定位器降压电源等。H620X系列产品已经在电动车、POE和GPS等产品应用多年，各大厂商都有在使用，量产稳定成熟。 MOS管的特性；MOS管的工作原理中可以看出，MOS管的栅极G和源极S之间是绝缘
2020-10-10 14:23:19
相交的为源极D极(drain)—漏极，无论是P沟道还是N沟道，都是单独引线的那边根据这个方法我们就能很好的判定出20N20的三个极 2、20N20是N沟道还是P沟道箭头指向G极的是N沟道 箭头背向G极
2021-12-28 17:08:46
小女子初次进入这个行业请多多帮忙 ………………不胜感激{:soso_e100:}MOS管漏极与源极并联一个稳压二极管是什么作用？？？上图中PD3的作用
2011-10-09 14:42:41
MOS管漏极振铃Q6换成了YJN02N10A，100V2A的MOS，电感换成了47uH（某品牌样机的是47uh）负载电流要求≤90ma，输出电压0-45V可调，负载电阻500欧，我买了一个水泥电阻
2022-05-23 19:16:03
普通N MOS管给栅极一个高电压 ，漏极一个低电压，漏源极就能导通。这个GS之间加了背靠背的稳压管，给栅极一个4-10V的电压，漏源极不能导通。是不是要大于栅源击穿电压VGSO（30v）才可以？
2019-06-21 13:30:46
简称上包括NMOS、PMOS等。1、三个极的判定G极(gate)—栅极，不用说比较好认 S极(source)—源极，不论是P沟道还是N沟道，两根线相交的就是 D极(drain)—漏极，不论是P沟道还是
2023-02-10 16:17:02
大部分的MOS管中并在D极和S极有一个二极管，如下图：相信很多人都会有这个疑问，究竟这个二极管起什么作用呢？是什么性质的二极管呢？原来这个叫寄生二极管。当电路中产生很大的瞬间反向电流时，就可以通过
2016-12-20 17:01:13
通。我们可以通过以下方法来避免栅极电压被误抬升。 第一我们可以减少由米勒电容产生的对栅极电容充电的电流，由于米勒电容无法减少，所以要减少的就是漏极的电压变化率。 它在半桥中的作用就是拉长高边Mos管
2023-03-15 16:55:58
MOS管主要参数MOS管主要参数：1.开启电压VT ·开启电压（又称阈值电压）：使得源极S和漏极D之间开始形成导电沟道所需的栅极电压； ·标准的N沟道MOS管，VT约为3～6V； ·通过工艺上
2012-08-15 21:08:49
）。下面我们看一下MOS管的引脚，如下图所示：有3个引脚，分别为G（栅极）、S（源极）、D（漏极）。在上图可以
2021-10-28 07:46:04
本帖最后由 wuyuanyao 于 2019-9-11 11:18 编辑
1、MOS的三个极怎么判定：MOS管符号上的三个脚的辨认要抓住关键地方。G极：不用说比较好认。S极：不论是P沟道还是N
2019-09-11 10:27:48
电源时，MOS管栅极电压应为14V; 36V 电源时，MOS管栅极电压应为26V。此时测试漏极（D）、源极（S）之间电压应随加速而下降。若电压不下降，电动机不转动，说明MOS自身断路。（3）万用表置
2018-12-31 22:15:52
通，具体怎么的呢，直接上图：P沟道和N沟道MOS管开关电路连接方法如图所示：左图是P沟道MOS开关，箭头指向外面，接法为：S接输入；D接输出；G为控制端，低电平时导通右图是N沟道MOS开关，箭头指向里面，接法为：D接输入；S接输出；G为控制端，高电平时导通G为栅极、D为漏极、S为源极
2019-01-28 15:44:35
MOS管开关电路的定义MOS管开关电路是利用MOS管栅极（g）控制MOS管源极（s）和漏极（d）通断的原理构造的电路。因MOS管分为N沟道与P沟道，所以开关电路也主要分为两种。 一般情况下普遍用于
2021-10-29 06:54:59
MOS管开关电路是利用MOS管栅极（g）控制MOS管源极（s）和漏极（d）通断的原理构造的电路。因MOS管分为N沟道与P沟道，所以开关电路也主要分为两种。一般情况下普遍用于高端驱动的MOS，导
2021-10-29 07:22:17
1.开启电压VT 开启电压（又称阈值电压）：使得源极S和漏极D之间开始形成导电沟道所需的栅极电压；·标准的N沟道MOS管，VT约为3～6V；·通过工艺上的改进，可以使MOS管的VT值降到2
2018-11-20 14:10:23
揭秘mos管电路逻辑及mos管参数 1.开启电压VT 开启电压（又称阈值电压）：使得源极S和漏极D之间开始形成导电沟道所需的栅极电压；·标准的N沟道MOS管，VT约为3～6V；·通过工艺上的改进
2018-11-20 14:06:31
吗，为什么？2、导通之后，三极管基极和MOS管栅极的电流几乎一样，而且是pf级别的，非常小。所以具体过程是不是刚开始MOS栅极电流很大，等到MOS管完全导通后栅极电流就变小，但为什么这个电流会变小呢？
2021-04-27 12:03:09
MOS管驱动电机，负载接在漏极端；MOS+运放组成的恒流源，负载也在漏极端。想问一下，负载可以放在源极吗？两者有什么区别？
2021-07-08 18:07:57
。 1.MOS管的基础知识 MOS管分为N沟道MOS管和P沟道MOS管（N沟道应用更加广泛）。 MOS管的三个极分别为：栅极G、漏极D、源极S。 N沟道MOS管和P沟道MOS管电路符号 N-MOS
2021-01-20 16:20:24
强，吸引的电子就越多，导电沟道中的电子浓度也就越大，在相同的漏极电压下，产生的电流也越大。因此MOS管是压控器件，通过栅极电压来控制电流的大小。3. 由于漏极电压是比源极电压高的（VD>
2012-07-04 17:27:52
强，吸引的电子就越多，导电沟道中的电子浓度也就越大，在相同的漏极电压下，产生的电流也越大。因此MOS管是压控器件，通过栅极电压来控制电流的大小。3. 由于漏极电压是比源极电压高的（VD>
2012-07-06 16:06:52
`一、电压应力 在电源电路应用中，往往首先考虑漏源电压VDS的选择。在此上的基本原则为MOS管实际工作环境中的最大峰值漏源极间的电压不大于器件规格书中标称漏源击穿电压的90%。即
2019-12-10 17:51:58
MOS管的开关电路中栅极电阻R5和栅源极级间电阻R6是怎么计算的？在这个电路中有什么用。已知道VDD=3.7V，在可变电阻状态中，作为开关电路是怎么计算R5和R6？
2021-04-19 00:07:09
连接的二极管，它们之间的电阻很大，漏极D与源极S之间不具备导电的沟道，所以加任何电压，都不会产生漏极电流Id。图3 N沟道增强型当将衬底B与源极S短接，在栅极G和源极S之间加正电压，即Vgs＞0
2020-05-17 21:00:02
MOS管在什么情况下流过连续漏记电流？在什么情况下流过脉冲漏极电流？正常用方波脉冲驱动MOS管通断的话，流过MOS管的是连续漏极电流还是脉冲漏极电流？
2018-08-23 15:30:44
给到MOS管一个脉冲波形后，测试MOS管漏极电压会出现一个drop现象，且这个drop与mos管的导通时间有关，导通时间越久这个drop越大。后面经过各种试验发现，只要将后面的分压电路去掉就不会
2022-04-01 16:01:21
以图中电路为例，当我给栅极与源极之间一个恒压源，使得Ugs>Uth，然后Uac是一个交流源，波形为右边那个图。①那么当Uac过零时，mos管D->S间沟道会关断吗？②当Uac为负半轴时，mos管的导通情况是怎么样的呢？是先导通反并联二极管，再导通S->D间沟道吗？
2019-12-26 17:04:09
更省电，所以他们已经在很多应用场合取代了双极型晶体管。所以在com管的栅极加上电压就可以控制漏源电流的大小。三极管的原理网上很多可以参考。实际上mos管和三极管是电压控制还是电流控制，制造时由于使用材
2012-07-11 11:53:45
栅极与源极之间加一个电阻，这个电阻起到什么作用？一是为场效应管提供偏置电压；二是起到泻放电阻的作用：保护栅极G-源极S；
2019-05-23 07:29:18
地在MOS管的漏-源稳态截止电压上，出现电压尖峰。我的问题如下【1】MOS管的漏极就是相当于三极管的集电极，为什么要说成漏极，漏这个说法我一直不明白？【2】经常可以看到说变压的漏磁，漏磁通，或者电感的漏感，怎么理解这些定义？【3】上文说的，漏磁通下降了，漏感就任然可以释放储能，是根据什么？谢谢
2017-07-22 11:57:00
的栅极（G）相当于接地，栅极（G）和源极（S）间有负压，MOS管导通，漏极（D）有3.3V输出。当PWR_CTL为低电平时：此时三极管SS8050不导通，MOS管的栅极和源级之间无压差，MOS管关断，无电压输出。...
2021-12-28 07:55:51
连接MOS管6N60的栅极和源极。如果指针立即返回无穷大，则MOS管6N60完好。3、红笔接6N60的源极S，黑笔接MOS管的漏极，表针指示无限大则表示MOS管是好的。4、栅极和漏极接一个100K
2021-10-23 15:15:38
，单片机io口能导通。第一个mos管导通后第二个mos管导通不了。第一个mos管不导通第二个导通，第二个导通后由于没有接地，源极d和漏极s电压都等于vin大于15v，这个时候vgs
2018-10-17 15:16:30
STM8S105 / 103的I / O引脚的“安全”漏极/源极电流是多少？以上来自于谷歌翻译以下为原文 What is 'safe' sink/source current for I/O pins for STM8S105/103
2019-02-19 15:50:27
晶体管之优点集于一身，因此在电压放大器（电压放大倍数可达数千倍）、功率放大器、开关电源和逆变器中正获得广泛应用。 众所周知，传统的MOS场效应管的栅极、源极和漏极大大致处于同一水平面的芯片上，其工作
2021-05-13 06:33:26
全桥逆变后接的是容性负载，全桥的高压是220v整流的，驱动是用的ir21834做的 自举电容是用的1uf快速二极管用的是rf107mos管耐压是500v 电流8a 全桥逆变接容性负载工作大概3分钟mos管的漏极和栅极通了且mos管的封转裂了 是由于负载引起的过热还是什么其他原因
2015-01-30 00:35:51
控制小信号。对于大电流，三极管发热会比较严重。mos管因为导通电阻非常小，所以特别适合控制大电流的电路。mos管（场效应管）的源极S、栅极G、漏极D分别对应于三极管的发射极e、基极b、集电极c，它们
2017-10-26 23:45:23
） MOS管道输入特性为容性特性，所以输入阻抗极高。4、MOS管的电压极性和符号规则；图1-4-A 是N沟道MOS管的符号，图中D是漏极，S是源极，G是栅极，中间的箭头表示衬底，如果箭头向里表示是N
2012-08-09 14:45:18
在一定范围内的变化会引起源漏间导通电阻的变化。二者的主要区别就是：双极型管是电流控制器件（通过基极较小的电流控制较大的集电极电流），MOS管是电压控制器件（通过栅极电压控制源漏间导通电阻）。MOS管(场效应管
2018-03-25 20:55:04
第一种：定性判断MOS管的好坏先用万用表R×10kΩ挡(内置有9V或15V电池)，把负表笔(黑)接栅极(G)，正表笔(红)接源极(S)。给栅、源极之间充电，此时万用表指针有轻微偏转。再改用万用表R
2019-01-08 13:28:49
,场效应管的转移特性按平方规律变化,因此MOS管的非线性失真比三极管的非线性失真大.七、MOS管的三种基本组态电路(共源、共漏和共栅)可以对照三极管的共发、共集和共基电路,由于MOS管的栅极无电流,所以
2019-04-10 14:55:55
的方向。MOSFET管是另一种非常常见的晶体管类型。它也具有三个引脚：栅极（G）、漏极（D）、源极（S）MOS管和三极管同为晶体管，它们之间的工作原理也有些类似之处：1）．MOS管的源极S、栅极G、漏极
2023-02-20 15:30:11
。2） MOS管道输入特性为容性特性，所以输入阻抗极高。4、MOS管的电压极性和符号规则上图是N沟道MOS管的符号，图中D是漏极，S是源极，G是栅极，中间的箭头表示衬底，如果箭头向里表示是N沟道
2018-07-05 13:52:46
，因此，下管的寄生二极管在死区时间内具有导通损耗，同时具有二级管的反向恢复损耗。 功率MOSFET的寄生参数模型如图1所示，其中，G、D、S分别为封装好的器件外部的栅极、漏极和源极，G1、S1分别为内部
2020-12-08 15:35:56
电容充电，充电峰值电流会超过了单片机的 I/O 输出能力，串上 R17 后可放慢充电时间而减小栅极充电电流。 第三，当栅极关断时，MOS管的D-S极从导通状态变为截止状态时，漏源极电压VDS会迅速增加
2023-03-10 15:06:47
本文记录以二极管连接的MOS作为负载的共源极放大器。1. 原理分析二极管连接的MOS管如下图所示。无论PMOS还是NMOS，当导通时，均工作在饱和区。等效电阻为Rx=VxIx=1gm//Ro
2021-12-30 07:47:09
1. 什么是MOS管？MOS管是金属-氧化物-半导体场效应晶体管的简称。1.1 如何判断MOS管的G栅极、D漏极、S源极?（1）引脚一般如上图所示。（2）万用表测量，方法如下S源极与D漏极之间应该有
2021-12-31 06:20:08
STM32F4XX中文参考手册中GPIO口的结构图。输出部分的电路是在下方。先简单介绍一下MOS管吧。MOS管其实是和三极管差不多的，有三个极：栅极（G），源极（S）和漏极（D）。三极管通过放大基极的电流变...
2022-02-17 07:15:10
关于mos管漏极电流id的计算，能够找到的例子非常少，问的人也更加少，就是这个id电流计算有一个未知参数kn，这个参数在平常我们选择哪个信号的管子就需要去查看这个管子的电子文档资料datasheet
2018-05-28 18:59:27
是漏极D和源极S。因为对结型场效应管而言，漏极和源极可互换，剩下的电极肯定是栅极G。也可以将万用表的黑表笔（红表笔也行）任意接触一个电极，另一只表笔依次去接触其余的两个电极，测其电阻值。当出现两次测得
2016-12-15 14:21:12
本帖最后由 拂去喧嚣 于 2016-8-5 15:08 编辑
在实际电路中SPA11N80C3这种MOS管的栅极（G）引脚悬空会造成源极（S）和漏极（D）一直处于导通状态。这是什么原因？（D极接入的是167V左右的DC，S极接到参考地）
2016-08-05 15:07:30
位（接内部电池的正极），如上图所示。 （2）测试步骤： 把红表笔接到MOS管的源极S；把黑表笔接到MOS管的漏极D，此时表针指示应该为无穷大，如下图所示。如果有欧姆指数，说明被测管有漏电现象，此管
2018-11-01 15:21:31
` 判断MOS管好坏的方法有两种： 第一种：定性判断MOS管的好坏 先用万用表R×10kΩ挡(内置有9V或15V电池)，把负表笔(黑)接栅极(G)，正表笔(红)接源极(S)。给栅、源极之间充电
2019-03-04 15:41:25
VGS有一定的压差，如 -5V（S电位比G电位高）。2 MOS管做上管和下管NMOS当下管，即S极（源极）直接接地，只需控制G极（栅极）电压即可控制NMOS管的导通或截止，因为MOS管导通的条件取决于
2023-02-17 13:58:02
，MOS管相对而言较贵。关于功耗问题：三极管损耗比起MOS管较大。驱动能力上的的不同：MOS管常用于电源开关以及大电流地方开关电路。MOS管 VS 三极管1.MOS管的源极s、栅极g、漏极d分别
2018-12-24 18:31:54
2、试着将MOS管源极的电流采样电阻调大一点，也会使得漏极开机瞬间尖峰稍微减小，但也会导致低压无法启动。
请问是什么原因导致MOS管漏极开机瞬间电压很大？如何解决？
2023-10-09 23:06:47
我的理解（将漏极d与源极s调换）：B_VCC是USB供电，为5V。当没有插入DC接口时，PSELF接地，则Ugs=-5V，PMOS导通，VCC=B_VCC；当插入DC接口时，PSELF悬空
2018-10-30 19:25:45
在开关电源中如何消除开关mos管漏极产生的振荡成份呢？
2023-05-09 14:56:25
（几百欧姆至一千欧姆），则可判断黑表笔接的是栅极G，另外两个电极分别是源S和漏极D。 在两个阻值均为高阻值的一次测量中，被测管为P沟道结型场效应晶体管；在两个阻值均为低阻值的一次测量中，被测管为N
2021-05-25 07:05:04
本帖最后由 xueting1 于 2016-10-6 20:12 编辑
场效应管（MOS型）的电路图表示如上所示：原理：通常我们通过给栅极（G）是否加电压来控制漏极（D）和源极（S）的开断
2016-10-06 20:12:17
G1与栅极G2之间的电阻值同场效应管手册标明的电阻值是否相符去判别管的好坏。具体方法：首先将万用表置于R×10或R×100档，测量源极S与漏极D之间的电阻，通常在几十欧到几千欧范围（在手册中可知，各种
2012-07-28 14:13:50
不动，只有将G-S极间电荷短路放掉才行。（4）用测电阻法判别无标志的场效应管 首先用测量电阻的方法找出两个有电阻值的管脚，也就是源极Ｓ和漏极Ｄ，余下两个脚为第一栅极G1和第二栅极G2。把先用两表笔
2021-05-25 06:58:37
能力 将万用表拨到R×100档，红表笔接源极S，黑表笔接漏极D，相当于给场效应管加上1.5V的电源电压。这时表针指示出的是D-S极间电阻值。然后用手指捏栅极G，将人体的感应电压作为输入信号加到栅极上
2021-05-13 06:55:31
两个管脚间的正、反向电阻相等，均为数KΩ时，则这两个管脚为漏极D和源极S（可互换），余下的一个管脚即为栅极G。对于有4个管脚的结型场效应管，另外一极是屏蔽极（使用中接地）。2、判定栅极 用万用表黑表笔
2009-04-25 15:43:42
不动，只有将G-S极间电荷短路放掉才行。（4）用测电阻法判别无标志的场效应管首先用测量电阻的方法找出两个有电阻值的管脚，也就是源极Ｓ和漏极Ｄ，余下两个脚为第一栅极G1和第二栅极G2。把先用两表笔测的源极Ｓ与漏
2008-06-03 14:57:05
。是表示栅源电压U GS — 对漏极电流I D的控制能力，即漏极电流I D变化量与栅源电压UGS变化量的比值。gM 是衡量场效应管放大能力的重要参数。 5、BUDS — 漏源击穿电压。是指栅源电压UGS
2021-05-13 06:13:46
，红表笔接源极S，黑表笔接漏极D，相当于给场效应管加上1.5V的电源电压。这时表针指示出的是D-S极间电阻值。然后用手指捏栅极G，将人体的感应电压作为输入信号加到栅极上。由于管子的放大作用，UDS
2011-12-19 16:30:31
，红表笔接源极S，黑表笔接漏极D，相当于给场效应管加上1.5V的电源电压。这时表针指示出的是D-S极间电阻值。然后用手指捏栅极G，将人体的感应电压作为输入信号加到栅极上。由于管子的放大作用，UDS和ID
2013-03-27 16:19:17
|是Vgs的绝对值.见输入输出特性。四、结型场效应管：结场型场直流输入电阻可达10^6~~~~10^9欧姆，工做原理栅源电压Ugs控制漏极电源iD。此图为N道沟，结场型场效应管。S源极、D漏极、G栅极
2019-04-16 11:20:05
编辑-ZMOS管10N60的三个极是什么以及如何判断MOS管10N60的三个极是：G（栅极）、D（漏极）和s（源极）。栅极和源极之间的电压必须大于一定值，漏极和源极才能导通。 10N60参数描述
2021-10-22 17:01:01
两个高掺杂浓度的N+区，并用金属铝引出两个电极，分别作为漏极D和源极S。然后在漏极和源极之间的P型半导体表面复盖一层很薄的二氧化硅（Si02）绝缘层膜，在再这个绝缘层膜上装上一个铝电极，作为栅极G。这就
2018-10-25 16:36:05
。是从电压角度理解的，若从电流理解，是同相的。mos管，当Vds过大时，漏极区下面的通道截止，怎么还会有电流当vgs一定，vds持续增大，近漏极端的沟道深度进一步减小，当vds=vgs-vgs（th
2012-07-09 17:45:33
01三个极的判定G极(gate)—栅极，不用说比较好认；S极(source)—源极，不论是P沟道还是N沟道，两根线相交的就是；D极(drain)—漏极，不论是P沟道还是N沟道，是单独引线的那边
2021-12-07 01:24:30
强型、P沟耗尽型和加强型四大类。 MOS管应该如何检测呢？MOS管的外形、结构及符号如下图所示，三个电极分别为栅极G、源极S、漏极D。国产N沟道管典型产品有3DJ2、3DJ4.3DJ6、3DJ7，P
2018-10-23 15:10:53
”是越来越难的。耗尽型的是事先做出一个导通层，用栅极来加厚或者减薄来控制源漏的导通。但这种管子一般不生产，在市面基本见不到。所以，大家平时说MOS管，就默认是增强型的。 4、左右对称 图示左右
2019-01-03 13:43:48
的是S极，红表笔接D极。 3．测量漏-源通态电阻RDS（on） 将G-S极短路，选择万用表的R×1档，黑表笔接S极，红表笔接D极，阻值应为几欧至十几欧。 由于测试条件不同，测出的RDS（on）值
2021-02-23 16:38:07
耦合后会在MOS管的栅极输入端产生振荡电压,振荡电压会破坏MOS管的氧化层。 三、MOS管导通和截止的瞬间,漏极的高电压会通过MOS管内部的漏源电容偶合到功率MOS管的栅极处,使MOS管受损。 四
2018-10-19 16:21:14
时产生的回扫电压，或者由漏磁电感产生的尖峰电压超出功率MOS管的漏极额定耐压并进入击穿区而导致破坏的模式会引起雪崩破坏。 典型电路: 二、器件发热损坏 由超出安全区域弓|起发热而导致的。发热的原因
2018-11-21 13:52:55
的可靠性。功率MOS管保护电路主要有以下几个方面： 1)防止栅极di／dt过高：由于采用驱动芯片，其输出阻抗较低，直接驱动功率管会引起驱动的功率管快速的开通和关断，有可能造成功率管漏源极间的电压震荡
2018-12-10 14:59:16
的小了很多说明MOS管并未损坏。 (2)在加速过程中，如24V电源时，MOS管栅极电压应为14V;36V电源时，MOS管栅极电压应为26V。此时测试漏极(D)、源极(S)之间电压应随加速而下降。若电压
2018-12-27 13:49:40
）相当于接地，栅极（G）和源极（S）间有负压-5V，mos管导通，漏极（D）有5V输出。当PW_1为低电平输出状态时，三极管Q1不导通，mos管的栅极和源极直接无压差，mos管关断，漏极...
2021-10-28 09:02:17
` 一、电压应力 在电源电路应用中，往往首先考虑漏源电压VDS的选择。在此上的基本原则为MOS管实际工作环境中的最大峰值漏源极间的电压不大于器件规格书中标称漏源击穿电压的90%。即
2019-02-21 12:02:20
基极电流控制集电极与发射极之间的电流；而MOS管是压控流器件，也就是由栅极上所加的电压控制漏极与源极之间电流。MOSFET管是FET的一种，可以被制造为增强型或者耗尽型，P沟道或N沟道共四种类型，但
2019-03-03 06:00:00
原理图符号应如下所示：从结构上可以看出，MOS管是完全对称的，因此理论上源极S与漏极D是可以互换使用的。在MOS管中，源极为提供载流子的端子，而漏极为接收载流子的端子，源和漏的命名也由此而来，N沟通
2023-02-10 15:58:00
镀一层金属铝作爲栅极G。当VGS＝0 V时，漏源之间相当两个背靠背的二极管，在D、S之间加上电压不会在D、S间构成电流。当栅极加有电压时，若0＜VGS＜VGS(th)时，经过栅极和衬底间构成的电容电场
2019-03-21 16:51:33
mos管漏极电压8V,栅极电压9V，仍低于源极12V电压，持续导通。现电路板出现故障后，栅极电压上升很快，达到11.7V，mos管截止，造成漏极无电压输出，达不到输出供电效果。请教大神们讲解下此电路原理，最有可能出错的地方？mos管和运放经过单独验证，是正常的
2023-06-05 22:50:12
在电流镜像电路中，有时会把场效应管的源级接Vcc，漏极接地，那么当栅极与漏极相连构成电流镜时，场效应管是怎么导通的？？？？
2018-08-09 17:09:04
两层电源板，板子设计中有4个MOSFET管串联，由于只有两层，四个MOSFET管的3个源级要过大电流，所以用铜连接在一起；四个MOSFET管栅极串联的线走在器件源级和漏极之间（请看图片），不知道这样的栅极走线会不会受影响？
2018-07-24 16:19:28
一般情况下普遍用于高端驱动的MOS管，导通时需要是栅极电压大于源极电压。而高端驱动的MOS管导通时源极电压与漏极电压（VCC）相同，所以这时栅极电压要比VCC大4V或10V。如果在同一个系统里
2021-10-29 08:34:24
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