N沟道耗尽型MOSFET
1) N沟道耗尽型MOSFET的结构
N
2009-09-16 09:41:43
23374 MOSFET管是FET的一种（另一种是JFET），可以被制造成增强型或耗尽型，P沟道或N沟道共4种类型，但实际应用的只有增强型的N沟道MOS管和增强型的P沟道MOS管，所以通常提到NMOS，或者PMOS指的就是这两种。
2020-07-13 10:35:002214 
用P沟道MOSFET设计反向电压保护电路
2022-04-29 17:42:3614397 
用N沟道MOSFET设计反向电压保护电路
2022-04-29 17:59:3415884 
层(M-金属铝)的栅极和隔着氧化层(O-绝缘层SiO2)的源极施加电压，产生电场的效应来控制半导体(S)导电沟道开关的场效应晶体管。由于栅极与源极、栅极与漏极之间均采用SiO2绝缘层隔离，MOSFET因此又被称为绝缘栅型场效应管。
2023-02-27 18:03:475383 
硬件面试中有遇到过这样的事吗？通常让你画一个增强型的MOSFET，或是N沟道MOSFET或是P沟道MOSFET
2023-11-21 15:05:31780 
本帖最后由 xuehumaiya 于 2016-7-15 10:29 编辑
N沟道MOSFET PowerTrench®[N-Channel PowerTrench® MOSFET]常用管...................
2013-03-01 08:23:44
MOSFET 晶体管是可以电压驱动电流。常用的是N沟道MOSFET，P沟道的制作成本高。简单功率MOSFET电机控制器。这是一个典型的 MOSFET开关电路。由于电动机负载是电感性的，因此在电感
2021-09-13 08:27:30
问题1：最近，我们公司的技术专家在调试中发现，MOSFET驱动电压过高，会导致电路过载时，MOSFET中电流过大，于是把降低了驱动电压到6.5V，之前我们都是在12V左右。这种做法感觉和您在文章里
2016-12-21 11:39:07
MOSFET及MOSFET驱动电路基础
2021-02-25 06:05:27
和工作原理 功率MOSFET的种类：按导电沟道可分为P沟道和N沟道。按栅极电压幅值可分为；耗尽型；当栅极电压为零时漏源极之间就存在导电沟道，增强型；对于N（P）沟道器件，栅极电压大于（小于）零时才存在
2019-06-14 00:37:57
`<p><font face="Verdana">N沟道MOSFET概述<br/&
2010-08-17 09:21:57
N沟道MOSFET驱动电路LTC4446资料下载内容主要介绍了：LTC4446功能和特点LTC4446引脚功能LTC4446内部方框图LTC4446应用电路
2021-04-15 06:53:16
;<p align="left">这款FDN359AN是N沟道逻辑电平MOSFET的生产采用飞兆半导体先进的PowerTrench进程，特别是
2010-04-15 09:51:37
为正时，它充当增强型MOSFET。N沟道场效应管与P沟道场效应管介绍N沟道MOSFET的源极接地，漏极连接到负载，当栅极施加正电压时，FET导通。N 沟道 MOSFET是最常用且最容易使用的。它们
2023-02-02 16:26:45
小编在接到客户咨询关于MOS管的时候，总会被问到一个问题：怎么选择合适的MOS管？关于这一个问题，昨天针对这个问题，在电压、电流方面已经做出了部分解释，今天我们来看其他方面的影响。确定N、P沟道
2023-02-17 14:12:55
[table=98%]N沟道增强型MOSFET TDM31066[/td][td][/td][td=363]一般描述一般特征[tr]该TDM31066采用先进的沟槽技术[td=331]RDS（ON）
2018-11-12 15:55:20
`N沟道增强型MOSFET TDM31066[/td][/td][td=499]一般描述一般特征该TDM31066采用先进的沟槽技术RDS（ON）<18.2mΩ@ VGS = 4.5V
2019-01-24 11:00:12
[table=98%]N沟道增强型MOSFET TDM3550[/td][td=363]一般描述一般特征该TDM3550采用先进的沟槽技术◆40V/ 100A[tr]提供优异的RDS（ON）和低门电荷。[td=331]◆RDS（ON）
2018-11-16 13:42:48
功率MOSFET有二种类型：N沟通和P沟道，在系统设计的过程中，选择N管还是P管，要针对实际的应用具体来选择。下面先讨论这二种沟道的功率MOSFET的特征，然后再论述选择的原则。
2021-03-02 08:40:51
在公共漏极和参考GND之间的电机，使用双电源简单地连接以生成双向开关。一旦输入电压为低，则连接在电路中的P沟道 MOSFET将被打开，而N沟道MOSFET将被关闭，因为其栅极到源极结为负偏置，因此电路中
2022-09-27 08:00:00
MOSFET最常用作输入电压低于15VDC的降压稳压器中的高侧开关。根据应用的不同，N沟道MOSFET也可用作降压稳压器高侧开关。这些应用需要自举电路或其它形式的高侧驱动器。图1：具有电平移位器的高侧驱动
2018-03-03 13:58:23
`AON7544 N沟道MOSFET采用最新的Trench Power AlphaMOS（αMOSLV）技术，具有极低的RDS（on），低栅极电压和高电流能力，非常适合应用在DC/DC电路中
2020-05-29 08:39:05
`AP15N10 N沟道100V（D-S）MOSFET一般说明AP15N10是N通道逻辑增强型电源场效应晶体管是使用高单元密度的DMOS来生产的沟槽技术。这种高密度工艺特别适合于最小化导通电阻。这些
2021-07-13 09:16:34
`BRD4N60(CS4N60D)_N-CHANNEL_MOSFET_N沟道MOS晶体管`
2012-08-20 08:03:59
BSS123 - 晶体管, MOSFET, N沟道, 170 mA, 100 V, 1.2 ohm, 10 V, 1.7 VBSS123 N沟道MOSFET 100V 170mA/0.17A
2019-11-13 11:00:58
型号：G16P03VDS：-30VIDS ：-16A封装: DFN3*3-8L沟道：P沟道种类：绝缘栅(MOSFET)G16P03 原装，G16P03库存现货热销售后服务：公司免费提供样品，并提供产品运用
2020-11-05 16:48:43
`ISU04N65A N沟道 MOSFETISU04N65A N沟道MOSFETTO-251 应用范围特征： •适配器•符合RoHS标准 •电视主要电源•低导通电阻 •SMPS电源•低门电荷
2018-09-06 13:45:25
Q2体二极管中的电流比正常工作状况下大很多。导致了MOSFET Q2的P-N结上存储更多电荷。 在t2~t3时段，MOSFET Q2施加门极信号，在t0~t1时段剧增的谐振电流流经MOSFET Q2沟道
2019-09-17 09:05:04
LT1158上单个输入引脚的典型应用同步控制图腾柱配置中的两个N沟道功率MOSFET
2019-05-28 09:02:21
LT1160的典型应用 - 半桥/全桥N沟道功率MOSFET驱动器。 LT 1160 / LT1162是经济高效的半桥/全桥N沟道功率MOSFET驱动器
2019-05-14 09:23:01
LT4320HMSE理想二极管桥控制器的典型应用电路。 LT4320是理想的二极管桥控制器，可驱动四个N沟道MOSFET，支持典型的DC至600Hz的电压整流。通过最大化可用电压并降低功耗，理想的二极管桥简化了电源设计并降低了电源成本，特别是在低压应用中
2019-10-25 06:18:48
编辑-Z场效应晶体管是一种电压控制器件，根据场效应管的结构分为结型场效应（简称JFET）和绝缘栅场效应（简称MOSFET）两大类。按沟道材料：结型和绝缘栅型分为N沟道和P沟道。根据导电方式：耗尽型
2021-12-28 17:08:46
Multisim10.0元件库没P沟道耗尽型MOSFET管，为什么，我其他几种都找到了结型FET增强型FET，耗尽型没P的啊
2012-11-03 10:45:54
概述：Y-QFT4503M（4503AGM）采用8脚贴片封装，实为一只复合MOSFET，内含一只P沟道和N沟道场效应管，如下图所示，其最大漏源电流Idsm为7A，最大漏源电压Vds为30V，该元件在TCL液晶电
2021-04-06 06:53:57
型号：SLN30N03T电压：30V 电流：30A封装：DFN3*3-8种类：绝缘栅(MOSFET)SLN30N03T 原装，SLN30N03T库存现货热销售后服务：公司免费提供样品，并提供产品运用的技术支持。阿里店铺
2021-04-07 14:57:10
`SUN2310SGP沟道增强型功率场效应管（MOSFET） ，采用高单元密度的 DMOS 沟道技术。这种高密度的工艺特别适用于减小导通电阻。适用于低压应用，例如移动电话，笔记本电脑的电源管理和其他电池的电源电路。 采用带散热片的 SOP8 封装`
2011-05-17 10:57:36
图1为二个P沟道的功率MOSFET组成的充电电路，P沟道的功率MOSFET的型号为：AO4459。Q3和R1实现恒流或限流充电功能，Q4控制电路的工作。图1：P沟道MOSFET组成充电电路电路工作
2017-04-06 14:57:20
`Vishay SQ2361MOSFET 符合 AEC-Q101 标准并经 100% Rg 和 UIS 测试。SQ2361 汽车用 P 沟道 60V 功率 MOSFET 的 ESD 保护典型值达
2019-07-09 17:30:39
本帖最后由 暗星归来 于 2016-9-6 12:53 编辑
如题，因为要对电池进行管理，对充电过程和放电过程控制其何时开始充电、停止充电、何时放电、何时停止放电，所以用两个N沟道增强型
2016-09-06 12:51:58
，简称场效晶体管。内部结构（以N-MOSFET为例）如下图所示。在P型半导体衬底上制作两个N+区，一个称为源区，一个称为漏区。漏、源之间是横向距离沟道区。在沟道区的表面上，有一层由热氧化生成的氧化层作为
2023-02-10 15:33:01
在通孔板上建立电路数小时后，我发现使用P-MOSFET时Vgs并不容易。经过搜索，我发现我需要使用N-MOSFET或BJT（NPN）将源极电压带到栅极，以便关断MOSFET。对我来说非常重要的是，当
2018-08-23 10:30:01
1、MSO的三个极怎么判定：MOS管符号上的三个脚的辨认要抓住关键地方。G极，不用说比较好认。S极，不论是P沟道还是N沟道，两根线相交的就是；D极，不论是P沟道还是N沟道，是单独引线的那边。2、他们
2019-09-11 07:30:00
电源管理ICTDM3412双路N沟道增强型MOSFET 描述：TDM3412采用先进的沟槽技术，提供出色的RDS（ON）和低栅极电荷。 这个器件适合用作负载开关或PWM应用。一般描述：频道1RDS（ON）
2018-05-25 11:54:29
N沟道和P沟道MOSFET哪个常用?增强型和耗尽型的哪个常用?
2019-05-13 09:00:00
LT1336的典型应用是具有成本效益的半桥N沟道功率MOSFET驱动器。浮动驱动器可以驱动顶部N沟道功率MOSFET工作在高达60V（绝对最大值）的高压（HV）轨道上工作
2019-05-10 06:46:05
—功率 MOSFET 的选型1 我的应用该选择哪种类型的 MOSFET？前面说了，实际应用主要使用增强型功率 MOSFET，但到底该选择 N 沟道的还是 P 沟道的呢？如果你对这个问题有疑问，下面的图
2019-11-17 08:00:00
栅极（Gate），漏极（Drain）和源极（Source）。功率MOSFET为电压型控制器件，驱动电路简单，驱动的功率小，而且开关速度快，具有高的工作频率。常用的MOSFET的结构有横向双扩散型
2016-10-10 10:58:30
MOSFET，也可以直接驱动。对于一个桥式电路的上下桥臂，上管使用P沟道的功率MOSFET，可以直接驱动，驱动电路设计简单。如果上管选用N沟道的功率MOSFET，那么必须采用浮驱或自举电路，驱动电路
2016-12-07 11:36:11
的型号多，成本低；P沟道MOSFET选择的型号较少，成本高。如果功率MOSFET的S极连接端的电压不是系统的参考地，N沟道就需要浮地供电电源驱动、变压器驱动或自举驱动，驱动电路复杂；P沟道可以直接驱动
2019-04-04 06:30:00
施加正电压，打开漏极和源极引脚之间的通道，并允许电流流过 LED。P沟道MOSFETP沟道MOSFET开关电路图二、场效应管MOSFET用作电机驱动电路N沟道MOSFET如下图所示，两个二极管反向偏置
2022-09-06 08:00:00
这是我设计的一个单片机驱动光耦控制电机转停的电路，大家看下电路设计对吗？单片机在光耦驱动位拉高引脚，输出24V，fds9958是P型MOSFET，fds9945是n型MOSFET，fds9958 S
2018-04-24 13:09:52
—功率 MOSFET 的选型1 我的应用该选择哪种类型的 MOSFET？前面说了，实际应用主要使用增强型功率 MOSFET，但到底该选择 N 沟道的还是 P 沟道的呢？如果你对这个问题有疑问，下面的图
2019-11-17 08:00:00
沟道MOSFET也可用作降压稳压器高侧开关。这些应用需要自举电路或其它形式的高侧驱动器。图1：具有电平移位器的高侧驱动IC。图2：用自举电路对高侧N沟道MOSFET进行栅控。极性决定了MOSFET的图形
2021-04-09 09:20:10
有没有人用过SI2307 P沟道MOSFET?不知道为什么5V的电压无法关断、、、是不是设计问题？
2016-08-28 18:29:46
本帖最后由 ♂霹雳 于 2014-5-5 01:42 编辑
如题类似IRF7416和FDJ128N,但是这两种要么是P沟道,要么就是贴片封装,但是我现在需要的是直插封装啊....求大神给个型号,最好是任何一个电子市场都能买到的最常见的型号,最好是IRF的
2014-05-05 01:40:57
，成本低；P沟道MOSFET选择的型号较少，成本高。如果功率MOSFET的S极连接端的电压不是系统的参考地，N沟道就需要浮地供电电源驱动、变压器驱动或自举驱动，驱动电路复杂；P沟道可以直接驱动，驱动简单
2020-03-09 15:34:20
的型号多，成本低；P沟道MOSFET选择的型号较少，成本高。如果功率MOSFET的S极连接端的电压不是系统的参考地，N沟道就需要浮地供电电源驱动、变压器驱动或自举驱动，驱动电路复杂；P沟道可以直接驱动
2020-03-05 11:00:02
器件。一旦在MOSFET的栅极端施加电压，源极沟道的漏极电阻将变得更大。当栅源电压增加更多时，从漏极到源极的电流将减少，直到电流从漏极到源极的流动停止。耗尽型MOSFET有两种类型，分别是P沟道和N沟道
2022-09-13 08:00:00
K9是单片机控制信号，OUT_12V_1是时钟（脉冲）信号，IN1B会有几种输出状态呢？光耦LTV-357T-D接P沟道MOSFET的作用是什么呢？
2021-11-11 16:59:06
现在在做一个500W的直流电机的驱动，电机的额定电流30A左右。在网上看到的这类驱动多是H桥的。实际应用中不需要正反转，只用PWM调速即可，请问能否用一片MOSFET低侧驱动器和一个N沟道的管子来驱动这个电机呢，会不会有什么问题呢。
2016-01-04 09:42:49
讨论如何根据RDS（ON）、热性能、雪崩击穿电压及开关性能指标来选择正确的MOSFET。 MOSFET的选择 MOSFET有两大类型：N沟道和P沟道。在功率系统中，MOSFET可被看成电气开关。当在
2011-08-17 14:18:59
LTC2924，采用外部N沟道MOSFET的电源排序的简单紧凑型解决方案
2019-04-16 06:07:32
20V N-沟道增强型MOSFET
20V N-沟道增强型MOSFET简介
2010-04-08 17:33:33
15 20V P 沟道增强型MOSFET管
20V P 沟道增强型MOSFET管简介
2010-04-08 17:36:2023 20V N沟道增强型MOSFET管
20V N沟道增强型MOSFET管简介
2010-04-08 17:39:0026 30V N沟道增强型MOSFET管
30V N沟道增强型MOSFET管简介
2010-04-08 17:41:0020 30V P 沟道增强型MOSFET管
30V P 沟道增强型MOSFET管简介
2010-04-08 17:42:0929 N加P沟道增强型MOSFET管
N加P沟道增强型MOSFET管简介
2010-04-08 17:43:3925 随着电能变换技术的发展，功率MOSFET在开关变换器中开始广泛使用，为此美国硅通用半导体公司（Silicon General）推出SG3525。SG3525是用于驱动N沟道功率MOSFET。其产品一推出就受到广泛
2010-09-25 16:44:45252 功率MOSFET的种类
按导电沟道可分为P沟道和N沟道 耗尽型——当栅极电压为零时漏源极之间就存在导电沟道 增强型—
2009-04-14 22:08:473906 
N沟道增强型MOSFET
N沟道增强型MOSFET的工作原理
1) N沟道增强型MOSFET的结构N 沟道增强型
2009-09-16 09:38:1810460 罗姆展出了采用沟道构造的SiC制肖特基势垒二极管(SBD)和MOSFET。沟道型SBD的特点在于，与普通SiC制SBD相比二极管导通电压(以下称导通电压)较低。沟道型SBD的导通电压为0.5V，降到了以往
2011-10-12 09:35:301111 MOSFET多数是载流子器件， N沟道MOSFET在导电过程中有电子流动。 P沟道在导电期间使用被称为空穴的正电荷。电子的流动性是空穴的三倍。尽管没有直接的相关性，就RDS(on)而言，为得到相等的值，P沟道的管芯尺寸大约是N沟道的三倍。因此N沟道的管芯尺寸更小。
2018-03-09 14:28:1521283 
MOSFET及其应用优势，以帮助设计人员在许多工业应用中选择这些器件。 图1 N沟道耗尽型功率MOSFET N沟道耗尽型功率MOSFET的电路符号在图1中给出。端子标记为G（栅极），S（源极）和D（漏极）。IXYS耗尽型功率MOSFET具有称为垂直双扩散MOSFET或DMOSFET的结构，与市场上的其
2021-05-27 12:18:587444 
LTC1693：高速单/双N沟道MOSFET驱动器数据表
2021-05-19 16:35:075 LT1158：半桥N沟道功率MOSFET驱动器数据表
2021-05-20 18:32:193 LTC4441：N沟道MOSFET栅极驱动器数据表
2021-05-26 08:42:545 瑞盟 MS35711T 器件是一款步进电机控制器， 它使用外部 N 沟道MOSFET 来驱动一个双极步进电机或两个刷式直流电机。完美替代 TI DRV8711。
2022-07-22 09:42:081048 
由于具有较低的导通电阻（RDS(on)）和较小尺寸，N沟道MOSFET在产品选择上超过了P沟道。在降压稳压器应用中，基于栅控电压极性、器件尺寸和串联电阻等多种因素，使用P沟道MOSFET或N沟道MOSFET作为主开关。
2022-11-18 11:28:212478 PPM723T201E0 P沟道MOSFET手册免费下载。
2022-12-30 16:30:420 60 V、N 沟道沟槽 MOSFET-2N7002H
2023-02-15 18:44:250 30 V，N 沟道 MOSFET-PMPB10ZH
2023-02-21 18:21:260 30 V，N 沟道 MOSFET-PMPB100ENE
2023-02-21 19:32:000 LTC7001 是一款快速、高压侧 N 沟道 MOSFET 栅极驱动器，选用高达 135V 的输入电压作业。该器材包括一个担任全面增强外部 N 沟道 MOSFET 开关的内部充电泵，因此使其可以无限期地坚持导通。
2023-03-23 09:46:45515 在本文中，我们将学习如何使用 P沟道和 N 沟道 MOSFET 构建通用全桥或 H 桥 MOSFET 驱动电路，该电路可用于制造电机、逆变器和许多不同的功率转换器的高效驱动电路。
2023-04-29 09:35:005293 
这是使用单个N沟道MOSFET的直流电机驱动器电路。在该电路中，直流电机继续沿一个方向运行，直到按下开关时它的方向反转。该电路可在不同项目中用作电机驱动器。事实上，它只需要很少的组件，并且可以很容易
2023-06-18 11:14:54512 
在这个设计中，我们看到了使用N沟道MOSFET实现BPS电路的理想方法。
2023-06-27 17:29:31599 
在H桥电路中实现P沟道MOSFET可能看起来既简单又诱人，但可能需要一些严格的计算和参数才能实现最佳响应。
2023-06-29 15:28:02957 
型晶体管，它属于电压控制型半导体器件。根据导电沟道类型和栅极驱动电压的不同，可以分为N沟道-增强型MOSFET、N沟道-耗尽型MOSFET、P沟道-增强型MOSFET、P沟道-耗尽型MOSFET四种类型。
2023-11-07 14:51:15644 
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