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电子发烧友网>模拟技术>SiC-SBD的可靠性试验

SiC-SBD的可靠性试验

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2023-02-10 09:41:081333

在功率二极管中损耗最小的SiC-SBD

ROHM努力推进最适合处理高耐压与大电流电路使用SiC(碳化硅)材料的SBD(肖特基势垒二极管)。2010年在日本国内率先开始SiC SBD的量产,目前正在扩充第二代SIC-SBD产品阵容,并推动在包括车载在内的各种应用中的采用。
2023-02-13 09:30:07401

浅谈第三代SiC-SBD 提高追求高可靠性的设备的效率与安全余量

-进入主题之前请您介绍了很多基础内容,下面请您介绍一下第三代SiC-SBD。SCS3系列被称为“第三代”,首先请您讲一讲各“代”的历史。前面让我介绍基础内容,这是非常必要的。
2023-02-16 09:55:07759

SiC-SBD与Si-PND的反向恢复特性比较

面对SiC-SBD和Si-PND的特征进行了比较。接下来比较SiC-SBD和Si-PND的反向恢复特性。反向恢复特性是二极管、特别是高速型二极管的基本且重要的参数,所以不仅要比较trr的数值,还要理解其波形和温度特性,这样有助于有效使用二极管。
2023-02-22 09:17:07198

SiC-SBD与Si-PND的正向电压比较

二极管的正向电压VF无限接近零、对温度稳定是比较理想的,但事实是不是零、并会受温度影响而变动。为了使大家了解SiC-SBD的VF特性,下面与Si-PND的FRD(快速恢复二极管)进行比较。
2023-02-22 09:18:59140

SiC-SBDSiC-SBD的发展历程

为了使大家了解SiC-SBD,前面以Si二极管为比较对象,对特性进行了说明。其中,也谈到SiC-SBD本身也发展到第2代,性能得到了提升。由于也有宣布推出第3代产品的,所以在此汇总一下SiC-SBD的发展,整理一下当前实际上供应的SiC-SBD
2023-02-22 09:19:45355

使用SiC-SBD的优势

SiC-SBD为形成肖特基势垒,将半导体SiC与金属相接合(肖特基结)。结构与Si肖特基势垒二极管基本相同,仅电子移动、电流流动。而Si-PND采用P型硅和N型硅的接合结构,电流通过电子与空穴(孔)流动。
2023-02-23 11:24:11586

国星光电SiC-SBD通过车规级认证

来源:国星光电官微 近日,国星光电开发的1200V/10A SiC-SBD(碳化硅-肖特基二极管)器件成功通过第三方权威检测机构可靠性验证,并获得AEC-Q101车规级认证。这标志着国星光电第三代
2023-03-14 17:22:57393

国星光电SiC-SBD通过车规级认证

近日,国星光电开发的1200V/10A SiC-SBD(碳化硅-肖特基二极管)器件成功通过第三方权威检测机构可靠性验证,并获得AEC-Q101车规级认证。这标志着国星光电第三代半导体功率器件产品
2023-03-20 19:16:30550

国星光电SiC-SBD通过车规级认证

国星光电SiC-SBD器件采用TO-247-2L封装形式,在长达1000小时的高温、高湿等恶劣环境下验证,仍能保持正常稳定的工作状态,可更好地适应复杂多变的车载应用环境,具备高度的可靠性、安全性和稳定性。
2023-03-22 10:56:52537

SiC SBD的高耐压(反压)特性

SiC SBD的高耐压(反压)特性
2023-12-13 15:27:55197

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