则是由一个绝缘栅和源漏极组成。 MOSFET又可以分为增强型和耗尽型两种类型 。与晶体管相比， 场效应管具有输入电阻高、噪声小、体积小等优点 ，因此在电子电路中得到了广泛的应用。
2023-11-17 16:29:52
1232 
时的漏源电流。 2、UP — 夹断电压。是指结型或耗尽型绝缘栅场效应管中，使漏源间刚截止时的栅极电压。 3、UT — 开启电压。是指增强型绝缘栅场效管中，使漏源间刚导通时的栅极电压。 4、gM — 跨导
2021-05-13 06:13:46
二次击穿现象，安全工作区域宽等特点，主要分为两种：结型场效应管（JFET)和绝缘栈型场效应管（MOSFET)。对N沟道结型场效应管2N3370的输出特性进行分析。对N沟道增强型MOSFET2N7000的输出特性进行仿真
2012-08-03 21:44:34
型与增强型，结型场效应管均为耗尽型，绝缘栅型场效应管既有耗尽型的，也有增强型的。场效应晶体管可分为结场效应晶体管和MOS场效应晶体管，而MOS场效应晶体管又分为N沟耗尽型和增强型；P沟耗尽型和增强型
2019-05-08 09:26:37
场效应管不导通，LED能亮吗？
2023-10-17 07:09:53
为增强型和耗尽型两种形式。正确理解场效应管工作原理的关键在于掌握电压vGS及vDS对导电沟道和电流iD的不同作用，并掌握预夹断与夹断这两个状态的区别和条件。转移特性曲线和输出特性曲线描述了vGS、vDS
2011-07-12 20:09:38
载流子导电，所以称之为单极型器件，而晶体管是即有多数载流子，也利用少数载流子导电。被称之为双极型器件。（3）有些场效应管的源极和漏极可以互换使用，栅压也可正可负，灵活性比晶体管好。（4）场效应管能在很小
2021-05-13 07:09:34
。（2）场效应管是利用多数载流子导电，所以称之为单极型器件，而晶体管是即有多数载流子，也利用少数载流子导电。被称之为双极型器件。（3）有些场效应管的源极和漏极可以互换使用，栅压也可正可负，灵活性比晶体管
2017-05-06 15:56:51
）场效应管是利用多数载流子导电，所以称之为单极型器件，而晶体管是即有多数载流子，也利用少数载流子导电。被称之为双极型器件。（3）有些场效应管的源极和漏极可以互换使用，栅压也可正可负，灵活性比晶体管
2009-04-25 15:43:51
）场效应管是利用多数载流子导电，所以称之为单极型器件，而晶体管是即有多数载流子，也利用少数载流子导电。被称之为双极型器件。（4）场效应管能在很小电流和很低电压的条件下工作，而且它的制造工艺可以很方便地把很多场效应管集成在一块硅片上，因此场效应管
2018-11-05 17:16:04
第一点是场效应管与晶闸管的控制方式不同1、场效应管随着电子技术不断进步，场效应管的种类有好几种，我们最常见的有结型场效应管（FET管）和金属氧化物半导体场效应管（MOSFET管）这两类。这两类
2021-03-16 13:48:28
场效应管具有什么特点？场效应管的工作原理是什么？
2021-09-29 07:19:20
使用的场合要求不同做出来的种类繁多，特性也都不尽相同;我们在mpn中常用的一般是作为电源供电的电控之开关使用，所以需要通过电流比较大，所以是使用的比较特殊的一种制造方法做出来了增强型 的场效应管(MOS
2018-10-10 15:11:23
和VMOS功率场效应管，以及最近刚问世的πMOS场效应管、VMOS功率模块等。 按沟道半导体材料的不同，结型和绝缘栅型各分沟道和P沟道两种。若按导电方式来划分，场效应管又可分成耗尽型与增强型。结型场效应管
2013-03-27 16:19:17
场效应管SVD4N65F可以用SVF4N65FTO-220F 的场效应管代替吗
2017-04-10 13:05:24
依次对准位置，这就确定了两个栅极G1、G2的位置，从而就确定了D、S、G1、G2管脚的顺序。（5）用测反向电阻值的变化判断跨导的大小对VMOS N沟道增强型场效应管测量跨导性能时，可用红表笔接源极S
2012-07-28 14:13:50
。目前广泛应用的是SiO2为绝缘层的绝缘栅场效应管，称为金属-氧化物-半导体场效应管，简称MOSFET。以功能类型划分，MOSFET分为增强型和耗尽型两种，其中耗尽型与增强型主要区别是在制造SiO2绝缘层
2019-07-29 06:01:16
场效应管电机驱动-MOS管H桥原理所谓的H 桥电路就是控制电机正反转的。下图就是一种简单的H 桥电路，它由2 个P型场效应管Q1、Q2 与2 个N 型场效应管Q3、Q3 组成，所以它叫P-NMOS
2021-06-29 07:52:44
场效应管的作用 1、场效应管可应用于放大。由于场效应管放大器的输入阻抗很高，因此耦合电容可以容量较小，不必使用电解电容器。 2、场效应管很高的输入阻抗非常适合作阻抗变换。常用于多级放大器的输入级作
2019-05-29 06:18:14
场效应管的作用1、场效应管可应用于放大。由于场效应管放大器的输入阻抗很高，因此耦合电容可以容量较小，不必使用电解电容器。2、场效应管很高的输入阻抗非常适合作阻抗变换。常用于多级放大器的输入级作阻抗变换。3、场效应管可以用作可变电阻。4、场效应管可以方便地用作恒流源。5、场效应管可以用作电子开关。
2009-04-25 15:43:23
作阻抗变换。 3、场效应管可以用作可变电阻。 4、场效应管可以方便地用作恒流源。 5、场效应管可以用作电子开关。 场效应管的测试 1、结型场效应管的管脚识别： 场效应管的栅极相当于晶体管
2021-05-13 06:55:31
场效应管si2301（p沟道）栅极D1接单片机引脚，电源接源极（s），输出端漏极（d）接一个DCDC然后接负载。问题是，单片机引脚低电平时，输出端(d)确实为高电压，但是单片机引脚高电平时。输出端为0.69v，并没有完全关断。这是场效应管的原因还是电路的设计问题？怎么让场效应管完全关断呢？
2017-12-09 18:46:35
材料的不同，结型和绝缘栅型各分沟道和P沟道两种。若按导电方式来划分，场效应管又可分成耗尽型与增强型。结型场效应管均为耗尽型，绝缘栅型场效应管既有耗尽型的，也有增强型的。 场效应晶体管可分为结
2009-04-25 15:38:10
变大。
如果在栅源之间加负向电压，沟道电阻会越来越小失去控制的作用。漏极和源极可以互换。
2、绝缘栅型场效应管分为N沟道和P沟道，每一种又分为增强型和耗尽型。
N沟道增强型MOS管在其栅源之间加正向电压，形成反型
2024-01-30 11:51:42
。M0S管按其工作状态可分为增强型和耗尽型两种，每种类型按其导电沟道不同又分为N沟道和P沟道两种。结型场效应管按其导电沟道不同也分为N沟道和P沟道两种。下图所示结型场效应管和绝缘栅型场效应管的实物
2020-12-01 17:36:25
。2、UP — 夹断电压。是指结型或耗尽型绝缘栅场效应管中，使漏源间刚截止时的栅极电压。3、UT — 开启电压。是指增强型绝缘栅场效管中，使漏源间刚导通时的栅极电压。4、gM — 跨导。是表示栅源电压
2009-04-25 15:43:12
场效应管的测试1、结型场效应管的管脚识别： 场效应管的栅极相当于晶体管的基极，源极和漏极分别对应于晶体管的发射极和集电极。将万用表置于R×1k档，用两表笔分别测量每两个管脚间的正、反向电阻。当某
2009-04-25 15:43:42
场效应管的特性是什么场效应管的主要参数有哪些场效应管怎么选用？场效应管的选用注意事项？
2021-04-20 06:49:52
接触到的器件，本期内容将会从基础开始，探讨场效应管的一些基础知识，包括选型、关键参数的介绍、系统和散热的考虑等为大家做一些介绍。 场效应管的基础选型 场效应管有两大类型：N沟道和P沟道。在功率系统中
2020-07-10 14:51:42
`请问场效应管的驱动电压多少？`
2019-08-22 15:55:28
N沟道场效应管（电子为载流子），P沟道场效应管（空穴为载流子）。绝缘栅场效应管有四种类型：N沟道增强型MOSFET、N沟道耗尽型MOSFET、P沟道增强型MOSFET、P沟道耗尽型MOSFET。N沟道
2019-06-25 04:20:03
在分析的时候，比如此时输入端为高电平，如何确定场效应管源极（S极）的电平，从而无法确定Vgs的值大小
2016-01-09 20:11:56
与场效应管有什么区别？ PS1060L参数描述型号：PS1060L封装：TO-277特性：超低压降、低功耗电性参数：10A，60V芯片材质：金属硅芯片正向电流(Io)：10A正向电压(VF)：0.33V
2021-11-25 16:41:05
工作电压（Vds）为200V，最大漏极电流为30A，饱和内阻RDS=85mΩ，VGS电压驱动范围为±20V，VGS≥6V管子才饱和，工作温度范围-55℃~150℃。 IGBT和场效应管有什么区别
2021-03-15 15:33:54
型和增强型两种。增强型MOS场效应管可分为NPN型PNP型。NPN型通常称为N沟道型，PNP型也叫P沟道型。对于N沟道的场效应管其源极和漏极接在N型半导体上，同样对于P沟道的场效应管其源极和漏极则接在
2018-10-27 11:36:33
。它一般有耗尽型和增强型两种。本文使用的是增强型MOS场效应管，其内部结构见图4。它可分为NPN型和PNP型。NPN型通常称为N沟道型，PNP型通常称P沟道型。由图可看出，对于N沟道型的场效应管其源极
2011-06-08 10:43:25
的不同，结型和绝缘栅型各分沟道和P沟道两种。若按导电方式来划分，场效应管又可分红耗尽型与加强型。结型场效应管均为耗尽型，绝缘栅型场效应管既有耗尽型的，也有加强型的。场效应晶体管可分为结场效应晶体管和MOS场效应晶体管。而MOS场效应晶体管又分为N沟耗尽型和加强型；P沟耗尽型和加强型四大类。见下图。
2018-10-29 22:20:31
第一部分 晶体管的工作原理 N型场效应管（N-Channel Field Effect Transistor，FET）是一种电极介质驱动的晶体管，通常用来将微弱的输入信号增强到数千或数万次。其
2023-03-08 14:21:22
图（1）的NPN型场效应管作为源极跟随器，此时门极电压值为VG。现在想转换为图（2)的状态，即让D极接地，想让此NPN场效应管电流反向流（即从S极流向D极），请问这个时候门极电压应该怎样配置？是给0V还是可以维持VG呢？给0V和维持VG电流i会不同吗？
2021-04-21 09:48:35
本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 10:03 编辑
N沟道增强型场效应管的工作原理工作原理：1栅源电压V(GS)的控制作用: 当V(GS)=0V时，因为漏源之间被两个背靠背的PN
2012-07-06 16:30:55
本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 10:03 编辑
N沟道增强型场效应管的工作原理工作原理：1栅源电压V(GS)的控制作用: 当V(GS)=0V时，因为漏源之间被两个背靠背的PN
2012-07-06 16:34:53
本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 10:06 编辑
N沟道增强型场效应管的工作原理工作原理：1栅源电压V(GS)的控制作用: 当V(GS)=0V时，因为漏源之间被两个背靠背的PN
2012-07-05 11:27:29
本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 10:08 编辑
N沟道增强型场效应管的工作原理工作原理：1栅源电压V(GS)的控制作用: 当V(GS)=0V时，因为漏源之间被两个背靠背的PN
2012-07-04 17:48:54
耗尽型的MOS场效应管制造过程中预先在二氧化硅的绝缘层中掺入了大量的正离子，因此，即使栅极不加电压（UGS=0），由于静电感应，这些正离子产生的电场也能在P型衬底中“感应”出足够多的负电荷，形成
2015-06-15 18:03:40
VMOS场效应管（VMOSFET）简称Vmos管或功率场效应管，其全称为V型槽MOS场效应管。它是继MOSFET之后新发展起来的高效、功率开关器件。它不仅继承了MOS场效应管输入阻抗高（≥108W
2021-05-13 06:40:51
Q1为N沟道增强型场效应管 该电路实际动作：当接通220V交流电，开关S为断开时，Q1导通，灯亮；当开关S闭合时，Q1截止，灯灭。问题：即然Q1为N沟道增强型
2010-11-16 12:28:04
兄弟姐妹们，做proteus仿真，发现里面找不着双栅极场效应管3sk系列的怎么办啊？？？
2012-12-05 22:55:00
场效应管性能当面不是已经超过了三极管了么，三极管会不会被淘汰？为什么总是讨论三极管问题？我是初学者，刚学了场效应管，嘿嘿，
2015-11-04 12:54:44
场效应管电路有问题吗？用的是P沟道增强型场效应管BSS84,电路如下，经常GS间损坏，损坏后两脚间有5K左右的电阻造成微导通D端有电压输出。电路有问题吗？是什么原因。
2019-10-18 22:00:33
`请问场效应管是不是电压控制器件？`
2019-08-22 15:57:24
场效应管的作用：放大、调制、谐振和作开关用，场效应管是电压控制型器件。场效应管的好坏判断：把数字万用表打到二极管档，用万用表任意触碰场效应管的三只引脚，好的场效应管最终结果只有一次有读数，并且在
2012-05-04 09:51:12
时也有一定的ID(称为IDSS)，这种场效应管(MOSFET)称为耗尽型。它的结构 如图5所示，它的转移特性如图6所示。VP为夹断电压(ID＝0)。耗尽型与增强型主要区别是在制造SiO2绝缘层中有大量
2011-12-19 16:52:35
功率场效应管（VMOS）是单极型电压控制器件。具有驱动功率小、工作速度高、无二次击穿问题、安全工作区宽等显著特点，还具有电流负温度系数、良好的电流自动调节能力、良好的热稳定性和抗干扰能力等优点。其
2018-01-29 11:04:58
场效应管(MOSFET)是电压控制型器件(双极型是电流控制型器件)，因此在驱动大电流时无需推动级，电路较简单。
2019-09-30 09:01:58
很多应用中，甚至可以直接贴换三极管。1概述场效应晶体管（Field Effect Transistor缩写(FET)）简称场效应管。由多数载流子参与导电，也称为单极型晶体管。它属于电压控制型半导体器件。具有...
2021-07-14 06:38:07
如何快速定性判断场效应管、三极管的好坏？怎么判断结型场效应管的电极？有什么注意事项？如何判别晶体三极管管脚？
2021-05-10 06:36:25
`从型号区分 场效应管型号如IRF......... 三极管型号如国产:3DD,国外:2S......... 场效应管有两种命名方法。第一种命名方法与双极型三极管，第三位字母J代表结型场效应管，O
2012-07-11 11:41:15
mpn中常用的一般是作为电源供电的电控之开关使用，所以需要通过电流比较大，所以是使用的比较特殊的一种制造方法做出来了增强型的场效应管(MOS型)，它的电路图符号：仔细看看你会发现，这两个图似乎有差别
2021-05-25 06:00:00
本帖最后由 gk320830 于 2015-3-7 12:50 编辑
有些场效应管的datasheet的类型没有说明，请问怎么区分他们的是JFET, 增强Mosfet，还是耗尽型的mosfet？
2013-10-08 17:29:25
场效应管的G极和S极是绝缘的，其阻抗达数十兆欧姆，理论上驱动场效应管只需要电压不需要电流，也就是零功率驱动，但许多电路尤其是要驱动功率较大的场效应管时，在G极前面却有一个用PNP型和NPN型三极管
2019-05-22 08:29:46
1.三极管是电流控制器件，而场效应管是电压控制器件，因此场效应管的输入电阻可以很高，是它的一个优点，请问，这为什么是它的优点？2.n沟道耗尽型绝缘栅场效应管中，在栅极和源极加上负电压后，达到一定值后，就会出现耗尽，请问这种耗尽是可逆转的么？在撤掉负电压后，还可以再用的吧？
2014-09-21 17:52:43
胡斌的《电子工程师必备 元器件应用宝典》上讲到：对结型场效应管而言,栅极与源极之间应加反向偏置电压。对于绝缘栅场效应管而言,增强型和耗尽型而有所不同:对增加型管而言,栅极与源极间应采用正向偏置
2012-08-22 01:31:44
和工作原理电力场效应晶体管种类和结构有许多种，按导电沟道可分为P沟道和N沟道，同时又有耗尽型和增强型之分。在电力电子装置中，主要应用N沟道增强型。电力场效应晶体管导电机理与小功率绝缘栅MOS管相同，但结构有
2020-03-20 17:09:10
纯直流场效应管功放电路原理图
2019-11-01 09:10:41
`结型场效应管(JFET)的结构及工作原理一、结型场效应管的结构如图1(a)所示，在一块N型半导体材料的两边各扩散一个高杂质浓度的P+区,就形成两个不对称的P+N结，即耗尽层。把两个P+区并联
2011-12-19 16:41:25
结型场效应管marking code是X42，SOT-23封装，有谁知道是什么型号的？
2016-04-16 12:24:36
电压时导电沟道是低阻状态，加上控制电压沟道电阻逐渐变大。
2、绝缘栅型场效应管分为N沟道和P沟道，每一种又分为增强型和耗尽型。
N沟道增强型MOS管在其栅源之间加正向电压，形成反型层和导电沟道，沟道电阻
2024-01-30 11:38:27
请告之结型场效应管的型号，多谢#
2016-01-28 15:17:27
结型场效应管资料下载内容主要介绍了：结型场效应管结构与分类结型场效应管工作原理结型场效应管特性曲线
2021-04-01 07:50:16
绝缘栅场效应管的导电机理是，利用UGS 控制"感应电荷"的多少来改变导电沟道的宽窄，从而控制漏极电流ID。若UGS＝0时，源、漏之间不存在导电沟道的为增强型MOS管，UGS＝0 时，漏、源之间存在导电沟道的为耗尽型MOS管。
2019-09-30 09:02:16
绝缘栅型场效应管有哪些类型：增强型MOS管耗尽型MOS管
2021-04-01 08:05:28
击穿现象、安全工作范围宽等优点。本节我们讲解一下N沟道增强型MOS场效应管，其基本结构如下图所示：如上图所示，在一块P型硅片（半导体）衬底（Substrate，也有称为Bulk或Body）上，形成两个高
2023-02-10 15:58:00
1.是N沟道，耗尽型的场效应管，是耗尽型。像图上这样的话，带？的那端应该是什么极？是源极还是漏极？
2.电路不接管子之前电流还可以，接上场效应管，上电就短路，焊下来后测量栅极和源极之间不导通，源漏
2023-05-16 14:24:38
请问有没有隔离型的场效应管驱动芯片？
2015-08-17 10:41:08
物美。而逆变器后级电路可应用的场效应管除了TK8A50D，还有飞虹电子生产的这个FHP840 高压MOS管。飞虹电子的这个FHP840 高压MOS管为N沟道增强型高压功率场效应管，FHP840场效应管
2019-08-15 15:08:53
场效应管的分类: 场效应管分结型、绝缘栅型(MOS)两大类 按沟道材料:结型和绝缘栅型各分N沟道和P沟道两种. 按导电方式:耗尽型与增强型,结型
2009-11-09 14:27:451385 用机械万用表测量场效应管
1、结型场效应管和绝缘栅型场效应管的区别 (1)从包装上区分
2009-11-09 14:51:191238 绝缘栅型场效应管之图解2
3. 特性曲线（以N沟道增强型为例）
2009-11-09 15:55:582197 场效应管的型号命名方法
现行场效应管有两种命名方法。第一种命名方法与双极型三极管相同，第三位字母J代表结型场效应
2009-11-26 08:40:227746 场效应管（FET）,场效应管（FET）是什么意思
场效应管和双极晶体管不同，仅以电子或空穴中的一种载子动作的晶体管。按照结构、原理可以
2010-03-01 11:06:0546872 VMOS场效应管,VMOS场效应管是什么意思
VMOS场效应管（VMOSFET）简称VMOS管或功率场效应管，其全称为V型槽MOS场效应
2010-03-04 09:51:031344 VMOS场效应管,VMOS场效应管是什么意思
VMOS场效应管（VMOSFET）简称VMOS管或功率场效应管，其全称为V型槽MOS场效应管。它是继MOSFET之后新发展起
2010-03-05 15:44:533238 场效应管英文缩写为FET.可分为结型场效应管（JFET）和绝彖栅型场效应管（MOSFET），我{ ］平常简称为MOS管。而MOS管又可分为增强型和耗尽型而我们］平常主板中常见使用的也就是增强型的MOS管。下图为MOS管的标识。
2017-10-25 14:45:1417823 
下面是对场效应管的测量方法场效应管英文缩写为FET。可分为结型场效应管(JFET)和绝缘栅型场效应管(MOSFET)，我们平常简称为MOS管。而MOS管又可分为增强型和耗尽型而我们平常主板中常见使用的也就是增强型的MOS管。下图为MOS管的标识
2017-12-21 11:17:5111958 
通过输出特性曲线和转移特性曲线来区分场效应管前，首先需要了解一个概念，场效应管是压控型器件，它区别于双极型晶体管（流控型器件），场效应管工作时栅极一般只需要一个电压就可以，电流很小或者为零。所以，要实现这点，结型场效应管和MOS型采用不同的办法实现了这个效果，导致了其特性曲线不同。
2018-09-04 08:00:00
76 场效应管是场效应晶体管的简称，应为缩写为FET。场效应管通常分为两类：1）JFET和MOSFET。这两类场效应管都是压控型的器件。场效应管有三个电极，分别为：栅极G、漏极D和源极S。目前MOSFET应用广泛，JFET相对较少。
2019-06-19 17:16:3610557 本文首先介绍了场效应管是什么，然后解释了场效应管的工作原理。
2019-08-14 10:31:278645 场效应管是电压控制器件，它是继三极管之后的新一代放大元件，场效应晶体管可分为耗尽型效应晶体管和增强型效应晶体管，同时又有N沟道和P沟耗尽型之分。
2020-05-01 16:54:003218 
场效应管是利用电场效应来控制晶体管的电流，是一种用输入电压控制输出电流的半导体器件。 场效应管工作原理 为保证N沟道结型场效应管能正常工作，要在栅源之间加负向电压，以保证反向电压要被耗尽层承受
2021-08-25 11:41:5510651 场效应管和可控硅有什么区别？ 场效应管和可控硅都是常见的半导体元件，它们在电路应用中广泛用到，但是它们有不同的工作原理和应用场合。在本篇文章中，我们将详细讨论场效应管和可控硅的区别。 1.
2023-08-25 15:41:381549 的原理 场效应管的原理是基于半导体材料的独特性质。半导体材料具有两类载流子，即电子和空穴。当半导体材料与另一个材料接触时，它的表面形成一个能带，这个能带被称为“势垒”。势垒的高低可以用来控制载流子的运动。 场效应管有三个
2023-09-02 11:31:132862 场效应管MOSFET是mos管吗？场效应管mos管的区别？场效应管和mos管有什么不一样的地方？ MOSFET和场效应管（FET）都属于半导体器件中的一种，类似晶体管。MOSFET是MOS（金属
2023-09-02 11:31:152546 ，因此需要进行严格的测试和检测，以确保其可靠性和稳定性。 一、场效应管的类型 场效应管有两种类型：N沟道场效应管（N-channel FET）和P沟道场效应管（P-channel FET）。这两种类型的场效应管具有相似的结构和工作原理，但具有不同的尺寸和性能特征，
2023-09-02 11:31:243314 结型场效应管和绝缘栅型场效应管的区别是什么？ 场效应管是一种半导体器件，利用半导体中电荷分布的特性控制电流的流动。常见的场效应管有结型场效应管和绝缘栅型场效应管，它们虽然在功能上有相似之处，但在
2023-09-18 18:20:512227 MOS管和场效应管有什么关系？对于初学者来说，这两个名字常常让人混淆，MOS管到底是不是场效应管？
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