现在，我们就随著名的显示科技公司DisplayMate董事长雷蒙德·索内拉博士（Dr. Raymond Soneira）来一起了解一下那最容易误导你的14个屏幕参数。
2012-08-27 14:21:39
15039 本文提出了一种简单快速的新方法来分离出分离栅极SuperFlash®单元中循环擦写引起的退化分量，本方法基于隧穿电流稳定性在线性斜坡擦除电压期间的作用。##本文提出了一种简单快速的新方法来分离出分离
2015-07-23 14:10:303472 其用于检测和解决由软件错误导致的故障，当计数器达到设定的超时时间值时会产生系统复位。
2018-01-23 09:14:5511636 
本文介绍了一种多级图腾柱PFC拓扑，该拓扑利用硅MOSFET的简单性和成熟度以及一种新颖的模块化栅极驱动方法，实现了与使用宽带隙半导体的传统电路相比，通常具有相当的效率和更低的成本。
2022-10-19 17:44:071163 
MOS管有三个引脚，分别是，栅极G、源极S、漏极D，这三个脚，用于链接外部的电路。其中栅极G是控制引脚，通过改变引脚的电平，我们可以直接控制这个MOS管的开与关。漏极D和源极S这两个引脚，就相当于，开关电路的两头，一个脚连接电源，一个脚，连接电路的地。
2023-02-27 17:41:297362 
首先说一下电源IC直接驱动，下图是我们最常用的直接驱动方式，在这类方式中，我们由于驱动电路未做过多处理，因此我们进行PCB LAYOUT时要尽量进行优化。如缩短IC至MOSFET的栅极走线长度，增加走线宽度，尽量将Rg放置在离MOSFET栅极较进的位置，从而达到减少寄生电感，消除噪音的目的。
2023-04-28 12:23:386460 
栅极浮空，顾名思义，就是 MOS 管的栅极不与任何电极相连，处于悬浮状态。
2024-02-25 16:32:13952 
栅极电阻RG对IGBT开关特性有什么影响？
2021-06-08 06:56:22
关于mos管的驱动知识点不看肯定后悔栅极电阻的作用是什么？
2021-09-18 09:17:37
了一种独特但简单的栅极脉冲驱动电路，为快速开关HPA提供了另一种方法，同时消除了与漏极开关有关的电路。实测切换时间小于200 ns，相对于1 s的目标还有一些裕量。其他特性包括：解决器件间差异的偏置编程
2019-02-27 08:04:56
栅极驱动和电流反馈信号隔离说明
2021-03-11 06:43:47
IGBT/功率MOSFET是一种电压控制型器件，可用作电源电路、电机驱动器和其它系统中的开关元件。栅极是每个器件的电气隔离控制端。MOSFET的另外两端是源极和漏极，而对于IGBT，它们被称为集电极
2021-01-27 07:59:24
为何需要栅极驱动器栅极驱动器的关键参数
2020-12-25 06:15:08
系统中各种功能电路之间的电气分离，使得它们之间不存在直接导通路径。这样，不同电路可以拥有不同的地电位。利用电感、电容或光学方法，仍可让信号和/或电源在隔离电路之间通过。对于采用栅极驱动器的系统，隔离
2021-07-09 07:00:00
负电压栅极驱动器中的负电压处理是指承受输入和输出端负电压的能力。这些不必要的电压可能是由于开关转换、泄漏或布局不良引起的。栅极驱动器的负电压承受能力对于稳健可靠的解决方案至关重要。图1显示了TI栅极
2019-04-15 06:20:07
方波控制，三相上桥mos栅极波形都是这样。有没有遇到过这种情况的。
2022-11-10 14:56:56
隔离电源转换器详解栅极驱动器解决方案选项最优隔离栅极驱动器解决方案
2021-03-08 07:53:35
MOSFET栅极电路常见的作用MOSFET常用的直接驱动方式
2021-03-29 07:29:27
MOSFET较小的栅极电阻可以减少开通损耗吗？栅极电阻的值会在开通过程中影响与漏极相连的二极管吗？
2023-05-16 14:33:51
由于MOS管栅极寄生电容以及寄生电感的存在使得MOS管驱动时栅极很容易发生谐振，常采用的办法是在栅极串接一个小电阻，我想问为什么电阻可以抑制振荡？请众位大神解释原因，呵呵，知其然不知其所以然！
2014-05-24 15:28:54
。 而当栅极开路的时候，这个电流只能给下方的Cgs电容充电，然后就会导致栅极电压突然升高。当超过MOS管的门线电压VTH的时候，MOS管就会很容易误导通。 所以我们需要保护MOS管的栅极电压来防止误导
2023-03-15 16:55:58
吗，为什么？2、导通之后，三极管基极和MOS管栅极的电流几乎一样，而且是pf级别的，非常小。所以具体过程是不是刚开始MOS栅极电流很大，等到MOS管完全导通后栅极电流就变小，但为什么这个电流会变小呢？
2021-04-27 12:03:09
PCB表面OSP的处理方法PCB化学镍金的基础步骤
2021-04-21 06:12:39
来源：互联网本期围绕着PCB设计内容为主，主要是给大家总结了几点关于失误导致电路故障的原因，并给出了解决对策。本文以FR-4电介质、厚度0.0625in的双层PCB为例，电路板底层接地。工作频率介于315MHz到915MHz之间的不同频段，Tx和Rx功率介于-120dBm至+13dBm之间。
2020-10-23 07:13:16
STM32片内FLASH烧写错误导致ST-LINK烧录不进程序怎么解决？
2022-01-27 06:44:41
从本文开始将探讨如何充分发挥全SiC功率模块的优异性能。此次作为栅极驱动的“其1”介绍栅极驱动的评估事项，在下次“其2”中介绍处理方法。栅极驱动的评估事项：栅极误导通首先需要了解的是：接下来要介绍
2018-11-30 11:31:17
变的危险，这可能会影响甚至损坏处理器逻辑。因此，为IGBT提供合适栅极信号的栅极驱动器，还执行提供短路保护并影响开关速度的功能。然而，在选择栅极驱动器时，某些特性至关重要。
2020-10-29 08:23:33
分享一下十几年我一直使用的按键处理方法看见大家发了那么多按键的处理方法，我也发一个。
2013-12-04 15:21:07
上一篇文章对全SiC模块栅极驱动的评估事项之一“栅极误导通”进行了介绍。本文将作为“其2”介绍栅极误导通的处理方法。“栅极误导通”的抑制方法栅极误导通的对策方法有三种。①是通过将Vgs降至负电
2018-11-27 16:41:26
在功率MOSFET的数据表的开关特性中，列出了栅极电荷的参数，包括以下几个参数，如下图所示。Qg(10V)：VGS=10V的总栅极电荷。Qg(4.5V))：VGS=4.5V的总栅极电荷。Qgd：栅极
2017-01-13 15:14:07
增大MOSFET栅极电阻可消除高平震荡，是否栅极电阻越大越好，为什么？请你分析一下增大栅极电阻能消除高平震荡的原因。
2023-03-15 17:28:37
增大MOSFET栅极电阻可消除高平震荡，是否栅极电阻越大越好，为什么？请你分析一下增大栅极电阻能消除高平震荡的原因
2023-05-16 14:32:26
在设计电机驱动器时，保护操作重型机械的人员免受电击是首要考虑因素，其次应考虑效率、尺寸和成本因素。虽然IGBT可处理驱动电机所需的高电压和电流，但它们不提供防止电击的安全隔离。在系统中提供安全隔离
2022-11-10 06:40:24
"低边误导通"或 "dv/dt 引起的导通", 是同步降压转换器中一种常见的潜在危险。 本设计注释深入探讨如何防止这种情况的发生。
2018-08-27 13:51:13
和下桥臂驱动器需要高度匹配的时序特性，以实现精确高效开关操作。这减少了半桥关断和开通之间的死区时间。实现隔离式半桥栅极驱动功能的典型方法是使用光耦合器进行隔离，后跟高压栅极驱动器IC，如图1所示。该电路
2018-10-16 16:00:23
与专用栅极驱动器进行特性对比。在电路构成中，有上次介绍过的电解电容器和薄膜电容器。在不使用专用栅极驱动器时，作为栅极误导通对策，增加微法级的CGS，对VGS施加-5V作为负偏压（搭载第二代
2018-11-27 16:36:43
总线延迟产生的原因是什么？延迟错误导致会什么结果？如何检测传输延迟？消除延时误差的方法有哪些？
2021-05-14 06:08:39
分享一下十几年我一直使用的按键处理方法看见大家发了那么多按键的处理方法，我也发一个。
2013-12-04 15:20:05
防止由米勒电容引起的故障的另一种方法包括在IGBT的栅极发射极之间进行短路。配置电路以从外部组件安全地钳位栅极是复杂的并且需要额外的PWB空间。 TLP5214具有内部功能，称为有源米勒钳位功能，可
2020-05-11 09:00:09
在labview中 波形处理都有哪些方法？谢谢！！！
2013-12-10 14:58:14
各位工程师大家好，初入电子领域，目前在研究高频驱动电路，在高频栅极驱动芯片的选型上遇到了难题，目前有没有比TI的LMG1020，更适合小功率高频驱动的栅极驱动芯片或者有没有推荐的搜索网站，希望各位大佬指点一下
2023-02-21 11:10:50
【不懂就问】看到TI的一个三相逆变器设计资料中，关于有源米勒钳位的设计这是一段原话“开关IGBT过程中，位移电流流经IGBT的GE极电容，使其栅极电压上升，可能让器件误导通原因是，当逆变器的上管导
2017-12-21 09:01:45
若遇到有人发内容与主题不符，误导别人购买，花的积分要如何追回？
2017-08-04 10:31:54
`如图所示，在上电瞬间Q1（PMOS）为什么偶尔会出现误导通情况，误导通后就不受IO5控制了，请问各位前辈如何能解决这个误导通问题，谢谢。`
2021-05-13 20:20:37
不同的地电位。利用电感、电容或光学方法，仍可让信号和/或电源在隔离电路之间通过。对于采用栅极驱动器的系统，隔离对功能的执行可能是必要的，并且也可能是安全要求。图6中，VBUS可能有几百伏，在给定时间可能有
2018-10-25 10:22:56
：隔离是指系统中各种功能电路之间的电气分离，使得它们之间不存在直接导通路径。这样，不同电路可以拥有不同的地电位。利用电感、电容或光学方法，仍可让信号和/或电源在隔离电路之间通过。对于采用栅极驱动器的系统
2018-11-01 11:35:35
：高速公路布局。中心：VSW布局。右：CSW 布局 区段布局实验 外环栅极如何影响非对称器件的电流可控性和栅极金属化鲁棒性的不确定性导致了对此类器件中栅极金属化的阻抗特性的广泛仿真（仿真方法在［2］中
2023-02-24 15:37:38
小功率电子管电性能测试方法对阴极具有负电位的栅极电流的测试方法 GB 3306.3-82
本标准适用于阳极耗散功率不大于25W的电子管。并规定了以下的测试方法：直
2010-04-26 14:31:30
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共栅极电路图
2009-05-06 16:15:174398 
三端光控晶闸管抗误导通电路图
2009-06-06 09:37:48495 
FET栅极的驱动方法电路图
2009-08-15 17:31:21719 
一般水处理方法及原理
常用的水处理方法有：(一)沉淀物过滤法、(二)硬水软化法、(三)活性炭吸附法、(四)去离子法、(五)逆渗透法、(六)超过滤法、(七)
2009-11-19 10:40:252517 栅极/浮置栅,栅极/浮置栅是什么意思
多极电子管中最靠近阴极的一个电极，具有细丝网或螺旋线的形状，有控制板极电流的强度﹑改变电子管的
2010-03-04 16:14:532013 IGBT的栅极出现过压的原因: 1.静电聚积在栅极电容上引起过压.
2011-01-29 19:18:352679 
昨天，苹果再次就与深圳唯冠（微博）之间的iPad商标权纠纷发布声明称，唯冠蓄意误导法院和公众，并试图从商标权案中获取超额利益。深圳唯冠代理律师则回应称其“维权行为”没有
2012-03-14 08:46:29672 了关键的栅极驱动器参数。涉及的主题包括负电压处理、延迟匹配、宽VDD和工作温度范围等。这篇博文将更全面地解释这些主题。
2017-04-26 15:18:383420 
由式(5)和式(6)可知，反馈电流IL值为正。IL不能直接加在栅极，以免对栅极电流造成冲击，因此需要引入一个由Q5、Q6组成的镜像电路，将流过Q6的电流镜像到流过Q5的电路上反馈到栅极。这样，实现了对IGBT开通时栅极电流的调控，IGBT开通时di/dt得到控制，如式(7)所示。
2018-04-17 08:48:5012138 
苹果CEO蒂姆·库克（Tim Cook）此前在专访中称，高通和苹果之间近期没有展开任何和解谈判。而高通周二表示，这是“误导”的说法。
2019-01-10 10:42:58818 当驱动中/高功率MOSFET和IGBT时，一旦功率器件上的电压变化速率较高，就会存在密勒效应导通风险。电流通过栅极-漏极电容或栅极-集电极电容注入到功率器件的栅极。如果电流注入足够大，使栅极电压高于器件的阈值电压，则可以观察到寄生导通效应，从而导致效率降低，甚至出现器件故障。
2019-04-10 10:38:414735 
的值，但栅极对漏电容实际上更重要，也更难处理，因为它是受电压函数影响的非线性电容；栅极对源电容也受电压函数影响，但影响程度要小得多。
2020-03-09 08:00:0024 )时MOSFET才开始导通。这就要求栅极驱动的栅极电流足够大，能够瞬时充满MOSFET栅极电容。因此，栅极驱动就是起到驱动开关电源导通与关闭的作用。 栅极驱动器工作状态 栅极驱动器工作输出电压使开关管导迢并运行于开关状态下。这种通过高压稳压器自给供电的方法就是第节所介
2022-11-16 17:50:18987 深度神经网络是一种使用数学模型处理图像以及其他数据的多层系统，而且目前已经发展为人工智能的重要基石。 深度神经网络得出的结果看似复杂，但同样有可能受到误导。而这样的误导轻则致使其将一种动物错误识别
2020-11-25 14:39:561189 据外媒报道，意大利反垄断机构今天宣布，对苹果公司处以1000万欧元（约合7890万元）的罚款，原因是苹果在iPhone促销中存在误导性的商业行为。
2020-11-30 16:07:291425 FET栅极驱动器和电源的支持组件集成在栅极驱动器中，从而缩减了串联栅极电阻器、栅极灌电流路径二极管、栅源电压(VGS)钳位二极管、栅极无源下拉电阻器和电源等组件的物料清单(BOM)和组装成本。
2021-01-13 14:06:282800 关于高压栅极驱动器自举电路设计方法介绍。
2021-06-19 10:14:0476 介绍了栅极电阻的作用。
2021-06-21 15:08:2826 介绍3种跨时钟域处理的方法，这3种方法可以说是FPGA界最常用也最实用的方法，这三种方法包含了单bit和多bit数据的跨时钟域处理，学会这3招之后，对于FPGA相关的跨时钟域数据处理便可以手到擒来。 本文介绍的3种方法跨时钟域处理方法如下：
2021-09-18 11:33:4921439 
STM32片内FLASH烧写错误导致ST-li
2021-12-02 18:06:077 根据实际测量的栅极电流计算栅极漏电流是一项挑战。栅极电容器的充电和放电瞬态过程支配着栅极电流。电感器引入了二阶振铃，这使得计算过程更加复杂。上述挑战的解决方案是引入一种用于测量栅极电荷的原位方法。
2022-08-03 09:34:412202 
本文的关键要点：通过采取措施防止栅极－源极间电压的正电压浪涌，来防止LS导通时的HS误导通。如果栅极驱动IC没有驱动米勒钳位用MOSFET的控制功能，则很难通过米勒钳位进行抑制。作为米勒钳位的替代方案，可以通过增加误导通抑制电容器来处理。
2023-02-09 10:19:15515 
本文的关键要点・通过采取措施防止SiC MOSFET中栅极－源极间电压的负电压浪涌，来防止SiC MOSFET的LS导通时，SiC MOSFET的HS误导通。・具体方法取决于各电路中所示的对策电路的负载。
2023-02-09 10:19:16589 
如果特定功率器件需要正极和负栅极驱动，电路设计人员无需寻找专门处理双极性操作的特殊栅极驱动器。使用这个简单的技巧使单极性栅极驱动器提供双极性电压！
2023-02-16 11:04:58518 
晶体管栅极的最简单方法是利用 PWM 控制其直接控制栅极，如 图 8 所示。 直接栅极驱动最艰巨的任务是优化电路布局 。如 图 8 中所示，PWM 控制器和 MOSFET 之间可能有较大距离。由于栅极驱动和接
2023-02-23 15:59:0017 的接地参考示例中，栅极驱动在 -VCL和 VDRV-VCL电平之间，而不是驱动
器的初始输出电压电平 0V和 VDRV 之间。
电压 VCL由二极管钳断网络决定，在耦合电容器上形成。此技术的优点是能够以简单的方法在开关关断时和关断状态下为栅极提供负偏置，从而
2023-02-23 15:31:242 1.PWM直接驱动驱动主开关晶体管栅极的最简单方法是利用 PWM 控制器的栅极驱动输出，如图（1）如 图 8中所示，PWM 控制器和 MOSFET 之间可能有较大距离。由于栅极驱动和接地环路迹线
2023-02-24 10:45:172 这里会针对下述条件与电路结构，使用缓冲电容器与专用栅极驱动器进行特性对比。在电路构成中，有上次介绍过的电解电容器和薄膜电容器。在不使用专用栅极驱动器时，作为栅极误导通对策，增加微法级的CGS，对VGS施加-5V作为负偏压（搭载第二代SiCMOSFET的全SiC模块）。
2023-02-27 13:38:59221 
本文是“SiC MOSFET：栅极－源极电压的浪涌抑制方法”系列文章的总结篇。介绍SiC MOSFET的栅极－源极电压产生的浪涌、浪涌抑制电路、正电压浪涌对策、负电压浪涌对策和浪涌抑制电路的电路板
2023-04-13 12:20:02814 上一篇文章已经讲过了单bit跨时钟域的处理方法，这次解说一下多bit的跨时钟域方法。
2023-05-25 15:07:19584 
当前栅极模型量子处理器的性能调查 演讲ppt分享
2023-07-17 16:34:150 igbt的栅极驱动条件 igbt的栅极驱动条件对其特性有什么影响？ IGBT是晶体管的一种，它是一种高压、高电流的开关器件，常用于高功率电子应用中。IGBT是一种三极管，由一个PN结组成的集成电路
2023-10-19 17:08:14622 MOSFET栅极电路电压对电流的影响？MOSFET栅极电路电阻的作用？ MOSFET（金属-氧化物-半导体场效应晶体管）是一种广泛应用于电子设备中的半导体器件。在MOSFET中，栅极电路的电压和电阻
2023-10-22 15:18:121369 什么是漏极？什么是源极？什么是栅极？栅极源极漏极怎么区分？漏极 源极 栅极相当于三极管的哪极？ 漏极、源极和栅极都是指晶体管（如三极管）的不同极性。 首先，我们需要了解晶体管的基本结构，它由两个PN
2023-11-21 16:00:457831 桥式结构中的栅极-源极间电压的行为：导通时
2023-12-05 16:35:57129 
MOSFET栅极电路常见的作用有哪些？MOSFET栅极电路电压对电流的影响？ MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）是一种非常重要的电子器件，广泛应用于各种电子电路中。MOSFET的栅极电路
2023-11-29 17:46:40571 之一，它对FET的工作状态和性能有着直接影响。本文将详细介绍场效应晶体管栅极电流的概念、计算方法以及其在不同工作状况下的特点和影响。 一、场效应晶体管栅极电流的概念 场效应晶体管的结构由源极、漏极和栅极组成。当FET处于工作状态时，栅极电流即为通过栅极电极
2023-12-08 10:27:08655 光耦3083是一种常用的光耦合器件，通常用于用于将输入信号转换为光信号并隔离输出信号的电气器件。然而，光耦3083在操作中存在误导通问题，这可能是由于以下几个原因造成的： 设计问题：光耦3083
2024-01-15 09:21:55220
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