罗姆开发出了正向电压仅为1.35V的SiC制肖特基势垒二极管（SBD）“SCS210AG/AM”，已从2012年6月开始样品供货。该产品与该公司的原产品相比，正向电压降低了10％，“为业界最小”（该
2012-06-13 11:31:42
1253 本文作为系列文章的第三篇，会从SiC MOS寄生电容损耗与传统Si MOS作比较，给出分析和计算过程，供设计工程师在选择功率开关器件时参考！
2022-07-06 18:10:021885 下面将对于SiC MOSFET和SiC SBD两个系列，进行详细介绍
2023-11-01 14:46:19736 
特性，能够提高高温环境下功率系统的效率。SiC SBD在常温下显示出优于Si基快速恢复二极管的动态特性:反向恢复时间短，反向恢复电流峰值小。
2019-10-24 14:25:15
。下面是25℃和150℃时的Vd-Id特性。请看25℃时的特性图表。SiC及Si MOSFET的Id相对Vd（Vds）呈线性增加，但由于IGBT有上升电压，因此在低电流范围MOSFET元器件的Vds
2018-12-03 14:29:26
Si整流器与SiC二极管：谁会更胜一筹
2021-06-08 06:14:04
前面对SiC-SBD和Si-PND的反向恢复特性进行了比较。下面对二极管最基本的特性–正向电压VF特性的区别进行说明。SiC-SBD和Si-PND正向电压特性的区别二极管的正向电压VF无限接近零
2018-11-30 11:52:08
面对SiC-SBD和Si-PND的特征进行了比较。接下来比较SiC-SBD和Si-PND的反向恢复特性。反向恢复特性是二极管、特别是高速型二极管的基本且重要的参数，所以不仅要比较trr的数值，还要
2018-11-29 14:34:32
，已实施了评估的ROHM的SiC-SBD，在与我们熟知的Si晶体管和IC可靠性试验相同的试验中，确保了充分的可靠性。另外，关于SiC-SBD，可能有人听说过有与dV/dt或dI/dt相关的破坏模式
2018-11-30 11:50:49
上升而増加，而SiC-SBD则能够保持几乎恒定的trr。此外，高温工作时，开关损耗也几乎没有増加。另外，SiC-SBD的正向电压VF为1V左右，与Si-FRD几乎同等，但温度系数则表现为与Si-FRD相反
2019-03-27 06:20:11
○SCS230KE2120030360TO-247○SCS240AE265040270TO-247 SCS240AE2HR65040270TO-247○SCS240KE2120040420TO-247 需要详细搜索或比较时，请点击这里。＜ 相关产品信息 ＞SiC-SBD
2018-12-04 10:09:17
vs IF）、以及正向电压与抗浪涌电流特性（VF vs IFSM）比较图。第2代SiC-SBD通过改善制造工艺，保持了与以往产品同等的漏电流和trr性能，同时将VF降低了约0.15V。因而改善了VF带来
2018-11-30 11:51:17
的重大研究项目。此时，开关电源无法对应高速的开关频率也是课题之一。右上图表示Si的SBD、PND、FRD和SiC-SBD耐压的覆盖范围。可以看出SiC-SBD基本覆盖了PND/FRD的耐压范围
2018-11-29 14:35:50
SiC SBD 晶圆级测试 求助：需要测试的参数和测试方法谢谢
2020-08-24 13:03:34
的快速充电器等的功率因数校正电路（PFC电路）和整流桥电路中。2. SiC-SBD的正向特性SiC-SBD的开启电压与Si-FRD相同，小于1V。开启电压由肖特基势垒的势垒高度决定，通常如果将势垒高度
2019-04-22 06:20:22
的快速充电器等的功率因数校正电路（PFC电路）和整流桥电路中。2. SiC-SBD的正向特性SiC-SBD的开启电压与Si-FRD相同，小于1V。开启电压由肖特基势垒的势垒高度决定，通常如果将势垒高度
2019-03-14 06:20:14
与Si-MOSFET有怎样的区别。在这里介绍SiC-MOSFET的驱动与Si-MOSFET的比较中应该注意的两个关键要点。与Si-MOSFET的区别：驱动电压SiC-MOSFET与Si-MOSFET相比，由于漂移层
2018-11-30 11:34:24
二极管的比较所谓SiC-SBD－与Si-PND的反向恢复特性比较所谓SiC-SBD－与Si-PND的正向电压比较所谓SiC-SBD－SiC-SBD的发展历程所谓SiC-SBD－使用SiC-SBD的优势所谓
2018-11-27 16:40:24
”）应用越来越广泛。关于SiC-MOSFET，这里给出了DMOS结构，不过目前ROHM已经开始量产特性更优异的沟槽式结构的SiC-MOSFET。具体情况计划后续进行介绍。在特征方面，Si-DMOS存在
2018-11-30 11:35:30
，与Si-MOSFET不同，SiC-MOSFET的上升率比较低，因此易于热设计，且高温下的导通电阻也很低。 4. 驱动门极电压和导通电阻 SiC-MOSFET的漂移层阻抗比Si-MOSFET低，但是
2023-02-07 16:40:49
另一方面，按照现在的技术水平，SiC-MOSFET的MOS沟道部分的迁移率比较低，所以沟道部的阻抗比Si器件要高。因此，越高的门极电压，可以得到越低的导通电阻（VCS=20V以上则逐渐饱和）。如果
2019-04-09 04:58:00
确认现在的产品情况，请点击这里联系我们。ROHM SiC-MOSFET的可靠性栅极氧化膜ROHM针对SiC上形成的栅极氧化膜，通过工艺开发和元器件结构优化，实现了与Si-MOSFET同等的可靠性
2018-11-30 11:30:41
功率元器件的开发背景和优点SiC肖特基势垒二极管所谓SiC-SBD－特征以及与Si二极管的比较所谓SiC-SBD－与Si-PND的反向恢复特性比较所谓SiC-SBD－与Si-PND的正向电压比较所谓
2018-11-27 16:38:39
工作等SiC的特征所带来的优势。通过与Si的比较来进行介绍。”低阻值”可以单纯解释为减少损耗，但阻值相同的话就可以缩小元件（芯片）的面积。应对大功率时，有时会使用将多个晶体管和二极管一体化的功率模块
2018-11-29 14:35:23
另一方面，按照现在的技术水平，SiC-MOSFET的MOS沟道部分的迁移率比较低，所以沟道部的阻抗比Si器件要高。因此，越高的门极电压，可以得到越低的导通电阻（VCS=20V以上则逐渐饱和）。如果
2019-05-07 06:21:55
1. SiC模块的特征大电流功率模块中广泛采用的主要是由Si材料的IGBT和FRD组成的IGBT模块。ROHM在世界上首次开始出售搭载了SiC-MOSFET和SiC-SBD的功率模块。由IGBT的尾
2019-05-06 09:15:52
1. SiC模块的特征大电流功率模块中广泛采用的主要是由Si材料的IGBT和FRD组成的IGBT模块。ROHM在世界上首次开始出售搭载了SiC-MOSFET和SiC-SBD的功率模块。由IGBT的尾
2019-03-25 06:20:09
如此。我想以二极管为例详细进行说明。下图是SiC-SBD、Si-SBD、Si-PND的示意图，显示了电流流动的机理。SiC-SBD和Si-SBD都是肖特基势垒二极管，因此金属与n型半导体间形成的肖特基
2018-12-03 15:12:02
半导体材料可实现比硅基表亲更小，更快，更可靠的器件，并具有更高的效率，这些功能使得在各种电源应用中减少重量，体积和生命周期成本成为可能。 Si，SiC和GaN器件的击穿电压和导通电阻。 Si，SiC
2022-08-12 09:42:07
二极管中观察到的电容恢复特性为独立于温度，正向电流水平以及关断dI/dt。在Si技术中，不切实际外延规范将肖特基二极管降级为< 600 V的应用。GeneSiC的1200 V SiC肖特基二极管是专门设计的，以尽量减少电容电荷，从而实现更快的开关瞬变。
2023-06-16 11:42:39
全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）的SiC MOSFET和SiC肖特基势垒二极管（以下简称“SiC SBD”）已被成功应用于大功率模拟模块制造商ApexMicrotechnology
2023-03-29 15:06:13
SBD耐压均在200V以内，更高电压应用往往选择Si FRD，尽管FRD技术不断发展，但仍然无法完全消除反向恢复的问题。SiC的SBD可以将耐压提高到3.3kV，极大地扩展了SBD的应用范围。
2
2023-10-07 10:12:26
要充分认识 SiC MOSFET 的功能，一种有用的方法就是将它们与同等的硅器件进行比较。SiC 器件可以阻断的电压是硅器件的 10 倍，具有更高的电流密度，能够以 10 倍的更快速度在导通和关断
2017-12-18 13:58:36
的trr。SiC-SBD的trr通过与Si-FRD的比较介绍过Si-SBD具有优异的trr特性，而且几乎没有温度及电流依赖性。SiC-SBD的正向特性Si-SBD的正向特性与Si-PND不同。这取决于物理
2018-11-29 14:33:47
ROHM近期推出的“SCS3系列”是第三代SiC肖特基势垒二极管（以下简称“SiC-SBD”）产品。ROHM的每一代SiC-SBD产品的推出都是正向电压降低、各特性得以改善的持续改进过程。当前正在
2018-12-04 10:15:20
SiC功率模块”量产。与以往的Si-IGBT功率模块相比，“全SiC”功率模块可高速开关并可大幅降低损耗。关于这一点，根据这之前介绍过的SiC-SBD和SiC-MOSFET的特点与性能，可以很容易理解
2018-11-27 16:38:04
3赛季）与文图瑞车队签署官方技术合作协议，并在上个赛季为其提供了SiC肖特基势垒二极管（SiC-SBD）。通过将FRD更换为SiC-SBD，第2赛季由IGBT和快速恢复二极管（FRD）组成的逆变器成功
2018-12-04 10:24:29
封装产品正在开发中）使用SiC SBD可显著减少开通损耗，并大大降低应用产品的功耗“RGWxx65C系列”是使用ROHM的低损耗SiC SBD作为IGBT续流二极管的IGBT产品。 与使用Si快速恢复
2022-07-27 10:27:04
与Si的比较开发背景SiC的优点SiC-SBD（肖特基势垒二极管）与Si二极管比较采用示例SiC-MOSFET与各种功率MOSFET比较运用事例全SiC模块模块的构成开关损耗运用要点SiC是在热、化学
2018-11-29 14:39:47
，SiC-SBD的正向电压VF为1V左右，与Si-FRD几乎同等，但温度系数则表现为与Si-FRD相反的“正相关”特性，随温度上升而増加。正向特性图表的实线为25℃时的特性，虚线为125℃时的特性（以
2018-12-04 10:26:52
ROHM在全球率先实现了搭载ROHM生产的SiC-MOSFET和SiC-SBD的“全SiC”功率模块量产。与以往的Si-IGBT功率模块相比，“全SiC”功率模块可高速开关并可大幅降低
2018-12-04 10:14:32
的特点。第三代SiC-SBD的亮点在于，高温时的正向电压VF更低、抗浪涌电流性能IFSM更高、反向电流（漏电流）IR更低。请看右图，第二代SiC-SBD通过制造工艺改进，不仅保持与第一代同等的漏电流IR
2018-12-03 15:11:25
1. SiC模块的特征大电流功率模块中广泛采用的主要是由Si材料的IGBT和FRD组成的IGBT模块。ROHM在世界上首次开始出售搭载了SiC-MOSFET和SiC-SBD的功率模块。由IGBT的尾
2019-03-12 03:43:18
肖特基势垒二极管（SBD）是利用金属与半导体的接合产生肖特基障壁的二极管。与普通PN结二极管相比，具有正向电压（VF）更低，开关更快的特征。但是，有反向漏电流（IR）较大的缺点，其耐压在200V以下，与其
2018-12-04 10:10:19
损伤，采用了低温制造法，这样SiC-SBD就实现了低噪声化。并且，和传统的Si-SBD相比，可实现高速开关工作。【主要性能】低开关损耗高频工作受温度影响较少的稳定特性封装 TO-247【应用】高档
2013-11-14 12:16:01
的选择和比较进行了分析。考虑了晶体管参数，如与时间相关的输出有效电容（Co（tr））和关断能量（Eoff）等，这会影响LLC转换器的高性能成就。还分析了基于GaN、Si和SiC MOS的3KW 48V
2023-02-27 09:37:29
的快速充电器等的功率因数校正电路（PFC电路）和整流桥电路中。2. SiC-SBD的正向特性SiC-SBD的开启电压与Si-FRD相同，小于1V。开启电压由肖特基势垒的势垒高度决定，通常如果将势垒高度
2019-05-07 06:21:51
-IGBT与SiC-SBD相结合以减少开关损耗，并提供半桥配置。为了保持兼容性，高速混合模块使用与常规Si模块相同的封装，例如62mm标准封装和EconoDual™3。以下各章描述了高速IGBT和SiC-SBD芯片的特性
2020-09-02 15:49:13
看出SiC-SBD基本覆盖了Si-PND/FRD的耐压范围，因此可改善这个范围的Si-PND/FRD的trr。SiC-SBD的trr通过与Si-FRD的比较介绍过Si-SBD具有优异的trr特性，而且
2019-07-10 04:20:13
低，可靠性高，在各种应用中非常有助于设备实现更低功耗和小型化。本产品于世界首次※成功实现SiC-SBD与SiC-MOSFET的一体化封装。内部二极管的正向电压（VF）降低70％以上，实现更低损耗的同时
2019-03-18 23:16:12
合的时间会比普通的Silicon PN结二极管快很多，而且由于这种二极管只有一个单边的空间电荷区，所以PN结电容也变小了，所以SBD一般都适合高频应用。另外，Silicon PN结的二极管正向导通电压都是
2023-02-08 16:40:30
ROHM在全球率先实现了搭载ROHM生产的SiC-MOSFET和SiC-SBD的“全SiC”功率模块量产。与以往的Si-IGBT功率模块相比，“全SiC”功率模块可高速开关并可大幅降低
2018-12-04 10:11:50
提出了SiC-SBD 气体传感器器件分析模型，利用当前流行的MATLAB 强大的计算编程功能，模拟了SiC-SBD气体传感器的电流-电压特性，结果与实验数据吻合很好，较好地解释了Pd-SiC 肖
2009-06-30 16:08:46
19 罗姆展出了采用沟道构造的SiC制肖特基势垒二极管(SBD)和MOSFET。沟道型SBD的特点在于，与普通SiC制SBD相比二极管导通电压(以下称导通电压)较低。沟道型SBD的导通电压为0.5V，降到了以往
2011-10-12 09:35:301111 SIC是什么呢？相比于Si器件，SiC功率器件的优势体现在哪些方面？电子发烧友网根据SIC器件和SI器件的比较向大家讲述了两者在性能上的不同。
2012-12-04 10:23:4411979 新日本无线的这款新MUSES音频系列产品 MUSES7001 是采用了粗铜线丝焊方式的音频碳化硅肖特基二极管（SiC-SBD:Silicon Carbide-Schottky Barrier
2013-11-18 10:03:211549 相较于硅（ Si）器件，碳化硅（SiC）器件所具有的高开关速度与低通态电阻特性增加了其瞬态波形的非理想特性与对杂散参数影响的敏感性，对其瞬态建模的精度提出更高的要求。通过功率开关器件瞬态过程的时间
2018-02-01 14:01:343 前面让我介绍基础内容，这是非常必要的。要想更好地了解第三代产品的优势与特点，需要先了解SiC-SBD的基本特性等。
2018-04-09 15:42:506274 Si-FRD从正向切换到反向的瞬间会产生极大的瞬态电流，在此期间转移为反向偏压状态，从而产生很大的损耗。这是因为正向通电时积聚在漂移层内的少数载流子不断地进行电传导直到消亡（该时间也称为积聚时间）。
2018-04-10 11:02:217703 罗姆在全球率先实现了搭载罗姆生产的SiC-MOSFET和SiC-SBD的“全SiC功率模块”量产。与以往的Si-IGBT功率模块相比，“全SiC”功率模块可高速开关并可大幅降低损耗。
2018-05-17 09:33:1313514 受惠于电动车市场需求提升，为因应高电压、高频率及低耗损的技术需求，SiC(碳化硅)功率元件被视为接替高电压IGBT的产品，可分为：SiC-SBD(SiC-萧特基二极管)、SiC-MOSFET、Hybrid-SiC module(IGBT+SBD)以及Full-SiC module。
2019-05-06 15:54:492596 受惠于电动车市场需求提升，为因应高电压、高频率及低耗损的技术需求，SiC（碳化硅）功率元件被视为接替高电压IGBT的产品，可分为：SiC-SBD（SiC-萧特基二极管）、SiC
2019-05-22 17:29:121512 直到最近，功率模块市场仍被硅（Si）绝缘栅双极型晶体管（IGBT）把持。需求的转移和对更高性能的关注，使得这些传统模块不太适合大功率应用，这就带来了 SiC 基功率器件的应运而生。
2019-11-08 11:41:5317040 据了解，上海芯石在半导体功率器件芯片尤其是肖特基二极管芯片领域具有十几年的技术储备及行业经验，目前业务产品主要覆盖两大类别：Si 类（SBD、 FRED、MOSFET、IGBT、ESD 等功率芯片产品）、SiC 类：（SiC-SBD、 SiC-MOSFET）。
2021-02-01 16:40:192464 
LLC 谐振转换器可用于各种应用，如消费电子产品，以及可再生能源应用，如光伏、风能、水力和地热等。本文提供了在 3KW 中建模的 Si 和 SiC MOSFET 的详细比较具有宽输入电压范围的半桥 LLC 转换器。
2022-07-29 09:44:201209 
一、SiC模块的特征 电流功率模块中广泛采用的主要是由Si材料的IGBT和FRD组成的IGBT模块。ROHM在世界上首次开始出售搭载了SiC-MOSFET和SiC-SBD的功率模块。 由IGBT
2023-01-12 16:35:47489 本章将介绍部分SiC-MOSFET的应用实例。其中也包括一些以前的信息和原型级别的内容，总之希望通过这些介绍能帮助大家认识采用SiC-MOSFET的好处以及可实现的新功能。另外，除了SiC-MOSFET，还可以从这里了解SiC-SBD、全SiC模块的应用实例。
2023-02-06 14:39:51645 
1. 器件结构和特征 SiC能够以高频器件结构的SBD（肖特基势垒二极管）结构得到600V以上的高耐压二极管（Si的SBD最高耐压为200V左右）。 因此，如果用SiC-SBD替换现在主流产品快速
2023-02-07 16:46:27501 1. SiC模块的特征 大电流功率模块中广泛采用的主要是由Si材料的IGBT和FRD组成的IGBT模块。ROHM在世界上首次开始出售搭载了SiC-MOSFET和SiC-SBD的功率模块。 由IGBT
2023-02-07 16:48:23646 
继SiC功率元器件的概述之后，将针对具体的元器件进行介绍。首先从SiC肖特基势垒二极管开始。SiC肖特基势垒二极管和Si肖特基势垒二极管：下面从SiC肖特基势垒二极管（以下简称“SBD”）的结构开始介绍。
2023-02-08 13:43:17612 
下面从SiC肖特基势垒二极管（以下简称“SBD”）的结构开始介绍。如下图所示，为了形成肖特基势垒，将半导体SiC与金属相接合（肖特基结）。结构与Si肖特基势垒二极管基本相同，其重要特征也是具备高速特性。
2023-02-08 13:43:17404 
二极管的正向电压VF无限接近零、对温度稳定是比较理想的，但事实是不是零、并会受温度影响而变动。为了使大家了解SiC-SBD的VF特性，下面与Si-PND的FRD（快速恢复二极管）进行比较。
2023-02-08 13:43:18378 
为了使大家了解SiC-SBD，前面以Si二极管为比较对象，对特性进行了说明。其中，也谈到SiC-SBD本身也发展到第2代，性能得到了提升。
2023-02-08 13:43:18396 
关于SiC-SBD，前面介绍了其特性、与Si二极管的比较、及当前可供应的产品。本篇将汇总之前的内容，并探讨SiC-SBD的优势。
2023-02-08 13:43:18705 
SiC作为半导体材料的历史不长，与Si功率元器件相比其实际使用业绩还远远无法超越，可能是其可靠性水平还未得到充分认识。这是ROHM的SiC-SBD可靠性试验数据。
2023-02-08 13:43:18364 
继前篇结束的SiC-SBD之后，本篇进入SiC-MOSFET相关的内容介绍。功率转换电路中的晶体管的作用非常重要，为进一步实现低损耗与应用尺寸小型化，一直在进行各种改良。
2023-02-08 13:43:19211 
从本文开始，将逐一进行SiC-MOSFET与其他功率晶体管的比较。本文将介绍与Si-MOSFET的区别。尚未使用过SiC-MOSFET的人，与其详细研究每个参数，不如先弄清楚驱动方法等与Si-MOSFET有怎样的区别。
2023-02-08 13:43:20644 
继SiC概要、SiC-SBD（肖特基势垒二极管 ）、SiC-MOSFET之后，来介绍一下完全由SiC功率元器件组成的“全SiC功率模块”。本文作为第一篇，想让大家了解全SiC功率模块具体是什么样的产品，都有哪些机型。
2023-02-08 13:43:21685 
ROHM近期推出的"SCS3系列"是第三代SiC肖特基势垒二极管（以下简称"SiC-SBD"）产品。ROHM的每一代SiC-SBD产品的推出都是正向电压降低、各特性得以改善的持续改进过程。
2023-02-10 09:41:07305 
ROHM近期推出的“SCS3系列”是第三代SiC肖特基势垒二极管（以下简称“SiC-SBD”）产品。ROHM的每一代SiC-SBD产品的推出都是正向电压降低、各特性得以改善的持续改进过程。
2023-02-10 09:41:07611 
ROHM在全球率先实现了搭载ROHM生产的SiC-MOSFET和SiC-SBD的“全SiC”功率模块量产。与以往的Si-IGBT功率模块相比，“全SiC”功率模块可高速开关并可大幅降低损耗。
2023-02-10 09:41:081333 
ROHM在全球率先实现了搭载ROHM生产的SiC-MOSFET和SiC-SBD的“全SiC”功率模块量产。与以往的Si-IGBT功率模块相比，“全SiC”功率模块可高速开关并可大幅降低损耗。
2023-02-13 09:30:04331 
ROHM努力推进最适合处理高耐压与大电流电路使用SiC（碳化硅）材料的SBD（肖特基势垒二极管）。2010年在日本国内率先开始SiC SBD的量产，目前正在扩充第二代SIC-SBD产品阵容，并推动在包括车载在内的各种应用中的采用。
2023-02-13 09:30:07401 
－进入主题之前请您介绍了很多基础内容，下面请您介绍一下第三代SiC-SBD。SCS3系列被称为“第三代”，首先请您讲一讲各“代”的历史。前面让我介绍基础内容，这是非常必要的。
2023-02-16 09:55:07759 
继SiC功率元器件的概述之后，将针对具体的元器件进行介绍。首先从SiC肖特基势垒二极管开始。
2023-02-22 09:16:27492 
面对SiC-SBD和Si-PND的特征进行了比较。接下来比较SiC-SBD和Si-PND的反向恢复特性。反向恢复特性是二极管、特别是高速型二极管的基本且重要的参数，所以不仅要比较trr的数值，还要理解其波形和温度特性，这样有助于有效使用二极管。
2023-02-22 09:17:07198 
为了使大家了解SiC-SBD，前面以Si二极管为比较对象，对特性进行了说明。其中，也谈到SiC-SBD本身也发展到第2代，性能得到了提升。由于也有宣布推出第3代产品的，所以在此汇总一下SiC-SBD的发展，整理一下当前实际上供应的SiC-SBD。
2023-02-22 09:19:45355 
SiC-SBD为形成肖特基势垒，将半导体SiC与金属相接合（肖特基结）。结构与Si肖特基势垒二极管基本相同，仅电子移动、电流流动。而Si-PND采用P型硅和N型硅的接合结构，电流通过电子与空穴（孔）流动。
2023-02-23 11:24:11586 
本文将介绍与Si-MOSFET的区别。尚未使用过SiC-MOSFET的人，与其详细研究每个参数，不如先弄清楚驱动方法等与Si-MOSFET有怎样的区别。在这里介绍SiC-MOSFET的驱动与Si-MOSFET的比较中应该注意的两个关键要点。
2023-02-23 11:27:57736 
继SiC概要、SiC-SBD（肖特基势垒二极管 ）、SiC-MOSFET之后，来介绍一下完全由SiC功率元器件组成的“全SiC功率模块”。本文想让大家了解全SiC功率模块具体是什么样的产品，都有哪些机型。之后计划依次介绍其特点、性能、应用案例和使用方法。
2023-02-24 11:51:08430 
来源：国星光电官微 近日，国星光电开发的1200V/10A SiC-SBD（碳化硅-肖特基二极管）器件成功通过第三方权威检测机构可靠性验证，并获得AEC-Q101车规级认证。这标志着国星光电第三代
2023-03-14 17:22:57393 
近日，国星光电开发的1200V/10A SiC-SBD（碳化硅-肖特基二极管）器件成功通过第三方权威检测机构可靠性验证，并获得AEC-Q101车规级认证。这标志着国星光电第三代半导体功率器件产品
2023-03-20 19:16:30550 国星光电SiC-SBD器件采用TO-247-2L封装形式,在长达1000小时的高温、高湿等恶劣环境下验证，仍能保持正常稳定的工作状态，可更好地适应复杂多变的车载应用环境，具备高度的可靠性、安全性和稳定性。
2023-03-22 10:56:52537 碳化硅（SiC）器件是一种新兴的技术，具有传统硅所缺乏的多种特性。SiC具有比Si更宽的带隙，允许更高的电压阻断，并使其适用于高功率和高电压应用。此外，SiC还具有比Si更低的热阻，这意味着它可以更有效地散热，具有更高的可靠性。
2023-04-13 11:01:161469 我们从SiC肖特基势垒二极管（以下简称“SBD”）的结构开始介绍。如下图所示，为了形成肖特基势垒，将半导体SiC与金属相接合（肖特基结）。结构与Si肖特基势垒二极管基本相同，其重要特征也是具备高速特性。
2023-07-18 09:47:30236 
，该产品在650和1200伏的电压下工作。Bourns®SiC SBD产品系列已经扩展到包括十个额外的型号，所有这些型号都是为了满足最近的交通、可再生能源和工业应用对功率密度日益增长的需求而设计的。 在当今的高频和高电流应用中，诸如峰值正向浪涌、低正向压降、降低的热阻和低功率损耗
2023-10-13 17:06:38866 继1200V/10A SiC-SBD（碳化硅-肖特基二极管）器件获AEC-Q101车规级认证后
2023-10-25 18:28:10423 
SiC SBD的高耐压（反压）特性
2023-12-13 15:27:55197 
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