05-21 07:05:36
虽然低电压氮化镓功率芯片的学术研究,始于 2009 年左右的香港科技大学,但强大的高压氮化镓功率芯片平台的量产,则是由成立于 2014 年的纳微半导体最早进行研发的。纳微半导体的三位联合创始人
2023-06-15 15:28:08
了类似高电子迁移率晶体管(HEMT)的氧化镓。这类器件通常由砷化镓(GaAs)或氮化镓制成,是手机和卫星电视接收器的重要射频支柱。这类器件不是通过体半导体的掺杂沟道导电,而是通过在两个带隙不同的半导体
2023-02-27 15:46:36
各位大神,目前国内卖铟镓砷红外探测器的有不少,知道铟镓砷等III-V族化合物外延片都是哪些公司生产的吗,坐等答案
2013-06-04 17:22:07
就可以实现。正是由于我们推出了LMG3410—一个用开创性的氮化镓 (GaN) 技术搭建的高压、集成驱动器解决方案,相对于传统的、基于硅材料的技术,创新人员将能够创造出更加小巧、效率更高、性能更佳
2022-11-16 07:42:26
就可以实现。正是由于我们推出了LMG3410—一个用开创性的氮化镓 (GaN) 技术搭建的高压、集成驱动器解决方案,相对于传统的、基于硅材料的技术,创新人员将能够创造出更加小巧、效率更高、性能更佳
2018-08-30 15:05:50
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