下面将对于SiC MOSFET和SiC SBD两个系列，进行详细介绍
2023-11-01 14:46:19
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恢复二极管两种：采用先进的扩铂工艺生产的具有极低反向漏电、极短反向恢复时间和--的抗反向浪涌冲击能力的高可靠性的全系列（200V-1200V）FRD芯片及成品器件；采用SiC材料设计和生产的具有
2019-10-24 14:25:15
SBD。这就是SiC-SBD的一大优点。下面是反向恢复特性的温度依赖性和电流依赖性相关数据。上段的波形图和图表表示不同温度的不同反向恢复特性。Si-FRD的温度上升时载流子浓度也随之上升，因此需要相应
2018-11-29 14:34:32
范围基本相同，可用于相同应用。SiC-SBD是新的元器件，换个说法可以说，现有Si-PND/FRD覆盖的范围基本上都可以用SiC-SBD替换。尤其是高速性很重要的应用等，在Si-FRD和SiC-SBD
2018-11-30 11:52:08
。在这里就SiC-SBD的可靠性试验进行说明。这是ROHM的SiC-SBD可靠性试验数据。首先请看一下具体的项目和条件。对于进行过半导体的可靠性探讨和实际评估的人来说，这些标准和条件应该都是司空见惯
2018-11-30 11:50:49
时间trr快（可高速开关）・trr特性没有温度依赖性・低VF（第二代SBD）下面介绍这些特征在使用方面发挥的优势。大幅降低开关损耗SiC-SBD与Si二极管相比，大幅改善了反向恢复时间trr。右侧的图表为
2019-03-27 06:20:11
ROHM努力推进最适合处理高耐压与大电流电路使用SiC（碳化硅）材料的SBD（肖特基势垒二极管）。2010年在日本国内率先开始SiC SBD的量产，目前正在拓展第二代SiC-SBD，并推动在包括车载
2018-12-04 10:09:17
为了使大家了解SiC-SBD，前面以Si二极管为比较对象，对特性进行了说明。其中，也谈到SiC-SBD本身也发展到第2代，性能得到了提升。由于也有宣布推出第3代产品的，所以在此汇总一下SiC-SBD
2018-11-30 11:51:17
介绍。如下图所示，为了形成肖特基势垒，将半导体SiC与金属相接合（肖特基结）。结构与Si肖特基势垒二极管基本相同，其重要特征也是具备高速特性。而SiC-SBD的特征是其不仅拥有优异的高速性还同时实现了高
2018-11-29 14:35:50
SiC SBD 晶圆级测试 求助：需要测试的参数和测试方法谢谢
2020-08-24 13:03:34
的温度依存性与Si-FRD不同，温度越高，它的导通阻抗就会增加，从而VF值也增加。不易发生热失控，所以可以放心地并联使用。3. SiC-SBD的恢复特性Si的快速PN结二极管（FRD:快速恢复二极管）在从
2019-03-14 06:20:14
的温度依存性与Si-FRD不同，温度越高，它的导通阻抗就会增加，从而VF值也增加。不易发生热失控，所以可以放心地并联使用。3. SiC-SBD的恢复特性Si的快速PN结二极管（FRD:快速恢复二极管）在从
2019-04-22 06:20:22
SiC MOS器件的栅极氧化物可靠性的挑战是，在某些工业应用给定的工作条件下，保证最大故障率低于1 FIT，这与今天的IGBT故障率相当。除了性能之外，可靠性和坚固性是SiC MOSFET讨论最多
2022-07-12 16:18:49
问题。（※在SBD和MOSFET的第一象限工作中不会发生这类问题）ROHM通过开发不会扩大堆垛层错的独特工艺，成功地确保了体二极管通电的可靠性。在1200V 80Ω的第二代SiC MOSFET产品中，实施了
2018-11-30 11:30:41
1. SiC模块的特征大电流功率模块中广泛采用的主要是由Si材料的IGBT和FRD组成的IGBT模块。ROHM在世界上首次开始出售搭载了SiC-MOSFET和SiC-SBD的功率模块。由IGBT的尾
2019-05-06 09:15:52
的高耐压范围，那是与FRD一比高下的范围，但其恢复特性远远优于FRD是吗？是的。下面是SiC-SBD和Si-FRD开关时的恢复特性比较。以及两者的温度依赖性比较。首先，一目了然的是SiC-SBD的恢复
2018-12-03 15:12:02
可靠性试验分类方法及试验标准 1.如可靠性测试以环境条件来划分,可分为包括各种应力条件下的模拟试验和现场试验;2.可靠性试验以试验项目划分，可分为环境试验、寿命试验、加速试验和各种特殊试验;3.
2017-01-20 09:59:00
和电子辅料等可靠性应用场景方面具有专业的检测、分析和试验能力，可为各研究院所、高校、企业提供产品的可靠性检测、失效分析、老化测试等一体化服务。本中心目前拥有各类可靠性检测分析仪器，其中包括
2018-06-04 16:13:50
设计(使用冗余技术)，使用故障诊断技术等。可靠性主要包括电路可靠性及元器件的选型有必要时用一定仪器检测。可靠性试验是对产品进行可靠性调查、分析和评价的一种手段。试验结果为故障分析、研究采取的纠正措施
2015-08-04 11:04:27
电路器件与系统的可靠性预计和分配评估 第二章 电子产品可靠性试验技术1、概述：环境试验的发展、环境试验的目的和应用范围、环境试验和可靠性试验2、环境试验的基础知识和术语3、环境试验标准
2010-08-27 08:25:03
HALT & HASS是由美国军方所延伸出的设计质量验证与制造质量验证的试验方法，现已成为美国电子业界的标准产品验证方法。它将原需花费6个月甚至1年的新产品可靠性试验缩短至一周，且在这
2015-08-04 17:38:43
不是叙述技术工作本身。可靠性技术管理工作包括可靠性工作计划管理、可靠性标准化管理、可靠性设计管理、生产过程的可靠性管理、可靠性试验管理、失效分析管理、可靠性信息管理、可靠性教育管理等。 
2009-05-24 16:49:57
可靠性是我们在开展电子产品设计过程中常常绕不开的问题。例如，客户需要我们提供相关的可靠性预计报告，客户需要我们的产品提供相应的可靠性试验报告，或者企业内部需要控制产品质量，制定了一系列的可靠性工作
2017-12-08 10:47:19
当组件上板后进行一系列的可靠性验证，可靠性验证过程中产品失效时，透过板阶整合失效分析能快速将失效接口找出，宜特协助客户厘清真因后能快速改版重新验证来达到产品通过验证并如期上市。 透过板阶整合失效分析
2018-08-28 16:32:38
作者：Sandeep Bahl 最近，一位客户问我关于氮化镓（GaN）可靠性的问题：“JEDEC（电子设备工程联合委员会）似乎没把应用条件纳入到开关电源的范畴。我们将在最终产品里使用的任何GaN器件
2018-09-10 14:48:19
、15min关的循环测试到寿命终了，对LED产品的测量显然不现实。因此有必要对LED产品采用加速老化寿命试验[1]，同时，也应当测试LED的热学特性、环境耐候性、电磁兼容抗扰度等与寿命和可靠性密切相关
2015-08-04 17:42:14
可靠性是另一关注的重点。目前，环球仪器SMT工艺实验室正在进行的另一个项目就是堆叠装配可靠性研究。从目前采用跌落测试的研究结果来看，失效主要发生在两层元件之间的连接。位置主要集中在元件角落处
2018-09-06 16:24:30
strcpy()函数标准该如何去实现呢？TCP协议如何保证可靠性呢？
2021-12-24 06:10:04
费舍尔科技有限公司，专注与环境与可靠性试验设备的研发、生产与销售，产品有：盐雾试验箱、高低温（交变）湿热试验箱、冷热冲击试验箱、紫外光耐气候试验箱、氙灯耐气候试验箱、臭氧老化试验箱、热老化试验
2008-09-22 16:46:32
知道这些基本元器件、部件的可靠性和由其构成的系统的可靠性的关系。 描述基本元器件、部件的可靠性的基本数据可由生产厂家提供、或通过试验获得、或通过实际观察的统计数据或经验得到。基本元器件、部件的可靠性
2016-09-03 15:47:58
、军事、电子等军工工业，随后逐渐扩展到民用工业。60年代，随着航空航天工业的迅速发展，可靠性设计和试验方法被接受和应用于航空电子系统中，可靠性工程得到迅速发展！1965年，美国颁发了《系统与设备
2020-07-03 11:09:11
/DC电源中。主机电源应用环境恶劣，对电源效率、可靠性等参数要求较高，因此，选用750W的主机电源对SiC SBD和Si FRD进行对比测试。
如下图所示，其中CR Micro（SiC SBD）是华润微
2023-10-07 10:12:26
1952年3月便提出了具有深远影响的建议；研究成果首先应用于航天、军事、电子等军工工业，随后逐渐扩展到民用工业。60年代，随着航空航天工业的迅速发展，可靠性设计和试验方法被接受和应用于航空电子系统中
2020-07-03 11:18:02
基于行业标准、国家标准的可靠性测试方法企业设计的可靠性测试方法
2021-03-08 07:55:20
和Si-SBD均具有高速性的特征，SiC-SBD不仅拥有优异的高速性且实现了高耐压。Si-SBD的耐压极限为200V，而SiC具有硅10倍的击穿场强，故ROHM已经开始量产1200V的产品，同时在推进
2018-11-29 14:33:47
从本文开始进入新的一章。继SiC概要、SiC-SBD（肖特基势垒二极管 ）、SiC-MOSFET之后，来介绍一下完全由SiC功率元器件组成的“全SiC功率模块”。本文作为第一篇，想让大家了解全SiC
2018-11-27 16:38:04
3赛季）与文图瑞车队签署官方技术合作协议，并在上个赛季为其提供了SiC肖特基势垒二极管（SiC-SBD）。通过将FRD更换为SiC-SBD，第2赛季由IGBT和快速恢复二极管（FRD）组成的逆变器成功
2018-12-04 10:24:29
`可靠性试验是为了解、分析、提高、评价产品的可靠性而进行的工作的总称。依据GJB450A《装备可靠性工作通用要求》分类，可靠性试验可以分为环境应力筛选、可靠性研制试验、可靠性增长试验、可靠性鉴定试验
2019-07-23 18:29:15
，开关损耗降低了24%符合汽车电子产品可靠性标准AEC-Q101在降低应用产品的功耗方面具有非常高的性价比ROHM官网免费提供应用指南和SPICE模型等丰富的设计数据TO-247N封装（TO-263L表贴型
2022-07-27 10:27:04
单片机应用系统的设计包括功能性设计、可靠性设计和产品化设计。其中，功能性是基础，可靠性是保障，产品化是前途。因此，从事单片机应用系统开发工作的设计人员必须掌握可靠性设计。 一、可靠性与可靠性设计1．
2021-01-11 09:34:49
可靠性设计是单片机应甩系统设计必不可少的设计内容。本文从现代电子系统的可靠性出发，详细论述了单片机应用系统的可靠性特点。提出了芯片选择、电源设计、PCB制作、噪声失敏控制、程序失控回复等集合硬件系统
2021-02-05 07:57:48
包括车载在内的各种应用中的采用。SiC-SBD具有以下特征。当前的SiC-SBD・反向恢复时间trr快（可高速开关）・trr特性没有温度依赖性・低VF（第二代SBD）下面介绍这些特征在使用方面发挥
2018-12-04 10:26:52
为了FPGA保证设计可靠性, 需要重点关注哪些方面？
2019-08-20 05:55:13
高可靠性系统设计包括使用容错设计方法和选择适合的组件，以满足预期环境条件并符合标准要求。本文专门探讨实现高可靠性电源的半导体解决方案，这类电源提供冗余、电路保护和远程系统管理。本文将突出显示，半导体技术的改进和新的安全功能怎样简化了设计，并提高了组件的可靠性。
2021-03-18 07:49:20
`请问如何提高PCB设计焊接的可靠性？`
2020-04-08 16:34:11
PMU的原理是什么？如何提高数据采集系统的实时性与可靠性？
2021-05-12 06:45:42
、生程过程、生产工艺、选用的材料、质量控制及其是否正确应用有关，在这诸多因素中，当推结构设计是首要的。它在产品的固有可靠性中起决定性作用。因此，在研制设计的每一阶段，或在可靠性增长试验中，都应特别注意
2019-07-10 08:04:30
ROHM在全球率先实现了搭载ROHM生产的SiC-MOSFET和SiC-SBD的“全SiC”功率模块量产。与以往的Si-IGBT功率模块相比，“全SiC”功率模块可高速开关并可大幅降低
2018-12-04 10:14:32
。因此，硬件可靠性设计在保证元器件可靠性的基础上，既要考虑单一控制单元的可靠性设计，更要考虑整个控制系统的可靠性设计。
2021-01-25 07:13:16
－进入主题之前请您介绍了很多基础内容，下面请您介绍一下第三代SiC-SBD。SCS3系列被称为“第三代”，首先请您讲一讲各“代”的历史。前面让我介绍基础内容，这是非常必要的。要想更好地了解第三代产品
2018-12-03 15:11:25
1. SiC模块的特征大电流功率模块中广泛采用的主要是由Si材料的IGBT和FRD组成的IGBT模块。ROHM在世界上首次开始出售搭载了SiC-MOSFET和SiC-SBD的功率模块。由IGBT的尾
2019-03-12 03:43:18
新日本无线的这款新MUSES音频系列产品 MUSES7001 是采用了粗铜线丝焊方式的音频碳化硅肖特基二极管(SiC-SBD:Silicon Carbide-Schottky Barrier
2013-11-14 12:16:01
的温度依存性与Si-FRD不同，温度越高，它的导通阻抗就会增加，从而VF值也增加。不易发生热失控，所以可以放心地并联使用。3. SiC-SBD的恢复特性Si的快速PN结二极管（FRD:快速恢复二极管）在从
2019-05-07 06:21:51
浅谈HALT试验在可靠性设计中的应用 钱惠龙***江苏安科瑞电器制造有限公司 江苏 江阴 214405摘要：本文主要介绍HALT（高加速寿命筛选试验）在可靠性设计中的应用，以安科瑞电气股份有限公司
2016-01-18 10:42:33
浅谈手机环境可靠性试验 本文关键字: 手机 环境可靠性 本文简要介绍了手机环境可靠性试验的目的、内容，在试验中容易出现的故障，指出了目前在手机环境可靠性测试中存在的问题。1 引言 随着社会
2009-11-13 22:31:55
深圳市华耀检测技术服务有限公司环境试验与可靠性试验虽然关系紧密，但它们在试验目的，所用环境应力数量，环境力量值选用准则，试验类型，试验时间，试验终止判据方面存在截然的不同之处。试验目的：环境试验考察
2022-01-13 14:03:37
为了评价分析电子产品可靠性而进行的试验称为可靠性试验。试验目的通常有如下几方面：1. 在研制阶段用以暴露试制产品各方面的缺陷，评价产品可靠性达到预定指标的情况；2. 生产阶段为监控生产过程提供信息
2015-08-04 17:34:26
电子产品的可靠性试验，不看肯定后悔
2021-05-12 06:11:07
使用过程中可靠性有保障， 笔者通过对硅压阻式压力传感器进行可靠性强化实验， 对其进行定性的分析，提出相关改进措施。 1 可靠性强化试验装置 强化试验必须满足假设： 受试品在短时间、高应力作用下表现得
2018-11-05 15:37:57
迅速、真正提高的目的。因此，在同等期限内，应用这项技术所获得的可靠性要比传统方法高得多，更为重要的是在短时间内就可以获得早期的高可靠性，而且不像传统方法那样，需要进行长时间的可靠性增长，因此也就大大
2019-11-08 07:38:43
我想问一下高速电路设计，是不是只要做好电源完整性分析和信号完整性分析，就可以保证系统的稳定了。要想达到高的可靠性，要做好哪些工作啊？在网上找了好久，也没有找到关于硬件可靠性的书籍。有经验的望给点提示。
2015-10-23 14:47:17
评估，以改善动态特性和可靠性，并开发有助于实现碳中和的更具吸引力的高性能功率半导体器件。新研发的格子花纹嵌入式SBD-SiC MOSFET的示意图1,2kV级SiC MOSFET特性对比
2023-04-11 15:29:18
电子移动、电流流动。而Si-PND采用P型硅和N型硅的接合结构，电流通过电子与空穴（孔）流动。SiC-SBD和Si-SBD均具有高速性的特征，SiC-SBD不仅拥有优异的高速性且实现了高耐压
2019-07-10 04:20:13
低，可靠性高，在各种应用中非常有助于设备实现更低功耗和小型化。本产品于世界首次※成功实现SiC-SBD与SiC-MOSFET的一体化封装。内部二极管的正向电压（VF）降低70％以上，实现更低损耗的同时
2019-03-18 23:16:12
刚刚接触PCBA可靠性，感觉和IC可靠性差异蛮大，也没有找到相应的测试标准。请问大佬们在做PCBA可靠性时是怎么做的，测试条件是根据什么设定？
2023-02-15 10:21:14
ROHM在全球率先实现了搭载ROHM生产的SiC-MOSFET和SiC-SBD的“全SiC”功率模块量产。与以往的Si-IGBT功率模块相比，“全SiC”功率模块可高速开关并可大幅降低
2018-12-04 10:11:50
罗姆展出了采用沟道构造的SiC制肖特基势垒二极管(SBD)和MOSFET。沟道型SBD的特点在于，与普通SiC制SBD相比二极管导通电压(以下称导通电压)较低。沟道型SBD的导通电压为0.5V，降到了以往
2011-10-12 09:35:301111 新日本无线的这款新MUSES音频系列产品 MUSES7001 是采用了粗铜线丝焊方式的音频碳化硅肖特基二极管（SiC-SBD:Silicon Carbide-Schottky Barrier
2013-11-18 10:03:211549 1. 器件结构和特征 SiC能够以高频器件结构的SBD（肖特基势垒二极管）结构得到600V以上的高耐压二极管（Si的SBD最高耐压为200V左右）。 因此，如果用SiC-SBD替换现在主流产品快速
2023-02-07 16:46:27501 二极管的正向电压VF无限接近零、对温度稳定是比较理想的，但事实是不是零、并会受温度影响而变动。为了使大家了解SiC-SBD的VF特性，下面与Si-PND的FRD（快速恢复二极管）进行比较。
2023-02-08 13:43:18378 
为了使大家了解SiC-SBD，前面以Si二极管为比较对象，对特性进行了说明。其中，也谈到SiC-SBD本身也发展到第2代，性能得到了提升。
2023-02-08 13:43:18396 
关于SiC-SBD，前面介绍了其特性、与Si二极管的比较、及当前可供应的产品。本篇将汇总之前的内容，并探讨SiC-SBD的优势。
2023-02-08 13:43:18705 
SiC作为半导体材料的历史不长，与Si功率元器件相比其实际使用业绩还远远无法超越，可能是其可靠性水平还未得到充分认识。这是ROHM的SiC-SBD可靠性试验数据。
2023-02-08 13:43:18364 
本文就SiC-MOSFET的可靠性进行说明。这里使用的仅仅是ROHM的SiC-MOSFET产品相关的信息和数据。另外，包括MOSFET在内的SiC功率元器件的开发与发展日新月异，如果有不明之处或希望确认现在的产品情况，请点击这里联系我们。
2023-02-08 13:43:21860 
ROHM近期推出的“SCS3系列”是第三代SiC肖特基势垒二极管（以下简称“SiC-SBD”）产品。ROHM的每一代SiC-SBD产品的推出都是正向电压降低、各特性得以改善的持续改进过程。
2023-02-10 09:41:07611 
ROHM在全球率先实现了搭载ROHM生产的SiC-MOSFET和SiC-SBD的“全SiC”功率模块量产。与以往的Si-IGBT功率模块相比，“全SiC”功率模块可高速开关并可大幅降低损耗。
2023-02-10 09:41:081333 
ROHM努力推进最适合处理高耐压与大电流电路使用SiC（碳化硅）材料的SBD（肖特基势垒二极管）。2010年在日本国内率先开始SiC SBD的量产，目前正在扩充第二代SIC-SBD产品阵容，并推动在包括车载在内的各种应用中的采用。
2023-02-13 09:30:07401 
－进入主题之前请您介绍了很多基础内容，下面请您介绍一下第三代SiC-SBD。SCS3系列被称为“第三代”，首先请您讲一讲各“代”的历史。前面让我介绍基础内容，这是非常必要的。
2023-02-16 09:55:07759 
面对SiC-SBD和Si-PND的特征进行了比较。接下来比较SiC-SBD和Si-PND的反向恢复特性。反向恢复特性是二极管、特别是高速型二极管的基本且重要的参数，所以不仅要比较trr的数值，还要理解其波形和温度特性，这样有助于有效使用二极管。
2023-02-22 09:17:07198 
二极管的正向电压VF无限接近零、对温度稳定是比较理想的，但事实是不是零、并会受温度影响而变动。为了使大家了解SiC-SBD的VF特性，下面与Si-PND的FRD（快速恢复二极管）进行比较。
2023-02-22 09:18:59140 
为了使大家了解SiC-SBD，前面以Si二极管为比较对象，对特性进行了说明。其中，也谈到SiC-SBD本身也发展到第2代，性能得到了提升。由于也有宣布推出第3代产品的，所以在此汇总一下SiC-SBD的发展，整理一下当前实际上供应的SiC-SBD。
2023-02-22 09:19:45355 
SiC-SBD为形成肖特基势垒，将半导体SiC与金属相接合（肖特基结）。结构与Si肖特基势垒二极管基本相同，仅电子移动、电流流动。而Si-PND采用P型硅和N型硅的接合结构，电流通过电子与空穴（孔）流动。
2023-02-23 11:24:11586 
来源：国星光电官微 近日，国星光电开发的1200V/10A SiC-SBD（碳化硅-肖特基二极管）器件成功通过第三方权威检测机构可靠性验证，并获得AEC-Q101车规级认证。这标志着国星光电第三代
2023-03-14 17:22:57393 
近日，国星光电开发的1200V/10A SiC-SBD（碳化硅-肖特基二极管）器件成功通过第三方权威检测机构可靠性验证，并获得AEC-Q101车规级认证。这标志着国星光电第三代半导体功率器件产品
2023-03-20 19:16:30550 国星光电SiC-SBD器件采用TO-247-2L封装形式,在长达1000小时的高温、高湿等恶劣环境下验证，仍能保持正常稳定的工作状态，可更好地适应复杂多变的车载应用环境，具备高度的可靠性、安全性和稳定性。
2023-03-22 10:56:52537 SiC SBD的高耐压（反压）特性
2023-12-13 15:27:55197 
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