在导通数据中，原本2，742µJ的开关损耗变为1，690µJ，损耗减少了约38%。在关断数据中也从2，039µJ降至1，462µJ，损耗减少了约30%。
2020-07-17 17:47:44
949 
MOSFET/IGBT的开关损耗测试是电源调试中非常关键的环节，但很多工程师对开关损耗的测量还停留在人工计算的感性认知上，PFC MOSFET的开关损耗更是只能依据口口相传的经验反复摸索，那么该如何量化评估呢?
2022-10-19 10:39:231504 MOS 管的开关损耗对ＭOS 管的选型和热评估有着重要的作用，尤其是在高频电路中，比如开关电源，逆变电路等。
2023-07-23 14:17:001217 
在不同工作频率下的损耗进行了理论计算、PLECS仿真和试验验证对比分析。PLECS仿真和试验验证的结果不仅证明了估算公式的正确性，还直观的体现了SiC和IGBT两类模块在不同开关频率下工作的热损耗趋势。从文中可以看出，使用SiC替 代IGBT可以显著地提高变换器的工作频率和功率密度。
2023-12-14 09:37:05472 
进一步实现小型化。开关损耗大幅降低，可进一步提升大功率应用的效率ROHM利用独有的内部结构并优化散热设计开发出新型封装，从而开发并推出了600A额定电流的全SiC功率模块产品。由此，全SiC功率模块在工业
2018-12-04 10:20:43
/dm3。今天我们先欣赏一下这个设计。这个50KW/85KHz的无线充电系统包括有源滤波和DCDC转换接口电路，两个转换阶段均采用1.2 kV SiC MOSFET器件，具有较低的开关损耗。对于DCDC
2021-04-19 21:42:44
SiC-MOSFET－SiC-MOSFET的可靠性全SiC功率模块所谓全SiC功率模块全SiC功率模块的开关损耗运用要点栅极驱动 其1栅极驱动 其2应用要点缓冲电容器 专用栅极驱动器和缓冲模块的效果Si功率元器件基础篇前言前言Si
2018-11-27 16:40:24
SiC-MOSFET－SiC-MOSFET的应用实例所谓SiC-MOSFET－SiC-MOSFET的可靠性全SiC功率模块所谓全SiC功率模块全SiC功率模块的开关损耗运用要点栅极驱动 其1栅极驱动 其2
2018-11-27 16:38:39
时间trr快（可高速开关）・trr特性没有温度依赖性・低VF（第二代SBD）下面介绍这些特征在使用方面发挥的优势。大幅降低开关损耗SiC-SBD与Si二极管相比，大幅改善了反向恢复时间trr。右侧的图表为
2019-03-27 06:20:11
通时产生的Vd振铃、和低边SiC-MOSFET的寄生栅极寄生电容引起的。全SiC功率模块的开关速度与寄生电容下面通过与现有IGBT功率模块进行比较来了解与栅极电压的振铃和升高有关的全SiC功率模块的开关
2018-11-30 11:31:17
电流和FRD的恢复电流引起的较大的开关损耗，通过改用SiC功率模块可以明显减少，因此具有以下效果：开关损耗的降低，可以带来电源效率的改善和散热部件的简化（例：散热片的小型化，水冷/强制风冷的自然风冷化
2019-03-25 06:20:09
/电子设备实现包括消减待机功耗在内的节能目标。在这种背景下，削减功率转换时产生的能耗是当务之急。不用说，必须将超过Si极限的物质应用于功率元器件。例如，利用SiC功率元器件可以比IGBT的开关损耗降低85
2018-11-29 14:35:23
电导率调制，向漂移层内注入作为少数载流子的空穴，因此导通电阻比MOSFET还要小，但是同时由于少数载流子的积聚，在Turn-off时会产生尾电流，从而造成极大的开关损耗。SiC器件漂移层的阻抗比Si器件低
2019-05-07 06:21:55
Transistor : 绝缘栅极双极型晶体管）等少数载流子器件（双极型器件），但是却存在开关损耗大 的问题，其结果是由此产生的发热会限制IGBT的高频驱动。SiC材料却能够以高频器件结构的多数
2019-07-23 04:20:21
电流和FRD的恢复电流引起的较大的开关损耗，通过改用SiC功率模块可以明显减少，因此具有以下效果：开关损耗的降低，可以带来电源效率的改善和散热部件的简化（例：散热片的小型化，水冷/强制风冷的自然风冷化
2019-05-06 09:15:52
SiC功率模块”量产。与以往的Si-IGBT功率模块相比，“全SiC”功率模块可高速开关并可大幅降低损耗。关于这一点，根据这之前介绍过的SiC-SBD和SiC-MOSFET的特点与性能，可以很容易理解
2018-11-27 16:38:04
的内部结构和优化了散热设计的新封装，成功提高了额定电流。另外，与普通的同等额定电流的IGBT＋FRD模块相比，开关损耗降低了75%（芯片温度150℃时）。不仅如此，利用SiC功率元器件的优势–高频驱动，不仅
2018-12-04 10:24:29
全SiC功率模块与现有的功率模块相比具有SiC与生俱来的优异性能。本文将对开关损耗进行介绍，开关损耗也可以说是传统功率模块所要解决的重大课题。全SiC功率模块的开关损耗全SiC功率模块与现有
2018-11-27 16:37:30
SiC功率模块的栅极驱动，可实现更低损耗的清洁运行。关键要点:・“栅极误导通”的抑制方法有三种：①使关断时的Vgs为负电压，②增加外置CGS，③增加米勒钳位MOSFET。・通过优化全SiC功率模块的栅极驱动，可实现更低损耗的清洁运行。
2018-11-27 16:41:26
0.5Ω，内部栅极电阻为0.5Ω。 功率模块的整体热性能也很重要。碳化硅芯片的功率密度高于硅器件。与具有相同标称电流的硅IGBT相比，SiC MOSFET通常表现出显着较低的开关损耗，尤其是在部分
2023-02-20 16:29:54
保持电源电压VDD不变，当VGS电压减小到0时，这个阶段结束，VGS电压的变化公式和模式1相同。在关断过程中，t6~t7和t7~t8二个阶段电流和电压产生重叠交越区，因此产生开关损耗。关断损耗可以用下面
2017-03-06 15:19:01
过程中的开关损耗。开关损耗内容将分成二次分别讲述开通过程和开通损耗，以及关断过程和和关断损耗。功率MOSFET及驱动的等效电路图如图1所示，RG1为功率MOSFET外部串联的栅极电阻，RG2为功率
2017-02-24 15:05:54
与Si的比较开发背景SiC的优点SiC-SBD（肖特基势垒二极管）与Si二极管比较采用示例SiC-MOSFET与各种功率MOSFET比较运用事例全SiC模块模块的构成开关损耗运用要点SiC是在热、化学
2018-11-29 14:39:47
一、开关损耗包括开通损耗和关断损耗两种。开通损耗是指功率管从截止到导通时所产生的功率损耗；关断损耗是指功率管从导通到截止时所产生的功率损耗。二、开关损耗原理分析：(1)、非理想的开关管在开通时，开关
2021-10-29 07:10:32
（快速恢复二极管）相结合的IGBT功率模块应用广泛。IGBT模块存在IGBT的尾电流和FRD的恢复电流导致开关损耗大的课题，而SiC-MOSFET和SiC-SBD组成的“全SiC”模块则可显著降低开关损耗
2018-12-04 10:14:32
IGBT功率模块是电压型控制，输入阻抗大，驱动功率小，控制电路简单，开关损耗小，通断速度快，工作频率高，元件容量大等优点。
2020-03-24 09:01:13
如图片所示，为什么MOS管的开关损耗（开通和关断过程中）的损耗是这样算的，那个72pF应该是MOS的输入电容，2.5A是开关电源限制的平均电流
2018-10-11 10:21:49
MOS管的开关损耗测试是电源调试中非常关键的环节，但很多工程师对开关损耗的测量还停留在人工计算的感性认知上，PFCMOS管的开关损耗更是只能依据口口相传的经验反复摸索，那么该如何量化评估呢
2018-11-09 11:43:12
本帖最后由 小小的大太阳 于 2017-5-31 10:06 编辑
MOS管的导通损耗影响最大的就是Rds，而开关损耗好像不仅仅和开关的频率有关，与MOS管的结电容，输入电容，输出电容都有关系吧？具体的关系是什么？有没有具体计算开关损耗的公式？
2017-05-31 10:04:51
本帖最后由 张飞电子学院鲁肃 于 2021-1-30 13:21 编辑
本文详细分析计算功率MOSFET开关损耗，并论述实际状态下功率MOSFET的开通过程和自然零电压关断的过程，从而使电子
2021-01-30 13:20:31
项目名称：全SiC MMC实验平台设计——功率子模块驱动选型试用计划：申请理由本人在电力电子领域有三年多的学习和开发经验，曾设计过基于半桥级联型拓扑的储能系统，通过电力电子装置实现电池单元的间接
2020-04-21 16:02:34
%提升到了97.3%。图5功率损耗对比5、结论新的APS系统采用了最新的1.2kV全SiC功率模块，凭借其低损耗、高工作温度等特点，器件的开关频率得以提高。在本设计中，作者考虑到了高开关频率可以使滤波
2017-05-10 11:32:57
。设计挑战然而，SiC MOSFET 技术可能是一把双刃剑，在带来改进的同时，也带来了设计挑战。在诸多挑战中，工程师必须确保：以最优方式驱动 SiC MOSFET，最大限度降低传导和开关损耗。最大
2017-12-18 13:58:36
直接影响转换器的体积、功率密度和成本。 然而，所使用的半导体开关远非理想，并且由于开关转换期间电压和电流之间的重叠而存在开关损耗。这些损耗对转换器工作频率造成了实际限制。谐振拓扑可以通过插入额外的电抗
2023-02-21 16:01:16
介绍了采用商用1200V碳化硅（SiC）MOSFET和肖特基二极管的100KHz，10KW交错式硬开关升压型DC / DC转换器的参考设计和性能。 SiC功率半导体的超低开关损耗使得开关频率在硅实现方面显着增加
2019-05-30 09:07:24
内置SiC肖特基势垒二极管的IGBT：RGWxx65C系列内置SiC SBD的Hybrid IGBT在FRD＋IGBT的车载充电器案例中开关损耗降低67%关键词* • SiC肖特基势垒二极管（SiC
2022-07-27 10:27:04
4开关损耗测试结果图六、总结开关损耗测试对于器件评估非常关键，通过专业的电源分析插件，可以快速有效的对器件的功率损耗进行评估，相对于手动分析来说，更加简单方便。对于MOSFET来说，I2R的导通损耗计算公式是最好的选择。
2021-11-18 07:00:00
坏该开关器件。 由于硬开关存在以上缺点，限制了开关器件工作频率的提高，在软开关技术出来之前，功率开关器件的开关损耗是很大的。为了弥补硬开关工作的不足，提出了软开关技术。 软开关技术的原理 所谓
2019-08-27 07:00:00
SiC-SBD，蓝色是第二代，可确认VF的降低。SiC-SBD因高速trr而使开关损耗降低，加之VF的改善，在功率二极管中可以说是损耗最小的二极管。促进电源系统应用的效率提高与小型化前面已经介绍了
2018-12-04 10:26:52
，SiC 功率模块是首选解决方案，因为与传统 IGBT技术相比，它们提供更低的开关损耗。以下文章演示了采用 1200 V / 1200 A 三菱电机 SiC 功率模块的额定额定功率为 500 kW 的 DC
2023-02-20 15:32:06
如何更加深入理解MOSFET开关损耗？Coss产生开关损耗与对开关过程有什么影响？
2021-04-07 06:01:07
算法，可根据负载功率因子在不同扇区内灵活放置零电压矢量，与传统的连续调制SVPWM相比，在增加开关频率的同时减小了开关电流。仿真结果也表明这种方法有着最小的开关损耗。
2019-10-12 07:36:22
作为应用全SiC模块的应用要点，本文将在上一篇文章中提到的缓冲电容器基础上，介绍使用专用栅极驱动器对开关特性的改善情况。全SiC模块的驱动模式与基本结构这里会针对下述条件与电路结构，使用缓冲电容器
2018-11-27 16:36:43
电流和FRD的恢复电流引起的较大的开关损耗，通过改用SiC功率模块可以明显减少，因此具有以下效果：开关损耗的降低，可以带来电源效率的改善和散热部件的简化（例：散热片的小型化，水冷/强制风冷的自然风冷化
2019-03-12 03:43:18
通损耗在轻负载时并非一个因素，但由于一直存在开关损耗，设备的效率会受到影响。并且由于传递到输出的平均功率很低，因此该装置的总效率也会较低。SIMPLE SWITCHER®系列新型稳压器现配备脉冲频率
2018-08-30 15:47:38
是为密勒电容（CGD）充电。在米勒时刻期间，漏极电流在IOUT端是恒定的，而VDS从VIN开始下降。在这段时间内的功率损耗通过等式2表示：在等式3中加上总开关损耗的结果：注意，在图1中，t2比第三个时段
2018-06-05 09:39:43
功率器件损耗主要分为哪几类？什么叫栅极电荷？开关损耗和栅极电荷有什么关系？
2021-06-18 08:54:19
今天开始看电源界神作《开关电源设计》（第3版），发现第9页有个名词，叫“交流开关损耗”，不明白是什么意思，有没有哪位大虾知道它的意思啊？谢谢了！！
2013-05-28 16:29:18
）”一词所表达的，电路的优先事项一定需要用最大公约数来实现优化。对此，将在Tech Web的基础知识“SiC功率元器件”中进行解说。另外，您还可以通过ROHM官网下载并使用本次议题的基础，即Application Note“利用驱动器源极引脚改善开关损耗（PDF）”。
2020-07-01 13:52:06
10mΩ（typ）的、SiC-SBD内置型全SiC功率模块。下图为与现有产品的关系示意图。BSM180D12P3C007的开关损耗与IGBT模块相比大幅降低，比ROHM现有的IGBT模块产品也低42
2018-12-04 10:11:50
SiC FET 时的比较隔离式栅极驱动器的功率损耗贡献栅极驱动器-米勒平台比较还与栅极驱动器中的开关损耗有关，如图4所示。在此比较中，驱动器开关损耗差高达0.6 W。这些损耗会导致逆变器的总功率损耗
2022-11-02 12:02:05
图1：开关损耗让我们先来看看在集成高侧MOSFET中的开关损耗。在每个开关周期开始时，驱动器开始向集成MOSFET的栅极供应电流。从第1部分，您了解到MOSFET在其终端具有寄生电容。在首个时段（图
2022-11-16 08:00:15
MOS门极功率开关元件的开关损耗受工作电压、电流、温度以及门极驱动电阻等因素影响，在测量时主要以这些物理量为参变量。但测量的非理想因素对测量结果影响是值得注意的，
2009-04-08 15:21:32
32 理解功率MOSFET的开关损耗
本文详细分析计算开关损耗，并论述实际状态下功率MOSFET的开通过程和自然零电压关断的过程，从而使电子工程师知道哪个参数起主导作用并
2009-10-25 15:30:593320 日本知名半导体制造商罗姆株式会社（总部：日本京都市）推出的“全SiC”功率模块（额定1200V/100A）开始投入量产。该产品的内置功率半导体元件全部采用SiC（Silicon Carbide：碳化硅）构
2012-03-23 08:52:571591 为了有效解决金属-氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）在通信设备直流-48 V缓启动应用电路中出现的开关损耗失效问题，通过对MOSFET 栅极电荷、极间电容的阐述和导通过程的解剖，定位了MOSFET 开关损耗的来源，进而为缓启动电路设计优化，减少MOSFET的开关损耗提供了技术依据。
2016-01-04 14:59:0538 FPGA平台实现最小开关损耗的SVPWM算法
2016-04-13 16:12:1110 基于DSP的最小开关损耗SVPWM算法实现。
2016-04-18 09:47:497 使用示波器测量电源开关损耗。
2016-05-05 09:49:380 MOS门极功率开关元件的开关损耗受工作电压、电流、温度以及门极驱动电阻等因素影响，在测量时主要以这些物理量为参变量。但测量的非理想因素对测量结果影响是值得注意的，比如常见的管脚引线电感。本文在理论分析和实验数据基础上阐述了各寄生电感对IGBT开关损耗测量结果的影响。
2017-09-08 16:06:5221 MOSFET/IGBT的开关损耗测试是电源调试中非常关键的环节，但很多工程师对开关损耗的测量还停留在人工计算的感性认知上，PFC MOSFET的开关损耗更是只能依据口口相传的经验反复摸索，那么该如何量化评估呢？
2017-11-10 08:56:426345 1、CCM 模式开关损耗
CCM 模式与 DCM 模式的开关损耗有所不同。先讲解复杂 CCM 模式，DCM 模式很简单了。
2018-01-13 09:28:578163 
失去意义。 开关损耗测量中应考虑哪些问题呢？ 在实际的测量评估中，我们用一个通道测量电压，另一个通道测量电流，然后软件通过相乘得到功率曲线，再通过时间区间的积分得到最终的结果。
2018-02-07 01:27:01899 
罗姆在全球率先实现了搭载罗姆生产的SiC-MOSFET和SiC-SBD的“全SiC功率模块”量产。与以往的Si-IGBT功率模块相比，“全SiC”功率模块可高速开关并可大幅降低损耗。
2018-05-17 09:33:1313514 一个高质量的开关电源效率高达95％，而开关电源的损耗大部分来自开关器件（MOSFET和二极管），所以正确的测量开关器件的损耗，对于效率分析是非常关键的。那我们该如何准确测量开关损耗呢？
2019-06-26 15:49:45721 一个高质量的开关电源效率高达95%，而开关电源的损耗大部分来自开关器件（MOSFET和二极管），所以正确的测量开关器件的损耗，对于效率分析是非常关键的。那我们该如何准确测量开关损耗呢？
2019-06-27 10:22:081926 同步整流降压转换器的同步开关（高边＋低边）是对VIN和GND电压进行切换（ON/OFF），该过渡时间的功率乘以开关频率后的值即开关损耗。
2020-04-06 10:51:00889 
电子发烧友网为你提供如何正确评估功率MOSFET的开关损耗？资料下载的电子资料下载，更有其他相关的电路图、源代码、课件教程、中文资料、英文资料、参考设计、用户指南、解决方案等资料，希望可以帮助到广大的电子工程师们。
2021-04-01 08:49:1511 功率MOSFET的开关损耗分析。
2021-04-16 14:17:0248 一、开关损耗包括开通损耗和关断损耗两种。开通损耗是指功率管从截止到导通时所产生的功率损耗；关断损耗是指功率管从导通到截止时所产生的功率损耗。二、开关损耗原理分析：(1)、非理想的开关管在开通时，开关
2021-10-22 10:51:0611 和计算开关损耗，并讨论功率MOSFET导通过程和自然零电压关断过程的实际过程，以便电子工程师了解哪个参数起主导作用并了解MOSFET. 更深入地MOSFET开关损耗1，通过过程中的MOSFET开关损耗功率M...
2021-10-22 17:35:5953 欢迎回到直流/直流转换器数据表系列。鉴于在上一篇文章中我介绍了系统效率方面的内容，在本文中，我将讨论直流/直流稳压器部件的开关损耗，从第1部分中的图3（此处为图1）开始：VDS和ID曲线随时间变化
2022-01-21 17:01:12831 
，热损耗极低。 开关设备极大程度上决定了SMPS的整体性能。开关器件的损耗可以说是开关电源中最为重要的一个损耗点，课件开关损耗测试是至关重要的。接下来普科科技PRBTEK就开关损耗测试方案中的探头应用进行介绍。 上图使用MSO5配合THDP0200及TCP003
2021-11-23 15:07:571095 会随之失去意义。接下来普科科技PRBTEK分享在开关损耗测量中的注意事项及影响因素。 一、开关损耗测量中应考虑哪些问题？ 在实际的测量评估中，我们用一个通道测量电压，另一个通道测量电流，然后软件通过相乘得到功率曲线，再
2021-12-15 15:22:40417 
CISSOID 最近发布了专为降低开关损耗或提高功率而定制的新型液冷模块，属于其三相碳化硅 （SiC） MOSFET 智能功率模块 （IPM） 产品系列。
2022-08-04 15:38:38740 
SiC FET 速度极快，边缘速率为 50 V/ns 或更高，这对于最大限度地减少开关损耗非常有用，但由此产生的 di/dt 可能达到每纳秒数安培。这会通过封装和电路电感产生高电平的电压过冲和随后
2022-08-04 09:30:05729 
。此外，今天的开关元件没有非常高的运行速度，不幸的是，在转换过程中不可避免地会损失一些能量（幸运的是，随着新电子元件的出现，这种能量越来越少）。让我们看看如何使用“LTspice”仿真程序来确定 SiC MOSFET 的开关损耗率。
2022-08-05 08:05:075941 
SiC MOSFET模块是采用新型材料碳化硅（SiC）的功率半导体器件，在高速开关性能和高温环境中，优于目前主流应用的硅（Si）IGBT和MOSFET器件。在需要更高额定电压和更大电流容量的工业设备
2022-11-06 21:14:51956 的尾电流和FRD的恢复电流引起的较大的开关损耗，通过改用SiC功率模块可以明显减少，因此具有以下效果： 开关损耗的降低，可以带来电源效率的改善和散热部件的简化 （例：散热片的小型化，水冷/强制风冷的自然风冷化） 工作频率的高频化，使周边器件小型化 （例：电抗器或电容等的小型化）
2023-01-12 16:35:47489 开关过程中，穿越线性区（放大区）时，电流和电压产生交叠，形成开关损耗。其中，米勒电容导致的米勒平台时间，在开关损耗中占主导作用。
2023-01-17 10:21:00978 的尾电流和FRD的恢复电流引起的较大的开关损耗，通过改用SiC功率模块可以明显减少，因此具有以下效果： 开关损耗的降低，可以带来电源效率的改善和散热部件的简化 （例：散热片的小型化，水冷/强制风冷的自然风冷化） 工作频率的高频化，使周边器件小型化 （例：电抗器或电容等的小型化）
2023-02-07 16:48:23646 
内置SiC肖特基势垒二极管的IGBT：RGWxx65C系列内置SiC SBD的Hybrid IGBT在FRD＋IGBT的车载充电器案例中开关损耗降低67%关键词 • SiC肖特基势垒二极管（...
2023-02-08 13:43:19434 
继SiC概要、SiC-SBD（肖特基势垒二极管 ）、SiC-MOSFET之后，来介绍一下完全由SiC功率元器件组成的“全SiC功率模块”。本文作为第一篇，想让大家了解全SiC功率模块具体是什么样的产品，都有哪些机型。
2023-02-08 13:43:21685 
全SiC功率模块与现有的IGBT模块相比，具有1）可大大降低开关损耗、2）开关频率越高总体损耗降低程度越显著 这两大优势。
2023-02-08 13:43:22673 
MOSFET和IGBT等的开关损耗问题，那就是带有驱动器源极引脚（所谓的开尔文源极引脚）的新封装。在本文——“通过驱动器源极引脚改善开关损耗”中，将介绍功率开关产品具有驱动器源极引脚的效果以及使用注意事项。
2023-02-09 10:19:18634 
ROHM在全球率先实现了搭载ROHM生产的SiC-MOSFET和SiC-SBD的“全SiC”功率模块量产。与以往的Si-IGBT功率模块相比，“全SiC”功率模块可高速开关并可大幅降低损耗。
2023-02-10 09:41:081333 
从某个外企的功率放大器的测试数据上获得一个具体的感受：导通损耗60W开关损耗251。大概是1:4.5 下面是英飞凌的一个例子：可知，六个管子的总功耗是714W这跟我在项目用用的那个150A的模块试验测试得到的总功耗差不多。 导通损耗和开关损耗大概1:2
2023-02-23 09:26:4915 上一篇文章中探讨了同步整流降压转换器的功率开关--输出端MOSFET的传导损耗。本文将探讨开关节点产生的开关损耗。开关损耗：见文识意，开关损耗就是开关工作相关的损耗。在这里使用PSWH这个符号来表示。
2023-02-23 10:40:49623 
图1所示为基于MAX1744/5控制器IC的简化降压转换器，具有异步整流功能。由于二极管的关断特性，主开关（Q1）的导通开关损耗取决于开关频率、输入环路的走线电感（由C1、Q1和D1组成）、主开关
2023-03-10 09:26:35557 
CCM 模式与 DCM 模式的开关损耗有所不同。先讲解复杂 CCM 模式，DCM 模式很简单了。
2023-07-17 16:51:224680 
使用SiC MOSFET时如何尽量降低电磁干扰和开关损耗
2023-11-23 09:08:34333 
IGBT元件的损耗总和分为：通态损耗与开关损耗。开关损耗分别为开通损耗(EON)和关断损耗(EOFF)之和。
2024-01-12 09:07:171028 
利用 SiC 功率器件开关频率高、开关损耗低等优点, 将 SiC MOSFET 应用于水下航行器大功率高速电机逆变器模块, 对软硬件进行设计。
2024-03-13 14:31:4668 
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