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电子发烧友网>模拟技术>针对所产生的SiC功率元器件中浪涌的对策

针对所产生的SiC功率元器件中浪涌的对策

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2023-02-09 10:19:15696

SiC MOSFET:栅极-源极电压的浪涌抑制方法-负电压浪涌对策

本文的关键要点・通过采取措施防止SiC MOSFET中栅极-源极间电压的负电压浪涌,来防止SiC MOSFET的LS导通时,SiC MOSFET的HS误导通。・具体方法取决于各电路中所示的对策电路的负载。
2023-02-09 10:19:16589

SiC MOSFET:栅极-源极电压的浪涌抑制方法-浪涌抑制电路的电路板布局注意事项

关于SiC功率元器件中栅极-源极间电压产生浪涌,在之前发布的Tech Web基础知识 SiC功率元器件 应用篇的“SiC MOSFET:桥式结构中栅极-源极间电压的动作”中已进行了详细说明,如果需要了解,请参阅这篇文章。
2023-02-09 10:19:17707

SiC功率元器件的开发背景和优点

前面对SiC的物理特性和SiC功率元器件的特征进行了介绍。SiC功率元器件具有优于Si功率元器件的更高耐压、更低导通电阻、可更高速工作,且可在更高温条件下工作。接下来将针对SiC的开发背景和具体优点进行介绍。
2023-02-22 09:15:30346

SiC-SBD特征以及与Si二极管的比较

SiC功率元器件的概述之后,将针对具体的元器件进行介绍。首先从SiC肖特基势垒二极管开始。
2023-02-22 09:16:27492

何谓全SiC功率模块

SiC概要、SiC-SBD(肖特基势垒二极管 )、SiC-MOSFET之后,来介绍一下完全由SiC功率元器件组成的“全SiC功率模块”。本文想让大家了解全SiC功率模块具体是什么样的产品,都有哪些机型。之后计划依次介绍其特点、性能、应用案例和使用方法。
2023-02-24 11:51:08430

什么是栅极-源极电压产生浪涌

忽略SiC MOSFET本身的封装电感和外围电路的布线电感的影响。特别是栅极-源极间电压,当SiC MOSFET本身的电压和电流发生变化时,可能会发生意想不到的正浪涌或负浪涌,需要对此采取对策。在本文中,我们将对相应的对策进行探讨。
2023-02-28 11:36:50551

测量SiC MOSFET栅-源电压时的注意事项:一般测量方法

绍的需要准确测量栅极和源极之间产生浪涌。在这里,将为大家介绍在测量栅极和源极之间的电压时需要注意的事项。我们将以SiC MOSFET为例进行讲解,其实所讲解的内容也适用于一般的MOSFET和IGBT等各种功率元器件,尽情参考。
2023-04-06 09:11:46731

R课堂 | SiC MOSFET:栅极-源极电压的浪涌抑制方法-总结

本文是“SiC MOSFET:栅极-源极电压的浪涌抑制方法”系列文章的总结篇。介绍SiC MOSFET的栅极-源极电压产生浪涌浪涌抑制电路、正电压浪涌对策、负电压浪涌对策浪涌抑制电路的电路板
2023-04-13 12:20:02814

测量SiC MOSFET栅-源电压时的注意事项:一般测量方法

绍的需要准确测量栅极和源极之间产生浪涌。在这里,将为大家介绍在测量栅极和源极之间的电压时需要注意的事项。我们将以SiC MOSFET为例进行讲解,其实所讲解的内容也适用于一般的MOSFET和IGBT等各种功率元器件,尽情参考。
2023-05-08 11:23:14644

罗姆与纬湃科技签署SiC功率元器件长期供货合作协议

SiC(碳化硅)功率元器件领域的先进企业ROHM Co., Ltd. (以下简称“罗姆”)于2023年6月19日与全球先进驱动技术和电动化解决方案大型制造商纬湃科技(以下简称“Vitesco”)签署
2023-06-20 16:14:54139

新闻 | 罗姆与纬湃科技签署SiC功率元器件长期供货合作协议

SiC(碳化硅)功率元器件领域的先进企业 ROHM Co., Ltd. (以下简称“罗姆”)于2023年6月19日与全球先进驱动技术和电动化解决方案大型制造商纬湃科技(以下简称“Vitesco
2023-06-21 08:10:02287

R课堂 | 漏极和源极之间产生浪涌

缓冲电路来降低线路电感,这是非常重要的。 首先,为您介绍 SiC MOSFET 功率转换电路中,发生在漏极和源极之间的浪涌。 ·  漏极和源极之间产生浪涌 · 缓冲电路的种类和选择 · C缓冲电路的设计 · RC缓冲电路的设计 · 放电型RCD缓冲电路的设计
2023-06-21 08:35:02425

一文看懂SiC功率器件

范围内控制必要的p型、n型,所以被认为是一种超越Si极限的功率器件材料。SiC中存在各种多型体(结晶多系),它们的物性值也各不相同。用于功率器件制作,4H-SiC最为
2023-08-21 17:14:581145

碳化硅(SiC功率器件在新能源汽车中的深入应用解析

采用多芯片并联的SiC功率模块,会产生较严重的电磁干扰和额外损耗,无法发挥SiC器件的优良性能;SiC功率模块杂散参数较大,可靠性不高。 (2)SiC功率高温封装技术发展滞后。
2024-03-04 10:35:49132

一文解析SiC功率器件互连技术

和硅器件相比,SiC器件有着耐高温、击穿电压 大、开关频率高等诸多优点,因而适用于更高工作频 率的功率器件。但这些优点同时也给SiC功率器件的互连封装带来了挑战。
2024-03-07 14:28:43107

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