双极功率晶体管的电流放大倍数和通态特性会随着电压级别的增加而迅速降低，因此抑制了其在电压高于2kV 牵引设备（如电力机车） 应用中的发展。在直流电路中，将晶闸管结构设计成利用栅极信号就可以控制开启
2024-01-17 09:42:29
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当开关的，从图中我们可以看到它也像三极管一样有三个脚，这三个脚分别叫做栅极(G)、源极(S)和漏极(D)，mpn中的贴片元件示意图是这个样子：1脚就是栅极，这个栅极就是控制极，在栅极加上电压和不加
2021-05-25 06:00:00
上升到2Vdc，而电容C限制了集电极电压的上升速度，同时减小了上升电压和下降电流的重叠，从而减低了开关管Q的损耗。而在下次开关关断之前，C必须将已经充满的电压2Vdc放完，放电路径为C、Q、R。 假设
2018-11-21 16:22:57
）开关导通期间驱动电路能保证MOSFET栅源极间电压保持稳定且可靠导通。（3）关断瞬间驱动电路能提供一个尽可能低阻抗的通路供MOSFET栅源极间电容电压的快速泄放，保证开关管能快速关断。（4）驱动电路
2017-01-09 18:00:06
栅极与源极之间加一个电阻，这个电阻起到什么作用？一是为场效应管提供偏置电压；二是起到泻放电阻的作用：保护栅极G-源极S；
2019-05-23 07:29:18
了一种独特但简单的栅极脉冲驱动电路，为快速开关HPA提供了另一种方法，同时消除了与漏极开关有关的电路。实测切换时间小于200 ns，相对于1 s的目标还有一些裕量。其他特性包括：解决器件间差异的偏置编程
2019-02-27 08:04:56
IGBT/功率MOSFET是一种电压控制型器件，可用作电源电路、电机驱动器和其它系统中的开关元件。栅极是每个器件的电气隔离控制端。MOSFET的另外两端是源极和漏极，而对于IGBT，它们被称为集电极
2021-01-27 07:59:24
，而放电则会使器件关断，漏极和源极引脚上就可以阻断大电压。当栅极电容充电且器件刚好可以导通时的最小电压就是阈值电压(VTH)。为将IGBT/功率MOSFET用作开关，应在栅极和源极/发射极引脚之间施加一
2021-07-09 07:00:00
FSA2380是一种双刀三掷（DP3T）多路转换开关，它在单对选择脚的控制下可访问3组双通道数据或声频源。FSA2380在其管脚1A和2A上具有一个专用电路可实现电源关断功能。去除VCC上的电源且在
2011-03-07 22:16:43
，并可能在不恰当的时刻导通或关闭，导致系统产生潜在的功率损耗。当源极和栅极间的电压为零时，开关关闭，而电流停止通过器件。虽然这时器件已经关闭，但仍然有微小电流存在，这称之为漏电流，即IDSS.第一步
2019-07-03 07:00:00
，并可能在不恰当的时刻导通或关闭，导致系统产生潜在的功率损耗。当源极和栅极间的电压为零时，开关关闭，而电流停止通过器件。虽然这时器件已经关闭，但仍然有微小电流存在，这称之为漏电流，即IDSS.第一步
2019-07-05 08:00:00
，并可能在不恰当的时刻导通或关闭，导致系统产生潜在的功率损耗。当源极和栅极间的电压为零时，开关关闭，而电流停止通过器件。虽然这时器件已经关闭，但仍然有微小电流存在，这称之为漏电流，即IDSS.第一步
2019-07-05 07:30:00
与源极S的电压，即栅极低于电源一定电压就导通，而非相对于地的电压。但是因为PMOS导通内阻比较大，所以只适用低功率的情况。大功率仍然使用N沟道MOS管。N沟道mos管开关电路NMOS的特性，Vgs大于
2019-01-28 15:44:35
MOS管开关电路的定义MOS管开关电路是利用MOS管栅极（g）控制MOS管源极（s）和漏极（d）通断的原理构造的电路。因MOS管分为N沟道与P沟道，所以开关电路也主要分为两种。 一般情况下普遍用于
2021-10-29 06:54:59
传说中的米勒电容。 这三个等效电容是构成串并联组合关系，它们并不是独立的，而是相互影响，其中一个关键电容就是米勒电容Cgd。这个电容不是恒定的，它随着栅极和漏极间电压变化而迅速变化，同时会影响栅极和源
2023-03-15 16:55:58
普通N MOS管给栅极一个高电压 ，漏极一个低电压，漏源极就能导通。这个GS之间加了背靠背的稳压管，给栅极一个4-10V的电压，漏源极不能导通。是不是要大于栅源击穿电压VGSO（30v）才可以？
2019-06-21 13:30:46
MOS管的开关电路中栅极电阻R5和栅源极级间电阻R6是怎么计算的？在这个电路中有什么用。已知道VDD=3.7V，在可变电阻状态中，作为开关电路是怎么计算R5和R6？
2021-04-19 00:07:09
在使用9014和PMOS管2305搭配的电源开关电源中，控制24V电源；在PMOS导通时，24V可以通过去，电压也正常；但是在开关关断时，PMOS管的漏极仍有0.7V左右的电压，不知道是什么原因？
2020-04-01 09:00:29
PMOS高边开关控制电路如下图：
输入侧使用15KW整流模块，输出侧固定8欧姆负载电阻。
整流模块设置为40V/5A，模块空载情况下输出为100V/0A。此时PMOS可以正常开关，波形红色为VGS
2024-02-05 15:54:27
有助于在应用程序中节省空间。 这些MOSFET具有出色的高速开关和低导通电阻。查看详情<<<特性：低RDS(on)降低功耗；低压驱动；提供大电流Vds-漏源极
2021-02-02 09:55:16
）、栅极－源极（发射极）间的Cgs（Cge）、漏极（集电极）－源极（发射极）间的Cds（Cce）这些寄生电容。其中与低边栅极电压升高相关的是Cgd和Cgs。下面的左图表示Cgd（Cgc）、Cgs（Cge
2018-11-30 11:31:17
应用角度来看，驱动回路和功率回路共用了源极的管脚。MOSFET是一个电压型控制的开关器件，其开通关断行为由施加在栅极和源极之间的电压（通常称之为VGS）来决定。 从图1模型来看，有几个参数是我们需要
2023-02-27 16:14:19
、NMOSNMOS是栅极低电平（|Vgs| >Vt)导通，高电平断开，可以用来控制与电源之间的导通。对于NMOS来说，一般是源极接在电源负极（低电位），而栅极接电源正极。3、MOS开关损失NMOS还是PMOS，导通后存在导通电阻，电流会在电阻上消耗能量，这部分消耗的能量叫做导通损耗。选择导通电阻小
2021-10-29 07:07:07
过二极管，放电功率不受限制，故此情况下mos管开启速度较关断速度慢，形成硬件死区。限流当使用含内部死区的驱动或不需要硬件死区时，是否可以省去栅极电阻呢？答案是不行。当开启mos管为结电容充电瞬间，驱动电路电压源近似短接到地，当驱动电驴电压源等价电源内阻较小时，存在过流烧毁驱动（可能是三态门三
2021-11-16 08:27:47
Q1的基极钳位约5ms，这应足够长以关闭大多数P沟道MOSFET。在上述电流脉冲结束时，存储在C2上的电压将大致等于电源电压+ Vs. 如果没有二极管D1，该电压将保持Q1导通，从而防止开关关断。当
2019-04-28 16:37:50
Q1的基极钳位约5ms，这应足够长以关闭大多数P沟道MOSFET。在上述电流脉冲结束时，存储在C2上的电压将大致等于电源电压+ Vs. 如果没有二极管D1，该电压将保持Q1导通，从而防止开关关断。当
2019-05-20 14:53:07
高于VG1S：VG1S1》VGS，LS的感应电压导致上管的实际关断速度变慢，关断时间变长，关断损耗增大。 图4：上管源极寄生电感的关断特性 2、下管源极寄生电感对开关性能的影响 下管工作于
2020-12-08 15:35:56
测器件，而上管开关用作dv/dt发生器。当上管器件导通时，下管器件的漏源极电压不断上升，dvDS/dt导致产生栅极电压上升；并且，栅极关断电阻越小，发生寄生导通的概率越低。本试验旨在为给定的测试用例
2023-02-27 13:53:56
TG传输门电路中。当C端接+5，C非端接0时。源极和衬底没有连在一起，为什么当输入信号改变时，其导通程度怎么还会改变？导电程度不是由栅极和衬底间的电场决定的吗？而栅极和衬底间的电压不变。所以其导通程度应该与输入信号变化无关啊！而书上说起导通程度岁输入信号的改变而改变？为什么?求详细解释！谢谢！
2012-03-29 22:51:18
使用低Uth类型的PMOS管（如Uth=-2V）做开关当5V没接入时，PMOS管的栅极通过电阻R1下拉到地（0V），锂电池BAT（3.7~4.2V）通过MOS管的内部体二极管到达源极，源极电压为（3
2021-10-29 08:43:39
的最大额定值。②是在栅极-源极间增加外置电容器，降低阻抗，抑制栅极电位升高的方法。这里需要注意的是CGS也会造成损耗，因而需要适当的电容。③是在栅极-源极间增加米勒钳位用MOSFET的方法。通过在
2018-11-27 16:41:26
保持电源电压VDD不变，当VGS电压减小到0时，这个阶段结束，VGS电压的变化公式和模式1相同。在关断过程中，t6~t7和t7~t8二个阶段电流和电压产生重叠交越区，因此产生开关损耗。关断损耗可以用下面
2017-03-06 15:19:01
功率MOSFET的结构特点为什么要在栅极和源极之间并联一个电阻呢？
2021-03-10 06:19:21
CCM模式时，由于初级电感Lp两端电压缩小，二极管D开始承受反偏电压关断，引起反向恢复电流，该电流经变压器耦合到原边侧，也会形成流经开关管和Vin的电流尖峰。在开关管开通阶段，二极管D截止，电容Cp
2018-10-10 20:44:59
场效应管si2301（p沟道）栅极D1接单片机引脚，电源接源极（s），输出端漏极（d）接一个DCDC然后接负载。问题是，单片机引脚低电平时，输出端(d)确实为高电压，但是单片机引脚高电平时。输出端为0.69v，并没有完全关断。这是场效应管的原因还是电路的设计问题？怎么让场效应管完全关断呢？
2017-12-09 18:46:35
时，光耦输出三极管集电极为低电平，功放电路中三极管Q1截止、Q2导通，施加在IGBT栅极与发射极之间电压为-9V，IGBT关断。4、电源试验图5（a）、（b）分别是输出电流45A时全桥变换器两个桥臂中点A
2018-10-19 16:38:40
开关损耗降低多达 26%。 电流源驱动器 （CSD） 和电压源驱动器 （VSD）： 图1显示了栅极驱动器BM61M41RFV-C（传统电压源驱动器）与BM60059FV-C（电流源驱动器）的框图。还
2023-02-21 16:36:47
电路分析：场效应管从左到右依次为栅极，漏极，源极，开关为轻触开关，开关没有按下时，栅极被500K下拉电阻接地，栅极无电压，漏极和源极之间没有电流通过，灯泡不亮。当按下轻触开关时，12V电经轻触开关向
2021-05-25 07:10:31
通过负载电流感应。该电流将通过栅极驱动器下拉阻抗和栅源环路电感转换为非零栅极电压。如果该电压高于阈值电压，半桥的高端和低侧开关之间将产生交叉电流。低栅极环路电感仅在功率级和栅极驱动器的单芯片协积分中
2023-02-24 15:09:34
1、关于伏秒平衡伏秒平衡是针对电感而言的不是针对变压器原边副边绕组而言的。反激开关电源反射电压Vor有两种理解方式开关关断后，磁芯的磁通量不变，并且开始减小，在副边线圈中感应除副边电压E2,此时原副
2021-10-29 09:25:02
如何用MATLAB实现反激开关电源原边开关的准谐振开通与关断的仿真呢？求助大神
2016-04-22 08:57:25
Buck电路原理Vin输出为直流，经Q1的不断导通和关断，Vsw这里将为方波，Vsw在开关电源中被称之为节点。Vsw上的方波需经过电感电容的过滤，才能变成最终的直流输出电压Vout。我们用PWM波来
2021-12-28 06:05:50
瞬态操作。图1所示为硬开关关断瞬态下，理想MOSFET的工作波形和工作顺序。 图1 升压转换器中的MOSFET的典型关断瞬态波形 当驱动器发出关断信号后，即开始阶段1 [t=t1]操作，栅极与源极之间
2018-10-08 15:19:33
5A的驱动能力和最大30V的驱动电压，高速低延迟的开关特性。能有效驱动金属氧化物半导体场效应管（MOSFET）和绝缘栅双极型晶体管 (IGBT)等功率开关 。在UCC27524A-Q1的应用案例中
2022-11-03 08:28:01
童诗白 模拟电子技术基础 第四版 41页 有一段话这样说的：若U[sub]DS[/sub]>0V，则有电流i从漏极流向源极，从而使沟道中各点与栅极间的电压不再相等，而是沿沟道从源极到漏极逐渐
2012-02-22 11:22:26
的控制电流流通器件从而可达到用较低的控制功率来控制高电流。IGBT的工作原理和作用通俗易懂版：IGBT就是一个开关，非通即断，如何控制他的通还是断，就是靠的是栅源极的电压，当栅源极加+12V(大于6V
2019-06-27 09:00:00
关断时，栅源极同电位。在上管开通过程中，设上管开通时间为ton，直流母线电压为E，由于开通过程时间很短，其漏源极电压迅速由直流母线电压下降到近似零，相当于在下管V2漏源极间突加一个电压E，形成很高的dv
2018-08-27 16:00:08
是Qgd，它描述了栅极漏极开关和开关关断时间关断所需的电荷。这两个参数指示关断能力和损耗，从而指示最大工作频率和效率。关断时间toff通常不显示在晶体管数据手册中，但可以根据参考书［1］在给定的开关电压
2023-02-27 09:37:29
Vgs(in)的振动电压，由于超出栅极-源极间额定电压导致栅极破坏，或者接通、断开漏极-源极间电压时的振动电压通过栅极-漏极电容Cgd和Vgs波形重叠导致正向反馈，因此可能会由于误动作引起振荡破坏
2019-03-13 06:00:00
极，D极，S极。G极控制mosfet的开通，关断，给GS极之间加正向电压（高电平）[url=13/]，达到导通电压门槛值之后就能导通。同理，[url=15/]给一个低电压（低电平）mosfet就能关断
2019-01-08 13:51:07
大于驱动电压Vgs(in)的振动电压，由于超出栅极-源极间额定电压导致栅极破坏,或者接通、断开漏极-源极间电压时的振动电压通过栅极漏极电容Cgd和Vgs波形重叠导致正向反馈，因此可能会由于误动作弓起振荡破坏
2018-11-21 13:52:55
的可靠性。功率MOS管保护电路主要有以下几个方面： 1)防止栅极di／dt过高：由于采用驱动芯片，其输出阻抗较低，直接驱动功率管会引起驱动的功率管快速的开通和关断，有可能造成功率管漏源极间的电压震荡
2018-12-10 14:59:16
SiCMOSFET具有出色的开关特性，但由于其开关过程中电压和电流变化非常大，因此如Tech Web基础知识 SiC功率元器件“SiC MOSFET：桥式结构中栅极－源极间电压的动作-前言”中介
2022-09-20 08:00:00
到所需值，保证开关管能快速开通且不存在上升沿的高频振荡。（2） 开关导通期间驱动电路能保证MOSFET栅源极间电压保持稳定且可靠导通。（3） 关断瞬间驱动电路能提供一个尽可能低阻抗的通路供MOSFET
2020-03-13 09:55:37
）相当于接地，栅极（G）和源极（S）间有负压-5V，mos管导通，漏极（D）有5V输出。当PW_1为低电平输出状态时，三极管Q1不导通，mos管的栅极和源极直接无压差，mos管关断，漏极...
2021-10-28 09:02:17
，这三个脚分别叫做栅极(G)、源极(S)和漏极(D)，mpn中的贴片元件示意图是这个样子：1脚就是栅极，这个栅极就是控制极，在栅极加上电压和不加上电压来控制2脚和3脚的相通与不相通，N沟道的，在栅极加上电压
2016-02-02 11:27:12
本帖最后由 sirtan养乐多 于 2019-7-4 10:45 编辑
这个电路只用于电机通断控制，开关频率间隔在五秒以上，不用来调速。用开关进行栅极电压控制就没有问题，把开关换成如图所示
2019-07-04 09:26:17
关断，或者从关断到导通的）转换的时间。2. MOSFET压控性器件，BJT流控型器件。BJT的驱动要求实际上更容易满足，N沟道MOSFET的栅极电压必须比源极电压高几伏。3. 最简单的自举电路...
2021-10-29 06:24:06
MOSFET的栅极电荷特性与开关过程MOSFET的漏极导通特性与开关过程
2021-04-14 06:52:09
栅极施加一个为零或负的偏置电压时，器件进入关断过程。首先，随着门极电压的减小，由N+源区经MOS沟道注入到N-基区的电子电流逐渐减少，而此时外部的集电极电流受负载电感影响保持不变，因此IGBT模块内部
2023-02-13 16:11:34
电压，由于超出栅极—源极间额定电压导致栅极破坏，或者接通、断开漏极—源极间电压时的振动电压通过栅极—漏极电容Cgd和Vgs波形重叠导致正向反馈，因此可能会由于误动作引起振荡破坏。第五种：栅极电涌、静电
2021-11-10 07:00:00
请教一下大神LED5000内部低边开关的作用是什么呢？
2023-01-06 07:54:55
插入电池，打开开关后U3A导通，那不是漏极拉低，把U3A的栅极拉低？互相矛盾吗
2020-04-02 10:22:38
，G极电压拉低，PMOS导通；而无负电， 即0V时，NPN关断，G极应为6V，PMOS截止。但在仿真中，如附件所示，仿真结果不符。查询datasheet，采用的IRF9130 PMOS管的开启电压Vth为 -4~-2V，仿真压差在应当是符合的吧，但结果不符是为什么呢？
2019-11-06 01:33:07
Q1的栅极、源极间电阻R1并联追加电容器C2， 并缓慢降低Q1的栅极电压，可以缓慢地使RDS(on)变小，从而可以抑制浪涌电流。■负载开关等效电路图关于Nch MOSFET负载开关ON时的浪涌电流应对
2019-07-23 01:13:34
脉冲测试结果。High Side（HS）是将RG_EXT连接于源极引脚或驱动器源极引脚，并仅使用体二极管换流工作的电路。Figure 6是导通时的漏极-源极间电压VDS和漏极电流ID的波形。这是驱动条件
2020-07-01 13:52:06
（现在大约等于+ V S）被转移到Q2的栅极。由于Q2的栅极 - 源极电压现在大致为零，因此MOSFET关断，负载电压降至零。Q1的基极 - 发射极电压也降至零，晶体管关断。因此，当开关被释放时，没有
2018-08-18 11:01:37
脉冲结束时，C2上的电压将大致等于电源电压+Vs。如果没有二极管D1，该电压将保持Q1导通，从而防止开关关断。有了D1，阻断动作将允许开关正常关断，这样当Q2关断时，C2上的电压将通过R6-D2-R7
2021-10-22 07:00:00
流动，而放电则会使器件关断，漏极和源极引脚上就可以阻断大电压。当栅极电容充电且器件刚好可以导通时的最小电压就是阈值电压(VTH)。为将IGBT/功率MOSFET用作开关，应在栅极和源极/发射极引脚之间
2018-10-25 10:22:56
通，并允许电流在其漏极和源极引脚之间流动，而放电则会使器件关断，漏极和源极引脚上就可以阻断大电压。当栅极电容充电且器件刚好可以导通时的最小电压就是阈值电压(VTH)。为将IGBT/功率MOSFET用作开关
2018-11-01 11:35:35
引脚，并仅使用体二极管换流工作的电路。Figure 6 是导通时的漏极 - 源极间电压 VDS 和漏极电流 ID 的波形。这是驱动条件为 RG_EXT＝10Ω、VDS＝800V，ID 约为 50A
2020-11-10 06:00:00
所示的电路图进行了双脉冲测试，在测试中，使低边（LS）的MOSFET执行开关动作。高边（HS）MOSFET则通过RG_EXT连接栅极引脚和源极引脚或驱动器源极引脚，并且仅用于体二极管的换流工作。在电路图
2022-06-17 16:06:12
7637测试中主要波形，本实例中主要分析继电器断开后高边开关吸收的能量，以VNQ7050为例：第一步：开关导通过程中存储的能量,此时电感电压上正下负：负载电流：存储能量：时间常数：第二步：开关断开时，继电器
2022-12-22 18:48:54
这些电路的效率。减少体二极管导通使这种技术的优点最大化。让我们考虑一个同步降压转换器。当高侧FET关断并且电感器中仍然存在电流时，低侧FET的体二极管变为正向偏置。小死区时间对避免直通很有必要。在此之后
2019-03-08 06:45:10
本文介绍一款单片高速(fSW高达100kHz)四通道低边开关。该产品能够驱动任何类型的负载(阻性负载、感性负载和容性负载)，开关一侧连接电源电压(Vcc)。
2019-08-01 08:13:02
硬开关斩波电路中的IGBT的关断电压波形电路
2010-02-17 23:08:171878 
1 前言
用于控制、调节和开关目的的功率半导体器件需要更高的电压和更大的电流。功率半导体器件的开关动作受栅极电容的充放电控制。而栅极电容的充放电通常
2011-08-10 11:16:025529 和开尔文结构封装的串扰问题分别进行分析，栅漏极结电容的充放电电流和共源寄生电感电压均会引起处于关断状态开关管的栅源极电压变化。提出一种用于抑制串扰问题的驱动电路，该驱动电路具有栅极关断阻抗低、结构简单、易于控制的特点。分析该驱动电路的工作原理，提供主
2018-01-10 15:41:22
3 当栅极和源极之间的偏置电压超过开关阈值电压时，梁上的触点便接触漏极，源极和漏极之间的电路闭合，开关接通。移除偏置电压后，即栅极上为0V时，悬臂梁像弹簧一样，产生足够大的恢复力，使源极和漏极之间的连接断开，从而电路开路，开关关断。
2019-04-15 14:02:255994 将定时器、光电耦合器、桥式可控硅交流开关和双向可控硅组合在一起，构成开关断开长延时电路。
2020-05-06 16:33:3610909 
从本文开始，我们将进入SiC功率元器件基础知识应用篇的第一弹“SiC MOSFET：桥式结构中栅极－源极间电压的动作”。前言：MOSFET和IGBT等电源开关元器件被广泛应用于各种电源应用和电源线路中。
2023-02-08 13:43:22250 
本文将针对上一篇文章中介绍过的SiC MOSFET桥式结构的栅极驱动电路及其导通(Turn-on)/关断( Turn-off)动作进行解说。
2023-02-08 13:43:23491 
在上一篇文章中，对SiC MOSFET桥式结构的栅极驱动电路的导通(Turn-on)/关断( Turn-off)动作进行了解说。
2023-02-08 13:43:23291 
上一篇文章中，简单介绍了SiC MOSFET桥式结构中栅极驱动电路的开关工作带来的VDS和ID的变化所产生的电流和电压情况。本文将详细介绍SiC MOSFET在LS导通时的动作情况。
2023-02-08 13:43:23300 
上一篇文章中介绍了LS开关导通时栅极 – 源极间电压的动作。本文将继续介绍LS关断时的动作情况。低边开关关断时的栅极 – 源极间电压的动作：下面是表示LS MOSFET关断时的电流动作的等效电路和波形示意图。
2023-02-08 13:43:23399 
的接地参考示例中，栅极驱动在 -VCL和 VDRV-VCL电平之间，而不是驱动
器的初始输出电压电平 0V和 VDRV 之间。
电压 VCL由二极管钳断网络决定，在耦合电容器上形成。此技术的优点是能够以简单的方法在开关关断时和关断状态下为栅极提供负偏置，从而
2023-02-23 15:31:242 了带负载后的电压跌落，并带有随时关断，可保证开关动作圈在通电后随时切断，避免线圈烧毁，工作稳定可靠。适用于电力部门做各种开关低电压动作试验及分、合闸试验。面板：二、技术
2021-11-16 17:19:54367 
后的电压跌落，并带有随时关断，可保证开关动作圈在通电后随时切断，避免线圈烧毁，工作稳定可靠。适用于电力部门做各种开关低电压动作试验及分、合闸试验。面板：二、技术指标：电
2021-11-17 18:17:00328 
桥式结构中的栅极-源极间电压的行为：关断时
2023-12-05 14:46:22153 
SiC MOSFET：桥式结构中栅极－源极间电压的动作
2023-12-07 14:34:17223 
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