伏安特性是指横轴为电压、纵轴为电流的一组测试记录。 那么NPN型晶体管的伏安特性增模描述呢？ 晶体管有三个引脚，因此需用通过两个伏安特性来展示晶体管的特征，这两个伏安特性分别为输入伏安特性和输出伏安特性。
2023-02-20 15:04:42
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8050晶体管是一种小型设备，用于引导便携式无线电中的电流。数字“8050”基本上表示尺寸和特定输出额定值。工程师和电子专家通常会给晶体管起数字名称，以便更容易识别和区分它们。具有8050
2023-02-16 18:22:30
晶体管特性图示仪测三极管直流参数
2012-08-20 07:47:47
晶体管特性图示仪测三极管直流参数
2012-08-20 09:43:57
题库来源：特种作业模考题库小程序1.晶体管特性图示仪的功耗限制电阻相当于晶体管放大电路的( )电阻。 BA.基极B.集电极C.限流D.降压2.集成运放通常有( )部分
2021-09-02 06:19:31
TR的情况，除此之外，还有5V以下(突破此耐压范围，会发生hFE低下等特性的劣化，请注意。)VCE(sat)及VBE(ON)的特性没有太大的变化关于封装功率容许功定义：是指由于输入晶体管的电压、电流
2019-04-09 21:27:24
是，最大输出电流时产生0.2 V压降。功率场效应管可以无需任何外接元件而直接并联，因为其漏极电流具有负温度系数。
1、晶体管的Vbe扩散现象是什么原理，在此基础上为什么要加电阻？
2、场效应管无需任何外接
2024-01-26 23:07:21
晶体管之间的差异性：就三极管，mos管和可控硅之间的差别和相同点的相关概念有点模糊，请各位大侠指点！！！
2016-06-07 23:27:44
晶体管分类 按半导体材料和极性分类 按晶体管使用的半导体材料可分为硅材料晶体管和锗材料晶体管。按晶体管的极性可分为锗NPN型晶体管、锗PNP晶体管、硅NPN型晶体管和硅PNP型晶体管。 按结构
2010-08-12 13:59:33
统通过VCCS输入，取平均等技术获得较理想的测试结果。目前能够完成三极管输入、输出特性曲线、放大倍数、开启电压等参数以及二极管一些参数的测定，并能测试比较温度对这些参数的影响。系统具有通用的RS232 接口和打印机接口，可以方便的将结果打印、显示。关键词AduC812压控流源晶体管参数
2012-08-02 23:57:09
、电压／电流反馈放大电路、晶体管／FET开关电路、模拟开关电路、开关电源、振荡电路等。上册则主要介绍放大电路的工作、增强输出的电路、功率放大器的设计与制作、拓宽频率特性等。`
2019-03-06 17:29:48
晶体管图示仪器是用来测量晶体管输入、输出特性曲线的仪器。在实验、教学和工程中通过使用图示仪，可以获得晶体管的实际特性，能更好的发挥晶体管的作用。
2021-05-07 07:43:17
晶体管在高频信号幅频特性不扩展的理由扩展共射级放大电路的幅频特性
2021-03-02 07:51:16
一、晶体管开关电路：是一种计数地接通-断开晶体管的集电极-发射极间的电流作为开关使用的电路，此时的晶体管工作在截止区和饱和区。当需要输出大的负载电流时，由于集电极电流(负载电流)是放大基极电流而来
2021-10-29 09:25:31
晶体管式电流传感器内部设有检测电流用电阻。使负荷电流通过该电阻，并利用运算放大器（OP比较电路）将其电压降值与基准电压进行比较，当电流检测电阻上的电压降低于基准电压时，比较器的输出电流点亮报警
2018-10-31 17:13:28
1．反向击穿电流的检测 普通晶体管的反向击穿电流（也称反向漏电流或穿透电流），可通过测量晶体管发射极E与集电极C之间的电阻值来估测。测量时，将万用表置于R×1k档， NPN型管的集电极C接黑表笔
2012-04-26 17:06:32
在PROTUES中如何改变晶体管的放大倍数？有的器件有放大倍数改变的参数。另外，不同的仿真模型参数不同如何改变？
2014-02-28 08:42:03
➤ 01晶体管测量模块在 淘宝购买到的晶体管测试显示模块 （¥：67.0）刚刚到货。▲ 刚刚到货的集体管测试线是模块1.基本特性采用2015 V1.12版软件。采用12864点阵液晶屏，显示内容更加
2021-07-13 08:30:42
晶体管测量模块的基本特性有哪些？晶体管测量模块的基本功能有哪些？
2021-09-24 07:37:23
`非常不错的晶体管电路设计书籍！`
2016-11-08 14:12:33
的定义如图Z0213。 hie、hre、hfe、hoe 这4个参数称为晶体管的等效h 参数，它们的物理意义为： hie称为输出端交流短路时的输入电阻，简称输入电阻。它反映输出电
2021-05-13 07:56:25
或使其特性变坏。(5) 集电极--发射极反向电流ICEOICEO是指晶体管基极开路时，集电极、发射极间的反向电流，也称穿透电流。ICEO越小越好，现在应用较多的硅晶体管，其ICEO都很小，在1A以下
2018-06-13 09:12:21
晶体管的主要参数有哪些？晶体管的开关电路是怎样的？
2021-06-07 06:25:09
是基于代表性的特性进行的，因此存在个别不吻合的内容。请理解为整体的倾向、特征。另外，这些晶体管的结构、工作原理与代表性的参数如下。双极晶体管（图中以NPN为例）由PN结组成，通过在基极流过电流，而在集电极
2018-11-28 14:29:28
相对于晶体管的主要评估项目的特征。 对于各项目的评估是基于代表性的特性进行的，因此存在个别不吻合的内容。请理解为整体的倾向、特征。另外，这些晶体管的结构、工作原理与代表性的参数如下。 双极晶体管
2020-06-09 07:34:33
间电压 (VBE) 成比例的电流 (IB) 的hFE※1 倍的电流 (IC) 流经集电极。这一集电极电流IC流经电阻RL，从而IC×RL的电压反映在电阻RL两端。最终，输入电压e被转换（增幅）成ICRL电压反映在输出。※1：hFE晶体管的直流电流增幅率。
2019-05-05 00:52:40
）用业收集电子。晶体管的发射极电流IE与基极电流IB、集电极电流IC之间的关系如下：IE=IB+IC3．晶体管的工作条件晶体管属于电流控制型半导体器件，其放大特性主要是指电流放大能力。所谓放大，是指当
2013-08-17 14:24:32
功率、集电极最大电流、最大反向电压、电流放大系数等参数及外地人形尺寸等是否符合应用电路的要求。 2．末级视放输出管的选用彩色电视机中使用的末级视放输出管，应选用特征频率高于80MHZ的高频晶体管
2012-01-28 11:27:38
，晶体管的输入特性类似于二极管的正向伏安特性。 (2)共射极输出特性 （以 NPN 管为例） 共射极输出特性表达式为：。晶体管输出特性曲线的三个区域对应于 晶体管的三个工作状态（饱和、放大和截止）。 a
2021-05-13 06:43:22
TR的情况，除此之外，还有5V以下(突破此耐压范围，会发生hFE低下等特性的劣化，请注意。)VCE(sat)及VBE(ON)的特性没有太大的变化关于封装功率容许功定义：是指由于输入晶体管的电压、电流
2019-05-09 23:12:18
; 晶体管，本名是半导体三极管，是内部含有两个PN结，外部通常为三个引出电极的半导体器件。它对电信号有放大和开关等作用，应用十分广泛。输入级和输出
2010-08-12 13:57:39
输出为1瓦至600瓦。产品型号: AM81214-030产品名称：晶体管AM81214-030产品特性内部输入/输出匹配网络PG＝7.2 dB，在5 W（峰值）/ 1400 MHzOMNIORD金属化
2018-07-17 15:08:03
电压（与功率MOSFET的低导通电阻相当）和较快的开关特性的晶体管。尽管其具有较快的开关特性，但仍比不上功率MOSFET，这是IGBT的弱点。【功率元器件的基本结构与特点
2019-05-06 05:00:17
电压（与功率MOSFET的低导通电阻相当）和较快的开关特性的晶体管。尽管其具有较快的开关特性，但仍比不上功率MOSFET，这是IGBT的弱点。【功率元器件的基本结构与特点
2019-03-27 06:20:04
向各位大神求助，我想仿真“用石墨烯代替硅制作的场效应晶体管的特性测量”。电路和普通的测量场效应晶体管特性的电路基本一样，只是需要能够调整晶体管的迁移率等特性，想问下LABVIEW能实现这种仿真吗？我在库里没找到晶体管，能帮忙指出在哪可以找到吗？谢谢！实在是太菜鸟了，请见谅。能建立下图这种电路就行。
2014-04-11 12:06:22
求大神相助，Multisim里面雪崩晶体管的过压击穿怎么放着那，当我设的电压已经大于了Vcbo滞后还是不见晶体管导通。
2014-08-08 10:42:58
NPN晶体管排列和符号在解释原理之前，我们先来了解一下NPN晶体管的基本结构和符号。要识别NPN晶体管引脚，它将是集电极（c），基极（b）和发射极（e）。图1.NPN 晶体管结构和符号NPN晶体管由
2023-02-08 15:19:23
PLC晶体管输出和继电器输出区别
2012-08-20 08:26:07
PLC继电器和晶体管输出
2012-08-20 08:24:48
，因为电流必须离开基极。通常，PNP晶体管可以替代大多数电子电路中的NPN晶体管;主要区别在于电压和电流流向的极性。七、PNP晶体管电路PNP 晶体管的输出特性曲线与等效的 NPN 晶体管的输出特性曲线
2023-02-03 09:44:48
multisim仿真中高频晶体管BFG35能用哪个晶体管来代替，MFR151管子能用哪个来代替？或是谁有这两个高频管子的原件库？求大神指教
2016-10-26 11:51:18
的必要性晶体管和FET的工作原理晶体管和FET的近况第二章 放大电路的工作观察放大电路的波形放大电路的设计放大电路的性能共发射极应用电路第三章 增强输出的电路观察射极跟随器的波形电路设计射极跟随器的性能射极
2017-07-25 15:29:55
本晶体管特性曲线描绘仪电路主要由锯齿波发生器、阶梯波发生器组成（图(a)）。因为描绘晶体管特性需要两种电压，一是加在b极上的阶梯波，以产生不同的基极电流Ib；二是加在c极上的锯齿波，其周期与阶梯波相对应．
2021-04-20 07:06:19
本文资料下载内容包括了：二极管的结构与伏安特性二极管伏安特性的数学表达式温度对二极管伏安特性的影响
2021-03-23 07:21:56
互补晶体管的匹配
2019-10-30 09:02:03
类型。3.2 晶体管的种类及其特点》巨型晶体管GTR是一种高电压、高电流的双极结型晶体管（BJT），因此有时被称为功率BJT。特点：电压高，电流大，开关特性好，驱动功率高，但驱动电路复杂;GTR和普通双极结型
2023-02-03 09:36:05
达林顿晶体管是一对双极晶体管，连接在一起，从低基极电流提供非常高的电流增益。输入晶体管的发射极始终连接到输出晶体管的基极;他们的收藏家被绑在一起。结果，输入晶体管放大的电流被输出晶体管进一步放大
2023-02-16 18:19:11
。 计算鳍式场效应晶体管宽度 （W） 鳍式场效应晶体管的通道（鳍片）是垂直的。该设备需要牢记特定尺寸。唤起马克斯·普朗克的“量子”，FinFET表现出一种称为宽度量化的特性：其宽度是其高度的倍数。随机
2023-02-24 15:25:29
实验十 元件伏安特性的测定?一、实验目的?⒈ 学习直读式仪表和晶体管稳压电源等设备的使用方法。?⒉ 掌握阻值、电压和电流的测量方法。?⒊ 掌握线性电阻元件、非线性电阻元件——二极管以及电压源的伏安
2008-09-24 21:54:48
的基础知识和基本实验，内容包括FET放大电路、源极跟随器电路、功率放大器、电压／电流反馈放大电路、晶体管／FET开关电路、模拟开关电路、开关电源、振荡电路等。上册则主要介绍放大电路的工作、增强输出的电路
2017-06-22 18:05:03
正电压，以产生从发射极到集电极的电流。7.如何测量晶体管的特性？晶体管的输出特性是通过检查不同基极电流下属于集电极电流的集电极-发射极端子之间的电压变化来确定的。通过按下移动设备上的“输出特性”按钮
2023-02-03 09:32:55
伏安特性分析仪简称IV分析仪，专门用来测量二极管的伏安特性曲线、晶体管三极管的输出特性曲线，以及MOS场效应管的输出特性曲线。
IV分析仪相当于实验室的晶体管图示仪，需要将晶体管与连接
2023-04-27 16:28:47
可以将PNP晶体管定义为通常为“OFF”，但是适度的输出电流和相对于其发射极（E）的基极（B）的负电压将使其“打开”，从而允许大的发射极-集电极电流流动。我可以用NPN代替PNP吗？如果您还记得一个简单
2023-02-03 09:45:56
功率晶体管（GTR）具有控制方便、开关时间短、通态压降低、高频特性好、安全工作区宽等优点。但存在二次击穿问题和耐压难以提高的缺点，阻碍它的进一步发展。—、结构特性1、结构原理功率晶体管是双极型大功率
2018-01-15 11:59:52
功率晶体管（GTR）具有控制方便、开关时间短、通态压降低、高频特性好、安全工作区宽等优点。但存在二次击穿问题和耐压难以提高的缺点，阻碍它的进一步发展。—、结构特性1、结构原理功率晶体管是双极型大功率
2018-01-25 11:27:53
半导体二极管的伏安特性是什么？
2021-06-15 06:17:58
请教：单结晶体管在什么位置，有人说是UJT，但好象用不了呀？
2013-09-26 16:55:49
各位高手，小弟正在学习单结晶体管，按照网上的电路图做的关于单结晶体管的仿真，大多数都不成功，请问谁有成功的单结晶体管的仿真仿真啊，可以分享下吗。
2016-03-04 09:15:06
1. 内容利用LabVIEW设计一个三极管伏安特性测量程序，采用电压扫描法实现对三极管伏安特性的分析。2. 要求 （1）输出信号的幅值可以调整； （2）显示集电极电流Ic-集电极与射集间电压Uce之间的关系曲线； （3）虚拟仪器前面板的设计美观大方、操作方便，后面板的设计简洁、布线合理、功能完善。
2016-07-05 10:43:24
基于LabVIEW的三极管伏安特性测量1. 内容利用LabVIEW设计一个三极管伏安特性测量程序，采用电压扫描法实现对三极管伏安特性的分析。2. 要求
2016-07-05 10:34:20
基于单片机的晶体管特性图示仪
2012-08-20 09:30:07
，这反过来又使耗尽层尽可能小，从而通过我们的晶体管的最大电流流动。这使得晶体管开关导通。 图2显示了饱和区域特性。 图2.饱和区域特征 输入基极电流和输出集电极电流为零，集电极电压处于最大值
2023-02-20 16:35:09
本应用指南介绍了一种采用后向设计的基本驱动电路，它从输出晶体管器件开始再返回到水平振荡器，便于加速晶体管的水平输出级。
2014-09-22 17:14:04
如何去判别晶体管材料与极性？如何去检测晶体管的性能？怎样去检测特殊晶体管？
2021-05-13 07:23:57
怎样去设计扫描信号发生器？扫描信号发生器的阶梯波和锯齿波有什么关系？以CRT示波器为显示终端显示波形，与通用晶体管特性图示仪比较，具有哪些优点？
2021-04-15 06:13:59
什么是微波功率晶体管？如何提高微波功率晶体管可靠性？
2021-04-06 09:46:57
为了改善晶体管的开关特性，减小晶体管的损耗，在晶体管基极驱动电路的设计上会采取一些加速措施。如下： 加速电路一 在加速电路一中，并联在RB两端的电容CB称为加速电容，数值一般在1nf
2020-11-26 17:28:49
如何用Multisim10进行数据采集？如何用LabVIEW显示单结晶体管伏安特性？
2021-04-09 06:13:03
来至网友的提问：如何选择分立晶体管？
2023-11-24 08:16:54
晶体管的开关速度即由其开关时间来表征，开关时间越短，开关速度就越快。BJT的开关过程包含有开启和关断两个过程，相应地就有开启时间ton和关断时间toff，晶体管的总开关时间就是ton与toff之和
2019-09-22 08:00:00
晶体管依照用途大致分为高频与低频，它们在型号上的大致区别是什么？例如《晶体管电路设计》中列举的：高频（2SA****，2SC*****）、低频（2SB****，2SD****）。现在产品设计中最常用的型号是哪些？
2017-10-11 23:53:40
特性 NPN 晶体管可能具有公共基极 （CB） 或共发射极 （CE） 配置，每种配置都有自己独特的输入和输出。在常见的发射极设置中，从基极（V是） 和收集器 （V菲尔.A 电压 VE然后离开发射极并进
2023-02-17 18:07:22
bandgap中晶体管的热噪声比较大，通过什么手段能解决？
2021-06-24 07:29:25
to -2.4mV/ºC的范围有偏差)R1的温度变化率，如下图表。关于输出电压 - 输出电流特性的低电流领域(数字晶体管的情况)数字晶体管的输出电压-输出电流特性，按以下测定方法测定。IO（低电流区域
2019-04-22 05:39:52
选定方法数字晶体管的型号说明IO和IC的区别GI和hFE的区别VI(on)和VI(off)的区别关于数字晶体管的温度特性关于输出电压 - 输出电流特性的低电流领域（数字晶体管的情况）关于数字晶体管
2019-04-09 21:49:36
普通二极管和肖特基二极管的伏安特性如何
2021-10-13 08:57:54
晶体管的代表形状晶体管分类图：按照该分类，掌握其种类1. 按结构分类根据工作原理不同分类，分为双极晶体管和单极晶体管。双极晶体管双是指Bi（2个）、极是指Polar（极性）。双极晶体管，即流经构成
2019-05-05 01:31:57
的选择和比较进行了分析。考虑了晶体管参数，如与时间相关的输出有效电容（Co（tr））和关断能量（Eoff）等，这会影响LLC转换器的高性能成就。还分析了基于GaN、Si和SiC MOS的3KW 48V
2023-02-27 09:37:29
我最近买了一台QT2晶体管特性图示仪，但是说明书看不懂，有没有人能指导一下如何使用QT2晶体管特性图？我是真的想知道怎么用QT2检测各种三极管，场效应管，整流管等，不要网上随便复制的答案，希望真的懂得的哥们指导指导。。。
2012-07-14 21:37:00
二极管的伏安特性是什么？温度对二极管的伏安特性有何影响？
2021-10-08 08:55:17
用555制作的晶体管特性曲线描绘仪本仪器除能测试晶体管外，还能测试二极管，测试方法如图所示。晶体管特性曲线描绘仪是测试晶体管特性的专用仪器，使用该仪器可以将晶体管在各种工作电压下的工作特性用曲线
2008-07-25 13:34:04
。试验后，根据试验数据绘出伏安特性曲线。三 注意事项1.电流互感器的伏安特性试验，只对继电保护有要求的二次绕组进行。2.测得的伏安特性曲线与过去或出厂的伏安特性曲线比较，电压不应有显著降低。若有显著
2020-09-15 22:26:01
受益于集成器件保护，直接驱动GaN器件可实现更高的开关电源效率和更佳的系统级可靠性。高电压（600V）氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管（HEMT）的开关特性可实现提高开关模式电源效率和密度的新型
2020-10-27 06:43:42
不导通。当UA＞UG时，P1N1结正偏将发生空穴注入，P1N1P2N2结构开通，A-K间导通并出现负阻现象。其过程及伏安特性与单结晶体管十分相似，区别仅在于：单结晶体管的负阻特性出现在E-B1之间，而
2018-01-22 15:23:21
电极-发射极电流与几乎零栅流驱动器。典型的 IGBT绝缘栅双极性晶体管，即 IGBT，结合了 MOSFET 的绝缘栅(因此得名第一部分)技术和传统双极性晶体管的输出性能特性，因此得名第二部分。这种混合
2022-04-29 10:55:25
继电器和晶体管输出具有哪些特点？使用注意事项有哪些？继电器与晶体管输出有哪些差别？
2021-10-12 06:28:48
，典型能效为55%,P1dB输出功率为700瓦，增益为16dB,并具备低热阻特性。 新晶体管的推出使得英飞凌如今可为1200 MHz~1400 MHz系统应用提供一系列射频功率晶体管，额定输出功率分别为
2018-11-29 11:38:26
晶体管中，输入回路负载线与输入特性曲线的交点为什么就是Q点？
2019-04-01 06:36:50
`如图所示，使用STM32输出通过光耦驱动晶体管阵列MC1413(同ULN2003)，但是输出端测不到，求指教电路是否合适，谢谢。顺便贴上MC1413的电气特性。`
2019-03-18 09:56:56
来至网友的提问：如何选择分立晶体管？
2018-12-12 09:07:55
这个达林顿晶体管厂家是哪家
2022-05-30 16:36:56
单结晶体管具有负租特性，其工作原理和伏安特性见图1-31。
图1-31中电源电压UBB的
2009-07-31 17:22:552649 
晶体管特性图示仪,晶体管特性图示仪是什么意思
体管特性图示仪它是一种能对晶体管的特性参数进行测试的仪器。 一般
2010-03-05 14:29:093255 晶体管特性图示仪原理与使用 晶体管特性图示仪原理与使用
2016-02-18 14:56:24
48 Multisim 10的元器件库提供数千种电路元器件供实验选用，虚拟测试仪器仪表种类齐全，有一般实验用的通用仪器，但没有晶体管图示仪，只能测试晶体三极管、PMOS和NMOS伏安特性曲线，不具备测试
2019-01-04 09:18:004248 
本文档的主要内容详细介绍的是晶体管的特性与参数详细资料说明包括了：1 晶体管的工作原理，2 晶体管的伏安特性，3 晶体管的主要参数
2019-06-17 08:00:0023 本文主要阐述了磁敏晶体管的工作原理及磁敏晶体管的特性。
2019-12-20 11:16:256592 
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