、柔性输电等新能源领域中应用的不断扩展，现代社会对电力电子变换器的效率和功率密度提出了更高的要求，需要器件在较高温度环境时仍具有更优越的开关性能以及更小的结温和结温波动。SiC肖特基势垒二极管(SBD
2019-10-24 14:25:15
。 SiC肖特基势垒二极管（SBD）在大功率应用方面的最大优势在于近乎理想的动态特性。在反向恢复瞬态，当二极管从正向导通模式转变为反向阻断模式时，有很低的反向恢复时间，而且在整个工作温度范围内保持
2020-09-24 16:22:14
SIC碳化硅二极管
2016-11-04 15:50:11
阻。尽管普通二极管的“惯性”较大，但是在超过200V的工作电压场合，普通的PIN二极管占主导地位。 源于硅基的肖特基二极管，近年来开发出来新的基于碳化硅(SiC)的肖特基二极管用于一些效率很关键的电力
2019-01-02 13:57:40
的AC/DC转换和功率转换为目的的二极管和MOSFET，以及作为电源输出段的功率模块等来分类等等。在这里，分以下二个方面进行阐述：一是以传统的硅半导体为基础的“硅（Si）功率元器件”，另一是与Si
2018-11-28 14:34:33
Si整流器与SiC二极管：谁会更胜一筹
2021-06-08 06:14:04
面对SiC-SBD和Si-PND的特征进行了比较。接下来比较SiC-SBD和Si-PND的反向恢复特性。反向恢复特性是二极管、特别是高速型二极管的基本且重要的参数，所以不仅要比较trr的数值，还要
2018-11-29 14:34:32
前面对SiC-SBD和Si-PND的反向恢复特性进行了比较。下面对二极管最基本的特性–正向电压VF特性的区别进行说明。SiC-SBD和Si-PND正向电压特性的区别二极管的正向电压VF无限接近零
2018-11-30 11:52:08
，已实施了评估的ROHM的SiC-SBD，在与我们熟知的Si晶体管和IC可靠性试验相同的试验中，确保了充分的可靠性。另外，关于SiC-SBD，可能有人听说过有与dV/dt或dI/dt相关的破坏模式
2018-11-30 11:50:49
时间trr快（可高速开关）・trr特性没有温度依赖性・低VF（第二代SBD）下面介绍这些特征在使用方面发挥的优势。大幅降低开关损耗SiC-SBD与Si二极管相比，大幅改善了反向恢复时间trr。右侧的图表为
2019-03-27 06:20:11
介绍。如下图所示，为了形成肖特基势垒，将半导体SiC与金属相接合（肖特基结）。结构与Si肖特基势垒二极管基本相同，其重要特征也是具备高速特性。而SiC-SBD的特征是其不仅拥有优异的高速性还同时实现了高
2018-11-29 14:35:50
ROHM努力推进最适合处理高耐压与大电流电路使用SiC（碳化硅）材料的SBD（肖特基势垒二极管）。2010年在日本国内率先开始SiC SBD的量产，目前正在拓展第二代SiC-SBD，并推动在包括车载
2018-12-04 10:09:17
为了使大家了解SiC-SBD，前面以Si二极管为比较对象，对特性进行了说明。其中，也谈到SiC-SBD本身也发展到第2代，性能得到了提升。由于也有宣布推出第3代产品的，所以在此汇总一下SiC-SBD
2018-11-30 11:51:17
1. 器件结构和特征SiC能够以高频器件结构的SBD（肖特基势垒二极管）结构得到600V以上的高耐压二极管（Si的SBD最高耐压为200V左右）。因此，如果用SiC-SBD替换现在主流产品快速PN结
2019-03-14 06:20:14
1. 器件结构和特征SiC能够以高频器件结构的SBD（肖特基势垒二极管）结构得到600V以上的高耐压二极管（Si的SBD最高耐压为200V左右）。因此，如果用SiC-SBD替换现在主流产品快速PN结
2019-04-22 06:20:22
SiC-MOSFET－沟槽结构SiC-MOSFET与实际产品SiC功率元器件基础篇前言前言何谓SiC（碳化硅）？何谓碳化硅SiC功率元器件的开发背景和优点SiC肖特基势垒二极管所谓SiC-SBD－特征以及与Si
2018-11-27 16:40:24
功率元器件的开发背景和优点SiC肖特基势垒二极管所谓SiC-SBD－特征以及与Si二极管的比较所谓SiC-SBD－与Si-PND的反向恢复特性比较所谓SiC-SBD－与Si-PND的正向电压比较所谓
2018-11-27 16:38:39
如此。我想以二极管为例详细进行说明。下图是SiC-SBD、Si-SBD、Si-PND的示意图，显示了电流流动的机理。SiC-SBD和Si-SBD都是肖特基势垒二极管，因此金属与n型半导体间形成的肖特基
2018-12-03 15:12:02
防雷过压器件的具体作用二极管的应用二极管是什么原理二极管有哪些分类？
2021-03-16 13:54:35
二极管简易直流稳压电路及故障处理二极管温度补偿电路及故障处理二极管控制电路及故障处理二极管限幅电路及故障处理二极管开关电路及故障处理二极管检波电路及故障处理继电器驱动电路中二极管保护电路及故障处理
2021-03-10 07:14:45
Boost升压PFC电感上的二极管是做什么的？二极管的作用
2021-02-24 07:49:55
VF特征的肖特基势垒二极管，下面将分别予以说明。虽然作了上述分类，但原则上，Si二极管均属由阳极和阴极构成的元器件，表示其本质功能和特性的项目基本相同。那么“究竟有什么区别呢？”，答案就是“根据
2018-12-03 14:30:32
二极管的参数是选用二极管的决定性因素之一，二极管的压降的其中的一种。 二极管在正向导通的时候，流过电流的时候会产生压降。一般情况下，这个压降和正向电流以及温度有关。通常硅二极管，电流越大，压降越大。温度越高，压降越小。但是碳化硅二极管却是温度越高，压降越大。二极管规格书下载：
2021-03-22 17:25:26
一、ESD静电二极管，主要功能是防静电，然而防静电要求电容值低，一般在1--3.5PF之间最好；而TVS二极管的电容值却比较高。二、ESD保护二极管，主要应用于板级保护；TVS二极管用于初级
2022-05-18 11:23:17
二极管中观察到的电容恢复特性为独立于温度，正向电流水平以及关断dI/dt。在Si技术中，不切实际外延规范将肖特基二极管降级为< 600 V的应用。GeneSiC的1200 V SiC肖特基二极管是专门设计的，以尽量减少电容电荷，从而实现更快的开关瞬变。
2023-06-16 11:42:39
凑的系统），内部体二极管能够像mosfet一样处理电流吗？可以说25A电流，还是应该使用外部体二极管？如果我使用外部体二极管;我可以使用快速恢复二极管吗？那将是什么缺点。外部SiC SBD是昂贵
2019-05-29 06:12:00
的阻抗值由高阻抗变为低阻抗，以吸收一个瞬间大电流，把TVS的两端电压箝制在一个预定的数值上，从而保护后级电路不受瞬态高压尖峰脉冲的冲击。那么，TVS二极管用什么替代？这个问题比较模糊。关于能否用稳压二极管
2022-05-19 15:30:42
TVS二极管，也叫瞬变二极管、瞬态电压抑制二极管、瞬变抑制二极管、瞬态抑制二极管、TVS、TVS二极管、TVS管、二极管TVS等等，叫法很多，不同的客户叫法略有差异，但是东西都是一个东西，是防浪涌
2022-05-25 14:16:57
肖特基二极管是以其发明人肖特基博士（Schottky）命名的，SBD是肖特基势垒二极管（SchottkyBarrierDiode,缩写成SBD）的简称。SBD不是利用P型半导体与N型半导体接触形成
2010-08-17 09:31:20
，有助于满足现代电子技术对高温、高功率、高压、高频以及抗辐射等恶劣条件的新要求。
二、 SiC的性能优势
1、SiC SBD可将耐压提高到3.3kV，极大扩展了SBD的应用范围
肖特基二极管
2023-10-07 10:12:26
续流二极管作用及工作原理是什么？续流二极管为什么要反向接个二极管呢？续流二极管在正激开关电源的作用是什么？在变流技术中，续流二极管在电路里起什么作用？
2021-07-06 06:53:37
相较于硅，碳化硅（SiC）肖特基二极管采用全新的技术，提供更出色的开关性能和更高的可靠性。SiC无反向恢复电流，且具有不受温度影响的开关特性和出色的散热性能，因此被视为下一代功率半导体。安森美半导体
2018-10-29 08:51:19
发光二极管与激光二极管在发光原理上有何差别？发光二极管与激光二极管在工作原理上有何差别？发光二极管与激光二极管在架构上有何差别？发光二极管与激光二极管在效能上有何差别？
2021-07-28 07:02:48
关于SiC-SBD，前面介绍了其特性、与Si二极管的比较、及当前可供应的产品。本篇将汇总之前的内容，并探讨SiC-SBD的优势。SiC-SBD、SiｰSBD、Si-PND的特征SiC-SBD为形成
2018-11-29 14:33:47
从本文开始进入新的一章。继SiC概要、SiC-SBD（肖特基势垒二极管 ）、SiC-MOSFET之后，来介绍一下完全由SiC功率元器件组成的“全SiC功率模块”。本文作为第一篇，想让大家了解全SiC
2018-11-27 16:38:04
封装产品正在开发中）使用SiC SBD可显著减少开通损耗，并大大降低应用产品的功耗“RGWxx65C系列”是使用ROHM的低损耗SiC SBD作为IGBT续流二极管的IGBT产品。 与使用Si快速恢复
2022-07-27 10:27:04
`快恢复二极管从名称上很好理解，肖特基二极管是以人名命名，由于制造I艺完全不同，是肖特基博士的一个创新。肖特基二极管是以其发明人肖特基博士(Schottky) 命名的，SBD是肖特基二极管
2018-11-01 15:26:11
与Si的比较开发背景SiC的优点SiC-SBD（肖特基势垒二极管）与Si二极管比较采用示例SiC-MOSFET与各种功率MOSFET比较运用事例全SiC模块模块的构成开关损耗运用要点SiC是在热、化学
2018-11-29 14:39:47
1.整流二极管作用：利用PN结的单向导电性把交流电变成脉动直流电，整流二极管结构主要是平面接触型，其特点是允许通过的电流比较大，反向击穿电压比较高，但PN结电容比较大，一般广泛应用于处理频率不高
2018-10-18 15:45:32
的优势。大幅降低开关损耗SiC-SBD与Si二极管相比，大幅改善了反向恢复时间trr。右侧的图表为SiC-SBD与Si-FRD（快速恢复二极管）的trr比较。恢复的时间trr很短，二极管关断时的反向电流
2018-12-04 10:26:52
相较于硅，碳化硅（SiC）肖特基二极管采用全新的技术，提供更出色的开关性能和更高的可靠性。SiC无反向恢复电流，且具有不受温度影响的开关特性和出色的散热性能，因此被视为下一代功率半导体。
2019-07-25 07:51:59
电场而具有高击穿电压。例如，商用硅肖特基二极管的电压小于300V，而第一个商用SiC肖特基二极管的击穿电压已达到600V。3）碳化硅具有较高的导热性。4）SiC器件可以在更高的温度下工作，而Si器件
2023-02-07 15:59:32
如何识别普通二极管？晶体二极管的参数有哪些？普通二极管怎么使用？
2021-06-08 06:38:05
SiC-MOSFET和SiC-SBD（肖特基势垒二极管）组成的类型，也有仅以SiC-MOSFET组成的类型。与Si-IGBT功率模块相比，开关损耗大大降低处理大电流的功率模块中，Si的IGBT与FRD
2018-12-04 10:14:32
请问一下怎样使用集成二极管和外部二极管呢？
2022-12-05 12:04:41
1. SiC模块的特征大电流功率模块中广泛采用的主要是由Si材料的IGBT和FRD组成的IGBT模块。ROHM在世界上首次开始出售搭载了SiC-MOSFET和SiC-SBD的功率模块。由IGBT的尾
2019-03-12 03:43:18
他Si二极管相比不算很高。ROHM的SBD产品阵容不仅具有以超低VF为特征的用于提升效率的系列，还具有保持耐压的同时将IR抑制到微安培的超低IR系列。下图为针对应用要求，以IR为纵轴，以VF为横轴
2018-12-04 10:10:19
新日本无线的这款新MUSES音频系列产品 MUSES7001 是采用了粗铜线丝焊方式的音频碳化硅肖特基二极管(SiC-SBD:Silicon Carbide-Schottky Barrier
2013-11-14 12:16:01
普通二极管和肖特基二极管的伏安特性如何
2021-10-13 08:57:54
正常情况下，要满足稳压二极管的反向电压是等于或者大于整流二极管的方向电压。普通二极管是指工艺材料没有什么特殊的二极管。其性能也就没有特点了。能不能代替整流二极管呢？根据二极管的使用原则，只要其耐压
2021-05-26 16:49:24
1. 器件结构和特征SiC能够以高频器件结构的SBD（肖特基势垒二极管）结构得到600V以上的高耐压二极管（Si的SBD最高耐压为200V左右）。因此，如果用SiC-SBD替换现在主流产品快速PN结
2019-05-07 06:21:51
肖特基二极管包括普通功率肖特基势垒二极管(PowerSchottkyBarrierDiode,SBD)、结势垒控制的肖特基(JunctionBarrierControlledShottky，JBS
2019-02-12 15:38:27
二极管和超快恢复二极管、快速恢复二极管、硅高频整流二极管、硅高速开关二极管的性能比较。由表可见，硅高速开关二极管的trr虽极低，但平均整流电流很小，不能作大电流整流用。4、SiC高压SBD 由于Si
2016-11-14 20:01:52
电子元器件在模块中运用的二极管有稳压二极管，整流二极管，其中整流二极管在电压转换进程中扮演了重要的角色。在变压器的输入端，两个整流二极管在不同时段导通，使交流脉动电压转换为直流脉动。在本实验中
2012-12-13 15:06:51
1.ESD静电二极管，主要功能是防静电，然而防静电要求电容值低，一般在1--3.5PF之间最好；而TVS二极管的电容值却比较高。2.ESD保护二极管，主要应用于板级保护；TVS二极管用于初级和次级
2020-12-24 14:55:58
1.ESD静电二极管，主要功能是防静电，然而防静电要求电容值低，一般在1--3.5PF之间最好；而TVS二极管的电容值却比较高。2.ESD保护二极管，主要应用于板级保护；TVS二极管用于初级和次级
2021-12-30 17:52:36
Toshiba研发出一种SiC金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET)，其将嵌入式肖特基势垒二极管（SBD）排列成格子花纹（check-pattern embedded SBD），以降低导通电
2023-04-11 15:29:18
`海飞乐技术目前产品范围包括有：快恢复二极管、FRD模块、肖特基二极管、SBD模块、MOS管、MOS模块，各种以及宽禁带（WBG）半导体器件，涵盖变频、逆变、新能源汽车、充电桩、高频电焊、特种电源等
2019-10-24 14:21:23
稳压二极管；反之，如果测得的反向电阻值仍很大，说明该管为整流二极管或检波二极管。这种判别方法的原理是，万用表Rx1k挡内部使用的电池电压为1.5V，一般不会将被测管反向击穿，所以测出的反向电阻值比较大。而用
2021-08-16 17:04:51
击穿前通过反向特征和PN结雪崩效应,他们都有稳定电压反向接入电路的功能,但是它们不是相同的。稳压二极管用于固定输入电压在某一值，TVS二极管主要用于防止瞬态高压对箝位后电路;3.响应时间一般来说
2021-12-21 11:16:32
本文描述了ROHM推出的SiC-SBD其特性、与Si二极管的比较、及当前可供应的产品，并探讨SiC-SBD的优势。ROHM的SiC-SBD已经发展到第3代。第3代产品的抗浪涌电流特性与漏电流特性得到
2019-07-10 04:20:13
低，可靠性高，在各种应用中非常有助于设备实现更低功耗和小型化。本产品于世界首次※成功实现SiC-SBD与SiC-MOSFET的一体化封装。内部二极管的正向电压（VF）降低70％以上，实现更低损耗的同时
2019-03-18 23:16:12
二极管。现有肖特基二极管大多数是用硅（Si）半导体材料制作的。20世纪90年代以来，出现了用砷化镓（GaAs）制作SBD。Si-SBD的特点是：正向压降PN结二极管的UDF低，仅为后者的1/2～1/3
2021-01-13 16:36:44
在通信电源、变频器等中比较常见，常用的封装形式有：TO-220AB、ITO-220AB、TO-247，贴片肖特基二极管型号命名以SS开头的比较多。肖特基二极管：根据所承受电流的的限度，封装形式大致分为
2021-07-09 11:45:01
，这个接触面称为“金属半导体结”，其全名应为肖特基势垒二极管，简称为肖特基二极管。现有肖特基二极管大多数是用硅（Si）半导体材料制作的。20世纪90年代以来，出现了用砷化镓（GaAs）制作SBD
2019-01-03 13:36:59
肖特基二极管正向导通电压很低，只有0.4V，反向在击穿电压之前不会导通，起到快速反应开关的作用。而稳压二极管正向导通电压跟普通二级管一样约为0.7V，反向状态下在临界电压之前截止，在达到临界电压
2020-09-25 15:38:08
它的恢复时间短。它也有一些缺点：耐压比较低，漏电流稍大些。选用时要全面考虑。 肖特基二极管又称肖特基势垒二极管（简称SBD），它属一种低功耗、超高速半导体器件。最显著的特点为反向恢复时间极短（可以
2019-02-20 12:01:29
非常快，开关损耗也特别小，尤其适合于高频应用。 但是，由于SBD的反向势垒较薄，并且在其表面极易发生击穿，所以反向击穿电压比较低。由于SBD比PN结二极管更容易受热击穿，反向漏电流比PN结二极管
2017-10-19 11:33:48
肖特基二极管优点：肖特基二极管具有开关频率高和正向压降低等优点，但其反向击穿电压比较低，大多不高于60V，最高仅约100V，以致于限制了其应用范围。像在开关电源（SMPS）和功率因数校正（PFC
2021-09-09 15:19:01
肖特基二极管原理； 肖特基二极管是以其发明人肖特基博士（Schottky）命名的，SBD是肖特基势垒二极管（SchottkyBarrierDiode，缩写成SBD）的简称。SBD不是利用P型
2021-04-17 14:10:23
（Schottky Barrier Diode 缩写成SBD）的简称。肖特基：Schottky整流：RectifierSR:即为肖特基整流二极管Schottky Rectifier Diode:肖特基整二极管
2021-06-30 17:04:44
（简称SBD）它属于一种低功耗、超高速半导体器件。最显著的特点为反向恢复时间极短（可以小到几纳秒），正向导通压降仅0.4V左右。其多用作高频、低压、大电流整流二极管、续流二极管、保护二极管，也有
2020-10-27 06:31:18
1.成本 目前肖特基二极管广泛应用的最大障碍还是成本。可以说，如果肖特基二极管的成本能够降到接近于硅器件的水平,那么很多问题就能迎刃而解，而不会是今天这个局面。目前最典型的Sic肖特基=_极管产品
2018-11-14 14:54:30
肖特基（Schottky）二极管，又称肖特基势垒二极管（简称 SBD），它属一种低功耗、超高速半导体器件。最显著的特点为反向恢复时间极短（可以小到几纳秒），正向导通压降仅0.4V左右。其多用作高频
2021-05-28 06:57:34
、放电时间，完全不同于PN结二极管的反向恢复时间。由于SBD的反向恢复电荷非常少，故开关速度非常快，开关损耗也特别小，尤其适合于高频应用。 具有开关频率高和正向压降低等优点，但其反向击穿电压比较低，大多不高于60V，最高仅约100V，以致于限制了其应用范围。`
2018-10-25 14:48:50
再次谈及Si二极管，将说明肖特基势垒二极管（以下简称为SBD）的相关特征和应用。Si-SBD的特征 如前文所述，Si-SBD并非PN结，而是利用硅称之为势垒金属的金属相接合（肖特基接合）所产生
2018-12-03 14:31:01
电子行业的采购人员来讲，确实很头疼，可能一不下心就会踏入误区，看完下文，相信你会有醍醐灌顶的感觉。一、肖特基二极管定义：肖特基二极管是以其发明人肖特基博士（Schottky）命名的，SBD
2019-04-12 11:37:43
我发现现在大家在选型这个二极管的时候，一般都是采用那种快恢复的二极管，有些场合明明不需要高速的快恢复二极管，但是大家也一样的采用了，看来是不是快恢复二极管已经可以通吃整个二极管应用了？
2019-05-16 00:12:23
(Ge管)和硅二极管(Si管)。 根据其不同用途：可分为检波二极管、整流二极管、稳压二极管、开关二极管、隔离二极管、肖特基二极管、发光二极管、硅功率开关二极管、旋转二极管等。 按照管芯结构
2019-09-12 14:48:45
1. 器件结构和特征 SiC能够以高频器件结构的SBD（肖特基势垒二极管）结构得到600V以上的高耐压二极管（Si的SBD最高耐压为200V左右）。 因此，如果用SiC-SBD替换现在主流产品快速
2023-02-07 16:46:27
501 继SiC功率元器件的概述之后，将针对具体的元器件进行介绍。首先从SiC肖特基势垒二极管开始。SiC肖特基势垒二极管和Si肖特基势垒二极管：下面从SiC肖特基势垒二极管（以下简称“SBD”）的结构开始介绍。
2023-02-08 13:43:17612 
下面从SiC肖特基势垒二极管（以下简称“SBD”）的结构开始介绍。如下图所示，为了形成肖特基势垒，将半导体SiC与金属相接合（肖特基结）。结构与Si肖特基势垒二极管基本相同，其重要特征也是具备高速特性。
2023-02-08 13:43:17404 
二极管的正向电压VF无限接近零、对温度稳定是比较理想的，但事实是不是零、并会受温度影响而变动。为了使大家了解SiC-SBD的VF特性，下面与Si-PND的FRD（快速恢复二极管）进行比较。
2023-02-08 13:43:18378 
为了使大家了解SiC-SBD，前面以Si二极管为比较对象，对特性进行了说明。其中，也谈到SiC-SBD本身也发展到第2代，性能得到了提升。
2023-02-08 13:43:18396 
关于SiC-SBD，前面介绍了其特性、与Si二极管的比较、及当前可供应的产品。本篇将汇总之前的内容，并探讨SiC-SBD的优势。
2023-02-08 13:43:18705 
SiC作为半导体材料的历史不长，与Si功率元器件相比其实际使用业绩还远远无法超越，可能是其可靠性水平还未得到充分认识。这是ROHM的SiC-SBD可靠性试验数据。
2023-02-08 13:43:18364 
ROHM近期推出的“SCS3系列”是第三代SiC肖特基势垒二极管（以下简称“SiC-SBD”）产品。ROHM的每一代SiC-SBD产品的推出都是正向电压降低、各特性得以改善的持续改进过程。
2023-02-10 09:41:07611 
ROHM在全球率先实现了搭载ROHM生产的SiC-MOSFET和SiC-SBD的“全SiC”功率模块量产。与以往的Si-IGBT功率模块相比，“全SiC”功率模块可高速开关并可大幅降低损耗。
2023-02-10 09:41:081333 
ROHM努力推进最适合处理高耐压与大电流电路使用SiC（碳化硅）材料的SBD（肖特基势垒二极管）。2010年在日本国内率先开始SiC SBD的量产，目前正在扩充第二代SIC-SBD产品阵容，并推动在包括车载在内的各种应用中的采用。
2023-02-13 09:30:07401 
面对SiC-SBD和Si-PND的特征进行了比较。接下来比较SiC-SBD和Si-PND的反向恢复特性。反向恢复特性是二极管、特别是高速型二极管的基本且重要的参数，所以不仅要比较trr的数值，还要理解其波形和温度特性，这样有助于有效使用二极管。
2023-02-22 09:17:07198 
二极管的正向电压VF无限接近零、对温度稳定是比较理想的，但事实是不是零、并会受温度影响而变动。为了使大家了解SiC-SBD的VF特性，下面与Si-PND的FRD（快速恢复二极管）进行比较。
2023-02-22 09:18:59140 
为了使大家了解SiC-SBD，前面以Si二极管为比较对象，对特性进行了说明。其中，也谈到SiC-SBD本身也发展到第2代，性能得到了提升。由于也有宣布推出第3代产品的，所以在此汇总一下SiC-SBD的发展，整理一下当前实际上供应的SiC-SBD。
2023-02-22 09:19:45355 
SiC-SBD为形成肖特基势垒，将半导体SiC与金属相接合（肖特基结）。结构与Si肖特基势垒二极管基本相同，仅电子移动、电流流动。而Si-PND采用P型硅和N型硅的接合结构，电流通过电子与空穴（孔）流动。
2023-02-23 11:24:11586 
来源：国星光电官微 近日，国星光电开发的1200V/10A SiC-SBD（碳化硅-肖特基二极管）器件成功通过第三方权威检测机构可靠性验证，并获得AEC-Q101车规级认证。这标志着国星光电第三代
2023-03-14 17:22:57393 
我们从SiC肖特基势垒二极管（以下简称“SBD”）的结构开始介绍。如下图所示，为了形成肖特基势垒，将半导体SiC与金属相接合（肖特基结）。结构与Si肖特基势垒二极管基本相同，其重要特征也是具备高速特性。
2023-07-18 09:47:30236 
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