三极管的常用电路及极限参数

三极管的基本结构：三个区、三个极、两个结；分为NPN型和PNP型两大类。

常用的三极管的结构有硅平面管和锗合金管两种类型。

三极管具有三个极，分别为基极B，发射极E，集电极C；

三个电极之间存在电流关系：IE ＝ IC ＋IB

每一组的集电极电流都要比基极电流大得多，二者之间在数值上基本满足一个比例关系。

放大倍数=Ic电流/Ib电流

三极管有三种组态，分别是：共基、共射（常用的电路）、共集，其辨认方法是通过看哪只电极接地，就是共哪只电极；

三极管的特性曲线是选用三极管的主要依据，可从半导体器件手册查得，有：

输入特性：

输出特性：

一、共发射极的特性（常用电路）

（1）输入特性：

从图可以看出：

1、三极管的伏安特性也是非线性的，整条曲线可以分为起始非线性段和工作点较高时的近似线性段；

2、表明，和二极管一样也存在阈值电压。

（2）输出特性

整个曲线坐标平面可以分成几个区域：放大区、截止区、饱和区、击穿区。

（3）三极管工作状态的判断

在不同条件下，三极管将处于不同的工作状态。

一种判断方法如下

（1）三极管处于截止状态的条件是：UBE

注：UTH是三极管发射结导通电压（也称死区电压），硅管UTH约为0.5V，锗管UTH约为0.2V。

（2）饱和条件：

（3）当UBE >UTH时，而三极管又没有达到饱和状态，即IB

二、三极管的极限参数

极限参数是晶体管正常工作时所能达到的最大的电流、电压、功率等数值，它关系到晶体管的安全使用问题。

(1)集电极最大允许电流ICM

集电极电流Ic超过一定数值后，电流放大系数β显著下降。当β值下降到正常值的三分之二时的集电极电流，称为集电极最大允许电流IcM。

(2)集—射极击穿电压U（BR）CEO

它是基极开路时(IB=0)，能加在集-射极之间的最大允许电压。

(3)集电极最大允许耗散功率PCM

集电极消耗的功率可用集电极耗散功率Pc=ICUCE表示，极最大允许耗散功率表示为PCM，晶体管工作时应满足Ic·UCE

三、温度对三极管参数的影响

半导体材料的热敏性，导致半导体器件不可避免的存在参数受温度影响的现象。影响的规律是：温度上升，集电极电流增大；温度下降，集电极电流减少。

四、选用三极管的一些基本原则

（1）从三极管工作的稳定性和安全性考虑，要满足下面的关系：

1.集电极工作电流IC ≤管参数ICM，

2.三极管额定消耗功率PC ≤管参数PCM，

3. E－B极间的反向电压≤管参数U（BR）EBO

（2）在温度变化较大的场合，尽可能选用硅管，在信号小和电源电压低（1.5V）情况下，尽可能选用锗管。

（3）用于放大电路的，放大系数β不宜太高，一般在50~100间，穿透电流尽可能小些。这样有利于放大器的稳定性。

（4）要根据电路信号的频率选择好低频管或高频管；根据电路负载大小选择三极管的功率，使用大功率管时，要注意散热条件。

以上内容则是三极管的应用的相关知识，在实际设计场合，还会有更多的应用，需要更加实际开发工作去详细的了解。