电子发烧友网报道（文/程文智）这几年GaN和SiC等第三代半导体器件的商用化进展还不错，GaN器件在快充上开始大规模应用，SiC器件也在汽车上崭露头角。现在大家对第三代半导体器件的前景非常看好，很多
2021-12-27 09:01:00
4294 宽禁带半导体（WBS）是自第一代元素半导体材料（Si）和第二代化合物半导体材料（GaAs、GaP、InP等）之后发展起来的第三代半导体材料，禁带宽度大于2eV，这类材料主要包括SiC（碳化硅）、C-BN（立方氮化硼）、GaN（氮化镓、）AlN（氮化铝）、ZnSe（硒化锌）以及金刚石等。
2016-12-05 09:18:344463 
5月10日消息 南韩近期启动「X-band GaN国家计划」冲刺第三代半导体，三星积极参与。由于市场高度看好第三代半导体发展，台积电、世界等台厂均已卡位，三星加入南韩官方计划冲刺第三代半导体布局
2021-05-10 16:00:572587 至12.4%，而GaN 的占比则将从2021 年的0.5%，在2025 年提升至4.8%。 3月15日，在深圳某论坛上，中国第三代半导体产业技术创新联盟秘书长赵静分享2022年全球半导体产业
2023-03-17 00:17:003004 
电子发烧友网报道（文/梁浩斌）在我们谈论第三代半导体的时候，常说的碳化硅功率器件一般是指代SiC MOSFET（金属-氧化物半导体场效应晶体管），而氮化镓功率器件最普遍的则是GaN HEMT（高电子
2023-12-27 09:11:361586 化合物半导体在通讯射频领域主要用于功率放大器、射频开关、滤波器等器件中。砷化镓（GaAs）、氮化镓（GaN）和碳化硅（SiC）半导体分别作为第二代和第三代半导体的代表，相比第一代半导体高频性能、高温性能优异很多，制造成本更为高昂，可谓是半导体中的新贵。
2019-09-11 11:51:19
半导体的关键特性是能带隙，能带动电子进入导通状态所需的能量。宽带隙（WBG）可以实现更高功率，更高开关速度的晶体管，WBG器件包括氮化镓（GaN）和碳化硅（SiC），以及其他半导体。 GaN和SiC
2022-08-12 09:42:07
宽禁带半导体材料氮化镓（GaN）以其良好的物理化学和电学性能成为继第一代元素半导体硅（Si）和第二代化合物半导体砷化镓（GaAs）、磷化镓（GaP）、磷化铟（InP）等之后迅速发展起来的第三代半导体
2019-06-25 07:41:00
器件产业链重点公司及产品进展：欧美出于对我国技术发展速度的担忧及遏制我国新材料技术的发展想法，在第三代半导体材料方面，对我国进行几乎全面技术封锁和材料封锁。在此情况下，我国科研机构和企业单位立足自主
2019-04-13 22:28:48
、InP化合物半导体材料之后的第三代半导体材料。 在光电子、高温大功率器件和高频微波器件应用方面有着广阔的前景。SiC功率器件在C波段以上受频率的限制，也使其使用受到一定的限制;GaN功率管因其
2017-06-16 10:37:22
？到了上个世纪六七十年代，III-V族半导体的发展开辟了光电和微波应用，与第一代半导体一起，将人类推进了信息时代。八十年代开始，以碳化硅SiC、氮化镓GaN为代表的第三代半导体材料的出现，开辟了人类
2017-05-15 17:09:48
３Ｇ定义 ３Ｇ是英文３rd Generation的缩写，至第三代移动通信技术。相对于第一代模拟制式手机（１Ｇ）和第二代GSM、TDMA等数字手机（２Ｇ）来说，第三代手机是指将无线通信与国际互联网等
2019-07-01 07:19:52
仅限于新的2GHz频段， EDGE技术也能够让使用800、900、1800、1900MHz频段的网络提供第三代移动通信网络的部分功能。在此基础上，Ericsson公司于1997年第一次向ETSI提出了EDGE
2009-11-13 21:32:08
）第三代红外摄像机技术散热性能好、发光点大、亮度高等特点大大提高了红外灯的使用效率，并且采用独特的COB封装技术能有效地将红外灯5年内的光衰减控制在10%以内，比阵列式的使用寿命延长5年。在使用寿命上
2011-02-19 09:35:33
，到目前全球首推的第三代红外技术，红外夜视领域经历了一场场红外技术新革命，引领着夜视监控行业向更深更远的方向发展，给安防市场制造着一个又一个亮点。红外技术早在60年代初期由美国贝尔实验室研发
2011-02-19 09:38:46
LED:节能环保的第三代照明技术1、半导体照明 LED：变革照明的第三代革命1.1LED 代替白炽灯—任重而道远自 20 世纪 60 年代世界第一个半导体发光二极管诞生以来，LED 照明因具 有
2011-09-28 00:12:44
`第一代没有留下痕迹。第二代之前在论坛展示过：https://bbs.elecfans.com/jishu_282495_1_1.html现在第三代诞生：`
2013-08-10 15:35:19
半导体行业发展概览WSTS 预测，2023年全球半导体市场规模将同比减少4.1％，降至 5,566亿美元，但这一波下行周期有望在2023年下半年出现拐点，受益于国际行情，中国半导体市场占全球半导体
2023-03-17 11:08:33
;Reliability (可靠性) " ，始终坚持“品质第一”SiC元器有三个最重要的特性：第一个高压特性，比硅更好一些；而是高频特性；三是高温特性。 罗姆第三代沟槽栅型SiC-MOSFET对应
2020-07-16 14:55:31
据业内权威人士透露，我国计划把大力支持发展第三代半导体产业，写入“十四五”规划，计划在2021-2025年期间，在教育、科研、开发、融资、应用等等各个方面，大力支持发展第三代半导体产业，...
2021-07-27 07:58:41
什么是第三代移动通信答复：第三代移动通信系统IMT2000，是国际电信联盟（ITU）在1985年提出的，当时称为陆地移动系统（FPLMTS）。1996年正式更名为IMT2000。与现有的第二代移动
2009-06-13 22:49:39
随着第三代移动通信技术的兴起，UMTS网络的建立将带来一场深刻的革命，这对网络规划也提出了更高的要求。在德国轰动一时的UMTS执照拍卖，引起了公众对这一新技术的极大兴趣。第三代移动通信网络的建设正方
2019-08-15 07:08:29
IR-III技术定义(IR-III Technology Definition)IR-III技术即红外夜视第三代技术，根植于上世纪60年代美国贝尔实验室发明的红外夜视技术，属于一种主动式红外
2011-02-19 09:34:33
元件来适应略微增加的开关频率，但由于无功能量循环而增加传导损耗［2］。因此，开关模式电源一直是向更高效率和高功率密度设计演进的关键驱动力。 基于 SiC 和 GaN 的功率半导体器件 碳化硅
2023-02-21 16:01:16
已经将产业未来聚焦到了第三代化合物半导体身上。可以说第三代半导体就是未来功率器件的发展方向。全国两会近日刚落下帷幕，第三代半导体（GaN和SiC）再度成为两会的关键词之一。伴随着第三代半导体行业的触角向
2021-03-26 15:26:13
基于第三代移动通信系统标准的ALC控制方案的设计与实现
2021-01-13 06:07:38
导 读 追求更低损耗、更高可靠性、更高性价比是碳化硅功率器件行业的共同目标。为不断提升产品核心竞争力，基本半导体成功研发第三代碳化硅肖特基二极管，这是基本半导体系列标准封装碳化硅肖特基二极管
2023-02-28 17:13:35
本章将介绍最新的第三代SiC-MOSFET，以及可供应的SiC-MOSFET的相关信息。独有的双沟槽结构SiC-MOSFET在SiC-MOSFET不断发展的进程中，ROHM于世界首家实现了沟槽栅极
2018-12-05 10:04:41
浅析第三代移动通信功率控制技术
2021-06-07 07:07:17
一、化合物半导体应用前景广阔，市场规模持续扩大 化合物半导体是由两种及以上元素构成的半导体材料，目前最常用的材料有GaAs、GaN以及SiC等，作为第二代和第三代半导体的主要代表，因其在高功率
2019-06-13 04:20:24
5G将于2020年将迈入商用，加上汽车走向智慧化、联网化与电动化的趋势，将带动第三代半导体材料碳化硅(SiC)与氮化镓(GaN)的发展。根据拓墣产业研究院估计，2018年全球SiC基板产值将达1.8
2019-05-09 06:21:14
超过40%，其中以碳化硅材料（SiC）为代表的第三代半导体大功率电力电子器件是目前在电力电子领域发展最快的功率半导体器件之一。根据中国半导体行业协会统计，2019年中国半导体产业市场规模达7562亿元
2021-01-12 11:48:45
本文讨论了移动通信向第三代(3G)标准的演化与发展，给出了范围广泛的3G发射机关键技术与规范要求的概述。文章提供了频分复用(FDD)宽带码分多址(WCDMA)系统发射机的设计和测得的性能数据，以Maxim现有的发射机IC进行展示和说明。
2019-06-14 07:23:38
°C。系统可靠性大大增强，稳定的超快速本体二极管，因此无需外部续流二极管。三、碳化硅半导体厂商SiC电力电子器件的产业化主要以德国英飞凌、美国Cree公司、GE、ST意法半导体体和日本罗姆公司、丰田
2023-02-20 15:15:50
Intel Xeon®可扩展处理器（第三代）Intel®Xeon®可扩展处理器（第三代）针对云、企业、HPC、网络、安全和IoT工作负载进行了优化，具有8到40个强大的内核和频率范围、功能和功率级别
2024-02-27 11:58:54
，由于具有宽带隙、高饱和漂移速度、高临界击穿电场等突出优点，与刚石等半导体材料一起，被誉为是继第一代Ge、Si半导体材料、第二代GaAs、InP化合物半导体材料之后的第三代半导体材料。 在光电子、高温大功率器件和高频微波器件应用方面有着广阔的前景。SiC功率
2017-11-09 11:54:52
9 第三代半导体材料主要包括氮化镓（Gallium Nitride，GaN）、碳化硅（Silicon Carbide， SiC）、氧化锌（Zinc Oxide， ZnO）、氮化铝（Aluminum
2017-11-10 11:35:571 5G将于2020年将迈入商用，加上汽车走向智慧化、联网化与电动化的趋势，将带动第三代半导体材料碳化硅(SiC)与氮化镓(GaN)的发展。根据拓墣产业研究院估计，2018年全球SiC基板产值将达1.8亿美元，而GaN基板产值仅约3百万美元。
2018-03-29 14:56:1235899 
5G将于2020年将迈入商用，加上汽车走向智慧化、联网化与电动化的趋势，将带动第三代半导体材料碳化硅(SiC)与氮化镓(GaN)的发展。根据拓墣产业研究院估计，2018年全球SiC基板产值将达1.8亿美元，而GaN基板产值仅约3百万美元。
2018-03-29 14:52:507498 
本文首先介绍了第三代半导体的材料特性，其次介绍了第三代半导体材料性能应用及优势，最后分析了了我国第三代半导体材料发展面临着的机遇挑战。
2018-05-30 12:37:3334572 
认为通过第三代半导体的发展就能解决芯片卡脖子是误解，第三代半导体更多应用在器件方面。对这一概念相关领域的个股投资时，建议对该领域的市场空间与企业情况充分了解。 据不完全统计，A股上市公司中，已有36家公司参与到第三代
2020-09-21 11:57:553846 ，GaN与SiC在应用上形成了优势互补，剑指高低压、高频及高功率领域，两者的应用场景几乎覆盖了新能源汽车、光伏、智能电网、5G基站、无线充电等大多数未来前景可期的新兴应用市场。 再加上国家和各地方政策持续利好，有望推动国内第三代半
2019-05-09 17:47:223471 第三代半导体，又称宽禁带半导体，是以碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）为代表的半导体材料，具备高压、高温、高频大功率等特性。
2019-06-21 10:29:317834 5G将于2020年将迈入商用，加上汽车走向智慧化、联网化与电动化的趋势，将带动第三代半导体材料碳化硅(SiC)与氮化镓(GaN)的发展。2018年全球SiC基板产值将达1.8亿美元，而GaN基板产值
2020-03-15 09:56:574168 近几年，国内不少地区都纷纷建设第三代半导体生产线，种种迹象表明，第三代半导体投资热的戏码正在悄然上演。这轮投资热将对整个产业带来哪些影响？国内发展第三代半导体应注意什么问题？需要采取什么措施？
2019-12-16 11:35:328746 第一代材料是硅（Si），大家通俗理解的硅谷，就是第一代半导体的产业园。
第二代材料是砷化镓（GaAs），为4G时代而生，目前的大部分通信设备的材料。
第三代材料主要以碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）为代表的宽禁带的半导体材料，是未来5G时代的标配
2020-09-04 19:07:147281 
什么是第三代半导体？ 第三代半导体是以碳化硅SiC、氮化镓GaN为主的宽禁带半导体材料，具有高击穿电场、高饱和电子速度、高热导率、高电子密度、高迁移率、可承受大功率等特点。 一、二、三代半导体
2020-09-28 09:52:203335 
、新能源汽车、5G应用等第三代半导体关键市场的增速位居全球前列，为第三代半导体带来巨大的发展空间和良好的市场前景，将催生上万亿元潜在市场。 第三代半导体为何如此被看好，有哪些重点应用方向？我国第三代半导体企业该如
2020-10-09 16:44:513423 随着5G、快充、新能源汽车产业应用的不断成熟与发展，特别是在国家今年大力提倡新基建的产业环境下，以碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）为代表的第三代半导体，正在凭借禁带宽大、击穿电场强度高、抗辐射能
2020-10-10 10:48:521887 呢？为什么说第三代半导体有望成为国产替代希望？ 第三代半导体也被称为宽带隙半导体，主要是以碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）为代表的宽带隙半导体材料，其带隙宽度大于2.2eV，是5G、人工智能、工业互联网等多个新基建产业的重要材料，同时也是
2020-10-29 18:26:404945 
。 什么是第三代半导体？ 第三代半导体是以碳化硅SiC、氮化镓GaN为主的宽禁带半导体材料，具有高击穿电场、高饱和电子速度、高热导率、高电子密度、高迁移率、可承受大功率等特点。 一、二、三代半导体什么区别？ 一、材料 第一代半导体材料，发
2020-11-04 15:12:374379 来源 | GaN世界 据了解，我国计划把大力支持发展第三代半导体产业，写入十四五规划，计划在2021-2025年期间，在教育、科研、开发、融资、应用等等各个方面，大力支持发展第三代半导体产业，以期
2020-11-05 09:25:4933556 近年来，随着半导体市场的飞速发展，第三代半导体材料也成为人们关注的重点。第三代半导体材料指的是碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）、氧化锌（ZnO）、金刚石（C）、氮化铝（AlN）等新兴材料。而这
2020-11-09 17:22:052824 在5G和新能源汽车等新市场需求的驱动下，第三代半导体材料有望迎来加速发展。硅基半导体的性能已无法完全满足5G和新能源汽车的需求，碳化硅和氮化镓等第三代半导体的优势被放大。
2020-11-29 10:48:1288091 招商引资名单中。 问题来了：第三代半导体产业是真的进入春天还是虚火上升？又有哪些行业真的需要GaN或SiC功率器件呢？相对于IGBT、MOSFET和超级结MOSFET，GaN和SiC到底能为电子行业带来哪些技术变革？ 为了回答这些问题，小编认真阅读了多
2020-12-08 17:28:0312778 最近，“我国将把发展第三代半导体产业写入‘十四五’规划”引爆全网。什么是第三代半导体？发展第三代半导体的意义在哪儿？它凭什么一夜爆火
2020-12-14 11:02:443379 众所周知，先发优势是半导体行业的特点。而在第三代半导体方面，国内外差距没有一、二代半导体明显。
2020-12-18 10:11:013588 日前，阿里巴巴达摩院预测了2021年科技趋势，其中位列第一的是以氮化镓和碳化硅为代表的第三代半导体将迎来应用大爆发。第三代半导体与前两代有什么不同？为何这两年会成为爆发的节点？第三代半导体之后
2021-01-07 14:19:483468 深圳爱仕特科技公司第三代半导体SiC产品宣传册
2021-03-16 16:18:5934 半导体的触角已延伸至数据中心、新能源汽车等多个关键领域，整个行业渐入佳境，未来可期。 第三代半导体可提升能源转换效率 以氮化镓（GaN）、碳化硅（SiC）为代表的第三代半导体具备耐高温、耐高压、高频率、大功率等优势，相比硅器件
2021-03-25 15:19:163661 
新产品，在新的赛道上迈出了坚实的步伐。 01 新赛道 开新局 第三代半导体是国家2030计划和“十四五”国家研发计划的重要发展方向。与传统的硅基半导体相比，以碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）为代表的第三代半导体除了具备较大的禁带宽度之外，还具有高导热
2021-04-22 11:47:102755 第三代半导体材料是支撑经济社会发展和保障国家安全的战略性和基础性产业，是国家新材料发展计划的重中之重。“十四五”期间，我国将在教育、科研、开发、融资、应用等方面，大力支持发展第三代半导体产业
2021-06-17 09:11:0410396 MOSFET管要么分布在高压低速的区间，要么分布在低压高速的区间，市面上传统的探测技术可以覆盖器件特性的测试需求。但是第三代半导体器件SiC 或GaN的技术却大大扩展了分布的区间，覆盖以往没有出现过的高压高速区域，这就对器件的测试
2021-12-29 17:11:061086 
电子发烧友网报道(文/程文智)这几年GaN和SiC等第三代半导体器件的商用化进展还不错，GaN器件在快充上开始大规模应用，SiC器件也在汽车上崭露头角。现在大家对第三代半导体器件的前景非常看好，很多企业也一头扎入了第三代半导体产业当中。
2022-01-01 14:53:193870 SIC MOSFET是新兴起的第三代半导体材料，是一种宽禁带半导体（禁带宽度＞2eV，而SI禁带宽度仅为1.12eV），因其具有宽带隙、高临界击穿电场、高热导率、高载流子饱和漂移速度等特点，适用于高温、高频、大功率等应用场合。
2022-02-25 15:49:2843 日前，基于SiC和GaN的第三代半导体技术蓬勃发展，其对应的分立器件性能测试需求也随之而来。其较高的dv/dt与di/dt给性能测试带了不少困难。泰克的TIVP系列光隔离探头，以其优越的160dB
2022-05-12 14:54:171360 
据统计，目前国内以SiC、GaN为代表的第三代半导体主要制造商已达147家。
2022-07-20 15:16:351522 第三代半导体具有较高的热导率、电子饱和率、击穿电场、带隙宽度、抗辐射能力等，适用于制造高温、高频、高功率、抗辐射器件，可用于卫星、汽车、雷达、工业、电源管理、射频通信等诸多领域。在当前的第三代半导体材料中，氮化镓（GaN）和（SiC）相对成熟，具有最有前景的发展前景。
2023-02-05 14:36:00870 在SiC-MOSFET不断发展的进程中，ROHM于世界首家实现了沟槽栅极结构SiC-MOSFET的量产。这就是ROHM的第三代SiC-MOSFET。沟槽结构在Si-MOSFET中已被广为采用，在SiC-MOSFET中由于沟槽结构有利于降低导通电阻也备受关注。
2023-02-08 13:43:211456 
、射频应用中的显著
性能优势，第三代半导体逐渐显露出广阔的应用前景和市场发展潜力。
所谓第三代半导体，即禁带宽度大于或等于2.3eV的半导体材料，又称宽禁带半导体。常见的第三代半导体材料主要包括碳化
硅（SiC）、氮化镓
2023-02-27 15:23:542 领域的性能方面表现不佳，但还有性价
比助其占据市场。第二代半导体以砷化镓（GaAs）、锑化铟（InSb）、磷化铟（InP）为代表，主要应用领域为光电子、微电
子、微波功率器件等。第三代半导体以碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）、氧化锌（ZnO）、金
2023-02-27 15:20:113 日前，在南京世界半导体大会暨第三代半导体产业发展高峰论坛上，国家新材料产业发展专家咨询委员会委员、第三代半
导体产业技术创新战略联盟理事长吴玲透露：国家2030计划和“十四五”国家研发计划都已经明确，第三代半导体是重要发展方
向，现在到了动议讨论实施方案的阶段。
2023-02-27 15:23:005 第三代半导体是以碳化硅SiC、氮化镓GaN为主的宽禁带半导体材料，具有高击穿电场、高饱和电子速度、高热导率、高电子
密度、高迁移率、可承受大功率等特点。
2023-02-27 14:49:138 、射频应用中的显著
性能优势，第三代半导体逐渐显露出广阔的应用前景和市场发展潜力。
所谓第三代半导体，即禁带宽度大于或等于2.3eV的半导体材料，又称宽禁带半导体。常见的第三代半导体材料主要包括碳化
硅（SiC）、氮化镓
2023-02-27 14:37:561 速增长的新能源市场对第三代半导体提出了更多需求，贵司在该领域采取了哪些策略？在市场应用方面有哪些进展？
2023-02-28 14:52:341563 所谓第三代半导体，即禁带宽度大于或等于2.3eV的半导体材料，又称宽禁带半导体。常见的第三代半导体材料主要包括碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）、氮化铝（AIN）、氧化锌（ZnO）和金刚石等，其中
2023-05-18 10:57:361097 为期四天的2023广州国际照明展览会（简称：光亚展）在火热的气氛中圆满落幕。此次展会，国星光电设置了高品质白光LED及第三代半导体两大展区，鲜明的主题，引来了行业的高度关注。 其中，在第三代半导体
2023-06-14 10:02:14458 
的半导体测试也提出了更多新的挑战。斯丹麦德干簧继电器是如何在挑战中发现新的机遇呢？第三代半导体SiC，GAN等需要高压，大电流的测试，要求继电器拥有高切换电压和耐
2022-01-10 16:34:43748 
能与成本?未来有何发展目标?...... 前言： 凭借功率密度高、开关速度快、抗辐照性强等优点，以碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)为代表的第三代半导体材料被广泛应用于电力电子、光电子学和无线通信等领域，以提高设备性能和效率，并成为当前半导
2023-09-18 16:48:02385 第三代宽禁带半导体SiC和GaN在新能源和射频领域已经开始大规模商用。与第一代和第二代半导体相比，第三代半导体具有许多优势，这些优势源于新材料和器件结构的创新。
2023-10-10 16:34:28330 
近年来，碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）等第三代半导体材料成为全球半导体市场热点之一。
2023-10-16 14:45:06824 第三代半导体之GaN研究框架
2023-01-13 09:07:4117 2023年10月25日 - 2023全国第三代半导体大会今日在深圳宝安格兰云天国际酒店四楼会议厅隆重开幕。本届大会由今日半导体主办，吸引了来自全国各地的400多家企业参与，共同探讨第三代半导体产业的发展趋势和应用前景。
2023-11-06 09:45:31293 近日，华大半导体旗下中电化合物有限公司荣获“中国第三代半导体外延十强企业”称号，其生产的8英寸SiC外延片更是一举斩获“2023年度SiC衬底/外延最具影响力产品奖”。这一荣誉充分体现了中电化合物在第三代半导体外延领域的卓越实力和领先地位。
2024-01-04 15:02:23653 第三代半导体以此特有的性能优势，在半导体照明、新能源汽车、新一代移动通信、新能源并网、高速轨道交通等领域具有广阔的应用前景。2020年9月，第三代半导体被写入“十四五”规划，在技术、市场与政策的三力驱动下，近年来国内涌现出多家第三代半导体领域龙头公司。
2024-01-04 16:13:36552
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